特許 6383522 異物を発塵させる装置および発塵要因分析装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6383522

(24)【登録日】2018年8月10日

(45)【発行日】2018年8月29日

(54)【発明の名称】異物を発塵させる装置および発塵要因分析装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20180820BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20180820BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/02 Z

   H01L21/30 503G

【請求項の数】4

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2013-15938(P2013-15938)

(22)【出願日】2013年1月30日

(65)【公開番号】特開2014-146764(P2014-146764A)

(43)【公開日】2014年8月14日

【審査請求日】2016年1月14日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】501387839

【氏名又は名称】株式会社日立ハイテクノロジーズ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】安藤 浩幸

(72)【発明者】

【氏名】浅賀 雄太

【審査官】 小川 将之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−１２１０３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２３７３６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１９７４３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２６９１０８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

システムは、
異物発塵レシピを有する第１の装置と、
異物を検査する第２の装置と、
第１のデータベースを有する第３の装置と
を具備し、
前記第１のデータベースには過去に発生した異物マップと元素分析結果と発塵機構と原因とが蓄積されており、
前記第１の装置は、制御装置と、試料を処理する試料室と、前記試料室に前記試料を搬入及び搬出する機構と、を有し、
前記機構は複数の部位を有し、
前記制御装置には前記複数の部位に動作を実行させる複数のスクリプトで構成される前記異物発塵レシピが格納されており、
前記制御装置が前記異物発塵レシピを実行することにより前記機構の複数の部位のうちの特定の部位が繰り返し動作するようにされ、前記複数のスクリプトの種類に応じて異なる部位が繰り返し動作して、前記試料に異物を付着させ、
前記第２の装置は、前記試料の異物を分析し、異物マップと元素分析結果を前記第３の装置に転送し、
前記第３の装置は、前記第１のデータベースに蓄積されている過去に発生した異物マップおよび元素分析結果と、前記転送された異物マップおよび元素分析結果とを比較し、発塵機構と原因を導き出す。

【請求項2】

請求項１のシステムにおいて、
前記第１のデータベースにはさらに過去に発生した異物の対処方法が蓄積されており、
前記第３の装置は、前記第１のデータベースに蓄積されている過去に発生した発塵機構および原因と、前記導き出した発塵機構および原因とを比較し、対処方法を導き出す。

【請求項3】

請求項１のシステムにおいて、
前記第３の装置は、前記第１の装置内の各機構における有寿命品メンテナンス推奨時間を記憶する第２のデータベースを有し、前記第１の装置から装置寿命品管理情報を取得し、前記第２のデータベースの有寿命品推奨時間と前記第１の装置から取得した装置寿命品管理情報に基づいて、前記第１の装置内にメンテナンス推奨時間を超えている部品が存在することを検出し、メンテナンス推奨部品を表示する。

【請求項4】

請求項１のシステムは、さらに第４の装置を有し、
前記第４の装置は、前記第１の装置内の各機構における有寿命品メンテナンス推奨時間を記憶する第２のデータベースを有し、前記第１の装置から装置寿命品管理情報を取得し、前記第２のデータベースの有寿命品推奨時間と前記第１の装置から取得した装置寿命品管理情報に基づいて、前記第１の装置内にメンテナンス推奨時間を超えている部品が存在することを検出し、メンテナンス推奨部品を表示する。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、装置に関し、例えば、異物を発塵させる装置と、異物発生源を導き出せる装置に適用可能である。

【背景技術】

【0002】

レジストを塗布し、露光、現像を行った後、ＣＤ−ＳＥＭ(Critical Dimension-Scanning Electron Microscope)などによって、パターン幅等を測定することにより、プロセスの評価を行うことが行われている。具体的には、ＣＤ−ＳＥＭに代表される半導体検査装置によって、半導体ウェハ等の試料上に形成されたパターンが適正に形成されているか否かを判断する。近年、半導体ウェハ等の試料上に形成されたパターンの微細化に伴い、微小な付着異物も無視できない状況になっている。

【0003】

ユーザは、日々異物チェックを行いウェハ上に付着した異物の個数が規定個数より少なければ、プロセス評価の工程を開始する。異物の付着を検査するためにダミーウェハが使用される（特許文献１）。しかし、規定個数より多い場合は、装置の使用を禁止してサービスエンジニアをコールする。サービスエンジニアは、異物の発塵源と原因を調査して発塵部を特定した後、クリーニングまたは部品交換を実施する。さらに、装置を一定期間運転させ、異物の発塵が無いことを確認できたらにユーザに手渡す。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平８−１１１４４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

半導体検査装置等、半導体ウェハ等の試料を扱う装置では、試料を検査する試料室又は試料を処理する処理室（以下、単に「試料室」という。）に搬入している最中、或いは試料を元の位置に回収する搬出中に異物が付着する場合がある。その原因は、真空排気機構からの発塵、ステージ機構の摩擦による発塵等様々な要因によるものである。また、複数の動作の組合せにより発塵する場合もあり、原因究明は困難である。ウェハカセットであるＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等の試料格納・運搬箱から試料室への搬入または試料室から試料格納・運搬箱への搬出は、様々な機構部が動作する。発塵は、何れかの機構が動作した時に起き、試料面上に異物として付着する。

【0006】

発塵する機構部を特定するためには、動作機構部の近くに試料を配置して機構部を動作させ、試料面に異物を付着させる必要がある。現状サービスエンジニアが行う方法は、試料を装置内の特定位置に手動で配置した後、手動で機構部を動作させる。現状のやり方は、手動での作業であるため、発塵の原因究明までの効率が悪い。ここで、手動での作業とは、サービスエンジニアが操作端末からコマンドラインを入力しながら一つ一つの動作をさせることである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

【0008】

すなわち、装置は、各特定部位の動作を繰返すことで故意に発塵を促して試料に異物を付着させる仕組みを有する。

【発明の効果】

【0009】

上記装置によれば、装置内から発塵した異物の発塵源と発塵原因を容易に特定することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施例に係る半導体検査装置の概略を説明するための側面図である。

【図2】実施例に係る半導体検査装置の概略を説明するための上面図である。

【図3】実施例に係るソフトウェア部品の一覧表である。

【図4】実施例に係るソフトウェア部品を組合せたスクリプトと発塵用繰返し動作の第１の例を示した図である。

【図5】実施例に係るソフトウェア部品を組合せたスクリプトと発塵用繰返し動作の第２の例を示した図である。

【図6】実施例に係るソフトウェア部品を組合せたスクリプトと発塵用繰返し動作の第３の例を示した図である。

【図7】実施例に係る効率を考慮した発塵用繰返し動作を示す図である。

【図8】実施例に係る異物発塵レシピの例を示した図である。

【図9】図８の異物発塵レシピが実行している最中のＧＵＩで表された図である。

【図10】実施例に係る異物発塵源の発塵原因を特定するシステム構成図である。

【図11】実施例に係る発塵要因可能性データベースを示す図である。

【図12】実施例に係る装置有寿命品時間管理データベースを示す図である。

【図13A】実施例に係る異物発塵源と発塵原因の可能性がわかるまでの流れを示す図である。

【図13B】実施例に係る異物発塵源と発塵原因の可能性がわかるまでの流れを示す図である。

【図14】実施例に係るメンテナンス推奨部品を抽出するまでの流れを示す図である。

【図15】実施例に係る半導体検査装置の搬入動作を示すフロー図である。

【図16】実施例に係る半導体検査装置の搬出動作を示すフロー図である。

【図17】実施の形態に係る構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、実施形態、実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。

【0012】

図１７は実施の形態に係る構成を示す図である。装置２００は、制御装置２０１と、試料を処理する試料室２１２と、試料室２１２に前記試料を搬入及び搬出する機構２５４と、を具備し、機構２５４は複数の部位を有し、制御装置２０１はスクリプト２４６を有しており、制御装置２０１がスクリプト２４６を実行することにより機構２５４の複数の部位うちの特定の部位が繰返し動作するようにされる。これにより、故意に発塵を促して試料に異物を試料に付着させることができる。また、発塵した異物の発塵源と発塵原因を容易に特定することができる。

【0013】

ここで、スクリプト２４６は、ソフトウェア部品を順番に並べてある纏まりのある動作を実行するための簡易プログラムであり、ソフトウェア部品は、搬入動作及び搬出動作内のひとつの動作を単体で実行可能とした単位である。

【実施例】

【0014】

以下の説明ではＣＤ−ＳＥＭを用いた半導体検査装置を例にとって説明するが、それに限られることはなく、他の荷電粒子線を用いた装置（例えば、透過電子顕微鏡、走査透過電子顕微鏡、電子線描画装置、イオン顕微鏡、集束イオンビーム加工装置等）、荷電粒子線を用いない装置（例えば、検査装置、製造装置、加工装置、評価装置、計測装置）等にも、適用が可能である。試料としては、半導体ウェハの他に、露光装置の露光光をマスクするレチクル、液晶や有機ＥＬの表示装置のＴＦＴ基板等を用いることができる。

【0015】

＜構成＞
図１は、実施例に係る半導体検査装置の概略を説明するための側面図である。半導体検査装置１０１は、光学系を格納する筒４２と試料室１２とロードロック室９とミニエンバイロメント４１と制御系４３と表示／編集装置２６とを有する。
制御装置１は、図示しないユーザーインターフェースからオペレータによって入力された加速電圧、試料（半導体デバイス）情報、測定位置情報、ウェハカセット情報などをもとに、光学系制御装置２、ステージ制御装置３、試料搬送制御装置４、及び試料交換室制御装置５の制御を行っている。

【0016】

制御装置１から命令を受けた試料搬送制御装置４は、ミニエンバイロメント４１内にある搬送用ロボット８を、ＦＯＵＰ６から任意のウェハ７が、ロードロック室（試料交換室）９のホルダ５０の位置に移動するように制御する。ＦＯＵＰ６にはドア４０があり、開閉機構を有している。制御装置１はＦＯＵＰ６のドア４０の開閉を制御することができるようになる。

【0017】

試料交換室制御装置５は、ロードロック室９へのウェハ７の出入りに連動して、ゲートバルブ１０、１１が開閉するような制御を行う。更に、試料交換室制御装置５は、試料交換室９内を真空排気する真空ポンプ（図示せず）を制御し、ゲートバルブ１１が開くときには、試料室１２と同等の真空を、試料交換室９内にて形成する。試料交換室９に入ったウェハ７は、ゲートバルブ１１を介して、試料室１２に送られ、ステージ１３上に固定される。試料搬送制御装置４または試料交換制御装置５で制御される機構を搬入／搬出機構ともいう。

【0018】

光学系制御装置２は、制御装置１からの命令に従い、高電圧制御装置１４、コンデンサレンズ制御部１５、増幅器１６、偏向信号制御部１７、及び対物レンズ制御部１８を制御する。

【0019】

引き出し電極１９により、電子源２０から引き出された電子ビーム２１は、コンデンサレンズ２２、対物レンズ２３によって集束され、試料ステージ１３上に配置されたウェハ７に照射される。電子ビーム２１は、偏向信号制御部１７から信号を受けた偏向器２４によりウェハ７上を、一次元的、或いは二次元的に走査される。

【0020】

ウェハ７への電子ビーム２１の照射に起因して、ウェハ７から放出される二次荷電粒子２５は、二次電子変換電極２７によって、二次電子３５に変換され、その二次電子３５は二次荷電粒子検出器３６により捕捉され、増幅器１６を介して表示／編集装置２６の表示画面の輝度信号として使用される。

【0021】

また、表示／編集装置２６の偏向信号と、偏向器２４の偏向信号とを同期させることにより、表示／編集装置２６にはウェハ上のパターン形状を再現することができる。

【0022】

＜動作＞
（１）搬入動作
図２は、実施例に係る半導体検査装置の上面図である。図１５は実施例に係る半導体検査装置の搬入動作を示すフロー図である。図１６は実施例に係る半導体検査装置の搬出動作を示すフロー図である。
半導体検査装置１０１は、図２に示すようにロードロック室９を複数有する構成であり、ＦＯＵＰ６を複数接続できる構成である。ＦＯＵＰ６内のウェハ７を試料室１２へ搬入される（以後、「搬入動作」という。）。搬入動作は、図１５に示すように以下の動作を順番に実行することで行われる。

【0023】

ＦＯＵＰ６のドア４０を開ける（ステップＳＣＩ１）。ＦＯＵＰ６内のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（ステップＳＣＩ２）。搬送用ロボット８で保持しているウェハ７をゲートバルブ１０の手前まで移動する（ステップＳＣＩ３）。ロードロック室９内を大気状態にする（ステップＳＣＩ４）。ゲートバルブ１０を開ける（ステップＳＣＩ５）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をホルダ５０に搬入する（ステップＳＣＩ６）。ゲートバルブ１０を閉じる（ステップＳＣＩ７）。ロードロック室９を真空状態にする（ステップＳＣＩ８）。ロードロック室９のゲートバルブ１１を開ける（ステップＳＣＩ９）。ステージ１３をロードロック室９側に移動する（ステップＳＣＩ１０）。ホルダ５０のウェハ７をステージ１３に搬入する（ステップＳＣＩ１１）。ゲートバブル１１を閉じる。

【0024】

（２）計測動作
その後、ウェハ７上に存在するパターンの寸法を計測する。

【0025】

（３）搬出動作
試料室１２内で計測が終了したウェハ７は、ＦＯＵＰ６に回収される（以後、「搬出動作」という。）。搬出動作は、図１６に示すように以下の動作を順番に実行することで行われる。

【0026】

ステージ１３をロードロック室９側に移動する（ステップＳＣＯ１）。ゲートバルブ１１を開ける（ステップＳＣＯ２）。ステージ１３のウェハ７をホルダ５０に搬出する（ステップＳＣＯ３）。ゲートバルブ１１を閉じる（ステップＳＣＯ４）。ロードロック室９内を大気状態にする（ステップＳＣＯ５）。ゲートバルブ１０を開ける（ステップＳＣＯ６）。ホルダ５０上のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（ステップＳＣＯ７）。ゲートバルブ１０を閉じる（ステップＳＣＯ８）。ロードロック室９を真空状態にする（ステップＳＣＯ９）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をＦＯＵＰ６に回収する（ステップＳＣＯ１０）。ＦＯＵＰ６のドア４０を閉める（ステップＳＣＯ１１）。

【0027】

＜発塵源の特定方法＞
ウェハ面上に付着する異物は、搬入動作又は搬出動作中の何れかの動作中に付着する可能性が高い。従って、特定部位の動作を故意に繰返すことで、発塵を促して発塵源を特定する方法を以下に説明する。

【0028】

図３は実施例に係るソフトウェア部品の一覧表（ライブラリ）を示す図である。図３示すソフトウェア部品とは、搬入動作及び搬出動作内のひとつの動作を単体で実行可能とした単位である。これらソフトウェア部品は、制御装置１内のハードディスクや半導体不揮発性メモリの記憶装置４４に登録されている。ソフトウェア部品の記憶装置４４への登録は、装置をユーザに納入する前に、遅くとも後述するスクリプトの編集や実行をする前までに登録される。搬入動作や搬出動作内の特定部位を繰返す動作を作るためには、表示／編集装置２６上でソフトウェア部品を編集してスクリプトを作り出すことができる。スクリプトとは、ソフトウェア部品を順番に並べてある纏まりのある動作を実行するための簡易プログラムのことである。スクリプトもソフトウェア部品と同様に記憶装置４４に登録しておくこともできる。スクリプトの記憶装置４４への登録は、装置をユーザに納入する前に、遅くともサービスエンジニアが発塵源の特定のためにスクリプトの実行をする前までに登録される。スクリプトは、制御装置１内のＣＰＵ（中央処理装置）４５によって実行される。

【0029】

図４、図５および図６は、実施例に係るソフトウェア部品を組合せて作成したスクリプトと発塵用繰返し動作の例を示した図である。

【0030】

図４に示す第１のスクリプト（スクリプトａ）４６ａは、以下の動作を行う。ドア４０を開ける（FP-OP）。ＦＯＵＰ６内のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（FP-RO pos）。ここで、「pos」はＦＯＵＰ６内のウェハの位置（Slot番号）を指定する。搬送用ロボット８で保持しているウェハ７をゲートバルブ１０の手前まで移動して停止する（RO-LB1）。ロードロック室９内を大気状態にする（LC1-AR）。ゲートバルブ１０を開ける（GB11-OP）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をホルダ５０に搬入する（RO-LC1）。本状態でゲートバルブ１０を開ける動作（GB11-OP）とゲートバルブ１０を閉じる動作（GB11-CL）を指定回数繰返す。第１のスクリプト４６a内のREPEAT countとNEXTのソフトウェア部品を実行することで、指定回数を繰返す。指定回数は、スクリプト作成者が自由に変更することが可能な仕組みを有する。第１のスクリプト４６ａの動作の目的は、ゲートバルブ１０の開閉動作による発塵の有無を確認することにある。ゲートバルブ１０の開閉動作で異物が発塵した場合は、ホルダ５０にあるウェハ７に異物が付着する。異物が付着したウェハ７は、指定回数の繰返し動作終了後に次の動作によってＦＯＵＰ６に回収される。ホルダ５０のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（LC1−RO）。ゲートバルブ１０を閉じる（GB11−CL）。ロードロック室９を真空状態にする（LC1−EV）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をＦＯＵＰ６に回収する（RO−FP pos）。ドア４０を閉める（FP−CL）。

【0031】

図５に示す第２のスクリプト（スクリプトｂ）４６ｂは、以下の動作を行う。ドア４０を開ける（FP-OP）。ＦＯＵＰ６内のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（FP-RO pos）。搬送用ロボット８で保持しているウェハ７をゲートバルブ５１の手前まで移動して停止する（RO-LB1）。ロードロック室５２内を大気状態にする（LC2-AR）。ゲートバルブ５１を開ける（GB21-OP）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をホルダ５３に搬入する（RO-LC2）。ゲートバルブ５１を閉じる（GB21-CL）。ロードロック室５２を真空状態にする（LC2-EV）。ステージ１３をロードロック室５２側に移動する（ST-MV2）。ゲートバルブ５４を開ける（GB22-OP）。本状態で、ホルダ５３上のウェハ７をステージ１３に搬入する（LC2-SC）。ステージ１３のウェハ７をホルダ５３に搬出する（SC-LC2）。動作を指定回数繰返す。第２のスクリプト４６ｂの動作の目的は、ホルダ５３の搬入と搬出を繰返すことによる発塵の有無を確認することである。指定回数の繰返し動作終了後、ウェハ７は、ＦＯＵＰ６に回収される。ウェハ７がＦＯＵＰ６に回収される動作については、図５のスクリプトｂのNEXT以降のソフトウェア部品の動作によって行われる。その動作は、図３を参照することによって容易に理解することができるので、説明は省略する。

【0032】

図６に示す第３のスクリプト（スクリプトｃ）４６ｃは、以下の動作を行う。ドア４０を開ける（FP-OP）。ＦＯＵＰ６内のウェハ７を搬送用ロボット８で取出す（FP-RO pos）。搬送用ロボット８で保持しているウェハ７をゲートバルブ５１の手前まで移動して停止する（RO-LB1）。ロードロック室５２内を大気状態にする（LC2-AR）。ゲートバルブ５１を開ける（GB21-OP）。搬送用ロボット８に保持しているウェハ７をホルダ５３に搬入する（RO-LC2）。ゲートバルブ５１を閉じる（GB21-CL）。ロードロック室５２を真空状態にする（LC2-EV）。ステージ１３をロードロック室５２側に移動する（ST-MV2）。本状態で、ゲートバルブ５４を開ける（GB22-OP）。ホルダ５３上のウェハ７をステージ１３に搬入する（LC2-SC）。ステージ１３のウェハ７をホルダ５３に搬出する（SC-LC2）。ゲートバルブ５４を閉じる（GB22-CL）。動作を指定回数繰返す。第３のスクリプト４６ｃの動作の目的は、ホルダ５３の搬入、搬出動作とゲートバルブ５４の開閉動作を組合せた場合の発塵の有無を確認することである。指定回数の繰返し動作終了後、ウェハ７は、ＦＯＵＰ６に回収される。ウェハ７がＦＯＵＰ６に回収される動作については、図６の第３のスクリプト４６ｃのLC2−AR以降のソフトウェア部品は図５の第２のスクリプト４６ｂと同じであるので、その説明は省略する。

【0033】

図５に示す第２のスクリプト４６ｂと図６に示す第３のスクリプト４６ｃの違いのように、繰返す機構の組合せを変えることにより、発塵部位と原因メカニズムをより明確にすることが可能となる。

【0034】

図７は実施例に係る効率を考慮した発塵用繰返し動作のイメージを示す図である。図７に示す動作は、図４に示す第１のスクリプト４６ａと図５に示す第２のスクリプト４６ｂとを組合せたものである。それぞれの動作については、図４および図５の説明と重複するので省略する。図７のように繰返し動作は、複数の動作を同時に実行可能とする。これにより、処理時間を大幅に短縮することが可能である。

【0035】

図８は実施例に係る異物発塵レシピの例を示す図である。異物発塵レシピ１００とは、ＦＯＵＰ６内の各ウェハに対して図４、図５、図６等に示したスクリプトを割当てて、一つの実行形式として記憶装置４４に登録したものである。ＦＯＵＰ６内に複数のウェハが存在し、下側からSlot １、Slot 2〜Slot nのように昇順に番号付けがされている。図８の例では、Slot 1にスクリプトa、Slot 5にスクリプトb、Slot nにスクリプトcを割当てることで、それを一つのレシピとする。本レシピを実行すると、Slot 1のウェハをＦＯＵＰ6から取出して、図４に示したスクリプトａの動作を指定回数分繰返す。スクリプトａの動作の開始と同時にSlot 5のウェハをＦＯＵＰ６から取出して、図５に示したスクリプトｂの動作を指定回数分繰返す。Slot 5のウェハに対する動作が終了し、ＦＯＵＰ６に回収（スクリプトｂの動作が終了）後、Slot nのウェハをＦＯＵＰ６から取出し図６に示したスクリプトｃの動作を指定回数分繰返す。スクリプトｃの動作が終了してＦＯＵＰ６にウェハが回収されたらレシピは終了となる。

【0036】

図９は図８の異物発塵レシピが実行している最中の表示／編集装置の画面を示す図である。表示／編集装置はＧＵＩ（Graphical User Interface）によって、図９に示す画面２６Ｄには、ＦＯＵＰ６内のSlot番号とSlot番号に割り当てたスクリプト名称と現在の動作回数を表示する。現在の動作回数は、１回の繰返し動作が行われるごとに更新される。更に半導体検査装置１０１内で現在繰返し動作を行っている部位を表示する。ＧＵＩで画面２６Ｄに表示した情報より、半導体検査装置１０１内で動作している部位とレシピが終了するまでの時間を予測することができる。また、ＧＵＩによって、ＦＯＵＰ６内のSlot番号に割り当てるスクリプトと動作回数を容易に設定することができる。

【0037】

異物発塵レシピ１００において、複数の部位から構成される搬入及び搬出機構のそれぞれの部位の動作を繰り返すスクリプトを各Slotに割り当てる。各Slotに格納されたウェハを異物検査装置で調べて、異物が付着したウェハが見つかったときは、そのウェハが格納されたSlotに対応するスクリプトから、発塵部位（発塵源）を特定することができる。

【0038】

＜発塵原因特定システム＞
図１０は実施例に係る異物発塵源の発塵原因を特定するシステム構成図である。システムＤＦＡは、半導体検査装置（第１の装置）１０１と異物検査装置（第２の装置）１０２と発塵要因分析装置（第３の装置）１０３から構成される。発塵要因分析装置は、ＣＰＵと記憶装置とプログラム等によって実現される。ただし、異物検査装置１０２の機能と発塵要因分析装置１０３の機能を半導体検査装置１０１内に集約した構成とすることもできる。また、発塵要因分析装置１０３の機能を半導体検査装置１０１に配置することもできる。さらに、発塵要因分析装置１０３の機能を半導体検査装置１０１および異物検査装置１０２等の装置を統括的に管理するホストコンピュータ内のＣＰＵと記憶装置とプログラム等によって構成することもできる。半導体検査装置１０１内には、図８に記載した異物発塵レシピ１００を有しており、異物発塵レシピ１００の動作を終了後すると異物が付着している可能性のあるウェハ７ＷＦＯを出力する。ウェハ７ＷＦＯは、異物検査装置１０２で処理され、ウェハ７ＷＦＯに対するSlot番号と異物マップと元素分析結果などのデータＩＤＡＴＡ１を発塵要因分析装置１０３に出力するデータＩＤＡＴＡ１は、発塵要因分析装置１０３の入力となる。発塵要因分析装置１０３内には、発塵要因データベース（第１のデータベース）１０４と装置有寿命品管理データベース（第２のデータベース）１０５がある。装置有寿命品管理データベース１０５は発塵要因分析装置１０３とは別の装置（第４の装置）内にあってもよい。半導体検査装置１０１は、Slot番号とスクリプト名称と装置有寿命品管理情報などのデータＩＤＡＴＡ２を発塵要因分析層１０３に出力する。装置有寿命品管理情報には有寿命品の装置立上げからの経過時間などが含まれている。

【0039】

図１１は実施例に係る発塵要因可能性データベース１０４の内容を示す図である。発塵要因データベース１０４は、異物マップ１０４１と、元素分析結果１０４２と、元素分析結果に対する発塵機構・原因１０４３と、対処方法１０４４とが蓄積されているデータベースである。発塵要因データベース１０４には、過去に発生した異物に対する情報が蓄積されている。発塵要因分析装置１０３は、異物検査装置１０２からの出力データである異物マップおよび元素分析結果と、発塵要因データベース１０４に蓄積されている異物マップ１０４１および元素分析結果１０４２とを突き合わせて、発塵箇所と可能性のある発塵機構・原因と対処方法（対策の候補）とを含む分析結果ＡＲを出力する（表示する）。異物マップでは、ウェハに付着している異物の分布、異物の大きさと発塵要因データベース１０４に登録されている異物の分布、異物の大きさとを突き合わせる。元素分析では、ウェハに付着している異物の元素と発塵要因データベース１０４に登録されている異物の元素との突き合わせを行う。本突き合わせにより、異物の発塵部位（発塵箇所）と発塵原因を容易に導き出すことが可能となる。また、異物発塵源を特定するまでのプロセスが確立されるので、原因究明と処置（対処）に多大な時間を要することがなくなる。

【0040】

図１２は実施例に係る装置有寿命品時間管理データベースの内容記載した図である。装置有寿命時間管理データベース１０５は、半導体検査装置１０１内の機構の有寿命品１０５１におけるメンテナンス推奨時間１０５２を登録したものである。装置有寿命時間管理データベース１０５を設けた理由は、半導体検査装置１０１内にメンテナンス推奨時間を超えてメンテナンスを行わない場合、その寿命品の摩耗がきっかけで、異物を発塵している可能性があるためである。例えば、発塵要因分析装置１０３は、装置有寿命時間管理データベース１０５の有寿命品Ａのメンテナンス推奨時間eaと半導体検査装置１０１から取得した装置立上げからの経過時間nnとを比較し、nnがea以上であれば、有寿命品Ａのメンテナンス推奨時間を超えていると判断する。次に有寿命品Ｂのメンテナンス推奨時間ebとnnを比較する。nnがeb以上であれば、有寿命品Ｂのメンテナンス推奨時間を超えたことを意味する。このように半導体検査装置１０１内の有寿命品におけるメンテナンス推奨時間と装置立上げからの経過時間とを比較して、メンテナンス推奨時間を超えている場合は、メンテナンス推奨部品（メンテナンス対象有寿命品）ＭＰをアナウンスする（表示する）。これにより、有寿命品の交換時期を容易に知ることができる。

【0041】

図１３Ａおよび図１３Ｂは実施例に係る異物発塵源と発塵原因の可能性がわかるまでの流れを示す図である。半導体検査装置１０１内で、異物発塵レシピ１００を実行する（ステップＳ１）。１スロット（Slot）に対する処理が終了したらSlot番号とスクリプト名称を発塵要因分析装置１０３に転送する（ステップＳ２）。次に異物発塵レシピ１００の実行が全Slot分終了したか を確認する（ステップＳ３）。これは、図９に示すスクリプトが全て終了したかを判断する。全て終了したら、異物発塵レシピ１００の実行が終了したＦＯＵＰ６を異物検査装置１０２に搬入する（ステップＳ４）。 異物検査装置１０２では、ＦＯＵＰ６内全てのウェハに対する異物検査を実施する（ステップＳ５）。ウェハ上の異物数は、規定数以内か否かを判断する（ステップＳ６）。規定数はユーザにより異なるため、カスタマイズできるようにしている。ウェハ上の異物数が規定数以上の場合は、ウェハのSlot番号とウェハ上の異物マップデータと異物元素分析結果を発塵要因分析装置１０３に転送する（ステップＳ７）。本処理（ステップＳ５，Ｓ６，Ｓ７）は、ＦＯＵＰ６内全てのウェハに対する異物検査が終了するまで行う（ステップＳ８）。全てのウェハに対してウェハ上の異物マップ、異物元素分析結果と発塵要因データベース１０４内の異物マップ、異物元素分析結果データの突き合わせを実施し（ステップＳ９）、発塵要因分析装置１０３内に発塵機構・原因・対処方法を表示する（ステップＳ１０）。

【0042】

図１４は実施例に係るメンテナンス推奨部品を抽出するまでの流れを示す図である。半導体検査装置１０１より現在の半導体検査装置の立上げからの経過時間を取得する（ステップ２０）。 次に装置有寿命時間管理データベース１０５に登録されている時間とステップＳ２０で取得した時間を比較する（ステップＳ２１）。半導体検査装置１０１から取得した装置立上げからの経過時間が装置有寿命時間管理データベース１０５に登録されている時間以上の有寿命品があるかを判断し（ステップＳ２２）。寿命時間を超えた有寿命品があれば、メンテナンスを推奨する有寿命品名を表示する（ステップＳ２３）。上記メンテナンス推奨部品の抽出は、発塵要因分析装置１０３が行うが、装置有寿命時間管理データベース１０５を別の装置（第４の装置）内に設けて、その装置（第４の装置）で行ってよい。

【0043】

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態および実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

【符号の説明】

【0044】

２００…装置
２０１…制御装置
２１２…試料室
２４６…スクリプト
２５４…搬入／搬出機構

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13A】

【図13B】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】