特許 6384532 発光素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6384532

(24)【登録日】2018年8月17日

(45)【発行日】2018年9月5日

(54)【発明の名称】発光素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20180827BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20180827BHJP

   B23K 26/08 20140101ALI20180827BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 B

   B23K26/53

   B23K26/08 Z

【請求項の数】6

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2016-167419(P2016-167419)

(22)【出願日】2016年8月29日

(65)【公開番号】特開2018-37470(P2018-37470A)

(43)【公開日】2018年3月8日

【審査請求日】2017年9月27日

(73)【特許権者】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104949

【弁理士】

【氏名又は名称】豊栖 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100074354

【弁理士】

【氏名又は名称】豊栖 康弘

(72)【発明者】

【氏名】岡本 一人

【審査官】 内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−０２８４５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１２４３２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−００４９５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−００９５１７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／０８

Ｂ２３Ｋ ２６／５３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

サファイアからなる基板と、前記基板の上面に設けられた半導体構造と、を有するウエハを準備する工程と、
レーザ光を走査することにより、上面視でそれぞれが直線状である複数の割断起点部を前記基板の内部に形成する工程と、
前記ウエハを前記割断起点部に沿って割断し、それぞれの上面視形状が六角形である複数の発光素子を得る工程と、を備える発光素子の製造方法であって、
前記複数の割断起点部を形成する工程は、上面視において、
３つの前記発光素子の一頂点が重なる一点から第１間隔をあけて第１割断起点部を形成する工程であって、前記第１割断起点部を延長させた直線が前記一点を通るように前記第１割断起点部を形成する工程と、
前記一点から前記第１間隔よりも短い第２間隔をあけて第２割断起点部を形成する工程であって、前記第２割断起点部を延長させた直線が前記一点を通り、且つ前記第１割断起点部を延長させた直線と１２０度をなす前記第２割断起点部を形成する工程と、
前記一点から前記第１間隔よりも短い第３間隔をあけて第３割断起点部を形成する工程であって、前記第３割断起点部を延長させた直線が前記一点を通り、且つ前記第１割断起点部を延長させた直線及び前記第２割断起点部を延長させた直線のそれぞれと１２０度をなす前記第３割断起点部を形成する工程と、を順に有する発光素子の製造方法。

【請求項2】

前記複数の割断起点部を形成する工程において、前記発光素子の上面視形状である六角形における各頂点を前記一点として、隣接する２つの前記頂点間に前記第１割断起点部、前記第２割断起点部及び前記第３割断起点部のいずれか一つを形成する請求項１に記載の発光素子の製造方法。

【請求項3】

前記第１割断起点部を形成する工程において、前記発光素子の上面視形状である六角形における６つの頂点のうち一つ置きに位置する３つの頂点それぞれに向かって前記レーザ光を走査することにより、前記第１割断起点部を形成する請求項１又は２に記載の発光素子の製造方法。

【請求項4】

前記第１割断起点部を形成する工程において、１つの第１割断起点部の走査終了側となる終端と、前記３つの頂点のうち前記終端の近傍に位置する１つの頂点と、の距離が、前記１つの第１割断起点部の走査開始側となる始端と、前記３つの頂点と異なる他の３つの頂点のうち前記始端の近傍に位置する１つの頂点と、の距離よりも大きくなるよう、前記第１割断起点部を形成する請求項３に記載の発光素子の製造方法。

【請求項5】

前記複数の発光素子を得る工程を、前記割断起点部からの亀裂が前記基板の下面に達した後に行う請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。

【請求項6】

前記複数の割断起点部を形成する工程において、前記複数の割断起点部を前記基板のａ面に沿って形成する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、サファイア基板とその上面に形成された半導体層とを有するウエハを準備した後に、サファイア基板の内部にレーザ光を照射することにより改質領域を形成することが記載されている。そして、ウエハの上面視においてその改質領域を通る割断予定線に沿ってウエハを割断することで、一枚のウエハから複数の発光素子が得られる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３−０４２１１９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した発光素子の製造方法では、個片化して得られる発光素子の上面視形状が矩形であるので、ウエハの上面視において予定される割断予定線は格子状となる。そのため、上面からみたときに割断予定線に沿って改質領域から亀裂が伸展したとしても、その亀裂がウエハの割断により後に発光素子となる領域（以下「発光素子領域」という。）の内側にまで達する可能性は低い。しかしながら、発光素子の上面視形状が六角形である場合、割断予定線の延長線上に発光素子領域が位置することになるため、改質領域から伸展する亀裂が発光素子領域に達する可能性が高くなる。発光素子領域にまで達した亀裂は、ウエハの割断時において、欠けなどが発生する要因となるため、歩留りの低下を引き起こす。

【0005】

そこで、本発明は、改質領域から伸展する亀裂が発光素子領域の内側にまで達することを抑制し、歩留りを向上させることができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る発光素子の製造方法は、サファイアからなる基板と、前記基板の上面に設けられた半導体構造と、を有するウエハを準備する工程と、レーザ光を走査することにより、上面視でそれぞれが直線状である複数の割断起点部を前記基板の内部に形成する工程と、前記ウエハを前記割断起点部に沿って割断し、それぞれの上面視形状が六角形である複数の発光素子を得る工程と、を備える。そして、前記複数の割断起点部を形成する工程は、上面視において、３つの前記発光素子の一頂点が重なる一点から第１間隔をあけて第１割断起点部を形成する工程であって、前記第１割断起点部を延長させた直線が前記一点を通るように前記第１割断起点部を形成する工程と、前記一点から前記第１間隔よりも短い第２間隔をあけて第２割断起点部を形成する工程であって、前記第２割断起点部を延長させた直線が、前記一点を通り且つ前記第１割断起点部を延長させた直線と１２０度をなす前記第２割断起点部を形成する工程と、前記一点から前記第１間隔よりも短い第３間隔をあけて第３割断起点部を形成する工程であって、前記第３割断起点部を延長させた直線が、前記一点を通り且つ前記第１割断起点部を延長させた直線及び前記第２割断起点部を延長させた直線のそれぞれと１２０度をなす前記第３割断起点部を形成する工程と、を順に有する。

【発明の効果】

【0007】

以上の構成とすることにより、割断起点部から伸展する亀裂が発光素子領域の内側に達することを抑制することができるので、発光素子を歩留りよく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る製造方法に用いるウエハを模式的に示す上面図である。

【図2】レーザ光を基板の内部に集光して割断起点部を形成する例を模式的に示す断面図である。

【図3】図１のウエハに複数の発光素子領域を形成した例を模式的に示す要部拡大上面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る製造方法で形成される第１〜第３割断起点部を模式的に示す図である。

【図5A】レーザ光を基板の内部に集光して第１割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図5B】レーザ光を基板の内部に集光して第２割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図5C】レーザ光を基板の内部に集光して第３割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図6A】レーザ光を基板の内部に集光して第１割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図6B】レーザ光を基板の内部に集光して第２割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図6C】レーザ光を基板の内部に集光して第３割断起点部を形成する例を模式的に示す上面図である。

【図7】本発明の一実施形態の係る製造方法で得られる発光素子を模式的に示す斜視図である。

【図8】本発明の一実施形態の係る製造方法で得られる発光素子を模式的に示す断面図であり、図７のＡ−Ａ線における断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、本実施形態に係る発光素子１００の製造方法に用いるウエハ１０の上面視を示す図である。図２は、基板１０２の内部に割断起点部２０を形成する様子を説明するための断面図である。図３は、ウエハ１０と、その一部を拡大したものであり、ウエハ１０上に複数の発光素子領域１４が形成されている様子を説明するためのものである。図４は、本実施形態に係る製造方法で形成する第１〜第３割断起点部２１〜２３を説明するための上面図である。図５Ａは、基板１０２の第１割断起点部２１が形成される部分を説明するためのウエハの上面図である。図５Ｂは、基板１０２の内部に第２割断起点部２２が形成される部分を説明するためのウエハの上面図である。図５Ｃは、基板１０２の内部において第３割断起点部２３が形成される領域を説明するためのウエハの上面図である。図７は、発光素子１００の斜視図を示す図である。図８は、図７のＡ−Ａ線における断面図である。

【0010】

発光素子１００の製造方法は、サファイアからなる基板１０２と、基板１０２の上面に設けられた半導体構造１０４と、を有するウエハ１０を準備する工程と、レーザ光を走査することにより、上面視でそれぞれが直線状である複数の割断起点部２０（第１割断起点部２１、第２割断起点部２２及び第３割断起点部）を基板１０２の内部に形成する工程と、ウエハ１０を割断起点部２０に沿って割断し、それぞれの上面視形状が六角形である複数の発光素子１００を得る工程と、を備える。そして、複数の割断起点部２０を形成する工程は、上面視において、３つの発光素子１００の一頂点が重なる一点Ｄから第１間隔Ｐ１をあけて第１割断起点部２１を形成する工程であって、第１割断起点部２１を延長させた直線が一点Ｄを通るように第１割断起点部２１を形成する工程と、一点Ｄから第１間隔Ｐ１よりも短い第２間隔Ｐ２をあけて第２割断起点部２２を形成する工程であって、第２割断起点部２２を延長させた直線が、一点Ｄを通り且つ第１割断起点部２１を延長させた直線と１２０度をなす第２割断起点部２２を形成する工程と、一点Ｄから第１間隔Ｐ１よりも短い第３間隔Ｐ３をあけて第３割断起点部２３を形成する工程であって、第３割断起点部２３を延長させた直線が、一点Ｄを通り且つ第１割断起点部２１を延長させた直線及び第２割断起点部２２を延長させた直線のそれぞれと１２０度をなす第３割断起点部２３を形成する工程と、を順に有する。

【0011】

これにより、上方からみたときに割断起点部２０の端部から割断起点部２０の延伸方向に伸展する亀裂が発光素子領域１４にまで伸展することを抑制できるため、上面視形状が六角形である発光素子を歩留りよく製造することができる。以下、この点について説明する。

【0012】

上面視形状が六角形である複数の発光素子領域１４が平面充填されたウエハ１０を割断し、複数の発光素子１００に個片化する場合、図２に示すように、レーザ光を基板１０２の内部に集光することで、直線状の割断起点部２０を形成する。この際、１つの発光素子領域１４の外形（六角形）の一辺に対応する１つの割断起点部２０の延長線上に他の発光素子領域１４が位置することになる。また、割断起点部２０の形成後に一定の時間を置くと、割断起点部２０の両端から割断起点部２０の延伸方向に亀裂が進展する。したがって、割断起点部２０から進展した亀裂が発光素子領域１４の内側に達する可能性がある。

【0013】

そこで、本実施形態では、図４に示すように、第１割断起点部を形成する工程で第１割断起点部２１を一点Ｄと第１間隔Ｐ１をあけて形成する。次に、第２割断起点部を形成する工程で第２割断起点部２２を一点Ｄから第１間隔Ｐ１よりも短い第２間隔Ｐ２をあけて形成する。さらに、第３割断起点部を形成する工程で第３割断起点部２３を一点から第１間隔Ｐ１よりも短い第３間隔あけて形成する。これにより、最初に形成する第１割断起点部２１から伸展する亀裂（以下「第１亀裂」という。）が発光素子領域１４の内側に達することを抑制しつつ、一点Ｄにおいて第１亀裂と第２割断起点部２２から伸展する亀裂（以下「第２亀裂」という。）とを繋げる又は近づけることができる。このような理由により、ウエハの割断時において欠けが発生することを抑制しつつ、ウエハの割断を比較的容易に行うことができるので、発光素子１００を歩留りよく製造することができる。

【0014】

以下、発光素子１００の製造方法についてより詳細に説明する。

【0015】

（ウエハ準備工程）
まず、サファイアからなる基板１０２と、基板１０２の上面に設けられた半導体構造１０４と、を有するウエハ１０を準備する。ウエハ１０は、図１の上面図に示すように、上面視が略円形状で、円弧の一部を平坦としたオリエンテーションフラット面ＯＬを有する。ウエハ１０のサイズは、例えばその直径を５０〜１５０ｍｍ程度とすることができる。基板１０２の厚さは、例えば、５０〜５００μｍ程度とすることができる。

【0016】

（割断起点部形成工程）
次に、図２に示すように、基板１０２の内部にレーザ光ＬＢを集光することで、ウエハ１０の割断を行う際に割断の起点となる複数の割断起点部２０を形成する。割断起点部２０は、上面視においてそれぞれが直線状であり、それぞれがウエハ１０を割断する際の割断予定線１２と重なるように形成される。本実施形態では、ウエハ１０に対してレーザ光を走査して基板１０２の内部にレーザ光を近接させて複数回集光することで、１つの割断起点部２０を形成している。割断起点部２０は、基板１０２の内部において、レーザ光が集光された位置及びその周辺が改質された領域が集合した部分であり、ウエハ１０の割断面において、基板１０２の側面のうち他の領域と比較して細かな凹凸が形成されている領域として確認できる。

【0017】

図２に示すように、本実施形態では、基板１０２の厚み方向において１つの割断起点部２０を形成しているが、例えば、基板１０２が厚くなり割断が難しい場合には、基板１０２の厚み方向に複数の割断起点部２０を形成してもよい。

【0018】

図２に示すように、レーザ光ＬＢは、半導体構造１０４が設けられた上面とは反対側の面、すなわち下面側から照射し基板１０２の内部に集光させることが好ましい。このようにすれば、レーザ光が直接半導体構造１０４に照射され損傷を受けることを抑制しつつ、基板１０２の内部に割断起点部２０を形成することができる。

【0019】

基板１０２の下面側からレーザ光を照射する場合、基板１０２の内部におけるレーザ光の集光位置は、例えば、基板１０２の厚み方向において、半導体構造１０４から７０μｍ以上離れた位置とすることが好ましい。このような集光位置とすることで、半導体構造１０４のレーザ光による損傷を低減できる。

【0020】

割断起点部２０を形成する工程で、ウエハ１０の上面視において、互いに角度が異なる第１〜第３の割断起点部をそれぞれ複数形成する。後述する第１〜３の割断起点部形成工程において、レーザ光を走査して第１〜３の割断起点部２０を形成する際、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、直線状の複数の第１〜３の割断起点部２１、２２、２３を断続的に形成する。これにより、図３に示すように、上面視形状が六角形である発光素子１００に個片化するための割断予定線１２を形成し、複数の発光素子領域１４に区画することができる。割断予定線１２は、割断起点部２０とその割断起点部２０から伸展する亀裂とで形成され、後述する個片化工程において、ウエハ１０を割断予定線１２に沿って割断することで複数の発光素子１００に個片化できる。

【0021】

図３に示すように、複数の発光素子１００の上面視形状が六角形となるよう、割断起点部２０を形成し発光素子領域１４のパターンをウエハ１０に形成する。この場合、割断起点部２０は、ウエハ１０の上面視において屈曲した折れ線と重なるように形成される。また、ウエハ１０上の無駄な領域を可能な限り低減するために、発光素子領域１４が平面充填されるように配置されている。本実施形態では、発光素子領域１４の上面視形状を１辺の長さが等しい正六角形とし、それらをハニカム状に配置している。発光素子領域１４を構成する正六角形の１辺は、例えば、１０００〜３０００μｍ程度とすることができる。

【0022】

複数の割断起点部２０を形成する際、上面視形状が六角形である発光素子領域１４における六角形の各頂点を一点Ｄとして、各頂点間に第１割断起点部２１、第２割断起点部２２、及び第３割断起点部２３のいずれか一つを形成することが好ましい。具体的には、第１〜第３の割断起点部形成工程において、六角形の辺のうち互いに平行である２辺に沿って割断起点部２０をそれぞれ形成する。これにより、より少ない割断起点部形成工程で上面視形状が六角形である発光素子１００に個片化するための割断予定線１２を形成することができる。

【0023】

複数の割断起点部２０は、サファイアからなる基板１０２のａ面に沿って形成することが好ましい。つまり、六角形の発光素子領域１４の少なくとも１辺に対応するように、基板１０２のａ面に沿った割断起点部２０が形成されていることが好ましい。六方晶系の結晶構造を有するサファイアからなる基板１０２のａ面に沿って割断起点部２０を形成すると、サファイアの結晶構造の関係上、サファイアからなる基板１０２のｍ面に沿って割断起点部２０を形成する場合に比較して、割断起点部２０からの亀裂が伸展しにくい傾向にある。そのため、発光素子領域１４に向かって伸展する亀裂の伸展を抑制することができる。

【0024】

レーザ光は、パルス駆動でウエハ１０に照射する。この場合、レーザ光の出力は、例えば、０．５〜５Ｗ程度とすることができる。レーザ光の周波数は、例えば、５０〜２００ｋＨｚとすることができる。レーザ光のパルス幅は、例えば、３００〜５００００ｆｓ（フェムト秒）とすることができる。本実施形態では、中心波長を８００ｎｍとするフェムト秒レーザを用いている。レーザ光の波長は、５００〜１１００ｎｍとすることができる。レーザ光の照射走査速度は２０〜２０００ｍｍ／ｓｅｃとすることができる。

【0025】

以下、第１〜第３の割断起点部形成工程における割断起点部２０の形成方法について説明する。

【0026】

（第１割断起点部形成工程）
まず、第１割断起点部形成工程で、図４及び図５Ａに示すように、上面視において、３つの発光素子の一頂点が重なる一点Ｄから第１間隔Ｐ１をあけて第１割断起点部２１を形成する。このとき、直線状の第１割断起点部２１を延長させた第１直線Ｌ１が一点Ｄを通るように第１割断起点部２１を形成する。３つの発光素子の一頂点が重なる一点Ｄとは、言い換えると、ウエハ１０上に上面視形状が六角形である発光素子領域１４を平面充填した場合に、隣接する３つの発光素子領域１４が共有する頂点である。ここで、第１割断起点部２１を、第１間隔Ｐ１をあけずに一点Ｄに至るまで形成した場合、第１亀裂が発光素子領域１４にまで達してしまう。しかしながら、本実施形態では、第１割断起点部２１を一点Ｄから第１間隔Ｐ１をあけて形成しているため、第１亀裂が発光素子領域１４の内側に達することを抑制することができる。

【0027】

第１間隔Ｐ１は、例えば、１２μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは１４μｍ以上１８μｍ以下とすることができる。第１間隔Ｐ１を１２μｍ以上とすることで、第１亀裂が発光素子領域１４の内側に達することを抑制できる。さらに、第１間隔Ｐ１を１６μｍ以下とすることで、第１亀裂と他の割断起点部２０からの亀裂とを精度よく繋げる又は近づけることができる。

【0028】

ウエハ１０上に上面視形状が正六角形である発光素子領域１４を平面充填して形成するために、第１〜第３の割断起点部形成工程のそれぞれにおいてレーザ光を同じ方向に走査する場合、一点Ｄとすることができる頂点は、１つの発光素子領域１４の６つの頂点のうち一つ置きに位置する３つの頂点となる。すなわち、一点Ｄとすることができる頂点の数は最大で３つである。そのため、第１割断起点部形成工程において、第１割断起点部２１を、発光素子の上面視形状である六角形における６つの頂点のうち一つ置きに位置する３つの頂点それぞれに向かってレーザ光を走査し形成することが好ましい。これにより、本実施形態における効果が得られる箇所が増えるため、割断起点部２０から伸展する亀裂が発光素子領域１４の内側に伸展することを効果的に抑制できる。

【0029】

複数の第１割断起点部２１を形成する場合、１つの第１割断起点部２１は、レーザ光の走査が開始された走査開始側である始端から、レーザ光の走査が終了した走査終了側である終端までの間に形成される。このとき、１つの第１割断起点部２１の終端と一点Ｄとの間に第１間隔Ｐ１をあけて第１割断起点部２１を形成することが好ましい。割断起点部２０から伸展する亀裂は、レーザ光の進行方向によって伸展の具合が異なる傾向があり、走査開始側の始端に比較して走査終了側の終端の方が伸展しやすい傾向にある。そのため、終端の近傍に位置する１点Ｄとの距離を大きくとることで、割断起点部２０からの亀裂が発光素子領域１４の内側に達することを効果的に抑制できる。

【0030】

さらに、１つの第１割断起点部２１を発光素子１００の上面形状である六角形の頂点間に形成する場合、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、終端と一つの頂点との間に第１間隔Ｐ１をあけるとともに、始端の近傍に位置する他の一つの頂点との間に第１間隔Ｐ１よりも距離が短い間隔Ｐ４をあけて形成することが好ましい。ここで、一点Ｄと割断起点部２０との間隔は短くしすぎると、割断起点部２０からの亀裂が一点Ｄにまで達しない、また１つの割断起点部２０からの亀裂と、他の割断起点部２０からの亀裂とが離れすぎるといったことが生じる可能性がある。本実施形態によれば、上述した構成とすることにより、終端における第１亀裂の意図しない伸展を抑制しつつ、始端では第１亀裂と他の割断起点部２０からの亀裂とをより精度よく繋げることができる。

【0031】

なお、基板１０２の厚み方向に複数の割断起点部２０を形成する場合には、主として基板１０２の最も下面側に形成される第１割断起点部２１の形成条件が第１割断起点部２１から伸展する亀裂の伸展具合に影響する。したがって、基板１０２の厚み方向に複数の第１割断起点部２１を形成する場合は、基板１０２の最も下面側に形成される第１割断起点部２１について、レーザ光の進行方向や第１間隔Ｐ１などの条件が満たされていればよい。後述する第２割断起点部２２及び第３割断起点部２３についても同様である。

【0032】

（第２割断起点部形成工程）
次に、第２割断起点部形成工程で、図４及び図５Ｂに示すように、一点Ｄから第１間隔Ｐ１よりも短い第２間隔Ｐ２をあけて第２割断起点部２２を形成する。このとき、直線状の第２割断起点部２２を延長させた第２直線Ｌ２が、一点Ｄを通るように第２割断起点部２２を形成する。第２直線Ｌ２と第１直線Ｌ１とがなす角度は１２０度である。

【0033】

第１割断起点部形成工程と第２割断起点部形成工程とでは、ウエハ１０の上面視における割断起点部２０の角度が異なる（延伸方向が異なる）ため、第１割断起点部形成工程の後に行う第２割断起点部形成工程までには、製造工程上どうしても一定以上の時間がかかってしまう。そのため、一点Ｄから同じ間隔をあけて第１割断起点部２１、第２割断起点部２２を順に形成すると、個片化する時点では、第１亀裂が発光素子領域１４に達しているにもかかわらず、第２亀裂が一点Ｄから離れすぎるという可能性が高くなる。そこで、本実施形態では、第２割断起点部２２を、第１間隔Ｐ１をよりも短い第２間隔Ｐ２をあけて形成している。これにより、第１亀裂が第１直線Ｌ１上に配置される発光素子領域１４に達するまでの時間に余裕を持たせつつ、第１亀裂と第２亀裂が繋がりやすいようにしている。

【0034】

第２間隔Ｐ２は、例えば、６μｍ以上１２μｍ以下、好ましくは７μｍ以上９μｍ以下とすることができる。６μｍ以上とすることで第２亀裂が発光素子領域１４に達することを抑制できる。さらに、１０μｍ以下とすることで第２亀裂と他の割断起点部２０からの亀裂とを精度よく繋げることができる。

【0035】

（第３割断起点部形成工程）
次に、第３割断起点部形成工程で、図４及び図５Ｃに示すように、一点Ｄから第１間隔Ｐ１よりも短い第３間隔Ｐ３をあけて第３割断起点部２３を形成する。このとき、第３割断起点部２３を、直線状の第３割断起点部２３を延長させた第３直線Ｌ３が一点Ｄを通るように形成する。第３直線Ｌ３と第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２のそれぞれとがなす角度は１２０度である。

【0036】

第３割断起点部２３を形成するときに、第３間隔Ｐ３を第１間隔Ｐ１よりも短くすることで、発光素子領域１４に第３割断起点部２３からの亀裂（以下「第３亀裂」という。）が達することを抑制しつつ、第１亀裂及び第２亀裂と精度よく繋げることができる。

【0037】

第３間隔Ｐ３は、上述した第２間隔Ｐ２と同様の値とすることができるが、第２間隔Ｐ２よりも短い間隔としてもよい。第３割断起点部２３を形成するときには、基板１０２に第１亀裂及び第２亀裂が形成されており、第３亀裂が第１亀裂及び第２亀裂と繋がりやすいため、発光素子領域１４にまで達しにくい。そのため、第３間隔を第２間隔よりも短くすることで、第３亀裂が発光素子領域１４内に達することを抑制しつつ、第３亀裂を第１亀裂及び第２亀裂とより精度よく繋げることができる。

【0038】

（個片化工程）
ウエハ１０を割断起点部２０に沿って割断し、それぞれの上面視形状が六角形である複数の発光素子１００を得る。割断起点部形成工程で形成した複数の割断起点部２０及びそれらの割断起点部２０から伸展した亀裂により形成された割断予定線１２に沿ってウエハ１０を割断し、複数の発光素子１００に個片化する。

【0039】

割断起点部２０からの亀裂が基板１０２の下面に達する前に個片化工程を行うと、割断の際、割断予定線１２に沿って割断されにくい傾向がある。そのため、ウエハ１０を個片化する工程は、割断起点部形成工程で形成した割断起点部２０からの亀裂が基板１０２の下面に達してから行うことが好ましい。これにより、ウエハ１０をさらに精度よく割断し複数の発光素子１００に個片化することができる。

【0040】

本実施形態に係る製造方法により、ウエハ１０を個片化することで得られる発光素子１００の上面視形状は略正六角形である。図７に示すように、基板１０２の側面には、上述した割断起点部形成工程で基板１０２内に形成された割断起点部２０の痕が残っている。また、基板１０２の内部には、第１〜第３間隔Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のいずれかの間隔をあけて割断起点部２０が形成されているため、隣接する側面の周辺領域には割断起点部２０が形成されていない領域が存在する。

【0041】

発光素子１００は、図８に示すように、基板１０２の上面に半導体構造１０４が設けられている。具体的には、半導体構造１０４は、基板１０２の上面側から順に、ｎ側半導体層１０４ｎと、活性層１０４ａと、ｐ側半導体層１０４ｐと、が積層されてなる。ｎ側半導体層１０４ｎ、活性層１０４ａ及びｐ側半導体層１０４ｐには、例えば、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）などの窒化物半導体を用いることができる。ｎ側半導体層１０４ｎにはｎ電極１０３Ａが電気的に接続され、ｐ側半導体層１０４ｐにはｐ電極１０３Ｂが電気的に接続されている。

【0042】

＜実施例＞
サファイアからなる基板１０２の上面に、複数の窒化物半導体層が積層された半導体構造１０４が設けられた直径約１００ｍｍ（４インチ）のウエハ１０を準備した。基板１０２の厚さは、２００μｍであり、基板１０２の上面はＣ面とした。

【0043】

次に、基板１０２の下面側からレーザ光を照射し基板１０２の内部に複数の割断起点部２０を形成した。このとき、レーザ光の中心波長を８００ｎｍ、出力を０．１５Ｗ〜０．２Ｗとし、基板１０２の厚み方向において、基板１０２下面から１００μｍ、６０μｍ、３０μｍの部分を集光点として複数の割断起点部２０を形成した。個片化されたときに複数の発光素子１００の上面視形状が六角形となるように割断起点部２０を形成して、半導体構造１０４を複数の発光素子領域１４に区画した。発光素子領域１４は、１辺の長さが実質的に等しい正六角形に形成した。１辺の長さは約１９４０μｍとした。

【0044】

割断起点部形成工程は、第１割断起点部形成工程、第２割断起点部形成工程、及び第３割断起点部形成工程の３つの工程に分けて行った。それぞれの工程で形成される第１〜第３の割断起点部は、発光素子の上面形状である六角形の隣接する２つの頂点間に形成した。また、第１〜第３の割断起点部を、それぞれの工程で２つずつ形成することで、１つの発光素子領域１４を形成した。それぞれの工程において、レーザ光を基板１０２のａ面に沿ってパルス駆動で走査し、複数の第１〜第３の割断起点部を基板１０２のａ面に沿って形成した。

【0045】

まず、第１割断起点部形成工程において、直線状の第１割断起点部２１を、その終端と一点Ｄとの距離（第１間隔Ｐ１）を１６μｍとして形成した。このとき、直線状の第１割断起点部２１を延長させた第１直線Ｌ１が一点Ｄを通るように形成した。また、第１割断起点部２１の始端も、六角形の頂点のうち一点Ｄに隣接する他の頂点から１６μｍの間隔をあけて形成した。

【0046】

次に、第２割断起点部形成工程において、直線状の第２割断起点部２２を、その終端と一点Ｄとの距離（第２間隔Ｐ２）を８μｍとして形成した。このとき、直線状の第２割断起点部２２を延長させた第２直線Ｌ２が、一点Ｄを通り、その第２直線Ｌ２と第１直線Ｌ１とがなす角度が１２０度となるように形成した。また、第２割断起点部２２の始端も、六角形の頂点のうち一点Ｄに隣接する他の頂点から８μｍの間隔をあけて形成した。

【0047】

次に、第３割断起点部形成工程において、直線状の第３割断起点部２３を、その終端と一点Ｄとの距離（第３間隔Ｐ３）を８μｍとして形成した。このとき、直線状の第３割断起点部２３を延長させた第３直線Ｌ３が、一点Ｄを通り、その第３直線Ｌ３と、第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２とがなす角度が１２０度となるように形成した。また、第３割断起点部２３の始端も、六角形の頂点のうち一点Ｄに隣接する他の頂点から８μｍの間隔をあけて形成した。

【0048】

本実施例と比較するため、第１〜第３割断起点部形成工程において、それぞれの工程で割断起点部２０を一点Ｄから同じ間隔（８μｍ）をあけて形成したこと以外は本実施例の製造方法と同様にして発光素子を製造した。

【0049】

この場合、割断起点部２０からの亀裂が発光素子領域１４に達する割合が高く、ウエハ１０を複数の発光素子に個片化した際に多くの発光素子に欠け等が生じており、歩留りが良くない傾向だった。これに対して、本実施例の製造方法では、発光素子領域１４内に達する割断起点部２０からの亀裂が軽減されており、個片化工程において個片化された発光素子１００の欠けが抑制され歩留りが向上した。

【0050】

以上、実施形態について説明したが、これらの説明は本発明を何ら限定するものではない。

【符号の説明】

【0051】

１０ ウエハ
ＯＬ オリエンテーションフラット面
１２ 割断予定線
１４ 発光素子領域
２０ 割断起点部
２１ 第１割断起点部
２２ 第２割断起点部
２３ 第３割断起点部
ＬＢ レーザ光
Ｌ１ 第１直線
Ｌ２ 第２直線
Ｌ３ 第３直線
Ｐ１ 第１間隔
Ｐ２ 第２間隔
Ｐ３ 第３間隔
Ｐ４ 第４間隔
Ｄ 一点
１００ 発光素子
１０２ 基板
１０３Ａ ｎ電極
１０３Ｂ ｐ電極
１０４ 半導体構造
１０４ｐ ｐ側半導体層
１０４ａ 活性層
１０４ｎ ｎ側半導体層
１０５ 保護膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7】

【図8】