特許6388625埋め込みフラッシュメモリの窒素フリースペーサあるいは酸化物スペーサ

発明の名称　埋め込みフラッシュメモリの窒素フリースペーサあるいは酸化物スペーサ

出願人　台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司　（識別番号 500262038）

　　　　特許公開件数ランキング 2918 位（6件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1013 位（23件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6388625

公報発行日　2018年9月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6388625

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