特許第6389541号(P6389541)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6389541Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体膜、及び半導体素子
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