特許 6389546 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】6389546

(24)【登録日】2018年8月24日

(45)【発行日】2018年9月12日

(54)【発明の名称】磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/73 20060101AFI20180903BHJP

   G11B 5/84 20060101ALI20180903BHJP

   C22C 21/00 20060101ALI20180903BHJP

   C22F 1/04 20060101ALI20180903BHJP

   C22F 1/00 20060101ALI20180903BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/73

   G11B5/84 Z

   C22C21/00 M

   C22F1/04 A

   C22F1/00 604

   C22F1/00 613

   C22F1/00 623

   C22F1/00 630A

   C22F1/00 661D

   C22F1/00 681

   C22F1/00 682

   C22F1/00 685Z

   C22F1/00 691B

   C22F1/00 691C

   C22F1/00 692A

   C22F1/00 692B

   C22F1/00 694A

【請求項の数】10

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2017-95115(P2017-95115)

(22)【出願日】2017年5月12日

【審査請求日】2018年7月2日

(73)【特許権者】

【識別番号】000107538

【氏名又は名称】株式会社ＵＡＣＪ

(73)【特許権者】

【識別番号】000005290

【氏名又は名称】古河電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100155572

【弁理士】

【氏名又は名称】湯本 恵視

(72)【発明者】

【氏名】北脇高太郎

(72)【発明者】

【氏名】村田拓哉

(72)【発明者】

【氏名】米光誠

(72)【発明者】

【氏名】松居悠

(72)【発明者】

【氏名】藤井康生

(72)【発明者】

【氏名】坂本遼

(72)【発明者】

【氏名】中山賢

(72)【発明者】

【氏名】熊谷航

【審査官】 斎藤 眞

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１６／０６８２９３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平０２−３０５９３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１７−０３１５０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１１２８８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０８９９５６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ１１Ｂ ５／６２−５／８５８

Ｃ２２Ｆ １／００−３／０２

Ｃ２２Ｃ ５／００−２５／００

Ｃ２２Ｃ ２７／００−２８／００

Ｃ２２Ｃ ３０／００−３０／０６

Ｃ２２Ｃ ３５／００−４５／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｆｅ：０．４〜３．０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項2】

前記アルミニウム合金が、Ｍｎ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．１〜０．４ｍａｓｓ％、Ｎｉ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜１．０００ｍａｓｓ％、Ｍｇ：０．１〜６．０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％及びＺｒ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％からなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有する、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項3】

前記アルミニウム合金が、Ｚｎ：０．００５〜１．０００ｍａｓｓ％を更に含有する、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項4】

前記アルミニウム合金が、含有量の合計が０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項5】

断面の板厚方向における平均結晶粒径が７０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項6】

大気中において３４０℃で３時間の加熱後の耐力が６０ＭＰａ以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。

【請求項7】

請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理層とその上の磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスク。

【請求項8】

請求項１〜６のいずれか一項に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳造板を連続鋳造する連続鋳造工程と、鋳造板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、を含み、前記鋳造工程後から１分経過後における鋳造板の温度が２３０〜３５０℃とし、かつ、鋳造工程後から１０分経過後における鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とすることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。

【請求項9】

請求項１〜６のいずれか一項に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳造板を連続鋳造する連続鋳造工程と、鋳造板を均質化処理する均質化処理工程と、均質化処理した鋳造板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、を含み、前記鋳造工程後から１分経過後における鋳造板の温度が２３０〜３５０℃とし、かつ、鋳造工程後から１０分経過後における鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とし、前記均質化処理工程において、鋳造板を３００〜４５０℃で０．５〜２４時間熱処理することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。

【請求項10】

前記冷間圧延の前又は途中において、鋳造板又は圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含む、請求項８又は９に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、高強度で良好なフラッタリング特性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、これを用いた磁気ディスクに関する。

【背景技術】

【0002】

コンピュータの記憶装置に用いられる磁気ディスクは、良好なめっき性を有するとともに機械的特性や加工性が優れる基板を用いて製造される。例えば、ＪＩＳ５０８６（Ｍｇ：３．５〜４．５ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．５０ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．４０ｍａｓｓ％以下、Ｍｎ：０．２０〜０．７０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０５〜０．２５ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．１０ｍａｓｓ％以下、Ｔｉ：０．１５ｍａｓｓ％以下及びＺｎ：０．２５ｍａｓｓ％以下を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる）によるアルミニウム合金を基本とした基板などから製造されている。

【0003】

一般的な磁気ディスクの製造は、まず円環状アルミニウム合金基板を作製し、該アルミニウム合金基板にめっきを施し、次いで該アルミニウム合金基板の表面に磁性体を付着させることにより行われている。

【0004】

例えば、前記ＪＩＳ５０８６合金によるアルミニウム合金製磁気ディスクは以下の製造工程により製造される。まず、所定の化学成分としたアルミニウム合金素材を鋳造し、その鋳塊を熱間圧延し、次いで冷間圧延を施し、磁気ディスクとして必要な厚さを有する圧延材を作製する。この圧延材には、必要に応じて冷間圧延の途中等に焼鈍を施すことが好ましい。次に、この圧延材を円環状に打抜き、前記製造工程により生じた歪み等を除去するため、円環状にしたアルミニウム合金板を積層し、両端部の両面から加圧しつつ焼鈍を施して平坦化する加圧焼鈍を行って、円環状アルミニウム合金基板は作製される。

【0005】

このようにして作製された円環状アルミニウム合金基板に、前処理として切削加工、研削加工、脱脂、エッチング及びジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施し、次いで下地処理として硬質非磁性金属であるＮｉ−Ｐを無電解めっきし、該めっき表面にポリッシングを施した後に、Ｎｉ−Ｐ無電解めっき表面に磁性体をスパッタリングしてアルミニウム合金製磁気ディスクは製造される。

【0006】

ところで、近年、磁気ディスクには、マルチメディア等のニーズから大容量化及び高密度化、更に高速化が求められている。大容量化のため、記憶装置に搭載される磁気ディスクの枚数が増加しており、それに伴い磁気ディスクの薄肉化も求められている。しかしながら、磁気ディスク用アルミニウム合金基板を薄肉化すると強度が低下してしまうため、アルミニウム合金基板の高強度化が求められている。

【0007】

また、薄肉化、高速化に伴い剛性の低下や高速回転による流体力の増加に伴う励振力が増加し、ディスク・フラッタが発生し易くなる。これは、磁気ディスクを高速で回転させると不安定な気流がディスク間に発生し、その気流により磁気ディスクの振動（フラッタリング）が発生することに起因する。このような現象は、基板の剛性が低いと磁気ディスクの振動が大きくなり、ヘッドがその変化に追従できないために発生するものと考えられる。フラッタリングが起きると、読み取り部であるヘッドの位置決め誤差が増加する。そのためディスク・フラッタの減少が強く求められている。

【0008】

また、磁気ディスクの高密度化により、１ビット当たりの磁気領域が益々微小化されることになる。この微細化に伴い、ヘッドの位置決め誤差のズレによる読み取りエラーが発生し易くなっており、ヘッドの位置決め誤差の主要因であるディスク・フラッタの減少が強く求められている。

【0009】

このような実情から、近年では高強度でディスク・フラッタが小さい特性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板が強く望まれ、検討がなされている。例えば、ハードディスクドライブ内に、ディスクと対向するプレートを有する気流抑制部品を実装することが提案されている。特許文献１には、アクチュエータの上流側にエア・スポイラを設置した磁気ディスク装置が提案されている。このエア・スポイラは、磁気ディスク上のアクチュエータに向かう空気流を弱めて、磁気ヘッドの風乱振動を低減するものである。また、エア・スポイラは、磁気ディスク上の気流を弱めることで、ディスク・フラッタを抑制する。また、特許文献２では、アルミニウム合金板の強度向上に寄与するＭｇを多く含有させて、強度を向上させる方法が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】特開２００２−３１３０６１号公報

【特許文献2】特開２００６−２４１５１３号公報

【0011】

しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、設置したエア・スポイラと磁気ディスク用基板との間隔の違いによりフラッタリング抑制効果が異なり、部品の高精度を必要とするため部品コストの増大を招いている。

【0012】

また、特許文献２に示すＭｇを多く含有させる方法は、強度向上には効果的であるが、ディスク・フラッタは発生し易く、目標とする小さなディスク・フラッタ特性は得られていないのが現状であった。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0013】

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、高強度でディスクのフラッタリング特性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスクを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0014】

すなわち、本発明は請求項１において、Ｆｅ：０．４〜３．０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板とした。

【0015】

本発明は請求項２では請求項１において、前記アルミニウム合金が、Ｍｎ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．１〜０．４ｍａｓｓ％、Ｎｉ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜１．０００ｍａｓｓ％、Ｍｇ：０．１〜６．０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％及びＺｒ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％からなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有するものとした。

【0016】

本発明は請求項３では請求項１又は２において、前記アルミニウム合金が、Ｚｎ：０．００５〜１．０００ｍａｓｓ％を更に含有するものとした。

【0017】

本発明は請求項４では請求項１〜３のいずれか一項において、前記アルミニウム合金が、含有量の合計が０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有するものとした。

【0018】

本発明は請求項５では請求項１〜４のいずれか一項において、断面の板厚方向における平均結晶粒径が７０μｍ以下であるものとした。

【0019】

本発明は請求項６では請求項１〜５のいずれか一項において、大気中において３４０℃で３時間の加熱後の耐力が６０ＭＰａ以上であるものとした。

【0020】

本発明は請求項７において、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理層とその上の磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスクとした。

【0021】

本発明は請求項８において、請求項１〜６のいずれか一項に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳造板を連続鋳造する連続鋳造工程と、鋳造板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、を含み、前記鋳造工程後から１分経過後における鋳造板の温度が２３０〜３５０℃とし、かつ、鋳造工程後から１０分経過後における鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とすることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法とした。

【0022】

本発明は請求項９において、請求項１〜６のいずれか一項に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳造板を連続鋳造する連続鋳造工程と、鋳造板を均質化処理する均質化処理工程と、均質化処理した鋳造板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、を含み、前記鋳造工程後から１分経過後における鋳造板の温度が２３０〜３５０℃とし、かつ、鋳造工程後から１０分経過後における鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とし、前記均質化処理工程において、鋳造板を３００〜４５０℃で０．５〜２４時間熱処理することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法とした。

【0023】

本発明は請求項１０では請求項８又は９において、前記冷間圧延の前又は途中において、鋳造板又は圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程を更に含むものとした。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、高強度でディスクのフラッタリング特性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板及び磁気ディスクの製造方法を示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

本発明者らは、基板の強度及びフラッタリング特性と基板の素材との関係に着目し、これら特性と基板（磁気ディスク材料）の特性との関係について鋭意調査研究した。この結果、Ｆｅ含有量と第二相粒子の分布が強度に大きな影響を与えることを見出した。また、アルミニウム合金基板のＦｅ含有量や第二相粒子が、空気中又はヘリウム中で測定される磁気ディスクのフラッタリング特性に大きな影響を与えることを見出した。そこで、本発明者らは、Ｆｅ含有量、ならびに、金属組織における０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子について検討した結果、最長径０．５μｍ以上２．０μｍ未満の第二相粒子の中でも、特にＦｅ量が０．４〜３．０ｍａｓｓ％（以下、単に「％」と略記する）のものが、５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散する磁気ディスク用アルミニウム合金基板において、強度とフラッタリング特性が向上することを見出し、本発明を完成するに至ったものである。

【0027】

Ａ．本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板
以下、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板（以下、「本発明に係るアルミニウム合金基板」又は、単に「アルミニウム合金基板」と略記する）について詳細に説明する。

【0028】

１．合金組成
以下、本発明に係るＡｌ−Ｆｅ系合金を用いた磁気ディスク用アルミニウム合金基板を構成するアルミニウム合金成分及びその含有量について説明する。

【0029】

Ｆｅ：
Ｆｅは必須元素であり、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物等）として、一部はマトリックスに固溶して存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＦｅ含有量が０．４％未満では、十分な強度とフラッタリング特性が得られない。一方、Ｆｅ含有量が３．０％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物粒子が多数生成する。このような粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時において脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離を発生させる。また、圧延工程における加工性低下も生じる。そのため、アルミニウム合金中のＦｅ含有量は、０．４〜３．０％の範囲とする。Ｆｅ含有量は、好ましくは０．６〜２．０％、より好ましくは０．８〜１．８％の範囲である。

【0030】

磁気ディスク用アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を更に向上させるために、第１の選択的元素として、Ｍｎ：０．１〜３．０％、Ｓｉ：０．１〜０．４％、Ｎｉ：０．１〜３．０％、Ｃｕ：０．００５〜１．０００％、Ｍｇ：０．１〜６．０％、Ｃｒ：０．０１〜１．００％、Ｚｒ：０．０１〜１．００％からなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有させてもよい。また、第２の選択的元素として、Ｚｎ：０．００５〜１．０００％を更に含有させてもよい。更に、第３の選択的元素として、含有量の合計が０．００５〜０．５００％のＴｉ、Ｂ及びＶからなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有させてもよい。以下に、これらの選択元素について説明する。

【0031】

Ｍｎ：
Ｍｎは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＭｎ含有量が０．１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＭｎ含有量が３．０％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＭｎ含有量は、０．１〜３．０％の範囲とするのが好ましく、０．１〜１．０％の範囲とするのがより好ましい。

【0032】

Ｓｉ：
Ｓｉは、主として第二相粒子（Ｓｉ粒子等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＳｉ含有量が０．１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＳｉ含有量が０．４％以下であることによって、粗大なＳｉ粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＳｉ粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＳｉ含有量は、０．１〜０．４％の範囲とするのが好ましく、０．１〜０．３％の範囲とするのがより好ましい。

【0033】

Ｎｉ：
Ｎｉは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のＮｉ含有量が０．１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＮｉ含有量が３．０％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＮｉ含有量は、０．１〜３．０％の範囲とするのが好ましく、０．１〜１．０％の範囲とするのがより好ましい。

【0034】

Ｃｕ：
Ｃｕは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｕ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。また、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させる。更に、ジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のＣｕ含有量が０．００５％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果及び平滑生を向上させる効果とを一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＣｕ含有量が１．０００％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｃｕ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＡｌ−Ｃｕ系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性を向上させる効果を一層高めることができ、また、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＣｕ含有量は、０．００５〜１．０００％の範囲とするのが好ましく、０．００５〜０．４００％の範囲とするのがより好ましい。

【0035】

Ｍｇ：
Ｍｇは、主として第二相粒子（Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のＭｇ含有量が０．１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＭｇ含有量が６．０％以下であることによって、粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物粒子がエッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＭｇ含有量は、０．１〜６．０％の範囲とするのが好ましく、０．３％以上１．０％未満の範囲とするのがより好ましい。

【0036】

Ｃｒ：
Ｃｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｃｒ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のＣｒ含有量が０．０１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＣｒ含有量が１．００％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物粒子がエッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＣｒ含有量は、０．０１〜１．００％の範囲とするのが好ましく、０．１０〜０．５０％の範囲とするのがより好ましい。

【0037】

Ｚｒ：
Ｚｒは、主として第二相粒子（Ａｌ−Ｚｒ系金属間化合物等）として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のＺｒ含有量が０．０１％以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＺｒ含有量が１．００％以下であることによって、粗大なＡｌ−Ｚｒ系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なＡｌ−Ｚｒ系金属間化合物粒子がエッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＺｒ含有量は、０．０１〜１．００％の範囲とするのが好ましく、０．１０〜０．５０％の範囲とするのがより好ましい。

【0038】

Ｚｎ：
Ｚｎは、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性及び密着性を向上させる効果を発揮する。また、他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のＺｎ含有量が０．００５％以上であることによって、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、めっきの平滑性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のＺｎ含有量が１．０００％以下であることによって、ジンケート皮膜が均一となりめっき表面の平滑性が低下することを一層抑制することができ、また、めっき剥離が生じることも一層抑制することができる。更に、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のＺｎ含有量は、０．００５〜１．０００％の範囲とするのが好ましく、０．１００〜０．７００の範囲とするのがより好ましい。

【0039】

Ｔｉ、Ｂ、Ｖ：
Ｔｉ、Ｂ及びＶは、鋳造時の凝固過程において、第二相粒子（ＴｉＢ_２などのホウ化物、或いは、Ａｌ_３ＴｉやＴｉ−Ｖ−Ｂ粒子等）を形成し、これらが結晶粒核となるため、結晶粒を微細化することが可能となる。その結果、めっき性が改善する。また、結晶粒が微細化することで、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中の強度とフラッタリング特性のバラツキを低減させる効果を発揮する。但し、Ｔｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計が０．００５％未満では、上記の効果が得られない。一方、Ｔｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計が０．５００％を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。そのため、Ｔｉ、Ｂ及びＶを添加する場合のＴｉ、Ｂ及びＶの含有量の合計は、０．００５〜０．５００％の範囲とするのが好ましく、０．００５〜０．１００％の範囲とするのがより好ましい。なお、合計量とは、Ｔｉ、Ｂ及びＶのいずれか１種のみを含有する場合にはこの１種の量であり、いずれか２種を含有する場合にはこれら２種の合計量であり、３種全てを含有する場合にはこれら３種の合計量である。

【0040】

その他の元素：
また、本発明に用いるアルミニウム合金の残部は、Ａｌ及び不可避的不純物からなる。ここで、不可避的不純物としてはＧａ、Ｓｎなどが挙げられ、各々が０．１％未満で、かつ合計で０．２％未満であれば、本発明で得られるアルミニウム合金基板としての特性を損なうことはない。

【0041】

２．第二相粒子の分布状態
次に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板における第二相粒子の分布状態について説明する。

【0042】

本発明に係るアルミニウム合金基板では、金属組織において、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散する。

【0043】

ここで、第二相粒子とは析出物や晶出物を意味し、具体的には、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物（Ａｌ_３Ｆｅ、Ａｌ_６Ｆｅ、Ａｌ_６（Ｆｅ、Ｍｎ）、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｆｅ等）、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物（Ａｌ_６Ｍｎ、Ａｌ−Ｍｎ−Ｓｉ）、Ｓｉ粒子、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物（Ａｌ_３Ｎｉ等）、Ａｌ−Ｃｕ系金属間化合物（Ａｌ_２Ｃｕ等）、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物（Ｍｇ_２Ｓｉ等）、Ａｌ−Ｃｒ系金属間化合物（Ａｌ_７Ｃｒ等）、Ａｌ−Ｚｒ系金属間化合物（Ａｌ_３Ｚｒ等）などの粒子等をいう。

【0044】

本発明に係るアルミニウム合金基板の金属組織において、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の場合に、アルミニウム合金基板を高強度に維持する効果が発揮される。通常、加圧焼鈍時における粒界移動の生起によってアルミニウム合金基板の強度が大幅に低下する。しかしながら、第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上と多数存在すると、加圧焼鈍時の粒界移動がピン止めされるため高い強度を維持することが可能となる。

【0045】

本発明に係るアルミニウム合金基板の金属組織中に存在する第二相粒子の最長径が２．０μｍ以上の場合には、冷間圧延等の圧延時に第二相粒子の周辺に不均一変形が生じ、加圧焼鈍時に再結晶が発生し易くなるため高強度の維持効果が不十分となる。一方、第二相粒子の最長径が０．５μｍ未満の場合には、第二相粒子の最長径が小さく粒界移動のピン止め効果が得られにくいため高強度の維持効果が不十分となる。従って、アルミニウム合金基板の金属組織中に存在する第二相粒子の最長径は、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の範囲とする。なお、この第二相粒子の最長径は、好ましくは０．５〜１．５μｍ未満の範囲である。

【0046】

本発明に係るアルミニウム合金基板の金属組織において、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２未満の場合には、粒界移動のピン止め効果に与かる０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が少ないため、高強度の維持効果が不十分となる。従って、本発明に係るアルミニウム合金基板の金属組織において、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散するものとする。なお、この分布密度は、強度向上の点から１００００個／ｍｍ^２以上の範囲が好ましく、３００００個／ｍｍ^２以上の範囲がより好ましい。また、この分布密度の上限値は特に限定されるものではないが、用いるアルミニウム合金の組成や製造方法に拠って自ずと決まるものであり、本発明では２０００００個／ｍｍ^２程度である。

【0047】

なお、本発明において最長径とは、光学顕微鏡で観測される第二相粒子の平面画像において、まず、輪郭線上における一点と輪郭線上の他の点との距離の最大値を計測し、次に、この最大値を輪郭線上における全ての点について計測し、最後に、これら全最大値のうちから選択される最も大きなものをいう。

【0048】

３．フラッタリング特性
フラッタリング特性は、ハードディスクドライブのモーター特性によっても影響を受ける。本発明においては、フラッタリング特性は、空気中では、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。５０ｎｍ以下であれば一般的なＨＤＤ向けの使用に耐え得ると判断される。５０ｎｍを超える場合は、読み取り部であるヘッドの位置決め誤差が増加する。

【0049】

また、フラッタリング特性は、ヘリウム中では、３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。３０ｎｍ以下であればより高密度な記録容量のＨＤＤ向けの使用に耐え得ると判断した。３０ｎｍを超える場合は、読み取り部であるヘッドの位置決め誤差が増加する。

【0050】

ここで、使用するハードディスクドライブによって必要なフラッタリング特性が異なるため、このフラッタリング特性に対して、第二相粒子の分布状態を適宜決定すれば良い。これらは、以下に述べる添加元素の含有量、鋳造時の冷却速度を含めた鋳造方法、並びに、その後の熱処理と加工による熱履歴及び加工履歴、をそれぞれ適正に調整することによって得られる。

【0051】

本発明の実施態様においては、アルミニウム合金板の厚さは、０．４５ｍｍ以上であることが好ましい。アルミニウム合金板の厚さが０．４５ｍｍ未満であると、ハードディスクドライブの取り付け時などに発生する落下などによる加速力により基板が変形する虞がある。但し、耐力を更に増加することによって変形が抑制できればこの限りではない。なお、アルミニウム合金板の厚さが１．３０ｍｍを超えると、フラッタリング特性は改善するがハードディスク内に搭載できるディスク枚数が減ってしまうため好適ではない。従って、アルミニウム合金板の厚さは、０．４５〜１．３０ｍｍとするのがより好ましく、０．５０〜１．００ｍｍとするのが更に好ましい。

【0052】

なお、ハードディスク内にヘリウムを充填することで流体力を下げることができる。これは、ヘリウムのガス粘度が空気と比べるとその約１／８に小さいためである。ハードディスクの回転に伴うガスの流れによって発生するフラッタリングを、ガスの流体力を小さくすることによって低減するものである。

【0053】

４．結晶粒径
次に、本発明に係るアルミニウム合金基板の断面の板厚方向における平均結晶粒径について説明する。

【0054】

本発明に係るアルミニウム合金基板の断面の板厚方向における平均結晶粒径は、７０μｍ以下であるのが好ましい。この平均結晶粒径が７０μｍ以下の場合には、アルミニウム合金基板の強度をより一層向上させる効果が発揮される。ここで、上記断面とは、Ｌ−ＳＴ断面（圧延方向と板厚方向からなる断面）を表わす。結晶粒は、圧延工程において板材の圧延方向に伸ばされるため、圧延加工後では板厚方向の結晶粒径は、圧延方向やこれに直交する（板厚方向にも直交する）方向の結晶粒径よりも小さい。ここで、圧延加工後に実施される加圧焼鈍工程において、再結晶粒が形成されるとその結晶粒径は大きくなる。

【0055】

この平均結晶粒径が７０μｍを超える場合は、結晶粒の粗大化により強度が低下する虞がある。アルミニウム合金基板の強度が低い場合には、その搬送時や取付け時等に外力が加わることで変形する虞があるため、アルミニウム合金基板の結晶粒径の平均は７０μｍ以下とするのが好ましく、５０μｍ以下とするのがより好ましい。なお、この平均結晶粒径の下限値は特に限定されるものではないが、用いるアルミニウム合金の組成や製造方法に拠って自ずと決まるものであり、本発明では１μｍ程度である。

【0056】

本発明に係るアルミニウム合金基板の断面の板厚方向における平均結晶粒径は、以下のようにして測定される。研削加工（ステップＳ１０７）後のアルミニウム合金基板断面（Ｌ−ＳＴ断面）について、バーカー氏液を用いてバーカーエッチングを施し、偏光顕微鏡にて２００倍の倍率で全厚さが視野に入るように１視野撮影した。結晶粒径の測定は、板厚方向に沿った全板厚間にわたって存在し、交差した結晶粒の数を数える交線法を用いて、ＳＴ方向に１０００μｍの直線を５本引き実施する。これらの測定値の算術平均値をもって、平均結晶粒径とする。

【0057】

５．耐力
次に、本発明に係るアルミニウム合金基板の耐力について説明する。

【0058】

本発明に係るアルミニウム合金基板では、大気中において３４０℃で３時間の加熱後の耐力が６０ＭＰａ以上であることが好ましい。この場合には、磁気ディスク製造時の基板の変形をより一層抑制する効果が発揮される。アルミニウム合金基板の耐力が低いと、搬送時や取付け時等において外力が加わることで変形する虞がある。そのため、大気中における３４０℃で３時間の加熱後のアルミニウム合金基板の耐力が６０ＭＰａ以上であるのが好ましく、７５ＭＰａ以上であるのがより好ましい。なお、磁気ディスク用基板の作製（図１のステップＳ１０７）から磁性体の付着（図１のステップＳ１１０）までの工程において行われる加熱処理は、最高でも３５０℃未満のため、３４０℃で加熱した際における耐力を規定している。なお、上記耐力の上限は特に限定されるものではないが、合金組成や製造条件によって自ずと決まるものであり、本発明においては、２５０ＭＰａ程度である。

【0059】

Ｂ．本発明に係るアルミニウム合金基板の製造方法
以下に、本発明に係るアルミニウム合金基板の製造工程の各工程及びプロセス条件を詳細に説明する。

【0060】

本発明に係るアルミニウム合金基板の製造方法を、図１に示すフローに従って説明する。ここで、アルミニウム合金成分の調製（ステップＳ１０１）〜冷間圧延（ステップＳ１０４）は、アルミニウム合金基板を製造する工程であり、ディスクブランクの作製（ステップＳ１０５）〜磁性体の付着（ステップＳ１１０）は、製造されたアルミニウム合金基板を磁気ディスクとする工程である。

【0061】

６．アルミニウム合金成分の調製及び鋳造
まず、上述の成分組成を有するアルミニウム合金素材の溶湯を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ１０１）。次に、調製されたアルミニウム合金素材の溶湯から連続鋳造法（ＣＣ法）により、２．０〜１０．０ｍｍ程度のアルミニウム合金の薄板を鋳造する（ステップＳ１０２）。

【0062】

ここで、ＣＣ法では、一対のロール（又は、ベルトキャスタ、ブロックキャスタ）の間に鋳造ノズルを通して溶湯を供給し、ロールからの抜熱でアルミニウム合金の鋳造板を直接鋳造する。

【0063】

ＣＣ法によるアルミニウム合金の薄板の鋳造では、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度を２３０〜３５０℃とし、好ましくは２４０〜３４０℃とする。更に、鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とし、好ましは１６０〜２２０℃とする。このように、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度を２３０〜３５０℃とし、更に鋳造後から１０分経過後の鋳造板の温度を１５０℃以上２３０℃未満とすることによって、微細な第二相粒子（主にＡｌ−Ｆｅ系化合物）を多数分布させ、強度向上の効果を得ることができる。

【0064】

ＣＣ法は、ＤＣ鋳造法に比べて凝固時の冷却速度が大幅に速いため、Ｆｅ等の添加元素の固溶量が多くなる。そのため、ＣＣ法で鋳造板を鋳造した後に、鋳造板の温度が６００℃程度の高温から室温まで冷却される間において、析出した第二相粒子が比較的に低温でかつ短時間で粗大化してしまう虞がある。

【0065】

鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度が３５０℃を超えている場合には、第二相粒子が粗大化し、強度が低下する。一方、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度が２３０℃未満となっている場合には、冷却速度が速すぎるため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子の析出が少なくなり、強度が低下する。

【0066】

鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度が２３０℃以上となっている場合は、第二相粒子が粗大化し、強度が低下する。また、鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度が１５０℃未満となっている場合には、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子の析出が少なくなり、強度が低下する。

【0067】

なお、ＣＣ法において鋳造板を冷却する方法としては、例えばファン空冷、ミスト冷却、シャワー冷却及び水冷等の方法を採用することができる。

【0068】

７．均質化処理
次に、必要に応じて鋳造板の均質化処理を実施する（ステップＳ１０３）。均質化処理における加熱処理条件は、３００〜４５０℃で０．５〜２４時間、好ましくは３１０〜４４０℃で０．５〜２０時間である。このように均質化処理における加熱処理条件を、３００〜４５０℃で０．５〜２４時間とすることにより、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性のバラつきを低減する効果が得られる。均質化処理時温度が３００℃未満では上記の効果が得られず、４５０℃を超えると第二相粒子が粗大化し、強度が低下する虞がある。また、均質化処理時間が０．５時間未満では上記の効果が得られず、２４時間を超えると第二相粒子が粗大化し、強度が低下する虞がある。なお、室温付近から３００〜４５０℃に昇温する場合は、高温から３００〜４５０℃に降温する場合よりも微細な第二相粒子が多く存在しているため、３００〜４５０℃で２４時間以内の加熱であれば第二相粒子の粗大化を抑制することができる。

【0069】

８．冷間圧延
次に、板材を冷間圧延して１．８ｍｍから０．４５ｍｍ程度のアルミニウム合金板とする（ステップＳ１０４）。冷間圧延によって所要の製品板厚に仕上げる。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めれば良く、圧延率を１０〜９５％とするのが好ましい。冷間圧延の前、或いは、途中で、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理を施してもよい。焼鈍処理を実施する場合には、例えばバッチ式の加熱ならば、２００℃以上３８０℃未満で０．１〜１０時間の条件で行うことが好ましく、連続式の加熱ならば、２５０℃以上４００℃未満で０〜６０秒間保持の条件で行うことが好ましい。ここで、連続式において処理時間が０秒とは、処理温度に到達後に直ちに加熱を止めることを意味する。

【0070】

アルミニウム合金板を磁気ディスク用として加工するには、アルミニウム合金板を円環状に打ち抜き、ディスクブランクを作成する（ステップＳ１０５）。次に、ディスクブランクを大気中にて、例えば１００℃以上３５０℃未満で３０分以上の加圧焼鈍を行い平坦化したブランクを作成する（ステップＳ１０６）。次に、ブランクに切削加工、研削加工を施し、アルミニウム合金基板を作製する（ステップＳ１０７）。次に、アルミニウム合金基板表面に脱脂、エッチング、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施す（ステップＳ１０８）。次に、ジンケート処理した表面に下地処理としてＮｉ−Ｐめっき処理を施す（ステップＳ１０９）。最後に、Ｎｉ−Ｐめっき処理面にスパッタリングによって磁性体を付着させ磁気ディスクとする（ステップＳ１１０）。

【0071】

なお、ステップＳ１０７においてアルミニウム合金基板とした後は、３５０℃以上の温度に晒されることはないため、第二相粒子を構成する金属間化合物種やその分布が変化することはない。従って、ステップＳ１０７で作製したアルミニウム合金基板に代えて、Ｎｉ−Ｐめっき処理（ステップＳ１０９）工程後のアルミニウム合金基板や、磁気ディスクを用いて第二相粒子を構成する金属間化合物種やその分布の評価を行ってもよい。

【実施例】

【0072】

以下に、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0073】

表１〜表３に示す成分組成の各合金素材を常法に従って溶解し、アルミニウム合金溶湯を溶製した（ステップＳ１０１）。表１〜表３中「−」は、測定限界値以下を示す。

【0074】

【表1】

【0075】

【表2】

【0076】

【表3】

【0077】

次に、アルミニウム合金溶湯をＣＣ法によって鋳造して、鋳造板を作製した（ステップＳ１０２）。鋳造板の厚さ、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度、ならびに、鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度を表４〜６に示す。なお、合金Ｎｏ．Ａ８〜Ａ１０及びＡＣ８〜ＡＣ１２については均質化処理を施した（ステップＳ１０３）。これらの均質化処理条件も、表４〜６に示す。

【0078】

【表4】

【0079】

【表5】

【0080】

【表6】

【0081】

次に、均質化処理を施した、或いは、施さない全ての板材を、冷間圧延により最終板厚の０．８ｍｍまで圧延してアルミニウム合金板とした（ステップＳ１０４）。なお、実施例３〜６は、冷間圧延の途中（板厚３．０ｍｍ）に、実施例１１は冷間圧延の前に焼鈍処理を実施した。実施例３は、バッチ式の加熱炉で２００℃×９．５時間の条件で、実施例４は、バッチ式の加熱炉で３７０℃×０．１時間の条件で、実施例５は、連続式の加熱炉で２５０℃×６０秒の条件で、実施例６は、連続式の加熱炉で３９０℃×０秒の条件で、実施例１１は、バッチ式の加熱炉で２５０℃×３．０時間の条件で、焼鈍処理を実施した。これらアルミニウム合金板から外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状に打抜き、ディスクブランクを作製した（ステップＳ１０５）。

【0082】

このようにして作製したディスクブランクを３４０℃で３時間加圧焼鈍を施した（ステップＳ１０６）。端面加工を行い外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍとし、グラインディング加工（表面１０μｍ研削）を行った（ステップＳ１０７）。その後、ＡＤ−６８Ｆ（商品名、上村工業製）により６０℃で５分の脱脂を行った後、ＡＤ−１０７Ｆ（商品名、上村工業製）により６５℃で１分のエッチングを行い、さらに３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で２０秒間デスマットした（ステップＳ１０８）。

【0083】

このようにして表面状態を整えた後に、ディスクブランクをＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘ（商品名、上村工業製）の２０℃のジンケート処理液に０．５分間浸漬して表面にジンケート処理を施した（ステップＳ１０８）。なお、ジンケート処理は合計２回行い、ジンケート処理の間に室温の３０％ＨＮＯ_３水溶液に２０秒間浸漬して表面を剥離処理した。ジンケート処理した表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理液（ニムデンＨＤＸ（商品名、上村工業製））を用いてＮｉ−Ｐを１６μｍ厚さに無電解めっきした後、羽布により仕上げ研磨（研磨量４μｍ））を行った（ステップＳ１０９）。

【0084】

冷間圧延（ステップＳ１０４）後のアルミニウム合金板、研削加工（ステップＳ１０７）工程後のアルミニウム合金基板、ならびに、めっき処理研磨（ステップＳ１０９）工程後のアルミニウム合金基板の各試料について以下の評価を行った。なお、各試料では、同一の条件で作製した３枚のディスクをめっき処理まで実施しているが、比較例４、５、１９〜２６のディスクでは、３枚共にめっき剥離が発生した。そのため、これらの比較例においては、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。なお、実施例１、４０〜４２では、３枚のうち１枚でめっき剥離が生じたが、めっき剥離が生じなかった２枚のディスクを用い評価を実施した。

【0085】

〔０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子の分布密度〕
研削加工（ステップＳ１０７）後のアルミニウム合金基板断面を、光学顕微鏡により１０００倍の倍率で１ｍｍ^２の視野を観察し、粒子解析ソフトＡ像くん（商品名、旭化成エンジニアリング（株）社製）を用いて第二相粒子の分布密度（個／ｍｍ^２）を測定した。観察は、アルミニウム合金基板のＬ−ＳＴ断面（圧延方向と板厚方向からなる断面）に沿った表面から板厚の１／４付近（表面から板厚方向に０．２ｍｍの箇所）で実施した。結果を表７〜９示す。

【0086】

【表7】

【0087】

【表8】

【0088】

【表9】

【0089】

〔断面の板厚方向における平均結晶粒径〕
研削加工（ステップＳ１０７）後のアルミニウム合金基板断面（Ｌ−ＳＴ断面）について、バーカー氏液を用いてバーカーエッチングを施し、偏光顕微鏡にて２００倍の倍率で全厚さが視野に入るように１視野撮影した。結晶粒径の測定は、板厚方向に沿った全板厚間にわたって存在し、交差した結晶粒の数を数える交線法を用いて、ＳＴ方向に１０００μｍの直線を５本引き実施し、その算術平均値を平均結晶粒径とした。結果を表７〜９示す。

【0090】

〔耐力〕
耐力は、ＪＩＳ Ｚ２２４１に準拠し、冷間圧延（ステップＳ１０４）後のアルミニウム合金板を３４０℃で３時間の焼鈍（加圧焼鈍模擬加熱）を行った後、３４０℃で３時間の大気中加熱を行い、圧延方向に沿ってＪＩＳ５号試験片を採取してｎ＝２にて測定した。強度の評価は、耐力が７５ＭＰａ以上の場合をＡ（優）、６０ＭＰａ以上７５ＭＰａ未満をＢ（良）、６０ＭＰａ未満をＣ（劣）とした。なお、研削加工後のアルミニウム合金基板や磁気ディスクのめっきを剥離し、表面を１０μｍ研削した基板から試験片を採取しても良い。この試験片に、３４０℃で３時間の大気中加熱を行い、耐力を評価することも可能である。その際の試験片の寸法は、平行部の幅５±０．１４ｍｍ、試験片の原標点距離１０ｍｍ、肩部の半径２．５ｍｍ、平行部長さ１５ｍｍとする。結果を表７〜９示す。

【0091】

〔ディスク・フラッタの測定〕
めっき処理研磨（ステップＳ１０９）工程後のアルミニウム合金基盤を用いディスク・フラッタの測定を行った。ディスク・フラッタの測定は、市販のハードディスクドライブに空気の存在下、アルミニウム合金基板を設置し、測定を行った。ドライブはＳｅａｇａｔｅ製ＳＴ２０００（商品名）を用いて、モーター駆動はテクノアライブ製ＳＬＤ１０２（商品名）をモーターに直結することにより駆動させた。回転数は７２００ｒｐｍとし、ディスクは常に複数枚設置してその上部の磁気ディスクの表面にレーザードップラー計である小野測器製ＬＤＶ１８００（商品名）によって表面の振動を観察した。観察した振動は、小野測器製ＦＦＴ解析装置ＤＳ３２００（商品名）によってスペクトル分析した。観察はハードディスクドライブの蓋に孔を開けることにより、その穴からディスク表面を観察して行った。また、市販のハードディスクに設置されていたスクイーズプレートは外して評価を行っている。

【0092】

フラッタリング特性の評価は、フラッタリングが現れる３００〜１５００Ｈｚの付近のブロードなピークの最大変位（ディスクフラッタリング（ｎｍ））によって行った。このブロードなピークはＮＲＲＯ（Ｎｏｎ−Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ Ｒｕｎ Ｏｕｔ）と呼ばれ、ヘッドの位置決め誤差に対して大きな影響があることがわかっている。フラッタリング特性の評価は、空気中にて、３０ｎｍ以下の場合をＡ（優）、３０ｎｍを超えて４０ｎｍ以下をＢ（良）、４０ｎｍを超えて５０ｎｍ以下をＣ（可）、５０ｎｍより大きい場合はＤ（劣）とした。結果を表７〜９示す。

【0093】

表７〜９に示すように、実施例１〜４２は良好な強度とフラッタリング特性を得ることが出来た。これに対して、比較例１〜２６では、強度とフラッタリング特性の両方、又は、強度が劣っており、或いは、めっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0094】

一方、比較例１〜３では、Ｆｅ含有量が少な過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度及びフラッタリング特性が劣った。

【0095】

比較例４、５では、Ｆｅ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0096】

比較例６、７では、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度が高過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0097】

比較例８、９では、均質化処理時間が長過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0098】

比較例１０〜１２では、均質化処理温度が高過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0099】

比較例１３、１４では、鋳造後から１分経過後における鋳造板の温度が低過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0100】

比較例１５、１６では、鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度が高過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0101】

比較例１７、１８では、鋳造後から１０分経過後における鋳造板の温度が低過ぎたため、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第２相粒子の分布密度が少な過ぎた。その結果、強度が劣った。

【0102】

比較例１９では、Ｍｎ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0103】

比較例２０では、Ｓｉ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0104】

比較例２１では、Ｎｉ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0105】

比較例２２では、Ｃｕ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0106】

比較例２３では、Ｍｇ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0107】

比較例２４では、Ｃｒ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった。

【0108】

比較例２５では、Ｚｒ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった

【0109】

比較例２６では、Ｚｎ含有量が多過ぎたためにめっき剥離が生じ、強度及びフラッタリング特性の評価を行うことができなかった

【産業上の利用可能性】

【0110】

本発明により、高強度でディスクのフラッタリング特性に優れた磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、これを用いた磁気ディスクが得られる。

【要約】

【課題】高強度で良好なフラッタリング特性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスクを提供する。
【解決手段】Ｆｅ：０．４〜３．０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、０．５μｍ以上２．０μｍ未満の最長径を有する第二相粒子が５０００個／ｍｍ^２以上の分布密度で分散することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、この磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク。
【選択図】図１

【図1】