特許 6393546 相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6393546

(24)【登録日】2018年8月31日

(45)【発行日】2018年9月19日

(54)【発明の名称】相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20180910BHJP

   B82Y 40/00 20110101ALI20180910BHJP

   B82Y 30/00 20110101ALI20180910BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20180910BHJP

   H01L 21/312 20060101ALI20180910BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/302 105A

   B82Y40/00

   B82Y30/00

   H01L21/30 502D

   H01L21/312 A

【請求項の数】10

【全頁数】62

(21)【出願番号】特願2014-153199(P2014-153199)

(22)【出願日】2014年7月28日

(65)【公開番号】特開2015-46590(P2015-46590A)

(43)【公開日】2015年3月12日

【審査請求日】2017年4月12日

(31)【優先権主張番号】特願2013-159898(P2013-159898)

(32)【優先日】2013年7月31日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000220239

【氏名又は名称】東京応化工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106909

【弁理士】

【氏名又は名称】棚井 澄雄

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀 正武

(74)【代理人】

【識別番号】100179833

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 将尚

(74)【代理人】

【識別番号】100189337

【弁理士】

【氏名又は名称】宮本 龍

(74)【代理人】

【識別番号】100188558

【弁理士】

【氏名又は名称】飯田 雅人

(72)【発明者】

【氏名】松宮 祐

(72)【発明者】

【氏名】瀬下 武広

(72)【発明者】

【氏名】宮城 賢

(72)【発明者】

【氏名】前橋 貴哉

(72)【発明者】

【氏名】太宰 尚宏

(72)【発明者】

【氏名】内海 義之

【審査官】 石丸 昌平

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−０７８８２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０６８８８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０３６４９１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｂ８２Ｙ ３０／００

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０１Ｌ ２１／３１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持体上に、中性化膜からなる層を形成する工程と、
前記中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、
当該ブロックコポリマーを含む層をアニールする工程と、
を有する相分離構造を含む構造体の製造方法であって、
前記Ｐ_Ａブロック、前記Ｐ_Ｂブロック、及び前記中性化膜のそれぞれの表面自由エネルギーを、（分散成分（ｄ）^０．５，極性成分（ｐ）^０．５）の座標平面上に、
前記Ｐ_Ａブロックの点Ａ（（ｄＰ_Ａ）^０．５，（ｐＰ_Ａ）^０．５）、
前記Ｐ_Ｂブロックの点Ｂ（（ｄＰ_Ｂ）^０．５，（ｐＰ_Ｂ）^０．５）、
前記中性化膜の点Ｎ（（ｄＰ_Ｎ）^０．５，（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、
前記中性化膜の点Ｎは、
前記相分離構造が、Ｐ_Ａマトリックスシリンダー構造である場合には、
線分ＡＢを３：７に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあり、
前記相分離構造が、基板に対して垂直配向したラメラ構造である場合には、
線分ＡＢの中点Ｏを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．６倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅが囲む範囲内にあり、又は、
前記相分離構造が、Ｐ_Ｂマトリックスシリンダー構造である場合には、
線分ＡＢを７：３に内分する点Ｏ_Ｂを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることを特徴とする相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項2】

前記座標平面上に、前記中性化膜の点Ｎは、線分ＡＢを３：７に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあって、
前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_Ｂブロックの体積分率をＰ_Ａブロックよりも小さくすることにより、Ｐ_Ａブロックからなる相中にＰ_Ｂブロックからなる相がシリンダー状に存在するＰ_Ａマトリックスシリンダー構造を形成させることを特徴とする、請求項１に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項3】

前記座標平面上に、前記中性化膜の点Ｎは、線分ＡＢの中点Ｏを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．６倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅが囲む範囲内にあって、
前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_ＢブロックとＰ_Ａブロックの体積分率を同程度にすることにより、Ｐ_Ａブロックからなる相とＰ_Ｂブロックからなる相とが交互に積層された基板に対して垂直配向したラメラ構造を形成させることを特徴とする、請求項１に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項4】

前記座標平面上に、前記中性化膜の点Ｎは、線分ＡＢを７：３に内分する点Ｏ_Ｂを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあって
前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_Ａブロックの体積分率をＰ_Ｂブロックよりも小さくすることにより、Ｐ_Ｂブロックからなる相中にＰ_Ａブロックからなる相がシリンダー状に存在するＰ_Ｂマトリックスシリンダー構造を形成させることを特徴とする、請求項１に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項5】

前記座標平面上において、線分ＡＮの長さは、前記線分ＡＢの長さの０．１倍以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項6】

前記Ｐ_ＡブロックとＰ_Ｂブロックは、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位から成るブロック、ポリメチルメタクリレートのブロック及びポリスチレンのブロックからなる群から選択される少なくとも２種のブロックの組み合わせであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【化1】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を表す。Ｖ^０は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基を表す。Ｒ^０は置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表し、複数のＲ^０はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。］

【請求項7】

前記中性化膜からなる層を形成する工程の後に、ガイドパターンを形成する工程を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項8】

トップコート材料を、前記ブロックコポリマーを含む層上に塗布してトップコート膜を形成する工程を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。

【請求項9】

請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法により製造された、相分離構造を含む構造体から少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去してパターンを形成する工程を有することを特徴とする、パターン形成方法。

【請求項10】

請求項９に記載のパターン形成方法によってパターンを形成する工程と、前記パターンをマスクとして用い、前記支持体のエッチングを行う工程とを有する、微細パターン形成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、相分離構造を含む構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）のさらなる微細化に伴い、より繊細な構造体を加工する技術が求められている。このような要望に対して、互いに非相溶性のブロック同士を結合させたブロックコポリマーの自己組織化により形成される相分離構造を利用して、より微細なパターンを形成する試みが始まっている。（例えば、特許文献１参照。）。
ブロックコポリマーの相分離構造を利用するためには、ミクロ相分離により形成される自己組織化ナノ構造を、特定の領域のみに形成し、かつ、所望の方向へ配列させることが必須となる。これらの位置制御及び配向制御を実現するために、ガイドパターンによって、相分離パターンを制御するグラフォエピタキシーや、基板の化学状態の違いによって相分離パターンを制御するケミカルエピタキシー等のプロセスが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。

【0003】

ケミカルエピタキシープロセスでは、ブロックコポリマーを構成するいずれかのブロックと親和性を有する、表面処理剤を含む中性化膜、を基板表面に所定のパターンで配置する。この基板表面に配置された中性化膜のパターン（ガイドパターン）により、相分離構造の各相の配向が制御される。このため、所望の相分離構造を形成させるためには、中性化膜を、ブロックコポリマーの周期に合わせて配置することが重要となる。

【0004】

ブロックコポリマーとしては、スチレンの繰返し単位からなるブロックと、メタクリル酸メチルの繰返し単位からなるブロックと、のブロックコポリマー（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）が広く検討されており、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡは、１３ｎｍ程度までの微細パターンの形成に適用可能な材料であると言われている。
そして、現在では、さらなる微細寸法のパターン形成を実現し得る材料として、Ｓｉ含有ブロックコポリマーを用いたパターン形成方法についての検討も行われている。このＳｉ含有ブロックコポリマーにより形成されるブロックコポリマー層は、その表面エネルギーが低い。そのため、ブロックコポリマーの自己組織化においては、該ブロックコポリマー層の表面状態のコントロールが重要となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８−３６４９１号公報

【非特許文献】

【0006】

【非特許文献1】プロシーディングスオブエスピーアイイー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ），第７６３７巻，第７６３７０Ｇ−１（２０１０年）．

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、Ｓｉ含有ブロックコポリマーを含む層を良好に相分離させることができ、良好なパターンを形成することができる相分離構造体の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の第一の態様は、支持体上に、中性化膜からなる層を形成する工程と、前記中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、当該ブロックコポリマーを含む層をアニールする工程と、を有する相分離構造を含む構造体の製造方法であって、前記Ｐ_Ａブロック、前記Ｐ_Ｂブロック、及び前記中性化膜のそれぞれの表面自由エネルギーを、（分散成分（ｄ）^０．５，極性成分（ｐ）^０．５）の座標平面上に、前記Ｐ_Ａブロックの点Ａ（（ｄＰ_Ａ）^０．５，（ｐＰ_Ａ）^０．５）、前記Ｐ_Ｂブロックの点Ｂ（（ｄＰ_Ｂ）^０．５，（ｐＰ_Ｂ）^０．５）、前記中性化膜の点Ｎ（（ｄＰ_Ｎ）^０．５，（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、前記中性化膜の点Ｎは、前記相分離構造が、Ｐ_Ａマトリックスシリンダー構造である場合線分ＡＢを３：７に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内、前記相分離構造が、ラメラ構造である場合、線分ＡＢの中点Ｏを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．６倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅが囲む範囲内、又は、前記相分離構造が、Ｐ_Ｂマトリックスシリンダー構造である場合、線分ＡＢを７：３に内分する点Ｏ_Ｂを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることを特徴とする相分離構造を含む構造体の製造方法である。

【0009】

本発明の第二の態様は、前記第一の態様の製造方法により製造された相分離構造を含む構造体から少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去してパターンを形成する工程を有することを特徴とする、パターン形成方法である。

【0010】

本発明の第三の態様は、前記第二の態様のパターン形成方法により形成されたパターンをマスクとして支持体のエッチングを行う工程を有する、微細パターン形成方法である。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、本発明は、Ｓｉ含有ブロックコポリマーを含む層を良好に相分離させることができ、良好なパターンを形成することができる相分離構造体の製造方法を提供することができる。

【0012】

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯＯＨ）のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「（α置換）アクリル酸エステル」ということがある。
「ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものを意味する。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１〜５が好ましく、１が最も好ましい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図2】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図3】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図4】本発明の実施形態例を説明する図である。

【図5】本発明の実施形態例を説明する図である。

【図6】本発明の実施形態例を説明する図である。

【図7】本発明の実施形態例を説明する図である。

【図8】本発明における接触角を説明する図である。

【図9】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図10】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図11】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【図12】本発明の第一の態様の実施形態例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

≪相分離構造を含む構造体の製造方法≫
本発明の相分離構造を含む構造体の製造方法は、支持体上に、中性化膜からなる層を形成する工程と、前記中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程と、当該ブロックコポリマーを含む層をアニールする工程と、を有する。
本発明の相分離構造を含む構造体の製造方法について、図面（図９を参照。）を参照しながら具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。

【0015】

［支持体上に、中性化膜からなる層を形成する工程］
本発明の相分離構造を含む構造体の製造方法においては、まず、支持体上に、中性化膜からなる層（以下、単に「中性化膜」又は「下地剤からなる層」ということがある）を形成する。

【0016】

＜支持体＞
図９中、支持体１は、その表面上にブロックコポリマーを含む溶液を塗布し得るものであれば、その種類は特に限定されない。例えば、シリコン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属、ガラス、酸化チタン、シリカ、マイカなどの無機物からなる基板、アクリル板、ポリスチレン、セルロース、セルロースアセテート、フェノール樹脂などの有機化合物からなる基板などが挙げられる。
また、本発明において用いられる支持体１の大きさや形状は、特に限定されるものではない。基板１は必ずしも平滑な表面を有する必要はなく、様々な材質や形状の基板を適宜選択することができる。例えば、曲面を有する基板、表面が凹凸形状の平板、薄片状などの様々な形状のものまで多様に用いることができる。

【0017】

また、支持体１の表面には、無機系および／または有機系の膜が設けられていてもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。
無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基板上に塗工し、焼成等することにより形成できる。
有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を、基板上にスピンナー等で塗布し、好ましくは２００〜３００℃、好ましくは３０〜３００秒間、より好ましくは６０〜１８０秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。このとき用いられる有機膜形成用材料は、レジスト膜のような、光や電子線に対する感受性を必ずしも必要とするものではなく、該感受性を有するものであってもよく、有しないものであってもよい。具体的には、半導体素子や液晶表示素子の製造において一般的に用いられているレジストや樹脂を用いることができる。
また、ブロックコポリマーからなるパターンを用いて有機膜をエッチングすることにより、該パターンを有機膜へ転写し、有機膜パターンを形成できるように、有機膜形成用材料は、エッチング、特にドライエッチング可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。中でも、酸素プラズマエッチング等のエッチングが可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。このような有機膜形成用材料としては、従来、有機ＢＡＲＣなどの有機膜を形成するために用いられている材料であってよい。例えば、ブリューワサイエンス社製のＡＲＣシリーズ、ロームアンドハース社製のＡＲシリーズ、東京応化工業社製のＳＷＫシリーズなどが挙げられる。

【0018】

支持体に中性化膜からなる層２を形成する前に、支持体１の表面は、予め洗浄されていてもよい。支持体表面を洗浄することにより、下地剤の塗布が良好に行える場合がある。
洗浄処理としては、従来公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。

【0019】

＜中性化膜からなる層（中性化膜）＞
本発明において用いる中性化膜は、前記Ｐ_Ａブロック、前記Ｐ_Ｂブロック、及び前記中性化膜のそれぞれの表面自由エネルギーを、（分散成分の平方根（ｄ）^０．５，極性成分の平方根（ｐ）^０．５）の座標平面上に、前記Ｐ_Ａブロックの点Ａ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ａ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ａ）^０．５）、前記Ｐ_Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｂ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｂ）^０．５）、前記中性化膜の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、前記中性化膜の点Ｎが、以下に説明する所定の範囲内にあることを特徴とする。

【0020】

本発明において、表面自由エネルギー（以下、「ＳＦＥ」と記載することがある。）の測定方法は特に限定されない。ＳＦＥの測定方法としては、たとえば、超純水、ジヨードメタン、ホルムアミド、グリセリン等との接触角を測定して表面自由エネルギーを求める方法が挙げられる。
本発明における接触角とは、中性化膜上においた液滴の表面と中性化膜面との交点において、液滴に引いた接線と固体面とのなす角で、液を含む側の角を接触角と言う。中性化膜表面が液体に濡れると新たに固体−液体の界面が生じ、固体表面の液体が作る接触角をθとすると図５のように、固体の表面張力γ_Ｓ、液体の表面張力γ_Ｌ、固体−液体の界面張力γ_ＳＬとの間にはＹｏｕｎｇの式γ_Ｓ＝γ_Ｓ^Ｌ＋γ_Ｌｃｏｓθ‥‥（１）が成立する。

【0021】

Ｄｕｐｒｅの式より液体と固体間の付着仕事（自由エネルギー）をＷ_ＳＬとすると
Ｗ_ＳＬ＝γ_Ｓ＋γ_Ｌ−γ_ＳＬ‥‥（２）と表される。
（１）式を（２）式に代入するとＹｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式、
Ｗ_ＳＬ＝γ_Ｌ（１＋ｃｏｓθ）‥‥（３）が得られる。
Ｗ_ＳＬが大きくなるほど濡らしやすく、θ＝０のとき濡れ拡張を生じ液体は完全に固体表面を湿らす。この原理を用いた固体の表面エネルギーを求める式がいくつか提出されている。

【0022】

また、Ｗｕの式では、固体の表面自由エネルギーの分散成分をγ_Ｓ^ｄ、固体の表面自由エネルギーの極性成分をγ_Ｓ^ｐ、液体の表面自由エネルギーの分散成分をγ_Ｌ^ｄ、液体の表面自由エネルギーの極性成分をγ_Ｌ^ｐとすると、
γ_ＳＬ＝γ_Ｓ＋γ_Ｌ−４γ_Ｓ^ｄγ_Ｌ^ｄ／（γ_Ｓ^ｄ＋γ_Ｌ^ｄ）−４γ_Ｓ^ｐγ_Ｌ^ｐ／（γ_Ｓ^ｐ＋γ_Ｌ^ｐ）と表される。
さらに、Ｋｉｔａｚａｋｉ−Ｈａｔａの式では、固体の表面自由エネルギーの水素結合成分をγ_Ｓ^ｈ、液体の表面自由エネルギーの水素結合成分をγ_Ｌ^ｈとすると、
γ_ＳＬ＝γ_Ｓ＋γ_Ｌ−２（γ_Ｓ^ｄ−γ_Ｌ^ｄ）１／２−２（γ_Ｓ^ｐ−γ_Ｌ^ｐ）^１／２−２（γ_Ｓ^ｈγ_Ｌ^ｈ）^１／２と表される。以上のように固体の表面エネルギーの各成分は表面張力の異なる２種の液体による接触角を測定することにより求めることができる。
本発明においては上記のように、Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式に基づく測定方法、Ｗｕの理論に基づく測定方法、Ｋｉｔａｚａｋｉ−Ｈａｔａの式、さらには、Ｋａｅｌｂｌｅ，Ｏｗｅｎｓ，北崎の理論に基づく測定方法、酸−塩基理論に基づく測定方法等を採用できる。
本発明においては、上記の中でも、Ｗｕの理論に基づく測定方法を用いて表面自由エネルギーを算出する方法が好ましい。
なお、前記Ｐ_Ａブロック及び前記Ｐ_Ｂブロックそれぞれの表面自由エネルギーを、（分散成分の平方根（ｄ）^０．５，極性成分の平方根（ｐ）^０．５）の座標平面上に、前記Ｐ_Ａブロックの点Ａ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ａ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ａ）^０．５）、前記Ｐ_Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｂ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｂ）^０．５）として示すためのＳＦＥも同様にして算出することができる。この場合の接触角は「ホモポリマー膜上においた液滴の表面とホモポリマー膜面との交点において、液滴に引いた接線と固体面とのなす角で液を含む側の角」となる。ここで、ホモポリマーとは、Ｐ_Ａブロックの構成単位のみからなるポリマーまたはＰ_Ｂブロックの構成単位のみからなるポリマーをいう。接触角測定用のホモポリマー膜に含まれる各ホモポリマーの質量平均分子量は使用するブロックコポリマーの分子量や各ブロックの分子量にあわせて適宜設定すればよく、例えば１０００以上である。
また、中性化膜とホモポリマー膜のいずれの接触角を測定する場合も膜厚は特に限定されず、例えば２５ｎｍ〜５０ｎｍである。

【0023】

中性化膜からなる層２を形成する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により形成できる。
たとえば、中性化膜を形成するための下地剤をスピンコート、スピンナーを用いる等の従来公知の方法により基板１上に塗布して塗膜を形成し、乾燥させることにより、中性化膜からなる層２を形成できる。下地剤については後述する。
塗膜の乾燥方法としては、中性化膜に含まれる有機溶剤を揮発させることができればよく、たとえばベークする方法等が挙げられる。
ベーク温度は、８０〜３００℃が好ましく、１００〜２７０℃がより好ましく、１２０〜２５０℃がさらに好ましい。ベーク時間は、３０〜５００秒間が好ましく、６０〜２４０秒間がより好ましい。
中性化膜からなる層２を支持体１表面に設けることによって支持体１の表面が中性化され、その上層に設けるブロックコポリマーからなる層３のうち、特定のブロックからなる相のみが基板表面に接することを抑制することができる。その結果、ブロックコポリマーを含む層３の相分離によって、基板表面に対して自在に配向されたシリンダー構造、ラメラ構造、ドット構造、ジャイロイド構造、球分散構造等を形成することが可能となる。

【0024】

中性化膜からなる層をベークした後、必要に応じて、溶剤等のリンス液を用いてリンスすることにより、下地剤層中の未架橋部分（非基板相互作用部分）等を洗浄する工程を含んでいてもよい。当該洗浄工程により、未架橋部分等を除去できるため、基板表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造やシリンダー構造からなる相分離構造を形成しやすくなる。なお、リンス液は未架橋部分を溶解するものであればよく、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＥＬ等の溶剤や市販のシンナー液等を用いることができる。また、洗浄工程後は、リンス液を揮発させるために８０〜１５０度程度のポストベークを行ってもよい。

【0025】

［中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程］
本発明の相分離構造を含む構造体の製造方法は、前記中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程を含む。

【0026】

＜ブロックコポリマー＞
本発明においてブロックコポリマーとは、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーであり、各ブロックは、同種の構成単位のみが結合した部分構成成分である。ブロックコポリマーを構成するブロックの種類は、２種類が好ましい。

【0027】

本発明においては、ブロックコポリマーを構成する（Ｐ_ＡとＰ_Ｂの）ブロックは、相分離が起こる組み合わせであれば特に限定されるものではないが、互いに非相溶であるブロック同士の組み合わせであることが好ましい。また、ブロックコポリマーを構成する（Ｐ_ＡとＰ_Ｂの）ブロック中の少なくとも１種類のブロックからなる相が、他の種類のブロックからなる相よりも、容易に選択的に除去可能な組み合わせであることが好ましい。容易に選択的に除去可能な組み合わせとしては、エッチング選択比が１よりも大きい、１種又は２種以上のブロックとが結合したブロックコポリマーが挙げられる。
本発明において「ブロックコポリマーの周期」とは、相分離構造が形成された際に観察される相構造の周期を意味し、互いに非相溶である各相の長さの和である。ブロックコポリマーの周期は、該ブロックコポリマーの分子１つ分の長さに相当する。
ブロックコポリマーの周期は、重合度Ｎ、及び、フローリー−ハギンズ（Ｆｌｏｒｙ−Ｈｕｇｇｉｎｓ）の相互作用パラメータχ、などの固有重合特性によって決まる。すなわち、「χＮ」が大きくなるほど、ブロックコポリマーにおける異なるブロック間の相互反発は大きくなる。このため、χＮ＞１０（以下「強度分離限界点」という）のときには、ブロックコポリマーにおける異種類のブロック間の反発が大きく、相分離が起こる傾向が強くなる。そして、強度分離限界点においては、ブロックコポリマーの周期は、およそＮ^２／３χ^１／６となる。つまり、ブロックコポリマーの周期は、分子量Ｍｎと、異なるブロック間の分子量比と、に相関する重合度Ｎに比例する。従って、用いるブロックコポリマーの組成及び総分子量を調整することにより、ブロックコポリマーの周期を容易に調節することができる。

【0028】

ブロックコポリマーとしては、例えば、芳香族基を有する構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；芳香族基を有する構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；芳香族基を有する構成単位のブロックと、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー；かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位のブロックと、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロックと、を結合させたブロックコポリマー等が挙げられる。
以下、かご型シルセスキオキサン構造含有構成単位（特に一般式（ａ０−１）で表される構成単位）のブロックをＰ_Ａブロックとして、その他の構成単位をＰ_Ｂブロックとして本発明を説明するが、Ｐ_ＡブロックとＰ_Ｂブロックとの組み合わせはこれに限定されない。

【0029】

｛一般式（ａ０−１）で表される構成単位から成るＰ_Ａブロック｝
一般式（ａ０−１）で表される構成単位から成るＰ_Ａブロックについて説明する。下記に一般式（ａ０−１）を示す。

【0030】

【化1】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を表す。Ｖ^０は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基を表す。Ｒ^０は置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表し、複数のＲ^０はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。］

【0031】

前記式（ａ０−１）中、Ｒの炭素数１〜５のアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Ｒとしては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。

【0032】

前記式（ａ０−１）中、Ｒ^０における１価の炭化水素基は、炭素数１〜２０が好ましく、より好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは１〜８である。ただし、該炭素数には、後述の置換基における炭素数を含まないものとする。
Ｒ^０における１価の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、なかでも脂肪族炭化水素基であることが好ましく、１価の脂肪族飽和炭化水素基（アルキル基）であることがより好ましい。
前記アルキル基として、より具体的には、鎖状の脂肪族炭化水素基（直鎖状または分岐鎖状のアルキル基）、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜８が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基が好ましく、メチル基、エチル基又はイソブチル基がより好ましく、エチル基又はイソブチル基がさらに好ましく、エチル基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜５が好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか、又は該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜８であることが好ましく、４〜６であることがより好ましく、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数３〜６のモノシクロアルカンから１つ以上の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数７〜１２のポリシクロアルカンから１つ以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

【0033】

鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

【0034】

Ｒ^０における１価の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基としては、芳香環を少なくとも１つ有する１価の炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、後述の置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基）等が挙げられる。
前記アリール基又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、酸素原子（＝Ｏ）等が挙げられる。

【0035】

前記式（ａ０−１）中、Ｖ^０における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
Ｖ^０における２価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

【0036】

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましく、１〜３が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［−ＣＨ_２−］、エチレン基［−（ＣＨ_２）_２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ_２）_３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ_２）_４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ_２）_５−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

【0037】

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７〜１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

【0038】

芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、後述の置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。
前記アリール基又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

【0039】

以下に、前記式（ａ０−１）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

【0040】

【化2】

【0041】

ブロックコポリマー中、Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位となる場合の当該構成単位の割合は、後述のその他の構成単位の分子量にもよるが、該ブロックコポリマーを構成する全構成単位に対し、０．１〜５０モル％が好ましく、０．５〜４０モル％がより好ましく、１〜３０モル％がさらに好ましい。Ｐ_Ａブロックの構成単位の割合を好ましい下限値以上とすることによって、相分離がより起こりやすくなる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。
Ｐ_Ａブロックの構成単位の割合が、該ブロックコポリマーを構成する全構成単位に対し、好ましくは０．５〜１０モル％、より好ましくは１〜９モル％であると、ラメラ状の相分離構造が得られやすく、一方、好ましくは１０〜３５モル％、より好ましくは１２〜３０モル％、さらに好ましくは１２〜２７モル％であると、シリンダー状の相分離構造が得られやすい。

【0042】

また、Ｐ_Ａブロックとして一般式（ａ０−１）で表される構成単位以外の構成単位と、Ｐ_Ｂブロックとして、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位を選択する場合、Ｐ_Ａブロックの構成単位の割合（モル比）は、後述する各相分離構造における体積分率に基づき適宜設定すればよく、Ｐ_Ｂブロックの構成単位の割合（モル比）も同様である。ブロックコポリマー中、Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位以外の構成単位からなる場合の当該構成単位の割合は、後述のその他の構成単位の分子量にもよるが、該ブロックコポリマーを構成する全構成単位に対し、０．１〜５０モル％が好ましく、０．５〜４０モル％がより好ましく、１〜３０モル％がさらに好ましい。
Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位以外の構成単位からなる場合のＰ_Ａブロックとしては、後述のスチレン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロック、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロック、アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロック等が挙げられる。

【0043】

｛他の構成単位から成るＰ_Ｂブロック｝
本発明においてブロックコポリマーは、Ｐ_Ａブロック以外のＰ_Ｂブロックを有する。
Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位となる場合のＰ_Ａブロック以外のブロックとしては、スチレン又はスチレンの誘導体から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロック、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロック、アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロック等が挙げられる。

【0044】

スチレンの誘導体としては、たとえば、α−メチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、４−ｎ−オクチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ヒドロキシスチレン、４−ニトロスチレン、３−ニトロスチレン、４−クロロスチレン、４−フルオロスチレン、４−アセトキシビニルスチレン、トリメチルシリルスチレン、４−ビニルベンジルクロリド、１−ビニルナフタレン、４−ビニルビフェニル、１−ビニル−２−ピロリドン、９−ビニルアントラセン、ビニルピリジン等が挙げられる。

【0045】

（α置換）アクリル酸は、アクリル酸、又は、アクリル酸におけるα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているもの、の一方又は両方を意味する。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基等が挙げられる。
（α置換）アクリル酸としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。

【0046】

（α置換）アクリル酸エステルは、アクリル酸エステル、又は、アクリル酸エステルにおけるα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているもの、の一方又は両方を意味する。該置換基としては、炭素数１〜５のアルキル基等が挙げられる。
（α置換）アクリル酸エステルとしては、たとえば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸アントラセン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメタン、アクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のアクリル酸エステル；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸ノニル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸アントラセン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメタン、メタクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。
これらのなかでも、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｔ−ブチルが好ましい。

【0047】

シロキサン又はその誘導体としては、たとえば、ジメチルシロキサン、ジエチルシロキサン、ジフェニルシロキサン、メチルフェニルシロキサン等が挙げられる。
アルキレンオキシドとしては、たとえば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソプロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。

【0048】

上記のなかでも、Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位となる場合のＰ_Ａブロック以外のブロックとしては、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックが好ましい。Ｐ_Ａブロックが一般式（ａ０−１）で表される構成単位以外の構成単位からなる場合の、Ｐ_Ａブロック以外のブロックとしては、スチレン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロック、シロキサン又はその誘導体から誘導される構成単位のブロック、アルキレンオキシドから誘導される構成単位のブロック等が挙げられる。なかでも、（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位のブロック、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位のブロックが好ましい。

【0049】

ブロックコポリマー中、Ｐ_Ａブロックを構成する構成単位以外の構成単位の割合は、該ブロックコポリマーを構成する全構成単位に対し、１０〜９９．５モル％が好ましく、１５〜９９モル％がより好ましく、２０〜９８モル％がさらに好ましい。
Ｐ_Ａブロックを構成する構成単位以外の構成単位として、（α置換）アクリル酸、又は、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位を用いる場合、（α置換）アクリル酸、又は、（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位の割合（両方を有する場合はその合計の割合）は、該ブロックコポリマーを構成する全構成単位に対し、１０〜９９モル％が好ましく、１５〜９９モル％がより好ましく、２０〜９８モル％がさらに好ましい。
Ｐ_Ａブロックを構成する構成単位以外の構成単位の割合を上記範囲内とすることにより、Ｐ_Ａブロックとのバランスをとることができる。

【0050】

本発明で用いられるブロックコポリマーは、Ｐ_ＡブロックとＰ_Ｂブロックを有するものであり、これらの組み合わせとしては、（Ｂ１）：式（ａ０−１）で表される構成単位から成るブロック（（ａ０−１）ブロック）、（Ｂ２）：スチレン又はその誘導体から誘導される構成単位から成るブロック、（Ｂ３）：（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位から成るブロックからなる群より選ばれる２種のブロックであることが好ましく、特に（Ｂ１）と（Ｂ３）のブロックコポリマー、または（Ｂ２）と（Ｂ３）のブロックコポリマー、がより好ましい。

【0051】

かかるブロックコポリマーとして、具体的には、（ａ０−１）ブロックとポリメチルメタクリレートのブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとポリスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとアクリル酸から誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとアクリル酸メチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとアクリル酸エチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとアクリル酸ｔ−ブチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとメタクリル酸から誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとメタクリル酸メチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとメタクリル酸エチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとメタクリル酸ｔ−ブチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、ポリスチレンのブロックとメタクリル酸メチルから誘導される構成単位から成るブロックとを有するブロックコポリマー、ポリスチレンのブロックとポリトリメチルシリルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリメタクリル酸メチルのブロックとポリトリブチルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリメタクリル酸メチルのブロックとポリトリメチルシリルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、等が挙げられる。
本発明においては、特に、（ａ０−１）ブロックとポリメタクリル酸メチル（ポリメチルメタクリレート）のブロックとを有するブロックコポリマー、（ａ０−１）ブロックとポリスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリスチレンのブロックとポリメタクリル酸メチルのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリスチレンのブロックとポリトリメチルシリルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリメタクリル酸メチルのブロックとポリトリブチルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、ポリメタクリル酸メチルのブロックとポリトリメチルシリルスチレンのブロックとを有するブロックコポリマー、を用いることが好ましい。

【0052】

ブロックコポリマーの質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、相分離を起こすことが可能な大きさであれば特に限定されるものではないが、１０００〜１５００００が好ましく、３０００〜１０００００がより好ましく、５０００〜８００００がさらに好ましい。
ブロックコポリマーの分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜３．０が好ましく、１．０〜１．５がより好ましく、１．０〜１．２がさらに好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。
ブロックコポリマーが形成できるパターンサイズの周期は、５〜１２０ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましく、１０〜８０ｎｍがさらに好ましい。

【0053】

・有機溶剤
ブロックコポリマー溶液（ブロックコポリマーを含有する組成物）に用いられる有機溶剤としては、前記ブロックコポリマーを溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などが挙げられる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
なかでも、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、シクロヘキサノン、ＥＬが好ましい。

【0054】

また、ＰＧＭＥＡと極性溶媒とを混合した混合溶剤も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶媒との相溶性等を考慮して適宜決定すればよく、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶媒としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶媒としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。また、極性溶媒としてＰＧＭＥおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：（ＰＧＭＥ＋シクロヘキサノン）の質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、ブロックコポリマー溶液中の有機溶剤として、その他には、ＰＧＭＥＡ、ＥＬ、または前記ＰＧＭＥＡと極性溶媒との混合溶剤と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。

【0055】

ブロックコポリマー溶液には、上記のブロックコポリマー及び有機溶剤以外に、さらに、所望により、混和性のある添加剤、たとえば、後述の中性化膜からなるパターンの性能を改良するための付加的樹脂、支持体への塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料、増感剤、塩基増殖剤、塩基性化合物などを適宜含有させることができる。

【0056】

Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を、中性化膜からなる層２の上に形成する方法としては特に限定されるものではなく、例えば、ブロックコポリマーを含有する組成物を、中性化膜からなる層２の上に塗布して形成することができる。塗布の方法としては、下地剤と同様のものが挙げられる。
本発明においては、ブロックコポリマーを含む層３の厚さは、相分離が起こるために十分な厚みであればよく、当該厚さの下限値としては、特に限定されないが、形成される相分離構造の構造周期サイズ、ナノ構造体の均一性等を考慮すると、５ｎｍ以上であることが好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

【0057】

［ブロックコポリマーを含む層をアニールさせる工程］
ブロックコポリマーを含む層３の相分離は、ブロックコポリマーを含む層３が形成された、中性化膜からなる層２を備えた支持体１をアニール（熱処理）し、後工程におけるブロックコポリマーの選択除去によって基板表面の少なくとも一部が露出するような相分離構造を形成させる。熱処理の温度は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ熱分解温度未満で行うことが好ましい。一般的には、１８０〜２７０℃で３０〜３６００秒間（６０分）熱処理を行うことが好ましく、例えば、ブロックコポリマーが、ＰＯＳＳ−ＰＭＭＡ（Ｍｗ：４０ｋ−２０ｋ）の場合もこの範囲で適用できる。
また、熱処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。

【0058】

＜相分離構造が、Ｐ_Ａマトリックスシリンダー構造である場合＞
本発明において、「Ｐ_Ａマトリックスシリンダー構造」とは、Ｐ_Ｂブロックが円柱の形態をとり、周期的に円柱が並び、その周囲にＰ_Ａブロックがマトリックスを形成している構造をいう。
前記相分離構造がＰ_Ａマトリックスシリンダー構造である場合、前記中性化膜の点Ｎは、例えば、図１に示すように、前記Ｐ_Ａブロックの点Ａ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ａ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ａ）^０．５）と前記Ｐ_Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｂ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｂ）^０．５）とからなる、線分ＡＢを３：７に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることが好ましい。但し、各ブロックの座標は正の値である（以下、本明細書において同じ）。

【0059】

図１中、楕円Ｅ_Ａの短径（２ｂ_Ａ）は、線分ＡＢの０．４倍の長さであり、楕円Ｅ_Ａの長径（２ａ_Ａ）は、線分ＡＢの３倍の長さである。
本発明において、中性化膜の点Ｎは、長径（２ａ_Ａ）が、線分ＡＢの０．５〜２．８倍の長さである楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることが好ましく、線分ＡＢの０．５〜２．５倍の長さである楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることがより好ましく、線分ＡＢの０．７５〜２倍の長さである楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることがさらに好ましく、線分ＡＢの０．７５〜１．５倍の長さである楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることが特に好ましい。また、本発明において、中性化膜の点Ｎは、楕円Ｅ_Ａの短径（２ｂ_Ａ）上にあることがより好ましい。

【0060】

本発明において、中性化膜の点Ｎが上記範囲内にあると、中性化膜とＰ_Ａブロックとの親和性が向上すると考えられるため、基板に対してＰ_Ｂブロックの円柱が垂直配向したＰ_Ａマトリックスシリンダー構造を有する相分離構造を形成しやすくなると考えられる。

【0061】

本発明において、前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_Ｂブロックの体積分率をＰ_Ａブロックよりも小さくすることにより、Ｐ_Ａブロックからなる相中にＰ_Ｂブロックからなる相がシリンダー状に存在するＰ_Ａマトリックスシリンダー構造を形成させることが好ましい。
より具体的には、ブロックコポリマー中に占めるＰ_ＢブロックとＰ_Ａブロックの体積割合が、Ｐ_Ａブロック：Ｐ_Ｂブロック＝８０：２０〜７０：３０の範囲であることが好ましい。

【0062】

＜相分離構造が、ラメラ構造である場合＞
前記相分離構造が、ラメラ構造である場合、例えば、図２に示すように、中性化膜の点Ｎは、線分ＡＢの中点Ｏを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．６倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅが囲む範囲内にあることが好ましい。
本発明において、中性化膜の点Ｎは、長径（２ａ）が、線分ＡＢの０．５〜２．８倍の長さである楕円Ｅが囲む範囲内にあることが好ましく、線分ＡＢの０．５〜２．５倍の長さである楕円Ｅが囲む範囲内にあることがより好ましく、線分ＡＢの０．７５〜２倍の長さである楕円Ｅが囲む範囲内にあることがさらに好ましく、線分ＡＢの０．７５〜１．５倍の長さである楕円Ｅが囲む範囲内にあることが特に好ましい。また、本発明において、中性化膜の点Ｎは、楕円Ｅの短径（２ｂ）上にあることがより好ましい。

【0063】

本発明において、中性化膜の点Ｎが上記範囲内にあると、中性化膜とＰ_Ａブロックとの親和性と、中性化膜とＰ_Ｂブロックとの親和性とが均衡すると考えられるため、基板に対して垂直配向したラメラ構造を有する相分離構造を形成しやすくなると考えられる。

【0064】

本発明において、前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_ＢブロックとＰ_Ａブロックの体積分率を同程度にすることにより、Ｐ_Ａブロックからなる相とＰ_Ｂブロックからなる相とが交互に積層されたラメラ構造を形成させることが好ましい。
より具体的には、ブロックコポリマー中に占めるＰ_ＢブロックとＰ_Ａブロックの体積割合が、Ｐ_Ｂブロック：Ｐ_Ａブロック＝６０：４０〜４０：６０の範囲であることが好ましい。

【0065】

＜相分離構造が、Ｐ_Ｂマトリックスシリンダー構造である場合＞
本発明において、「Ｐ_Ｂマトリックスシリンダー構造」とは、Ｐ_Ａブロックが円柱の形態をとり、周期的に円柱が並び、その周囲にＰ_Ｂブロックがマトリックスを形成している構造をいう。
前記相分離構造が、Ｐ_Ｂマトリックスシリンダー構造である場合、例えば、図３に示すように、中性化膜の点Ｎは、線分ＡＢを７：３に内分する点Ｏ_Ｂを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることが好ましい。
本発明において、中性化膜の点Ｎは、長径（２ａ_Ｂ）が、線分ＡＢの０．５〜２．８倍の長さである楕円Ｅ_Bが囲む範囲内にあることが好ましく、線分ＡＢの０．５〜２．５倍の長さである楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることがより好ましく、線分ＡＢの０．７５〜２倍の長さである楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることがさらに好ましく、線分ＡＢの０．７５〜１．５倍の長さである楕円Ｅ_Ｂが囲む範囲内にあることが特に好ましい。また、本発明において、中性化膜の点Ｎは、楕円Ｅの短径（２ｂ_Ｂ）上にあることがより好ましい。

【0066】

本発明において、中性化膜の点Ｎが上記範囲内にあると、中性化膜とＰ_Ｂブロックとの親和性が向上すると考えられるため、基板に対してＰ_Ａブロックの円柱が垂直配向したＰ_Ｂマトリックスシリンダー構造を有する相分離構造を形成しやすくなると考えられる。

【0067】

本発明において、前記ブロックコポリマー中に占めるＰ_Ａブロックの体積分率をＰ_Ｂブロックよりも小さくすることにより、Ｐ_Ｂブロックからなる相中にＰ_Ａブロックからなる相がシリンダー状に存在するＰ_Ｂマトリックスシリンダー構造を形成させることが好ましい。
より具体的には、ブロックコポリマー中に占めるＰ_ＢブロックとＰ_Ａブロックの体積割合が、Ｐ_Ａブロック：Ｐ_Ｂブロック＝２０：８０〜３０：７０の範囲であることが好ましい。

【0068】

本発明において、前記座標平面上での線分ＡＮの長さは、前記線分ＡＢの長さの０．１倍以上であることが好ましい。線分ＡＮの長さが前記線分ＡＢの長さの０．１倍以上である、即ち中性化膜とＰ_Ａブロックとの表面自由エネルギーに差を設けることにより、垂直に配向した相分離構造を形成するために最適なものとすることができる。
また同様に、前記座標平面上での線分ＢＮの長さは、前記線分ＡＢの長さの０．１倍以上であることが好ましい。線分ＢＮの長さが前記線分ＡＢの長さの０．１倍以上である、即ち中性化膜とＰ_Ｂブロックとの表面自由エネルギーに差を設けることにより、垂直に配向した相分離構造を形成するために最適なものとすることができる。

【0069】

＜下地剤＞
前記中性化膜の点Ｎが、上記の各楕円の範囲となるような中性化膜からなる層を形成するための下地剤としては、例えば以下の樹脂成分を含有している下地剤であることが好ましい。
・樹脂成分（Ａ）
樹脂成分（Ａ）は、（Ｉ）表面自由エネルギーを調整するための構成単位を有していることが好ましく、さらに（ＩＩ）基板相互作用基を有する構成単位を有していることがより好ましい。（ＩＩ）の構成単位は、基板（支持体）側と相互作用（密着・架橋等）するための構成単位であるため、表面自由エネルギーへの寄与は小さいと考えられる。
本明細書および本特許請求の範囲において「樹脂成分」とは、分子量が１０００以上の重合体を意味する。重合体の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。
・表面自由エネルギーを調整するための構成単位（Ｉ）
構成単位（Ｉ）としては、例えば、前記Ｐ_ＡブロックまたはＰ_Ｂブロックを構成する構成単位として挙げたものと同様である。具体的に、一般式（ｂａ０−１）〜（ｂａ０−２）で表される構成単位が挙げられる。

【0070】

［一般式（ｂａ０−１）で表される構成単位］
一般式（ｂａ０−１）で表される構成単位（以下、「構成単位（ｂａ０−１）」という。）について説明する。
下記に一般式（ｂａ０−１）を示す。

【0071】

【化3】

［式（ｂａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^１はハロゲン原子、または酸素原子、ハロゲン原子、もしくはケイ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状またはこれらの組み合わせによる有機基であり、ｎは０〜５の整数である。］

【0072】

式（ｂａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。
Ｒの炭素数１〜５のアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Ｒとしては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。

【0073】

式（ｂａ０−１）中、Ｒ^１はハロゲン原子、または酸素原子、ハロゲン原子、もしくはケイ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状またはこれらの組み合わせによる有機基である。
Ｒ^１のハロゲン原子として、好ましくはフッ素原子、塩素原子、または臭素原子であり、フッ素原子がより好ましい。
Ｒ^１の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。
アルキル基としては、炭素数１〜２０が好ましく、炭素数１〜１０がより好ましく、炭素数１〜８がさらに好ましく、炭素数１〜６が特に好ましく、炭素数１〜４が最も好ましい。アルキル基としては、部分的または完全にフッ素化されたアルキル基（以下、フッ素化アルキル基ということがある）や、前記アルキル基の炭素原子がケイ素原子や酸素原子に置換されているアルキルシリル基、アルキルシリルオキシ基、アルコキシ基であってもよい。なお、部分的にフッ素化されたアルキル基とは、水素原子の一部がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にフッ素化されたアルキル基とは、水素原子の全部がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味する。
アリール基は、炭素数４〜２０が好ましく、炭素数４〜１０がより好ましく、炭素数６〜１０が最も好ましい。
Ｒ^１としては、特に、置換基を有さない炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基、炭素数１〜４のフッ素化アルキル基、炭素数１〜６のアルキルシリル基、炭素数１〜６のアルキルシリルオキシ基又は炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。
置換基を有さない炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、が挙げられ、なかでもＲ^１としてはｔ−ブチル基であることが特に好ましい。
炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、イソプロポキシ基等が好ましい。
炭素数１〜１０のアルキルシリル基としては、トリアルキルシリル基またはトリアルキルシリルアルキル基が好ましく、トリメチルシリル基、トリメチルシリルメチル基、トリメチルシリルエチル基、トリメチルシリル-n-プロピル基等が好適に挙げられる。
炭素数１〜１０のアルキルシリルオキシ基としては、トリアルキルシリルオキシ基またはトリアルキルシリルオキシアルキル基が好ましく、トリメチルシリルオキシ基、トリメチルシリルオキシメチル基、トリメチルシリルオキシエチル基、トリメチルシリルオキシ-n-プロピル基等が好適に挙げられる。

【0074】

式（ｂａ０−１）中、ｎは０〜５の整数である。本願において、ｎは０〜３であることが好ましい。なお、１以上であると、下地剤表面の自由エネルギーを調整することが容易となるので好ましい。

【0075】

以下に、式（ｂａ０−１）で表される構成単位の具体例としては、前記スチレン又はその誘導体から誘導される構成単位や、以下の式で示される構成単位が挙げられる。以下の式中、Ｒは前記同様である。

【0076】

【化4】

【0077】

（Ａ）成分が含有する構成単位（ｂａ０−１）は１種であってもよく２種以上であってもよい。
（Ａ）成分中、構成単位（ｂａ０−１）の割合は、特に限定されず、（Ａ）成分を構成する全構成単位に対し、５〜９９モル％が好ましい。

【0078】

［一般式（ｂａ０−２）で表される構成単位］
一般式（ｂａ０−２）で表される構成単位（以下、「構成単位（ｂａ０−２）」という。）について説明する。
以下に一般式（ｂａ０−２）で表される構成単位を示す。

【0079】

【化5】

［式（ｂａ０−２）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は酸素原子、フッ素原子、ケイ素原子を含んでいてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状またはこれらの組み合わせによる有機基である。］

【0080】

式（ｂａ０−２）中、Ｒは前記同様である。
式（ｂａ０−２）中、Ｒ^２についての説明は前記式（ｂａ０−１）中のＲ^１と同様である。
中でも式（ｂａ０−２）中のＲ^２の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基であってもよい。
また、Ｒ^２がケイ素原子を含む場合はさらに、Ｒ^２がかご型シルセスキオキサン構造を含む有機基であってもよい。つまり式（ｂａ０−２）は、前記構成単位（ａ０−１）であってもよく、前記構成単位（ａ０−１）として具体的に前記構成単位（ａ０−１−１）が好ましい。

【0081】

以下に、式（ｂａ０−２）で表される構成単位の具体例としては、前記（α置換）アクリル酸エステルから誘導される構成単位や、以下の式で示される構成単位が挙げられる。以下の式中、Ｒは前記同様である。

【0082】

【化6】

【0083】

（Ａ）成分が含有する構成単位（ｂａ０−２）は１種であってもよく２種以上であってもよい。
（Ａ）成分中、構成単位（ｂａ０−２）の割合は、特に限定されず、（Ａ）成分を構成する全構成単位に対し、５〜９９モル％が好ましい。

【0084】

・基板相互作用基を有する構成単位（ＩＩ）
構成単位（ＩＩ）としては、例えば、前記（α置換）アクリル酸から誘導される構成単位や、基板相互作用基を有する構成単位（ｂａ０−３）が挙げられる。

【0085】

{基板相互作用基}
（Ａ）成分は、基板相互作用基を有することが好ましく、これにより（Ａ）成分を含有する下地剤と基板とが相互作用し、強固な膜（下地剤からなる層）が基板上に形成される結果、該下地剤からなる層の上で、ブロックコポリマーからなる層が良好に相分離すると考えられる。
本発明において「基板相互作用基」とは、基板と化学的又は物理的相互作用をすることが可能な基であって、基板の種類に応じて適宜選択することができる。基板と該基板相互作用基との相互作用の種類としては、共有結合性相互作用、イオン結合性相互作用、水素結合性相互作用、静電相互作用、疎水性相互作用、ファンデルワールス力結合等が挙げられる。
基板相互作用基として具体的には、カルボキシ基、水酸基、シアノ基、アジド基、アミノ基又はトリアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、モノアルコキシシリル基等が挙げられ、中でもカルボキシ基、水酸基、シアノ基、アミノ基又はトリアルコキシシリル基が好ましい。トリアルコキシシリル基中のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基が好ましく、メトキシ基が特に好ましい。

【0086】

また、本発明において、基板相互作用基は、ラクトン含有環式基、後述の式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）〜（ｂａ０−３−１’−ｒ２）で表される基、エーテル含有環式基、シクロオクタトリエニル基も好適に挙げられる。
「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を含む環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
基板相互作用基としてのラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式（ｌｃ−ｒ−１）〜（ｌｃ−ｒ−７）で表される基が挙げられる。以下、「＊」は結合手を表す。

【0087】

【化7】

［式中、Ｒａ’^２１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり；Ｒ”は水素原子またはアルキル基であり；Ａ”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｎ’は０〜２の整数であり、ｍ’は０または１である。］

【0088】

前記一般式（ｌｃ−ｒ−１）〜（ｌｃ−ｒ−７）中、Ａ”は、酸素原子（−Ｏ−）もしくは硫黄原子（−Ｓ−）を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。Ａ”における炭素数１〜５のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−Ｏ−または−Ｓ−が介在する基が挙げられ、たとえば−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−、−Ｓ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−等が挙げられる。Ａ”としては、炭素数１〜５のアルキレン基または−Ｏ−が好ましく、炭素数１〜５のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。Ｒａ’^２１はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基又はシアノ基である。
Ｒａ’^２１におけるアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。
Ｒａ’^２１におけるアルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記Ｒａ’^２１におけるアルキル基として挙げたアルキル基と酸素原子（−Ｏ−）とが連結した基が挙げられる。
Ｒａ’^２１におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒａ’^２１におけるハロゲン化アルキル基としては、前記Ｒａ’^２１におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。

【0089】

Ｒａ’^２１における−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”において、Ｒ”はいずれも水素原子またはアルキル基である。

【0090】

本発明においては、上記のなかでも、（ｌｃ−ｒ−１）又は（ｌｃ−ｒ−２）で表される基であることが好ましい。

【0091】

下記に一般式（ｌｃ−ｒ−１）〜（ｌｃ−ｒ−７）で表される基の具体例を挙げる。

【0092】

【化8】

【0093】

本発明において、ラクトン含有環式基としては、上記のなかでも、（ｒ−ｌｃ−１−１）〜（ｒ−ｌｃ−１−７）、（ｒ−ｌｃ−２−１）〜（ｒ−ｌｃ−２−１３）で表される基が好ましく、（ｒ−ｌｃ−１−１）〜（ｒ−ｌｃ−１−７）で表される基が特に好ましい。

【0094】

また、式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）又は（ｂａ０−３−１’−ｒ２）で表される基板相互作用基を以下に示す。

【0095】

【化9】

［式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）中、Ｒａ’^２０１は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、ｎは１〜３の整数である。式（ｂａ０−３−１’−ｒ２）中、Ｒａ’^２０１は前記同様で、アルキル基の場合、互いに結合して環を形成してもよい。式中、＊は結合手を示す。］

【0096】

一般式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）又は（ｂａ０−３−１’−ｒ２）中、Ｒａ’^２０１は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、ｎは１〜３の整数である。Ｒａ’^２０１における炭素数１〜１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ―プロピル基、２−メチルプロピル基、ｌ−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。

【0097】

一般式（ｂａ０−３−１’−ｒ２）中、Ｒａ’^２０１は前記同様で、アルキル基の場合、互いに結合して環を形成してもよい。形成される環構造としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

【0098】

また、基板相互作用基としての、「エーテル含有環式基」とは、環状の炭化水素の炭素が酸素で置換された構造（環状エーテル）を含有する環式基を意味する。具体的には、下記式（ｅ−１）〜（ｅ−２）で表されるものが好ましい。

【0099】

【化10】

［式中、Ｒ_ｍは水素又は炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは１〜５の整数であり、ｎ”は０〜３の整数である。］

【0100】

なお、上述の基板相互作用基が、エーテル含有環式基又はシクロオクタトリエニル基である場合、基板相互作用に加えて、架橋反応も進行しやすいため、下地剤層が厚膜化しやすくなると考えられる。

【0101】

構成単位（ｂａ０−３）としては、下記一般式（ｂａ０−３−１）〜（ｂａ０−３−４）で表される構成単位が好ましい。

【0102】

【化11】

［式中、Ｒは前記同様であり、Ｒ^ｂは水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｙ^０１は２価の連結基であり、Ｙ^０２は２価の連結基であり、Ｙ^０３は単結合または２価の連結基であり、Ｘ^０１〜Ｘ^０４は前記基板相互作用基である。］

【0103】

前記式中、Ｙ^０１の２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよく、芳香環を有しない２価の炭化水素基；ヘテロ原子を含み、芳香環を有しない２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。

【0104】

（置換基を有していてもよい２価の炭化水素基）
２価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

【0105】

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８がより好ましく、１〜５がさらに好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［−ＣＨ_２−］、エチレン基［−（ＣＨ_２）_２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ_２）_３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ_２）_４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ_２）_５−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２−、−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基（水素原子以外の基または原子）を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。

【0106】

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数７〜１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基（水素原子以外の基または原子）を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−が好ましい。

【0107】

（ヘテロ原子を含む２価の連結基）
前記Ｙ^０１の「ヘテロ原子を含む２価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む二価の連結基としては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−Ｏ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−、＝Ｎ−、一般式−Ｙ^２１−Ｏ−Ｙ^２２−、−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ’−Ｙ^２２−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ^２２−または−Ｙ^２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^２２−で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい二価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ’は０〜３の整数である。］等が挙げられる。
Ｙ^０１が−ＮＨ−の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アリール基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがさらに好ましく、１〜５であることが特に好ましい。
前記Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記でＹ^０１における「置換基を有していてもよい２価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Ｙ^２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ’−Ｙ^２２−で表される基において、ｍ’は０〜３の整数であり、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ’−Ｙ^２２−で表される基としては、式−Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ^２２−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−（ＣＨ_２）_ａ’−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｂ’−で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１〜１０の整数であり、１〜８の整数が好ましく、１〜５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１〜１０の整数であり、１〜８の整数が好ましく、１〜５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。
ヘテロ原子を含む２価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式−Ｙ^２１−Ｏ−Ｙ^２２−、−［Ｙ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］_ｍ’−Ｙ^２２−または−Ｙ^２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^２２−で表される基がより好ましい。

【0108】

上記のなかでも、Ｙ^０１の２価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、２価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキレン基、又はエステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−Ｓ（＝Ｏ）_２結合）、エーテル結合を含む２価の連結基が好ましい。

【0109】

式中、Ｘ^０１はカルボキシ基、水酸基、シアノ基、アミノ基、トリアルコキシシリル基、アジド基、ラクトン含有環式基、後述の式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）〜（ｂａ０−３−１’−ｒ２）で表される基、エーテル含有環式基であることが好ましい。トリアルコキシシリル基中のアルコキシ基は前記同様であって、トリアルコキシシリル基としてはトリメトキシシリル基が好ましい。
Ｘ^０１が前述の式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）〜（ｂａ０−３−１’−ｒ２）で表される基となる場合、構成単位（ｂａ０−３−１）は下記式（ｂａ０−３−１’）で表される構成単位であることが好ましい。

【0110】

【化12】

［式（ｂａ０−３−１’）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^２０１は２価の連結基であり、Ｘ^２０１は酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒａ^２０１は前記一般式（ｂａ０−３−１’−ｒ１）又は（ｂａ０−３−１’−ｒ２）のいずれかで表される基である。］

【0111】

式（ｂａ０−３−１’）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であって、前記同様である。
式（ｂａ０−３−１’）中、Ｖａ^２０１は２価の連結基である。

【0112】

Ｖａ^２０１の２価の連結基としてはＹ^０１の２価の連結基と同様であり、エステル結合［−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−］、エーテル結合（−Ｏ−）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましく、特に直鎖状のアルキレン基であることが好ましい。Ｖａ^２０１が直鎖状のアルキレン基である場合は炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数が１〜６であることがより好ましい。

【0113】

式（ｂａ０−３−１’）中、Ｘ^２０１は酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒａ^２０１は一般式（ｂａ０−３−１−ｒ１’）又は（ｂａ０−３−１−ｒ２’）のいずれかで表される基である。
式（ｂａ０−３−２）中、Ｙ^０２は２価の連結基であって、前記Ｙ^０１の２価の連結基と同様である。
Ｘ^０２として好ましくはカルボキシ基、水酸基、シアノ基、アミノ基、トリアルコキシシリル基、アジド基、ラクトン含有環式基である。Ｘ^０２のトリアルコキシシリル基は、前記Ｘ^０１のトリアルコキシシリル基と同様である。
式（ｂａ０−３−３）中、Ｙ^０３は単結合または２価の連結基であって、２価の連結基となる場合、前記Ｙ^０１の２価の連結基と同様である。
Ｘ^０３としては、カルボキシ基、水酸基、シアノ基、アジド基、アミノ基、トリアルコキシシリル基、エーテル含有環式基が好ましい。
式（ｂａ０−３−４）中、Ｘ^０４としては、カルボキシ基、シクロオクタトリエニル基が好ましい。

【0114】

以下に構成単位（ｂａ０−３）の具体例を示す。式中、Ｒは前記同様であり、Ｒ^１もＲと同様の定義である。

【0115】

【化13】

【0116】

【化14】

【0117】

【化15】

【0118】

構成単位（ｂａ０−３）は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ）成分中、構成単位（ｂａ０−３）の割合は、特に限定されず、（Ａ）成分を構成する全構成単位に対し、２０モル％以下であることが好ましく、１〜１０モル％であることがより好ましく、１〜５モル％であることが特に好ましい。上記範囲とすることで基板密着性が向上させることができる。

【0119】

樹脂成分（Ａ）は、構成単位（ｂａ０−１）及び構成単位（ｂａ０−３）を有する共重合体、構成単位（ｂａ０−２）及び構成単位（ｂａ０−３）を有する共重合体、又は構成単位（ｂａ０−１）、構成単位（ｂａ０−２）及び構成単位（ｂａ０−３）を有する共重合体であることが好ましい。

【0120】

（Ａ）成分の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜２０００００が好ましく、１５００〜２０００００がより好ましく、２０００〜１５００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、後述するような有機溶剤に十分に溶解するため、基板への塗布性に優れ、この範囲の下限値以上であると、ポリマーの製造安定性に優れ、かつ基板への塗布性に優れた組成物となる。
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜５．０が好ましく、１．０〜３．０がより好ましく、１．０〜２．５が最も好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。

【0121】

（Ａ）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、（Ａ）成分には、上記重合の際に、たとえばＨＳ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−Ｃ（ＣＦ_３）_２−ＯＨ基を導入してもよい。
各構成単位を誘導するモノマーは、市販のものを用いてもよく、公知の方法を利用して合成してもよい。

【0122】

中性化膜からなる層を形成するための下地剤において、（Ａ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
下地剤中、（Ａ）成分の含有量は、中性化膜からなる層の所望の膜厚等に応じて適宜調整すればよい。

【0123】

［有機溶剤；（Ｓ）成分］
中性化膜からなる層を形成するための下地剤は、材料を有機溶剤（以下「（Ｓ）成分」ともいう）に溶解させて製造することができる。
（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、樹脂を主成分とする膜組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを１種または２種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、ＥＬが好ましい。
また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：（ＰＧＭＥ＋シクロヘキサノン）の質量比は、好ましくは１：９〜９：１、より好ましくは２：８〜８：２、さらに好ましくは３：７〜７：３である。
また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ、ＥＬ、または前記ＰＧＭＥＡと極性溶剤との混合溶媒と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは７０：３０〜９５：５とされる。
（Ｓ）成分の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的には下地剤の固形分濃度が１〜２０質量％、好ましくは２〜１５質量％の範囲内となる様に用いられる。

【0124】

［ガイドパターン形成工程］
本発明の第一の態様における相分離構造を含む構造体の製造方法においては、［支持体（基板）上に、前記中性化膜（下地剤）からなる層を形成する工程］の後、［前記中性化膜からなる層の上に、Ｐ_Ａブロックと、前記Ｐ_Ａブロックの構成単位とは異なる他の構成単位から成るＰ_Ｂブロックとが結合したブロックコポリマーを含む層を形成する工程］の前に、中性化膜からなる層２上にパターンが形成されたガイドパターンを予め設けてもよい。これにより、ガイドパターンの形状・表面特性に応じた相分離構造の配列構造制御が可能となる。例えば、ガイドパターンがない場合にはランダムな指紋状の相分離構造が形成されるブロックコポリマーであっても、基板表面にレジスト膜の溝構造を導入することにより、その溝に沿って配向した相分離構造が得られる。このような原理でガイドパターンを導入してもよい。またガイドパターンの表面が、ブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマーと親和性を備えることにより、基板表面に対して垂直方向に配向されたラメラ構造やシリンダー構造からなる相分離構造を形成しやすくすることもできる。

【0125】

具体的には、例えば、基板表面上又は中性化膜が形成された基板表面上に、後述の感光性樹脂組成物をスピンナーなどで塗布し、８０〜１５０℃の温度条件下、プレベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施し、これに例えばＡｒＦ露光装置などにより、ＡｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、８０〜１５０℃の温度条件下、ＰＥＢ（露光後加熱）を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例えば０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像処理し、好ましくは純水を用いて水リンスを行い、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なガイドパターンを形成することができる。
また、ガイドパターンの形成において、ナノインプリントリソグラフィにより、ガイドパターンを形成してもよい。ナノインプリントリソグラフィでは、所望のパターンが形成されたモールドを、表面に樹脂層等ナノインプリント材料が形成された基体に押し付けて、必要に応じて加熱や露光等を行い樹脂層を硬化した後に、モールドを剥離することでガイドパターンを形成することができる。

【0126】

ガイドパターンの基板表面（若しくは中性化膜表面）からの高さは、基板表面に形成されるブロックコポリマーを含む層の厚み以上であることが好ましい。ガイドパターンの基板表面（若しくは中性化膜表面）からの高さは、例えば、ガイドパターンを形成するレジスト組成物（感光性樹脂組成物）を塗布して形成されるレジスト膜の膜厚によって適宜調整することができる。

【0127】

また、ガイドパターンが形成された基板表面上にブロックコポリマーの溶液が流し込まれた後、相分離を起こすために、熱処理がなされる。このため、ガイドパターンを形成するレジスト組成物としては、耐溶剤性と耐熱性に優れたレジスト膜を形成し得るものであることが好ましい。

【0128】

［感光性樹脂組成物］
本発明において、ガイドパターンを形成する工程において用いる感光性樹脂組成物は、露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する感光性樹脂組成物であることが好ましく、従来公知のものを適宜使用できる。例えば、国際公開第２０１２／０４６７７０号パンフレット、国際公開第２０１２/１６９６２０号パンフレット、特許第５２２７８４６号公報、特許第５２２５５５５号公報等が挙げられる。
また、ナノインプリントによるガイドパターン形成方法に用いられるナノインプリント材料としては、例えば、特開２００７−０７２３７４、特開２００７−３２９２７６、特開２００８−２４６８７６に記載のシリコン系化合物含有材料や、当該シリコン系化合物のかわりにアクリル樹脂等を用いた有機材料等が挙げられる。

【0129】

［トップコート層形成工程］
本発明においては、加熱により極性が変化し、かつ、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御するトップコート材料を、前記ブロックコポリマーを含む層上に塗布してトップコート膜を形成することが好ましい。［トップコート層形成工程］は、前記ブロックコポリマーを含む層をアニールさせる工程の前に行うことが好ましい。
前記ブロックコポリマーを含む層上に、該トップコート材料を用いてトップコート膜を設けることにより、該層の表面状態を良好にコントロールでき、より安定に相分離させることができる。
本実施形態において、トップコート膜の形成は、たとえば、前記ブロックコポリマーを含む層２上に、該トップコート材料を、スピンナー等を用いて塗布することにより実施できる。該塗布の後、ベーク処理を行ってもよい。その際、加熱温度を８０〜２８０℃とすることが好ましく、加熱時間を１０〜６００秒間とすることが好ましい。
層２上に形成されるトップコート膜の厚さは、２〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは厚さ５〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは厚さ１０〜１００ｎｍであ。トップコート膜の厚さが前記の好ましい範囲内にあることで、外部環境の影響を充分に遮断することができ、相分離がより良好に起こりやすくなる。
トップコート材料には、後述のトップコート材料を用いることができる。

【0130】

≪パターン形成方法≫
本発明の第二の態様は、前記第一の態様の製造方法により製造された、相分離構造を含む構造体から少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去してパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。

【0131】

［相分離構造を含む構造体から少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去してパターンを形成する工程］
前記ブロックコポリマーを含む層３のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相３ａを選択的に除去することにより、パターンを形成してもよい。
なお、以下において、ブロックコポリマーを構成するブロックのうち、後の工程で選択的に除去されないブロックをＰ_Ａブロック、選択的に除去されるブロックをＰ_Ｂブロックという。例えば、シルセスキオキサン−ポリメチルメタクリレート（ＰＯＳＳ−ＰＭＭＡ）ブロックコポリマーを含む層を相分離した後、当該層に対して酸素プラズマ処理や水素プラズマ処理等を行うことにより、ＰＭＭＡからなる相が選択的に除去される。この場合、ＰＯＳＳがＰ_Ａブロックであり、ＰＭＭＡがＰ_Ｂブロックである。
次いで、相分離構造を形成させた後の基板上のブロックコポリマーを含む層のうち、Ｐ_Ｂブロックからなる相中のブロックの少なくとも一部を選択的に除去（低分子量化）する。予めＰ_Ｂブロックの一部を選択的に除去することにより、現像液に対する溶解性を高められる結果、Ｐ_Ｂブロックからなる相がＰ_Ａブロックからなる相よりも選択的に除去しやすくなる。

【0132】

このような選択的除去処理は、Ｐ_Ａブロックに対しては影響せず、Ｐ_Ｂブロックを分解除去し得る処理であれば、特に限定されるものではなく、樹脂膜の除去に用いられる手法の中から、Ｐ_ＡブロックとＰ_Ｂブロックの種類に応じて、適宜選択して行うことができる。また、基板表面に予め中性化膜が形成されている場合には、当該中性化膜もＰ_Ｂブロックからなる相と同様に除去される。このような除去処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、オゾン処理、ＵＶ照射処理、熱分解処理、及び化学分解処理等が挙げられる。

【0133】

また、［トップコート層形成工程］を含む場合、トップコート膜を除去せずに、相２ａの選択的除去の操作を行ってもよいが、これに限定されず、トップコート膜を除去した後に該選択的除去の操作を行ってもよい。このうち、トップコート膜を除去した後に、ブロックからなる相の選択的除去の操作を行うことは、トップコート膜を均一に除去できる点で好ましい。
トップコート膜の除去は、トップコート材料の種類等に応じて適宜行うことができる。トップコート膜の除去は、トップコート材料の溶媒を、トップコート膜に塗布する方法により実施できる。トップコート材料の溶媒については、後述の、トップコート材料の溶媒と同様のものが挙げられる。

【0134】

上記の様にしてブロックコポリマーからなる層３の相分離によりパターン３ｂを形成させた基板は、そのまま使用することもできるが、さらに熱処理を行うことにより、基板上の高分子ナノ構造体の形状を変更することもできる。熱処理の温度は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ熱分解温度未満で行うことが好ましい。また、熱処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。

【0135】

≪トップコート材料≫
本発明の相分離構造を含む構造体の製造方法において、用いることが好ましいトップコート材料について説明する。
本発明においてトップコート材料とは、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）を有する高分子化合物と、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御剤と、を含有することを特徴とする、トップコート材料（以下「トップコート材料（１）」ともいう）である。
また、本発明のトップコート材料は、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）と、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する構成単位（Ｔｃ２）と、を有する高分子化合物、を含有することを特徴とする、トップコート材料（以下「トップコート材料（２）」ともいう）であってもよい。

【0136】

＜トップコート材料（１）＞
トップコート材料（１）は、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）を有する高分子化合物と、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御剤と、を含有する。

【0137】

（高分子化合物）
トップコート材料（１）に用いられる高分子化合物は、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）を有する。
構成単位（Ｔｃ１）を有することで、相分離の時に、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを適度な高さに維持することができる。
「加熱により極性が変化する構成単位」とは、加熱により構造が変わり、極性基の露出状態が変化する繰返し単位をいう。たとえば、開環構造が加熱により脱水縮合して環構造を形成するのに伴い、極性基の露出状態が変化する繰返し単位などが挙げられる。
極性基としては、たとえば−ＣＯＯ⁻、−ＳＯ_３⁻、−ＮＨ_４^＋；カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）等が挙げられる。

【0138】

構成単位（Ｔｃ１）としては、たとえば、下記の化学式で表される構成単位が挙げられる。
化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位は、塩基性成分の存在下、加熱により極性が増大する構成単位である。化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位は、加熱により極性が減少する構成単位である。

【0139】

【化16】

【0140】

高分子化合物が有する構成単位（Ｔｃ１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
構成単位（Ｔｃ１）として、加熱により極性が増大する構成単位、又は、加熱により極性が減少する構成単位のいずれを選択すべきか、については、ブロックコポリマーの種類や、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーの程度などによって適宜決定される。
構成単位（Ｔｃ１）のなかでも、前記の化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位、又は、化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位を用いることが好ましい。
高分子化合物中の構成単位（Ｔｃ１）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位に対し、１０〜９０モル％が好ましく、３０〜８０モル％がより好ましく、４０〜８０モル％がさらに好ましい。
構成単位（Ｔｃ１）の割合を前記の好ましい範囲内とすることによって、相分離の時に、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを適度な高さに容易に維持できる。

【0141】

トップコート材料（１）に用いられる高分子化合物は、構成単位（Ｔｃ１）以外の構成単位を有していてもよい。
構成単位（Ｔｃ１）以外の構成単位としては、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する構成単位（Ｔｃ２）、ガラス転移温度（Ｔｇ）を調整する構成単位（Ｔｃ３）等が挙げられる。

【0142】

・構成単位（Ｔｃ２）
構成単位（Ｔｃ２）としては、後述の＜トップコート材料（２）＞のなかで説明する構成単位（Ｔｃ２）と同様である。
高分子化合物が有する構成単位（Ｔｃ２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
構成単位（Ｔｃ２）のなかでも、後述の一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位、一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位、及び、一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位、及び、一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましい。
高分子化合物が構成単位（Ｔｃ２）を有する場合、高分子化合物中の構成単位（Ｔｃ２）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位に対し、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２０〜６０モル％がさらに好ましい。
構成単位（Ｔｃ２）の割合を前記の好ましい範囲内とすることによって、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを容易に制御できる。

【0143】

トップコート材料（１）中、構成単位（Ｔｃ１）を有する高分子化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
トップコート材料（１）に用いられる高分子化合物は、少なくとも構成単位（Ｔｃ１）を有する重合体であり、該構成単位（Ｔｃ１）に加えて、構成単位（Ｔｃ２）を有する共重合体であることが好ましい。
かかる共重合体の中でも好ましくは、前記化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位と、後述の一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、後述の一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体等が挙げられる。
トップコート材料（１）に用いられる高分子化合物の好適な具体例としては、後述の＜トップコート材料（２）＞のなかで例示する高分子化合物の好適な具体例と同様のものが挙げられる。

【0144】

トップコート材料（１）に用いられる高分子化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜３００００が最も好ましい。前記の好ましい範囲内とすることによって、溶媒に対する溶解性がより良好となる。
該高分子化合物の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜６．０が好ましく、１．０〜５．０がより好ましく、１．０〜４．０が最も好ましい。

【0145】

高分子化合物は、各構成単位を誘導するモノマーを、たとえばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。
トップコート材料（１）中、高分子化合物の含有量は、形成しようとするトップコート膜厚等に応じて調整すればよい。トップコート材料（１）中、高分子化合物の濃度は、好ましくは０．１〜１５質量％、より好ましくは０．２〜７質量％である。

【0146】

（表面エネルギー制御剤）
トップコート材料（１）は、前記構成単位（Ｔｃ１）を有する高分子化合物に加えて、前述した≪相分離構造を含む構造体の製造方法≫における、前記ブロックコポリマーを含む層、の表面エネルギーを制御する表面エネルギー制御剤を含有する。
表面エネルギー制御剤を含有することで、相分離の時に、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーが適度な高さとなるように制御できる。

【0147】

表面エネルギー制御剤としては、たとえば、加熱によりトップコート材料中の高分子化合物間及び高分子化合物内で化学結合を形成する成分（架橋剤）が挙げられる。
表面エネルギー制御剤として、具体的には、ジアミン、トリアミン等の架橋剤が挙げられ、なかでもジアミン又はトリアミンを用いることがより好ましく、ジアミンを用いることが特に好ましい。

【0148】

表面エネルギー制御剤として好適な具体例を以下に示す。

【0149】

【化17】

【0150】

トップコート材料（１）中、表面エネルギー制御剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
トップコート材料（１）中、表面エネルギー制御剤の含有量は、前記高分子化合物１００質量部に対して２〜５００質量部であることが好ましく、５〜３００質量部であることがより好ましい。
表面エネルギー制御剤の含有量が好ましい下限値以上であれば、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを容易に制御できる。一方、好ましい上限値以下であれば、成膜性がより良好となる。

【0151】

（任意成分）
トップコート材料（１）には、前述した高分子化合物及び表面エネルギー制御剤の他に、さらに所望により混和性のある添加剤などを含有させることができる。
・溶媒
トップコート材料（１）は、前述した高分子化合物及び表面エネルギー制御剤を溶媒に溶解させて製造することができる。
かかる溶媒としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、たとえば、水、アンモニア水（好ましくは１０〜５０質量％）、メタノール、アンモニア水とメタノールとの混合溶剤、水とメタノールとの混合溶剤、アンモニア水とエタノールとの混合溶剤等が挙げられる。

【0152】

＜トップコート材料（２）＞
トップコート材料（２）は、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）と、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する構成単位（Ｔｃ２）と、を有する高分子化合物、を含有する。

【0153】

（高分子化合物）
トップコート材料（２）に用いられる高分子化合物は、加熱により極性が変化する構成単位（Ｔｃ１）と、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する構成単位（Ｔｃ２）と、を有する。
・構成単位（Ｔｃ１）
構成単位（Ｔｃ１）としては、前述の＜トップコート材料（１）＞のなかで説明した構成単位（Ｔｃ１）と同様である。
高分子化合物が有する構成単位（Ｔｃ１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
構成単位（Ｔｃ１）として、加熱により極性が増大する構成単位、又は、加熱により極性が減少する構成単位のいずれを選択すべきか、については、ブロックコポリマーの種類や、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーの程度などによって適宜決定される。
構成単位（Ｔｃ１）のなかでも、前記の化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位、又は、化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位を用いることが好ましい。
高分子化合物中の構成単位（Ｔｃ１）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位に対し、１０〜９０モル％が好ましく、３０〜８０モル％がより好ましく、４０〜８０モル％がさらに好ましい。
構成単位（Ｔｃ１）の割合を前記の好ましい範囲内とすることによって、相分離のときに、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを適度な高さに容易に維持できる。

【0154】

・構成単位（Ｔｃ２）
構成単位（Ｔｃ２）は、前記ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを制御する構成単位である。
構成単位（Ｔｃ２）を有することで、相分離の時に、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーが適度な高さとなるように制御できる。

【0155】

構成単位（Ｔｃ２）としては、前記構成単位（Ｔｃ１）を有する高分子化合物の極性を調整できるものであればよく、下記の一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位、一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位、及び、一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。

【0156】

【化18】

［式中、ｘ１は、０又は１である。Ｒ^１はフッ素原子、又は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｘ２は、０〜４の整数である。Ｒは、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を表す。複数のＲはそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。Ｒ^２は、フッ素原子、又は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。ｙは、０〜３の整数である。Ｒ^３は、置換基で置換されていてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^３における置換基は、フッ素原子、又は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい炭化水素基である。］

【0157】

前記式（Ｔｃ２−１）中、ｘ１は、０又は１である。
ｘ２は、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは１である。

【0158】

前記式（Ｔｃ２−１）中、Ｒ^１は、フッ素原子、又は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^１における炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、なかでも脂肪族炭化水素基であることが好ましく、１価の脂肪族飽和炭化水素基（アルキル基）であることがより好ましい。
前記アルキル基として、より具体的には、鎖状の脂肪族炭化水素基（直鎖状または分岐鎖状のアルキル基）、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜８が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基が好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜１０が好ましく、３〜８がより好ましく、３〜６がさらに好ましい。
構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか、又は該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３〜８であることが好ましく、４〜６であることがより好ましく、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数３〜６のモノシクロアルカンから１つ以上の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数７〜１２のポリシクロアルカンから１つ以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

【0159】

鎖状の脂肪族炭化水素基、又は、環状の脂肪族炭化水素基は、それぞれフッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい。すなわち、該脂肪族炭化水素基の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。又は、該脂肪族炭化水素基のメチレン基（−ＣＨ_２−）が酸素原子（−Ｏ−）又はカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。

【0160】

Ｒ^１における１価の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基としては、芳香環を少なくとも１つ有する１価の炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、後述の置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基）等が挙げられる。
前記アリール基又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
芳香族炭化水素基は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい。すなわち、該芳香族炭化水素基の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。又は、該芳香族炭化水素基のメチレン基（−ＣＨ_２−）が酸素原子（−Ｏ−）又はカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。

【0161】

前記の式（Ｔｃ２−２）、式（Ｔｃ２−３）中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基を表す。複数のＲは、それぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。
Ｒの炭素数１〜５のアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１〜５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Ｒとしては、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。

【0162】

前記式（Ｔｃ２−２）中、Ｒ^２は、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１と同様のものが挙げられる。
ｙは、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。

【0163】

前記式（Ｔｃ２−３）中、Ｒ^３は、置換基で置換されていてもよい炭化水素基を表す。
Ｒ^３における炭化水素基は、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１における炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Ｒ^３における置換基は、フッ素原子、又は、フッ素原子もしくは酸素原子を含んでいてもよい炭化水素基であり、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１と同様のものが挙げられる。

【0164】

以下に、前記式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位の具体例を示す。
式中、Ｒ^１１は、水素原子、又は、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^１１における炭化水素基は、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１における炭化水素基と同様のものが挙げられる。下記化学式中、波線は「くさび型結合」と「破線結合」の両方を意味する。

【0165】

【化19】

【0166】

以下に、前記式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
式中、Ｒ^１２は、水素原子、又は、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^１２における炭化水素基は、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１における炭化水素基と同様のものが挙げられる。

【0167】

【化20】

【0168】

以下に、前記式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
式中、Ｒ^１３は、水素原子、又は、フッ素原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^１３における炭化水素基は、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１における炭化水素基と同様のものが挙げられる。

【0169】

【化21】

【0170】

高分子化合物が有する構成単位（Ｔｃ２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
構成単位（Ｔｃ２）のなかでも、前記の一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位、一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位、及び、一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位、及び、一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましい。
高分子化合物中の構成単位（Ｔｃ２）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位に対し、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましく、２０〜６０モル％がさらに好ましい。
構成単位（Ｔｃ２）の割合を前記の好ましい範囲内とすることによって、ブロックコポリマーを含む層の表面エネルギーを容易に制御できる。

【0171】

トップコート材料（２）に用いられる高分子化合物は、構成単位（Ｔｃ１）及び構成単位（Ｔｃ２）以外の構成単位を有していてもよい。
構成単位（Ｔｃ１）及び構成単位（Ｔｃ２）以外の構成単位としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）を調整する構成単位（Ｔｃ３）等が挙げられる。

【0172】

トップコート材料（２）中、構成単位（Ｔｃ１）と構成単位（Ｔｃ２）とを有する高分子化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
トップコート材料（２）に用いられる高分子化合物は、少なくとも構成単位（Ｔｃ１）と構成単位（Ｔｃ２）とを有する共重合体である。
かかる共重合体として、具体的には、前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−３）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体；前記化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体、等が挙げられる。これらの中でも、前記化学式（Ｔｃ１−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−１）で表される構成単位と、前記一般式（Ｔｃ２−２）で表される構成単位と、の繰返し構造を有する共重合体がより好ましい。

【0173】

以下に、トップコート材料（２）に用いられる高分子化合物の好適な具体例を示す。
式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びｙは、前記式（Ｔｃ２−１）〜（Ｔｃ２−３）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びｙとそれぞれ同様である。式中、Ｒ^αは、前記式（Ｔｃ２−２）、（Ｔｃ２−３）中のＲと同様である。
式中、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂは、それぞれ独立に、前記式（Ｔｃ２−１）中のＲ^１と同様である。
Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは、それぞれ独立に、前記式（Ｔｃ２−２）中のＲ^２と同様である。
ｙ_１及びｙ_２は、それぞれ独立に、前記式（Ｔｃ２−２）中のｙと同様である。
Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは、それぞれ独立に、前記式（Ｔｃ２−３）中のＲ^３と同様である。

【0174】

【化22】

【0175】

【化23】

【0176】

【化24】

【0177】

トップコート材料（２）に用いられる高分子化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００〜５００００が好ましく、１５００〜３００００がより好ましく、２０００〜３００００が最も好ましい。前記の好ましい範囲内であれば、溶媒に対して充分な溶解性がある。
該高分子化合物の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０〜６．０が好ましく、１．０〜５．０がより好ましく、１．０〜４．０が最も好ましい。

【0178】

高分子化合物は、各構成単位を誘導するモノマーを、たとえばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。
トップコート材料（２）中、高分子化合物の含有量は、形成しようとするトップコート膜厚等に応じて調整すればよい。トップコート材料（２）中、高分子化合物の濃度は、好ましくは０．１〜１５質量％、より好ましくは０．２〜７質量％である。

【0179】

（任意成分）
トップコート材料（２）には、前述した高分子化合物の他に、さらに所望により混和性のある添加剤、たとえば、前記表面エネルギー制御剤などを含有させることができる。
・溶媒
トップコート材料（２）は、前述した高分子化合物を溶媒に溶解させて製造することができる。
かかる溶媒としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、たとえば、水、アンモニア水（好ましくは１０〜５０質量％）、メタノール、アンモニア水とメタノールとの混合溶剤、水とメタノールとの混合溶剤、アンモニア水とエタノールとの混合溶剤等が挙げられる。

【0180】

≪微細パターン形成方法≫
本発明の第三の態様は、前記第二の態様のパターン形成方法により形成したパターンをマスクとして、基板のエッチングを行うエッチング工程を有する微細パターン形成方法である。
［エッチング工程］
エッチング工程は、前記相分離構造により形成されたパターンをマスクとして基板のエッチングを行う工程である。
エッチングの方法は特に限定されるものではないが、ドライエッチングが好ましく、酸素（Ｏ_２）プラズマエッチング、またはＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス、Ａｒ／ＣＦ_４ガスを用いたエッチングを用いることが効率の点からより好ましく、中でも酸素プラズマエッチングが好ましい。

【0181】

ドライエッチングの条件は特に限定されるものではなく、前記相分離構造により形成されたパターンの材料や基板表面からの高さに応じて適宜決定することができる。たとえば、酸素プラズマ処理を用いる場合、酸素プラズマ処理時の圧力は、１．３３〜６６．５Ｐａ（１０〜５０ｍｔｏｒｒ）が好ましく、１３．３〜２６．６Ｐａ（１００〜２００ｍｔｏｒｒ）がより好ましい。また、酸素プラズマ処理時のプラズマ出力は、５〜５００Ｗが好ましく、５〜５０Ｗがより好ましい。また、酸素プラズマ処理時の処理時間は、１〜１００秒が好ましく、２〜６０秒がより好ましい。また、酸素プラズマ処理の温度は、−３０〜３００℃が好ましく、０〜１００℃がより好ましく、最も好ましくは室温（５〜４０℃）である。酸素プラズマ処理に用いるプラズマ装置は、特に限定されず、たとえば、サウスベイ社製（Ｓｏｕｔｈ Ｂａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＵＳＡ）のＰＥ−２０００プラズマエッキャー（Ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｅｒ）などを用いることができる。

【実施例】

【0182】

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

【0183】

・中性化膜
下記モノマー（１）〜（７）を表１〜２に示すモル比（ただし、モノマー（２）、（３）を含む下地剤については（２）、（３）由来の構成単位が分離できないため仕込みのモル比を記載する。）で合成して樹脂１〜１２を調製し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）中に樹脂１〜１２をそれぞれ溶解させ、固形分濃度１．０質量％の下地剤１〜１２を調製した。下記モノマー（５）において、Ｒ^０はイソブチル基である。

【0184】

【化25】

【0185】

【表1】

【0186】

【表2】

【0187】

≪表面自由エネルギーの測定及び算出≫
上記下地剤（以下、「中性化膜」ともいう）１〜１２及び下記ブロックコポリマーのＰＯＳＳ構造含有構成単位のブロック（以下、「Ａブロック」ということがある。）、メタクリル酸メチルのブロック（以下、「Ｂブロック」ということがある。）、ポリスチレンのブロック（以下、「Ｃブロック」ということがある。）、ポリトリメチルシリルスチレンのブロック（以下、「Ｄブロック」ということがある。）、及びポリｔ−ブチルスチレンのブロック（以下、「Ｅブロック」ということがある。）について、水及びジヨードメタンに対する接触角を多機能統合解析ソフトウェア「ＦＡＭＡＳ」（協和界面科学株式会社製）を用いて測定し、さらに同ソフトウェアにより、Ｗｕ理論に基づく方法で表面自由エネルギーを算出した。なお、接触角測定に際し、Ａ〜Ｅブロックの測定に用いた具体的なポリマーは、ＰＯＳＳ構造含有構成単位（下記式（ＢＣＰ）−１におけるモル比：ｍの構成単位）のみからなる分子量７０００のホモポリマー、メタクリル酸メチル構成単位（下記式（ＢＣＰ）−１におけるモル比：ｌの構成単位）のみからなる分子量７０００のホモポリマー（ＰＭＭＡ）、スチレン構成単位（下記式（ＢＣＰ）−２におけるモル比ｌの構成単位）のみからなる分子量７０００のホモポリマー（ポリスチレン）、下記式（ＢＣＰ）−２におけるモル比：ｌの構成単位）のみからなる分子量７０００のホモポリマー（ＰＭＭＡ）であった。接触角測定用のホモポリマー膜を形成するための樹脂溶液は樹脂固形分濃度１質量％（溶剤はメチルアミルケトン）であった。各中性化膜及び各ホモポリマー膜の膜厚はいずれも約２５ｎｍとして接触角を測定した。
その結果をＳＦＥ−Ｗｕ ｄ（分散成分）、ＳＦＥ−Ｗｕ ｐ（極性成分）として下記表３に示す。単位はｍＪ／ｍ^２である。また、ＳＦＥ−Ｗｕ ｄ及びＳＦＥ−Ｗｕ ｐの各数値の平方根を、それぞれＳＱＲＴ−ｄ及びＳＱＲＴ−ｐとして下記表３に併記する。単位は（ｍＪ／ｍ^２）^１／２である。

【0188】

【表3】

【0189】

上記結果に基づき、図４に示す座標平面上に、分散成分の平方根ＳＱＲＴ−ｄ（分散成分の平方根（ｄ）^０．５）を横軸に、極性成分の平方根ＳＱＲＴ−ｐ（極性成分の平方根（ｐ）^０．５）を縦軸にとり、Ａ〜Ｂブロック、下地剤１〜８について座標をとった。
その結果、Ａブロックの点Ａ（分散成分の平方根：６．４、極性成分の平方根：０．０）、Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根：５．５、極性成分の平方根：４．０）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、下地剤（中性化膜）の点Ｎは、線分ＡＢを３：７に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあるものは、下地剤７（図４中の実施例１）及び８（図４中の実施例２）であった。
下地剤１〜６（図４中の比較例１〜６）は該楕円の範囲からは外れていた。

【0190】

・ブロックコポリマー
下記化学式（ＢＣＰ）−１で表され、構成単位の割合（モル比）の異なるブロックコポリマー（１）及びブロックコポリマー（２）と、下記化学式（ＢＣＰ）−２で表され、構成単位の割合（モル比）の異なるブロックコポリマー（３）及びブロックコポリマー（４）とをそれぞれ用いた。

【0191】

【化26】

【0192】

ブロックコポリマー（１）：シリンダー状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝２０ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は２００００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝７４／２６であった。
ブロックコポリマー（１）と２−ヘプタノンとを含有する、ブロックコポリマー（１）の固形分濃度１．０質量％の２−ヘプタノン溶液を調整し、ブロックコポリマー（１）含有組成物とした。

【0193】

ブロックコポリマー（２）：ラメラ状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝２０ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は２００００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝９５／５であった。
ブロックコポリマー（２）と２−ヘプタノンとを含有する、ブロックコポリマー（２）の固形分濃度１．０質量％の２−ヘプタノン溶液を調整し、ブロックコポリマー（２）含有組成物とした。

【0194】

ブロックコポリマー（３）：シリンダー状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝２４ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は３５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝７５／２５であった。
ブロックコポリマー（３）とＰＧＭＥＡとを含有する、ブロックコポリマー（３）の固形分濃度２．０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調整し、ブロックコポリマー（３）含有組成物とした。

【0195】

ブロックコポリマー（４）：ラメラ状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝５１ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は１１００００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝５５／４５であった。
ブロックコポリマー（４）とＰＧＭＥＡとを含有する、ブロックコポリマー（４）の固形分濃度２．０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調整し、ブロックコポリマー（４）含有組成物とした。

【0196】

ブロックコポリマー（５）：下記化学式（ＢＣＰ）−３で表されるブロックコポリマー（５）を用いてラメラ状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝３７ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は６２０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝３４／６６であった。
ブロックコポリマー（５）とＰＧＭＥＡとを含有する、ブロックコポリマー（５）の固形分濃度２．０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調整し、ブロックコポリマー（５）含有組成物とした。

【0197】

【化27】

【0198】

ブロックコポリマー（６）：下記化学式（ＢＣＰ）−４で表されるブロックコポリマー（５）を用いてシリンダー状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝４８ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は９６０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝６６／３４であった。
ブロックコポリマー（６）とＰＧＭＥＡとを含有する、ブロックコポリマー（６）の固形分濃度２．０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調整し、ブロックコポリマー（６）含有組成物とした。

【0199】

【化28】

【0200】

ブロックコポリマー（７）：下記化学式（ＢＣＰ）−５で表されるブロックコポリマー（５）を用いてシリンダー状の相分離構造を形成（周期Ｌ_０＝４５ｎｍ）した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は９６０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０２であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ＝７５／２５であった。
ブロックコポリマー（７）とＰＧＭＥＡとを含有する、ブロックコポリマー（７）の固形分濃度２．０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調整し、ブロックコポリマー（７）含有組成物とした。

【0201】

【化29】

【0202】

・トップコート（ＴＣ）材料
ＴＣ材料（２−１）：下記化学式（ＴＣ）−１で表される高分子化合物と、溶媒（アンモニア水：メタノール＝１：３（質量比）の混合溶剤）と、を含有する該高分子化合物１．５質量％溶液。

【0203】

【化30】

化学式（ＴＣ）−１で表される高分子化合物：ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は１３４００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．７であった。また、^１３Ｃ−ＮＭＲにより求められた各構成単位の割合（モル比））はｌ／ｍ／ｎ＝６０／１６／２４であった。

【0204】

≪パターンの形成≫
以下に示す各例の方法により、ブロックコポリマー（１）〜（７）を含む層を相分離させて、相分離構造を含む構造体を製造し、該構造体から、メタクリル酸メチル由来の構成単位のブロックからなる相を選択的に除去し、パターンをそれぞれ形成した。その後、得られたパターン断面の形状を観察した。そして、ウェーハ表面に対して垂直方向に配向したラメラ状又はシリンダー状の相分離パターンが形成されているか否か、を評価した。

【0205】

（実施例１〜２、比較例１〜６）
２００度６０秒間のベーク（ｄｅｈｙｄｒａｔｉｏｎ ｂａｋｅ）処理をした後の８インチのシリコンウェーハ上に、下記表４に示す下地剤からなる層をそれぞれ２０ｎｍの厚さで塗布し、２３０℃で６０秒間のベーク処理をした。その後、ＰＧＭＥＡを用いて未架橋部分を除去するためリンス処理を行い、乾燥させるため９０度６０秒間のポストベークを行った。続いて、下地剤からなる層上（比較例１〜６、実施例１〜２）にブロックコポリマー（１）含有組成物をスピンコート（回転数：１５００ｒｐｍ、６０秒間）し、１１０℃で６０秒間のベーク処理を行い、膜厚１８ｎｍのブロックコポリマー（１）を含む層を形成した。
該ブロックコポリマー（１）を含む層上には、ＴＣ材料（２−１）を塗布し、膜厚５７ｎｍのトップコート膜を形成した。
次いで、該ブロックコポリマー（１）を含む層を、大気雰囲気下、１８０℃で１時間の熱アニールによって相分離させ、アンモニア水：メタノール＝１：３（質量比）の混合溶剤を用いてトップコート膜を除去して、相分離構造を含む構造体を得た。

【0206】

その後、ＴＣＡ−３８２２（商品名、東京応化工業社製）を用いて、該構造体に対して酸素プラズマ処理（２００ｓｃｃｍ、４０Ｐａ、２００Ｗ、３０秒間、４０℃）を行い、該構造体から、メタクリル酸メチル由来の構成単位のブロックからなる相を選択的に除去し、パターンを形成した。
走査型電子顕微鏡（加速電圧８００Ｖ、商品名：ＳＵ８０００、日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて、得られたパターン断面の形状を観察したところ、ウェーハ表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状の相分離パターンが確認できた。

【0207】

（実施例３〜４、比較例７〜８）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（２）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変えた他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例３〜４ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したラメラ状の相分離パターンが確認できた。
Ａブロックの点Ａ（分散成分の平方根:６．４、極性成分の平方根:０．０）、Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根:５．５、極性成分の平方根:４．０）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例３，４における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、線分ＡＢを５：５に内分する点Ｏを中心とし、短軸は線分ＡＢ上にあって、短径は線分ＡＢの長さの０．４倍であり、長径は線分ＡＢの長さの３倍である楕円Ｅが囲む範囲内にあり（図５中の実施例３〜４）、図５に示すように比較例７〜８における各下地剤（中性化膜）の点Ｎはその楕円の範囲から外れていた。

【0208】

（実施例５〜６）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（３）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変え、さらにＴＣ材料（２−１）を使用しないかわりに窒素気流下で、１８０℃６００秒の熱アニール処理をした他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例５〜６ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状の相分離パターンが確認できた。
Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根:５．５、極性成分の平方根:４．０）、Ｃブロックの点Ｃ（分散成分の平方根:６．４、極性成分の平方根:２．２）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例５，６における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、図６に示したとおり、線分ＢＣを７：３に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＢＣ上にあって、短径は線分ＢＣの長さの０．４倍であり、長径は線分ＢＣの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあった。

【0209】

（実施例７）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（４）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変え、さらにＴＣ材料（２−１）を使用しないかわりに窒素気流下で、２４０℃６００秒の熱アニール処理をした他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例７ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したラメラ状の相分離パターンが確認できた。
Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根:５．５、極性成分の平方根:４．０）、Ｃブロックの点Ｃ（分散成分の平方根:６．４、極性成分の平方根:２．２）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例７における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、図７に示したとおり、線分ＢＣを５：５に内分する点Ｏを中心とし、短軸は線分ＢＣ上にあって、短径は線分ＢＣの長さの０．４倍であり、長径は線分ＢＣの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることが確認できた。

【0210】

（実施例８）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（５）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変え、さらにＴＣ材料（２−１）を使用しないかわりに窒素気流下で、２４０℃６００秒の熱アニール処理をした他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例８ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したラメラ状の相分離パターンが確認できた。
Ｄブロックの点Ｄ（分散成分の平方根:６．２、極性成分の平方根:０．０）、Ｃブロックの点Ｃ（分散成分の平方根:６．４、極性成分の平方根:２．２）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例８における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、図１０に示したとおり、線分ＤＣを５：５に内分する点Ｏを中心とし、短軸は線分ＤＣ上にあって、短径は線分ＤＣの長さの０．４倍であり、長径は線分ＤＣの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあることが確認できた。

【0211】

（実施例９）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（６）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変え、さらにＴＣ材料（２−１）を使用しないかわりに窒素気流下で、２４０℃６００秒の熱アニール処理をした他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例９ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状の相分離パターンが確認できた。
Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根:５．４、極性成分の平方根:４．０）、Ｅブロックの点Ｅ（分散成分の平方根:６．１、極性成分の平方根:０．９）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例９における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、図１１に示したとおり、線分ＢＥを７：３に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＢＥ上にあって、短径は線分ＢＥの長さの０．４倍であり、長径は線分ＢＥの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあった。

【0212】

（実施例１０）
ブロックコポリマー（１）含有組成物をブロックコポリマー（７）含有組成物とし、下地剤を表４に示すものに変え、さらにＴＣ材料（２−１）を使用しないかわりに窒素気流下で、２４０℃６００秒の熱アニール処理をした他は上記と同様にして、パターン形成を行ったところ、実施例１０ではウェーハ表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状の相分離パターンが確認できた。
Ｂブロックの点Ｂ（分散成分の平方根:５．４、極性成分の平方根:４．０）、Ｃブロックの点Ｃ（分散成分の平方根:６．４、極性成分の平方根:２．２）、各下地剤（中性化膜）の点Ｎ（分散成分の平方根（ｄＰ_Ｎ）^０．５，極性成分の平方根（ｐＰ_Ｎ）^０．５）、で示したとき、実施例１０における下地剤（中性化膜）の点Ｎは、図１２に示したとおり、線分ＢＣを７：３に内分する点Ｏ_Ａを中心とし、短軸は線分ＢＣ上にあって、短径は線分ＢＣの長さの０．４倍であり、長径は線分ＢＣの長さの３倍である楕円Ｅ_Ａが囲む範囲内にあった。

【0213】

【表4】

【0214】

上記結果に示したとおり、本願発明の下地剤を用いた場合、ブロックコポリマーの相分離構造を形成でき、良好な垂直パターンを形成することができた。

【符号の説明】

【0215】

１…支持体、２…中性化膜からなる層、３…ブロックコポリマーを含む層、３ａ…Ｐ_Ｂブロックからなる相、３ｂ…Ｐ_Ａブロックからなる相

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】