特許第6408344号(P6408344)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6408344ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法、ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
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