特許 6426468 電荷輸送性ワニス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6426468

(24)【登録日】2018年11月2日

(45)【発行日】2018年11月21日

(54)【発明の名称】電荷輸送性ワニス

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20181112BHJP

   C09D 5/00 20060101ALI20181112BHJP

   C09D 7/40 20180101ALI20181112BHJP

   C09D 179/00 20060101ALI20181112BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20181112BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   C09D5/00

   C09D7/40

   C09D179/00

   H05B33/14 B

   H05B33/22 B

   H05B33/22 D

【請求項の数】11

【全頁数】34

(21)【出願番号】特願2014-502174(P2014-502174)

(86)(22)【出願日】2013年2月22日

(86)【国際出願番号】JP2013054508

(87)【国際公開番号】WO2013129249

(87)【国際公開日】20130906

【審査請求日】2015年10月19日

【審判番号】不服2017-13148(P2017-13148/J1)

【審判請求日】2017年9月6日

(31)【優先権主張番号】特願2012-46502(P2012-46502)

(32)【優先日】2012年3月2日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審理対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000003986

【氏名又は名称】日産化学株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100079304

【弁理士】

【氏名又は名称】小島 隆司

(74)【代理人】

【識別番号】100114513

【弁理士】

【氏名又は名称】重松 沙織

(74)【代理人】

【識別番号】100120721

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 克成

(74)【代理人】

【識別番号】100124590

【弁理士】

【氏名又は名称】石川 武史

(74)【代理人】

【識別番号】100157831

【弁理士】

【氏名又は名称】正木 克彦

(72)【発明者】

【氏名】竹田 佳代

(72)【発明者】

【氏名】吉本 卓司

【合議体】

【審判長】 樋口 信宏

【審判官】 川村 大輔

【審判官】 中田 誠

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２００７／０９９８０８パンフレット（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２００８／１２９９４７パンフレット（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２００５／０００８３２パンフレット（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１０／０５８７７７パンフレット（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００８−２７３８９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００７／０４９６３１パンフレット（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

IPC H01L51/50-51/56

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００〜５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、
前記良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、
２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍであり、
前記電荷輸送性材料が、前記混合溶媒中に溶解または均一に分散していることを特徴とする電荷輸送性ワニス（但し、前記混合溶媒が、前記良溶媒および貧溶媒の組み合わせとして、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびシクロヘキサノールを含むものを除く。）。

【請求項2】

前記良溶媒が、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジエチレングリコール、およびトリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の電荷輸送性ワニス。

【請求項3】

前記貧溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１−ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−ノナノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、１−テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２−エチルヘキサノール、２−フェノキシエタノール、α−テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ−クレジルメチルエーテル、ｍ−クレジルメチルエーテル、ｐ−クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４−ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ−ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ−ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ−アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８−トリメチルノナン−４−オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ビシクロヘキセン、α−ピネン、およびジペンテンから選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の電荷輸送性ワニス。

【請求項4】

前記良溶媒および前記貧溶媒の組み合わせが、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルである請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。

【請求項5】

前記電荷輸送物質が、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、または式（１）の酸化体であるキノンジイミン誘導体である請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。

【化3】

（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記式（２）または（３）

【化4】

で表される２価の基であり、Ｒ⁴〜Ｒ¹¹はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）

【請求項6】

スリットコート塗布用である請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。

【請求項7】

請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜。

【請求項8】

請求項７記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項9】

前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【請求項10】

請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いる電荷輸送性薄膜の作製方法。

【請求項11】

電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００〜５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質および電荷受容性ドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法であって、
前記溶媒として、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒を用いるとともに、これら良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値を｜ΔＴ｜＜２０℃とし、
前記電荷輸送性ワニスの２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下とし、かつ、前記電荷輸送性ワニスの２３℃での表面張力を３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法（但し、前記混合溶媒が、前記良溶媒および貧溶媒の組み合わせとして、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびシクロヘキサノールを含むものを除く。）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電荷輸送性ワニスに関し、さらに詳述すると、平坦性の良好な薄膜を作製し得る電荷輸送性ワニスに関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略す）には、電荷注入層、電荷輸送層や発光層として、一般的に、電荷輸送性オリゴマーやポリマーを含んで構成される電荷輸送性薄膜が用いられている。
この電荷輸送性薄膜には高い平坦性が要求される。電荷輸送性薄膜の凹凸は、素子の発光ムラ、素子寿命の低下、ダークスポットの発生、および短絡による素子特性の低下等につながり、有機ＥＬ素子生産時の歩留り低下を引き起こす原因になると考えられているためである。
したがって、工業的に実現可能な、平坦性の高い電荷輸送性薄膜を形成できる技術が強く求められている。

【0003】

電荷輸送性薄膜を形成するためのプロセスは、真空蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。
ドライプロセスとウェットプロセスとを比較すると、ウェットプロセスの方が容易に平坦性の高い薄膜を作製できることから、素子歩留りの向上が期待できる。
このような理由から、工業的な有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいても、ウェットプロセスが主流として用いられている。

【0004】

この点に鑑み、本発明者らは、各種電子デバイスに適用可能な電荷輸送性薄膜を、ウェットプロセスで作製するための電荷輸送性ワニスの開発をしてきている（例えば、特許文献１〜３参照）。
しかし、近年の画像表示デバイスの大型化など、ディスプレイ分野における進展を背景に、高精度で再現性良く大面積に成膜可能な電荷輸送性ワニスがますます要求されるようになってきており、既存のワニスではこのような要求に必ずしも十分に応えられていなかった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】国際公開第２００４／０４３１１７号

【特許文献2】国際公開第２００５／１０７３３５号

【特許文献3】国際公開第２００７／０４９６３１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、平坦性に優れた電荷輸送性薄膜を、再現性良く与え得る電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ワニス調製用溶媒として、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料に対する良溶媒および貧溶媒を併用するとともに、これら良溶媒と貧溶媒との沸点差を適切に調整した上で、粘度および表面張力を適切な範囲に調整したワニスを用いることで、より均一性が高く、表面の凹凸が抑制された薄膜を、再現性良く作製できることを見出し、本発明を完成した。

【0008】

すなわち、本発明は、
１． 電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００〜５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、前記良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍであり、前記電荷輸送性材料が、前記混合溶媒中に溶解または均一に分散していることを特徴とする電荷輸送性ワニス、
２． 前記良溶媒が、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジエチレングリコール、およびトリエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種である１の電荷輸送性ワニス、
３． 前記貧溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１−ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−ノナノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、１−テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２−エチルヘキサノール、２−フェノキシエタノール、α−テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ−クレジルメチルエーテル、ｍ−クレジルメチルエーテル、ｐ−クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４−ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ−ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ−ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ−アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８−トリメチルノナン−４−オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ビシクロヘキセン、α−ピネン、およびジペンテンから選ばれる少なくとも１種である１または２の電荷輸送性ワニス、
４． 前記良溶媒および前記貧溶媒の組み合わせが、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルである１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス、
５． 前記電荷輸送物質が、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、または式（１）の酸化体であるキノンジイミン誘導体である１〜４のいずれかの電荷輸送性ワニス、

【化1】

（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記式（２）または（３）

【化2】

で表される２価の基であり、Ｒ⁴〜Ｒ¹¹はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）
６． スリットコート塗布用である１〜５のいずれかの電荷輸送性ワニス、
７． １〜５のいずれかの電荷輸送性ワニスから作製された電荷輸送性薄膜、
８． ７の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
９． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である８の有機エレクトロルミネッセンス素子、
１０． １〜５のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いる電荷輸送性薄膜の作製方法、
１１． 電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００〜５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質および電荷受容性ドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法であって、前記溶媒として、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒を用いるとともに、これら良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値を｜ΔＴ｜＜２０℃とし、前記電荷輸送性ワニスの２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下とし、かつ、前記電荷輸送性ワニスの２３℃での表面張力を３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする電荷輸送性薄膜の平坦性向上方法
を提供する。

【発明の効果】

【0009】

本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、平坦性に優れた電荷輸送性薄膜を再現性よく作製できる。これにより、高い歩留りで、安定的に有機ＥＬデバイス等を製造することが可能となる。
また、この電荷輸送性ワニスを用いることで、従来の電荷輸送性薄膜に比べて均一性に優れた薄膜を得ることができる。これにより、薄膜中に生じた異物によって引き起こされる短絡を著しく抑制でき、有機ＥＬデバイスにおける電流集中や欠陥等が減少し、その信頼性向上にも貢献し得る。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスは、大面積に成膜可能なスリットコート法にて成膜した場合でも、高精度に膜厚が制御された電荷輸送性薄膜を与えるため、近年の画像表示デバイスの大型化等のディスプレイ分野や照明分野における進展に十分に対応できる。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性モノマーまたは数平均分子量２００〜５０万の電荷輸送性オリゴマーもしくはポリマーからなる電荷輸送物質、またはこの電荷輸送物質およびドーパント物質からなる電荷輸送性材料と、少なくとも１種の良溶媒および少なくとも１種の貧溶媒を含んで構成される混合溶媒と、を含有し、良溶媒および貧溶媒の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、｜ΔＴ｜＜２０℃を満たし、２５℃での粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力が３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍであり、電荷輸送性材料が、混合溶媒中に溶解または均一に分散しているものである。
ここで電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性、電子輸送性、正孔および電子の両電荷輸送性のいずれかを意味する。本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
なお、本発明において、溶媒の沸点および沸点差は１．０１×１０⁵Ｐａ（大気圧）下での値である。

【0011】

本発明の電荷輸送性ワニスでは、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料の溶解能に優れた良溶媒と、電荷輸送性物質または電荷輸送性材料の溶解能を有しない貧溶媒とを併用するが、それらの沸点差ΔＴ℃の絶対値が｜ΔＴ｜＜２０℃を満たす必要がある。
この範囲を外れる沸点差の溶媒組成では、得られる薄膜の均一性や平坦性が低下する。より均一性、平坦性の良好な薄膜を得るためには、ΔＴ℃の絶対値が｜ΔＴ｜≦１９℃が好ましく、｜ΔＴ｜≦１８℃がより好ましい。

【0012】

良溶媒の具体例としては、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、りん酸トリメチル、りん酸トリエチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（１６６．１℃）、Ｎ−メチルピロリドン（２０２．０℃）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（２２５．０℃）が好ましい（括弧内は沸点、以下同様）。

【0013】

一方、貧溶媒の具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキシレングリコール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１−ブトキシエトキシプロパノール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリメチレングリコール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−ノナノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、１−テトラデカノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、２−エチルヘキサノール、２−フェノキシエタノール、α−テルピネオール、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、アニソール、エチルフェニルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、ベンジルイソアミルエーテル、ｏ−クレジルメチルエーテル、ｍ−クレジルメチルエーテル、ｐ−クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジグリシジルエーテル、１，４−ジオキサン、トリオキサン、フルフラール、２−メチルフラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、シオネール、メチラール、ジエチルアセタール、ギ酸プロピル、ギ酸ｎ−ブチル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第二ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸イソアミル、酢酸メチルイソアミル、ｎ−ヘキシルアセテート、酢酸第二ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−ブチル、酪酸イソアミル、オキシイソ酪酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、アセト酪酸メチル、アセト酪酸エチル、イソ吉草酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ｎ−アミル、乳酸イソアミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、安息香酸ベンジル、サリチル酸メチル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジアミル、マロン酸ジエチル、クエン酸トリブチル、セバチン酸ジオクチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、ジイソブチルケトン、２，６，８−トリメチルノナン−４−オン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、乳酸、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール、ヘプタン、オクタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、デカン、ドデカン、トルエン、キシレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クメン、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ビシクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテンなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

【0014】

これらの中でも、２，３−ブタンジオール（１８２．０℃）、シクロヘキサノール（１６１．１℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０．４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（２１７．４℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（１５９．６℃）、ｎ−ヘキシルアセテート（１６９．２℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（１８８．４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（１５６．８℃）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（２１６．０℃）、２−フェノキシエタノール（２３７．０℃）、１，３−ブタンジオール（２０７．４℃）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（２４９．０℃）、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（２５５．９℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（２４６．８℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４３．０℃）、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（２０８．１℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（１９５．０℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（１２０．０℃）が好ましく、２，３−ブタンジオール（１８２．０℃）、シクロヘキサノール（１６１．１℃）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（２３０．４℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（２１７．４℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（１５９．６℃）、ｎ−ヘキシルアセテート（１６９．２℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（１８８．４℃）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（１５６．８℃）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（２１６．０℃）、２−フェノキシエタノール（２３７．０℃）、１，３−ブタンジオール（２０７．４℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４３．０℃）、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（２０８．１℃）がより好ましい。

【0015】

良溶媒および貧溶媒の好適な組み合わせとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテートとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとトリエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルと１，３−ブタンジオール、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとトリエチレングリコールジメチルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンと１，３−ブタンジオールとジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとエチレングリコールモノヘキシルエーテルとジエチレングリコールモノエチルエーテルなどが挙げられる。

【0016】

これらの中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとｎ−ヘキシルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノブチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリエチレングリコールジメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと２−フェノキシエタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと１，３−ブタンジオール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとエチレングリコールモノヘキシルエーテル、Ｎ−メチルピロリドンとジエチレングリコールジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと２，３−ブタンジオールとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンとジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートと２−フェノキシエタノールが特に好ましい。
なお、良溶媒および貧溶媒の少なくとも一方を２種以上用いる場合、良溶媒と貧溶媒との沸点差が最も大きくなる２種を選んだ場合の沸点差ΔＴ℃の絶対値が、上記範囲を満たす必要がある。

【0017】

本発明で用いる電荷輸送物質は、上記良溶媒に溶解可能であるとともに、ワニスに用いる混合溶媒に溶解または分散可能な電荷輸送性モノマー、電荷輸送性オリゴマーまたはポリマーであれば特に限定されないが、共役単位を有する電荷輸送性モノマー、数平均分子量２００〜５０００であり、単一の共役単位が連続している、または相異なる２種以上の共役単位が任意の順序の組み合わせで連続している電荷輸送性オリゴマーが好ましい。

【0018】

この場合、共役単位とは電荷を輸送できる原子、芳香環、共役基などであれば特に限定されるものではないが、有機溶媒に対する溶解性や良好な電荷輸送性の発現ということを考慮すると、置換または非置換の、かつ、２〜４価のアニリン、チオフェン、ジチイン、フラン、ピロール、エチニレン、ビニレン、フェニレン、ナフタレン、アントラセン、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、シロール、シリコン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、トリアリールアミン、金属−または無金属−フタロシアニン、金属−または無金属−ポルフィリンなどを用いることが好ましい。
なお、共役単位が連結して形成される共役鎖は、環状である部分を含んでいてもよい。また、非置換とは、水素原子が結合していることを意味する。

【0019】

共役単位上の置換基の具体例としては、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン酸基などが挙げられる。

【0020】

一価炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル基等のアルキル基；シクロペンチル、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビシクロヘキシル基等のビシクロアルキル基；ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、イソプロペニル、１−メチル−２−プロペニル、１，２または３−ブテニル、ヘキセニル基等のアルケニル基；エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、２−ヘキシニル、３−ヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル、キシリル、トリル、ビフェニル、ナフチル基等のアリール基；ベンジル、フェニルエチル、フェニルシクロヘキシル基等のアラルキル基などや、これらの一価炭化水素基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基などで置換された基が挙げられる。

【0021】

オルガノオキシ基の具体例としては、アルコキシ、アルケニルオキシ、アリールオキシ基などが挙げられ、これらの基を構成するアルキル基、アルケニル基およびアリール基としては、上で例示した基と同様のものが挙げられる。

【0022】

オルガノアミノ基の具体例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ヘプチルアミノ、オクチルアミノ、ノニルアミノ、デシルアミノ、ラウリルアミノ基等のアルキルアミノ基；ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジヘプチルアミノ、ジオクチルアミノ、ジノニルアミノ、ジデシルアミノ基等のジアルキルアミノ基；シクロヘキシルアミノ基、モルホリノ基などが挙げられる。

【0023】

オルガノシリル基の具体例としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリブチルシリル、トリペンチルシリル、トリヘキシルシリル、ペンチルジメチルシリル、ヘキシルジメチルシリル、オクチルジメチルシリル、デシルジメチルシリル基などが挙げられる。

【0024】

オルガノチオ基の具体例としては、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ、ノニルチオ、デシルチオ、ラウリルチオ基などのアルキルチオ基が挙げられる。
アシル基の具体例としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ベンゾイル基等が挙げられる。
一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基およびアシル基の炭素数は、特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０が好ましく、１〜８がより好ましい。

【0025】

これらの中でも、フッ素原子、スルホン酸基、置換もしくは非置換のオルガノオキシ基、アルキル基、オルガノシリル基が好適であるが、良好な電荷輸送性を発揮させるという点から、特に、共役単位上には置換基を有しない（水素原子である）ことが好ましい。

【0026】

本発明において、電荷輸送性オリゴマーまたはポリマーからなる電荷輸送物質の数平均分子量は２００〜５０万である。数平均分子量が２００未満では、揮発性が高くなりすぎて電荷輸送性が充分に発現されない可能性が高く、一方、５０万を超えると溶剤に対する溶解性が低すぎて使用に適さない可能性が高い。
特に、電荷輸送物質の溶剤に対する溶解性を向上させることを考慮すると、その数平均分子量は５０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がより一層好ましい。
さらに、電荷輸送性物質の溶解性や電荷輸送性を均一にするということを考慮すると、分子量分布のない（分散度が１の）オリゴマーまたはポリマーであることが好ましい。
なお、数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ポリスチレン換算）による測定値である。

【0027】

電荷輸送物質としては、高溶解性および高電荷輸送性を示すとともに、適切なイオン化ポテンシャルを有することから、特に、式（１）で表されるオリゴアニリン誘導体、またはその酸化体であるキノンジイミン誘導体を用いることが好ましい。

【0028】

【化3】

【0029】

式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、式（２）または（３）で表される２価の基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１以上、かつ、ｍ＋ｎ≦２０を満足する整数である。

【0030】

【化4】

【0031】

式（２）および（３）中、Ｒ⁴〜Ｒ¹¹は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、りん酸基、りん酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基またはスルホン酸基を示す。

【0032】

上記Ｒ¹〜Ｒ¹¹の具体例としては、先に共役単位上の置換基で述べたものと同様の置換基が挙げられ、これらの置換基は、さらにその他の任意の置換基で置換されていてもよい。
また、ｍ＋ｎは、良好な電荷輸送性を発現させるという点から、４以上が好ましく、溶媒に対して良好な溶解性を発現させるという点から、１６以下、特に、１０以下が好ましい。

【0033】

このような化合物の具体例としては、フェニルテトラアニリン、フェニルペンタアニリン、テトラアニリン（アニリン４量体）、オクタアニリン（アニリン８量体）、ヘキサデカアニリン（アニリン１６量体）、（フェニルトリアニリノ）トリフェニルアミン、（フェニルトリアニリノ）ジフェニルオクチルアミン、ヘキサデカ−ｏ−フェネチジン（ｏ−フェネチジン１６量体）、アミノテトラアニリン、フェニルテトラアニリンスルホン酸（スルホン酸基数１〜４）、（ブチルフェニル）テトラアニリン等の有機溶媒に可溶なオリゴアニリン誘導体が挙げられる。
なお、これらのオリゴアニリン誘導体等は、例えば、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）（１９９４年 第６７巻 ｐ．１７４９−１７５２）、シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals）（１９９７年、第８４巻、ｐ．１１９−１２０）、国際公開２００８／０３２６１７号、国際公開２００８／０３２６１６号、国際公開２００８／１２９９４７号などに記載の方法等で製造することができる。

【0034】

なお、上記キノンジイミン構造とは、芳香族化合物の炭素環内の二重結合が一つ減り、代わりにパラあるいはオルト位にＣ＝Ｎ二重結合を２個有する構造である。例えば、互いにパラ位にある２つのアミノ基を有するアリールジアミン化合物であれば、式（４）に示すような構造となる。

【0035】

【化5】

【0036】

好適な電荷輸送性物質としては、式（５）および（６）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【0037】

【化6】

【0038】

本発明の電荷輸送性ワニスの電荷輸送能等を向上させるために、必要に応じて電荷受容性ドーパント物質が用いられる。具体的には、正孔輸送性物質に対しては電子受容性ドーパント物質が、電子輸送性物質に対しては正孔受容性ドーパント物質が用いられる。
電荷受容性ドーパント物質の溶解性に関しては、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系の電子受容性物質、有機系の電子受容性物質のいずれも使用できる。

【0039】

無機系の電子受容性物質としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ₃）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ₄）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ₃）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ₃・ＯＥｔ₂）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ₃）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ₂）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ₅）、五フッ化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＦ₅）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ₅）、五フッ化リン（ＰＦ₅）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等の金属ハロゲン化物；Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃、ＩＢｒ、ＩＦ₄等のハロゲン；リンモリブデン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸などが挙げられる。

【0040】

有機系の電子受容性物質としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２，５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６，７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２，７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２，７−ジノニル−４，５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等の芳香族スルホン化合物；１０−カンファースルホン酸等の非芳香族スルホン化合物；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。
これら無機系および有機系の電子受容性物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。

【0041】

これらの中でも、芳香族スルホン酸化合物が好ましく、式（７）で示されるアリールスルホン酸化合物がより好ましく、特に式（８）で示されるアリールスルホン酸化合物が好適である。

【0042】

【化7】

【0043】

上記式（７）において、ＸはＯまたはＳを表すが、Ｏが好ましい。
Ａは、Ｘおよびｐ個のＳＯ₃Ｈ基以外の置換基として、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、りん酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のビシクロアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基および炭素数１〜２０のアシル基から選ばれる１以上の置換基を有していてもよい、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、特に、ＳＯ₃Ｈ基以外の置換基を有しないナフタレン環またはアントラセン環が好ましい。
Ｂは、２価もしくは３価のベンゼン環、２価のｐ−キシリレン基、２価もしくは３価のナフタレン環、２〜４価のパーフルオロビフェニル基、または２価の２，２−ビス（（ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロピル基を表す。
ＡおよびＢにおける、各置換基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
ｐは、Ａに結合するスルホン酸基数を表し、１〜４の整数である。
ｑは、ＢとＸとの結合数を示し、２〜４の整数である。

【0044】

【化8】

【0045】

正孔受容性ドーパントの具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ）、リチウムキノリノラート（Ｌｉｑ）、リチウムアセチルアセトナート（Ｌｉ（ａｃａｃ））等の金属錯体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【0046】

本発明に係る電荷輸送性ワニスは、以上で説明した、良溶媒、貧溶媒、電荷輸送性物質および必要に応じて用いられる電荷受容性ドーパントを含んだ上で、２５℃での粘度を７．５ｍＰａ・ｓ以下、かつ、２３℃での表面張力を３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍとする必要がある。
上述した良溶媒と貧溶媒との沸点差の絶対値｜ΔＴ｜が２０℃未満であっても、ワニスの粘度および表面張力のいずれか一方でも上記範囲外であると、得られる電荷輸送性薄膜の均一性が低下し、表面に凹凸が生じるようになる。
電荷輸送性薄膜の表面均一性をより高めるとともに、その再現性を良好にすることを考慮すると、ワニスの粘度は、２５℃で７．０ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、６．９ｍＰａ・ｓ以下がより一層好ましい。なお、その粘度の下限値は特に限定されないが、通常１．０ｍＰａ・ｓ程度である。
また、同様の理由から、ワニスの表面張力は、２３℃で３０．５〜３９．０ｍＮ／ｍがより好ましく、３０．７〜３８．５ｍＮ／ｍがより一層好ましい。

【0047】

このようなワニスの粘度調整等の観点から、本発明の電荷輸送性ワニスに用いる良溶媒および貧溶媒の１種には、２５℃で０．１〜２００ｍＰａ・ｓ、特に０．１〜１００ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧で沸点５０〜３００℃、特に１００〜２５０℃の溶媒を用いることが好ましい。
このような溶媒の具体例としては、上記貧溶媒として例示した、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジクリシジルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。これらの中でも、適切な粘度および沸点を有し、基板に対して良好な塗布性を示すという点から、特に、シクロヘキサノール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテルが好ましい。
なお、粘度は、東機産業（株）製 ＴＶＥ−２２Ｌ型粘度計（恒温槽の温度を２５℃に設定）により測定した値である。

【0048】

本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、良溶媒および貧溶媒の使用量はワニスの粘度および表面張力が上記範囲を満たすよう、用いる溶媒の種類、並びに電荷輸送性物質等の種類および使用量等に応じて変動するものであるため一概には規定できないが、通常、良溶媒の使用量は、溶媒全体に対して１〜９０質量％（貧溶媒１０〜９９質量％）であり、好ましくは１０〜９０質量％（貧溶媒１０〜９０質量％）、より好ましくは２０〜９０質量％（貧溶媒１０〜８０質量％）、より一層好ましくは３０〜９０質量％（貧溶媒１０〜７０質量％）である。なお、この際、良溶媒によって電荷輸送性材料が溶解することが好ましい。

【0049】

また、電荷輸送性ワニスの固形分濃度も、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１〜１０．０質量％程度であり、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。
そして、電荷輸送性物質と電荷受容性ドーパント物質の物質量（ｍｏｌ）比も、発現する電荷輸送性、電荷輸送性物質等の種類を考慮しつつワニスの粘度および表面張力等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、物質量比で、電荷輸送性物質１に対し、電荷受容性ドーパント０．１〜１０、好ましくは０．５〜５．０、より好ましくは１．０〜３．０である。

【0050】

以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることで基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられるが、本発明の電荷輸送性ワニスは、均一性および平坦性により優れた薄膜を与えるため、大面積基板等への塗布に用いられるスリットコート法に特に適している。
溶媒の蒸発法としては、特に限定されるものではなく、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用い、大気中、窒素等の不活性ガス中または真空中等の適切な雰囲気下で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発できる限り特に制限はないが、４０〜２５０℃が好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。

【0051】

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で電荷注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍであることが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いれば、スリットコート法で厚み３０ｎｍの薄膜を形成した場合に、バラツキが±４ｎｍ以内の薄膜を作製することができ、±３ｎｍ以内の薄膜をも再現性良く作製することができる。

【0052】

本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、予め、洗剤、アルコール、純水等で洗浄しておくことが好ましい。さらに、例えば、陽極基板では、使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を施すことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。

【0053】

本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＯＬＥＤ素子の作製方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
陽極基板上にスリットコート法などで本発明の電荷輸送性ワニス（正孔輸送性ワニス）を塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。

【0054】

正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α−ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α−ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４’，４”−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５”−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２’：５’，２”−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。

【0055】

発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ₃）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ₃、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。

【0056】

発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）₃）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）₃ｐｈｅｎ）等が挙げられる。

【0057】

キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ₂）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。

【0058】

本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
陽極基板上にスリットコート法などで本発明の電荷輸送性ワニス（正孔輸送性ワニス）を塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。

【0059】

使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
発光性電荷輸送性高分子層の形成法としては、発光性電荷輸送性高分子材料、またはこれに発光性ドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層を形成してある電極基板に塗布した後、溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
発光性電荷輸送性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等を挙げることができる。

【0060】

溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法を挙げることができる。

【実施例】

【0061】

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた装置は以下のとおりである。
（１）粘度
装置：東機産業（株）製 ＴＶＥ−２２Ｌ型粘度計
測定温度：粘度計の恒温槽を２５℃に設定して測定
（２）表面張力
装置：協和界面科学（株）製 自動表面張力計ＣＢＶＰ−Ｚ
測定温度：環境温度２３℃において測定
（３）薄膜の作製
装置：テクノマシーン（株）製 スリットダイコーターＴ２
（４）膜厚測定
装置：（株）小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダーＥＴ−４０００
（５）基板洗浄
装置：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）

【0062】

［１］化合物の合成
［合成例１］アニリン誘導体の合成
実施例において使用する式（６）で示されるオリゴアニリン誘導体（以下、ＢＤＰＡ−ＰＴＡと略す）を、国際公開第２００８／１２９９４７号の記載に基づき、下記反応式に従い合成した。得られたオリゴアニリン化合物の¹Ｈ−ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６−７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１−６．８９（ｍ，２８Ｈ）．

【0063】

【0064】

［２］ワニスの調製並びに薄膜の製造および評価
［実施例１］
ブレンティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Ｂｕｌｌｅｎｔｉｎ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１９９４年、第６７巻、ｐｐ．１７４９−１７５２記載の方法に従って製造した式（５）で示されるフェニルテトラアニリン（以下、ＰＴＡと略す）１．０５６ｇ（２．３８５ｍｍｏｌ）と、式（８）で示されるナフタレンジスルホン酸オリゴマー（以下、ＮＳＯ−２と略す）３．２３０ｇ（３．５７８ｍｍｏｌ）とを、窒素雰囲気下、良溶媒であるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド(以下、ＤＭＡｃと略す)１８９ｇに完全に溶解させた。
得られた溶液に、貧溶媒である２，３−ブタンジオール（以下、２，３−ＢＤと略す）２１ｇを加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0065】

【化9】

【0066】

［実施例２］
ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、貧溶媒として２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールジメチルエーテル（以下、Ｄｉｇｌｙｍｅと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0067】

［実施例３］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりに１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（以下、ＤＭＩと略す）１０５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下ＥＣＡと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0068】

［実施例４］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１７８．５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノブチルエーテル（以下、ＤＥＧＭＢＥと略す）３１．５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0069】

［実施例５］
ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を６３ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0070】

［実施例６］
ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにシクロヘキサノール（以下、ＣＨＡと略す）１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0071】

［実施例７］
ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を１０５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0072】

［実施例８］
ＤＭＡｃの使用量を９４．５ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を１１５．５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0073】

［実施例９］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＮ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰと略す）８４ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールジエチルエーテル（以下、Ｅｔｈｙｌ ｄｉｇｌｙｍｅと略す）１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0074】

［実施例１０］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＮＭＰ１０５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにＥｔｈｙｌ ｄｉｇｌｙｍｅ１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0075】

［実施例１１］
ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにｎ−ヘキシルアセテート（以下ｎＨＡｃと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0076】

［実施例１２］
ＤＭＡｃの使用量を１０５ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりに２，３−ＢＤ２１ｇとエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下ＥＧＭＥＥＡｃと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0077】

［実施例１３］
ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにＤｉｇｌｙｍｅ１２６ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0078】

［実施例１４］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールジメチルエーテル（以下、Ｔｒｉｇｌｙｍｅと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0079】

［実施例１５］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ８４ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりに２−フェノキシエタノール（以下、２−ＰＥと略す）６３ｇとＥＣＡ６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0080】

［実施例１６］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１６８ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりに１，３−ブタンジオール（以下、１，３−ＢＤと略す）４２ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0081】

［実施例１７］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにトリプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＴＰＧＭＭＥと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0082】

［実施例１８］
ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＥＧＭＥＥＡｃと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0083】

［実施例１９］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにエチレングリコールモノヘキシルエーテル（以下、ＥＧＭＨＥと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0084】

［比較例１］
ＤＭＡｃの使用量を８４ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を１２６ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0085】

［比較例２］
ＤＭＡｃの使用量を７３．５ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を１３６．５ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0086】

［比較例３］
ＤＭＡｃの使用量を６３ｇとし、２，３−ＢＤの使用量を１４７ｇとした以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0087】

［比較例４］
ＤＭＡｃの使用量を１２６ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにｎＨＡｃ８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0088】

［比較例５］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１８９ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりに２−ＰＥ２１ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0089】

［比較例６］
ＤＭＡｃの使用量を１４７ｇとし、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＴＥＧＭＭＥと略す）６３ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0090】

［比較例７］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにトリエチレングリコールモノエチルエーテル（以下、ＴＥＧＭＥＥと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0091】

［比較例８］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１２６ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（以下、ＤＥＧＭＢＥＡｃと略す）８４ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0092】

［比較例９］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１０５ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにジエチレングリコールモノエチルエーテル（以下、ＤＥＧＭＥＥと略す）１０５ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0093】

［比較例１０］
ＤＭＡｃ１８９ｇの代わりにＤＭＩ１６８ｇを用い、２，３−ＢＤ２１ｇの代わりにプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＰＧＭＥと略す）４２ｇを用いた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0094】

［比較例１１］
ＰＴＡ１．０５６ｇ（２．３８５ｍｍｏｌ）と、ＮＳＯ−２ ３．２３０ｇ（３．５７８ｍｍｏｌ）とを、窒素雰囲気下、ＤＭＡｃ２１０ｇに完全に溶解させて、電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0095】

［比較例１２］
ＤＭＡｃの代わりにＤＭＩを用いた以外は、比較例１１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した（固形分２．０質量％）。

【0096】

上記各実施例および比較例で調製したワニスを、スリットダイコーターを用いてＩＴＯベタ基板（縦１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、厚み０．７ｍｍ）に塗布した後、大気中、５０℃のホットプレート上で５分乾燥し、２３０℃のホットプレート上で１５分焼成して基板上に薄膜を形成した。
なお、ＩＴＯ基板は、Ｏ₂プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて表面上の不純物を除去してから使用し、スリットコーターの塗布条件は、塗布エリアが１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、Ｇａｐが２０μｍ、塗工待機時間が４ｓｅｃ、塗工速度が１０ｍｍ／ｓｅｃ、目標膜厚は３０ｎｍとした。

【0097】

次いで、得られた薄膜の膜厚分布を評価した。評価は、正方形状に作製した薄膜の四隅と中央付近の計５箇所を測定し、５箇所の膜厚の面内均一性を膜厚分布として数値化して行った。各ワニスの粘度および表面張力、ワニスの調製に使用した良溶媒と貧溶媒の沸点差〔良溶媒の沸点（℃）−貧溶媒の沸点（℃）〕およびその絶対値、並びに膜厚分布の評価結果を表１〜４に示す。
なお、表１ではワニスの粘度が膜厚分布に及ぼす影響を評価し易い例を、表２ではワニスの表面張力が膜厚分布に及ぼす影響を評価し易い例を、表３では良溶媒および貧溶媒との沸点差が膜厚分布に及ぼす影響を評価しやすい例を、それぞれ抽出して列挙した。
また、表４では、単一溶媒組成の比較例１１，１２の結果を示した。

【0098】

【表1】

【0099】

表１に示されるように、ワニスの粘度が７．５ｍＰａ・ｓ以下である実施例１〜８で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、粘度が７．５ｍＰａ・ｓ超である比較例１〜３で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。

【0100】

【表2】

【0101】

表２に示されるように、ワニスの表面張力が３０．０〜４０．０ｍＮ／ｍの範囲内である実施例で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、表面張力が上記範囲外の比較例４，５で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。

【0102】

【表3】

【0103】

表３に示されるように、良溶媒と貧溶媒との沸点差の絶対値｜ΔＴ｜＜２０℃である実施例で調製したワニスを用いて作製した薄膜は、｜ΔＴ｜が２０℃以上の比較例６〜１０で調製したワニスを使用して作製した薄膜に比べ、膜厚のバラツキが小さいことがわかる。

【0104】

【表4】

【0105】

表４に示されるように、良溶媒単独で用いた比較例１１，１２のワニスを用いた場合は、スリットダイコーターでは薄膜を作製できないことがわかる。

【0106】

〔調製例１〜１９，比較調製例１〜１０〕
ＰＴＡの代わりにＢＤＰＡ−ＰＴＡを用いた以外は、実施例１〜１９，比較例１〜１０と同様の方法により、電荷輸送性ワニスを調製した。各ワニスの粘度および表面張力、ワニスの調製に使用した良溶媒と貧溶媒の沸点差〔良溶媒の沸点（℃）−貧溶媒の沸点（℃）〕およびその絶対値を表５〜７に示す。

【0107】

【表5】

【0108】

【表6】

【0109】

【表7】

【0110】

表５〜７に示されるように、電荷輸送性物質としてＢＤＰＡ−ＰＴＡを用いた場合でも、ＰＴＡを用いた場合と同様の粘度および表面張力を実現できることがわかる。
したがって、この場合もスリットダイコーターにて膜厚のバラツキの少ない薄膜を作製できることが示唆され、本発明においては、ＰＴＡのみならず、ＢＤＰＡ−ＰＴＡのような式（１）に包含される化合物は、好適に電荷輸送性物質として用いることができると言える。