特許6438648IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体発光装置およびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、従来の半導体発光装置では、発光強度を上げるために光取り出し面の面積を広くする必要があり、高輝度の発光装置を小型化することが困難と考えられていた。 本発明は、かかる従来の課題にかんがみてなされたものであり、光取り出し面の面積を広くすることなく発光強度を上げることができる構造を採用することで、小型化および高輝度化を実現した半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、半導体層の積層面に対し光取り出し面が垂直である半導体発光装置であって、前記半導体層上に配置される透光性を有する導光部材と、前記導光部材上に配置される光反射部材と、光反射性を有し前記光取り出し面側に開放部を有して前記半導体層の外縁を囲むパッケージと、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
本発明によれば、半導体発光装置において光取り出し面の面積を広くすることなく発光強度を上げることができる。 上述したような構造を採用することで、半導体発光装置の薄型化や高輝度化を実現することができる。たとえば、半導体発光装置の光取出し面のサイズを保ちながら、半導体発光層面積を奥行方向に大きくすることができ、高輝度化を実現することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の一実施形態による半導体発光装置の断面を模式的に示す図である。

【図2】図1に示される半導体発光装置を光取り出し面側から見た正面図である。

【図3】本発明の実施形態1による半導体発光装置の断面図である。

【図4】図3に示される半導体発光装置を製造する方法を説明するための図である。

【図5】本発明の実施形態2による半導体発光装置の断面図である。

【図6】本発明の実施形態3による半導体発光装置の断面図である。

【図7】本発明の実施形態4による半導体発光装置の断面図である。

【図8】本発明の実施形態5による半導体発光装置の断面図である。

【図9】本発明の実施形態6による半導体発光装置の断面図である。

【図10】本発明の実施形態7による半導体発光装置の断面図である。

【図11】本発明の実施形態8による半導体発光装置の断面図である。

【図12】図11に示される半導体発光装置の斜視図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 半導体発光装置   2 半導体層   3 導光部材   3a 光取り出し面   4 光反射部材   5 パッケージ   11 n電極   12 p電極   21 n型半導体層   22 p型半導体層   23 活性層   30 成長基板   31 透明部   32 波長変換部   33 BPF   34 封止材   41 粘着シート   42、43、44 パッド電極   46 メタル層   47 DBR   51 絶縁部材   61 接着層

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