発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年、ＩＩＩ族窒化物半導体は、紫外光を発する固体発光素子用としてさらに関心を集めいている。紫外光を発する固体発光素子において活性層に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体は、アルミニウムの比率が高い窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）である。そのため、活性層から発せられる紫外光を基板側に取り出す（所謂フェイスダウン構造にする）場合、活性層より基板側の窒化物半導体層は、活性層よりもアルミニウムの比率が高いＡｌＧａＮ（便宜的にＡｌＮも含む）となる。 近年は、紫外光を発する固体発光素子に求められる性能はますます高まっており、そのための窒化物半導体テンプレートもさらなる改良が求められている。 本発明は上述の事情に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、紫外光を発する固体発光素子を製造するのに適した窒化物半導体テンプレートを提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の実施の形態に係る窒化物半導体テンプレートの製造方法はの特徴を備えているため、アルミニウムの比率が高く、その上面に曇りがなく、且つその結晶性が高い窒化物半導体層を備えた窒化物半導体テンプレートを製造することが可能になる。こうして得られる窒化物半導体テンプレートを用いると、紫外光を効率良く発するフェイスダウン構造の固体発光素子を製造することが可能になる。