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特許 6443198出願番号 特願 2015-84660
発光素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 99位 241件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 125位 165件（※）
公報発行日 2018年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6443198 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体部を有する発光素子
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献１においては、半導体層部からの光の一部がｐ側パッド部や半導体部そのもので吸収されてしまうので、十分な光取出し効率が得られない可能性があった。 本発明は、課題に鑑みてなされたものであり、高い光取り出し効率の発光素子を提供することを課題とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
絶縁性の基板と、基板上に設けられ基板の側から順にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを有する半導体部と、ｎ型半導体層に電気的に接続されたｎ側電極と、ｐ型半導体層に電気的に接続されたｐ側電極と、を備える発光素子である。半導体部には、半導体部に設けられた第１内面によって規定され、ｎ型半導体層とｐ型半導体層を貫通する第１貫通部が設けられている。そして、ｐ側電極は、ｐ型半導体層の上方から第１貫通部における前・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
高い光取り出し効率の発光素子とすることができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の一発光素子の平面図である。
【図2】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図3】図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１００ 発光素子
１０ 基板
２０ 半導体部
２１ ｎ型半導体層
２２ 活性層
２３ ｐ型半導体層
２４ 第１内面
２５ 第２内面
３０ 第１貫通部
４０ 第２貫通部
５０ 第１絶縁膜
６０ ｐ側電極
６１ ｐ側透光部
６２ ｐ側パッド部
６３ ｐ側延伸部
７０ ｎ側電極
７１ ｎ側透光部
７２ ｎ側パッド部
７３ ｎ側延伸部
８０ 第２絶縁膜
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