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特許 6443426出願番号 特願 2016-217799
半導体装置の製造方法
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 99位 241件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 125位 165件（※）
公報発行日 2018年12月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6443426 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
従来の発光装置では、発光素子と基板との間に樹脂材料からなる接着層が設けられるため、発光素子から基板への排熱性が低下する虞がある。また、金属からなる基板を用いるため、配線と基板との間で絶縁破壊が生じる虞がある。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1A】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図1B】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図1C】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図1D】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図1E】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図1F】実施形態１に係る半導体装置１の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図2】半導体装置１の模式的斜視図である。
【図3A】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図3B】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的上面図である。
【図3C】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的上面図である。
【図3D】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図3E】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図3F】実施形態２に係る半導体装置２の製造方法を説明する模式的端面図である。
【図4】半導体装置２の模式的斜視図である。
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