特許6459987シリコン単結晶の製造方法

発明の名称　シリコン単結晶の製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 529 位（50件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 390 位（66件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6459987

公報発行日　2019年1月30

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6459987

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-6459987「シリコン単結晶の製造方法」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録