特許6463339後続の多段洗浄ステップを伴うＭＯＣＶＤ層成長方法

発明の名称　後続の多段洗浄ステップを伴うＭＯＣＶＤ層成長方法

出願人　アイクストロン、エスイー　（識別番号 502010251）

　　　　特許公開件数ランキング 3969 位（4件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1795 位（9件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6463339

公報発行日　2019年1月30

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6463339

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