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アイクストロン、エスイー
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第3886位 4件
（
2023年：第2149位 10件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1651位 10件
（
2023年：第1732位 11件）
（ランキング更新日：2024年11月10日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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アイクストロン、エスイーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7579323 | ＣＶＤリアクタ用のガス導入部材 | 2024年11月 7日 | |
| 特許 7547376 | ガリウム及びインジウムを含む半導体層システムの堆積方法 | 2024年 9月 9日 | |
| 特許 7539401 | ＣＶＤリアクタのサセプタ構造 | 2024年 8月23日 | |
| 特許 7475357 | サセプタ温度に局所的に影響を及ぼす手段を有するＣＶＤリアクタ | 2024年 4月26日 | |
| 特許 7461351 | ＣＶＤリアクタ用のガス入口装置 | 2024年 4月 3日 | |
| 特許 7460621 | ＣＶＤリアクタの構成要素の製造方法 | 2024年 4月 2日 | |
| 特許 7458400 | ＣＶＤリアクタのサセプタ | 2024年 3月29日 | |
| 特許 7441791 | 個別識別子を付与されたＣＶＤ装置部品及びその情報伝達方法 | 2024年 3月 1日 | |
| 特許 7441794 | 核生成層の堆積方法 | 2024年 3月 1日 | |
| 特許 7439056 | ＣＶＤリアクタの設定又は稼動方法 | 2024年 2月27日 |
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7579323 7547376 7539401 7475357 7461351 7460621 7458400 7441791 7441794 7439056
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