特許 6472230 真空処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6472230

(24)【登録日】2019年2月1日

(45)【発行日】2019年2月20日

(54)【発明の名称】真空処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20190207BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/68 R

【請求項の数】6

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2014-251866(P2014-251866)

(22)【出願日】2014年12月12日

(65)【公開番号】特開2016-115759(P2016-115759A)

(43)【公開日】2016年6月23日

【審査請求日】2017年10月4日

(73)【特許権者】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100102875

【弁理士】

【氏名又は名称】石島 茂男

(74)【代理人】

【識別番号】100106666

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 英樹

(72)【発明者】

【氏名】前平 謙

(72)【発明者】

【氏名】川久保 大輔

(72)【発明者】

【氏名】不破 耕

【審査官】 儀同 孝信

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−１４０２７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０６３８２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−２７０８４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２９４２５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−１０２５３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０５６９２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００２／０１４１１３２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、
前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極のうち、吸着電源から、前記第一電極と接地電位の間に第一吸着電圧を印加し、前記第二電極と接地電位の間に第二吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着する吸着工程と、
前記絶縁板に配置された前記処理対象物を加工する真空処理工程と、
を有する真空処理方法であって、
前記真空処理方法は、
前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させ、前記第一電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物を接地電位に接続した状態で前記第一電極の電位を測定し、測定結果である第一測定結果を求める第一測定工程と、
前記第二電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させ、前記第二電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物を接地電位に接続した状態で前記第二電極の電位を測定し、測定結果である第二測定結果を求める第二測定工程と、
前記第一電極と前記処理対象物との間の第一コンデンサに蓄積された第一残留電荷と前記第一電極の電位との間の関係である第一電位関係と、前記第一測定結果とから、前記第一測定結果に応じた大きさで前記第一吸着電圧とは逆極性の第一逆電圧を求める第一求電圧工程と、
前記第二電極と前記処理対象物との間の第二コンデンサに蓄積された第二残留電荷と前記第二電極の電位との間の関係である第二電位関係と、前記第二測定結果とから、前記第二測定結果に応じた大きさで前記第二吸着電圧とは逆極性の第二逆電圧を求める第二求電圧工程と、
前記第二電極と前記吸着電源との間の接続を遮断させ、前記第二電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物と接地電位に接続された接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続した状態で、前記第一電極に前記第一逆電圧を印加し、前記第一電極と前記処理対象物との間の第一コンデンサに蓄積された第一残留電荷を減少させる第一除電工程と、
前記第一電極と前記吸着電源との間の接続を遮断させ、前記第一電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物と前記接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続した状態で、前記第二電極に前記第二逆電圧を印加し、前記第二電極と前記処理対象物との間の第二コンデンサに蓄積された第二残留電荷を減少させる第二除電工程と、
が設けられた主除電工程を有する真空処理方法。

【請求項2】

前記主除電工程を複数回行う請求項１記載の真空処理方法。

【請求項3】

前記主除電工程は、
前記第一測定結果に基づいて、前記第一逆電圧の印加又は不印加を決定する第一比較工程と、
前記第二測定結果に基づいて、前記第二逆電圧の印加又は不印加を決定する第二比較工程と、
を有し、
前記主除電工程では、前記第一、第二測定工程を行った後、前記第一、第二比較工程を行い、
前記第一比較工程の決定が印加の場合は、前記第一除電工程を行い、不印加の場合は前記第一除電工程を行わず、
前記第二比較工程の決定が印加の場合は、前記第二除電工程を行い、不印加の場合は前記第二除電工程を行わない請求項２記載の真空処理方法。

【請求項4】

前記第一、第二測定工程では、前記処理対象物と前記接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続させる請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の真空処理方法。

【請求項5】

前記第一測定結果は第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位が測定されて求められ、
前記第二測定結果は第二信号配線によって前記第二電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第二被測定部の電位が測定されて求められる請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の真空処理方法。

【請求項6】

前記第一被測定部の電位と、前記第二被測定部の電位とは、表面電位計によって非接触で測定される請求項５記載の真空処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、処理対象物の残留電荷を測定する技術、処理対象物の残留電荷を消滅させる技術に関する。

【背景技術】

【0002】

図７Ａの符号１１１は、従来技術の真空処理装置であり、真空槽１２０を有している。真空槽１２０の内部には、吸着板１２１が配置されており、吸着板１２１の上方には、カソード電極１３３に取り付けられたターゲット１３４が配置されている。
真空槽１２０に、真空排気装置１３１が設けられており、真空排気装置１３１を動作させると、真空槽１２０の内部が真空排気され、真空槽１２０の内部に真空雰囲気が形成される。

【0003】

また、真空槽１２０には、搬入口１７４ａと搬出口１７４ｂとが設けられており、搬入口１７４ａから真空槽１２０の内部に基板を搬入し、真空槽１２０の内部に搬入された基板を、搬出口１７４ｂから真空槽１２０の外部に搬出できるようにされている。

【0004】

吸着板１２１には、複数の貫通孔１３６が設けられており、各貫通孔１３６には、ピン１４０がそれぞれ挿通されている。
各ピン１４０は、昇降装置１７５に接続され、昇降移動できるようにされている。

【0005】

基板搬送ロボットのハンドに乗せ、搬入口１７４ａから搬入した基板は、ピン１４０を上昇させてピン１４０に移載させ、ピン１４０を降下させて基板を吸着板１２１上に載置する。

【0006】

図７Ｂの符号１２３は、吸着板１２１上に載置された基板を示している。
ガス導入装置１３２からスパッタリングガスを真空槽１２０の内部に導入し、スパッタ電源１３５によってカソード電極１３３にスパッタ電圧を印加すると、ターゲット１３４の表面近傍にプラズマが形成され、ターゲット１３４がスパッタリングされ、基板１２３の表面に薄膜が成長する。

【0007】

このとき、プラズマによって、基板１２３は接地電位の真空槽１２０に電気的に接続されており、吸着電源１２４から、吸着板１２１の内部に配置された電極１０２に吸着電圧を印加して、基板１２３と電極１０２との間に形成されるコンデンサを充電すると、基板１２３は静電吸着力によって吸着板１２１上に静電吸着され、基板１２３と吸着板１２１との間の熱伝達率が向上する。

【0008】

吸着板１２１は、温度調整装置１３８上に配置されており、温度調整装置１３８によって、基板１２３の温度制御が容易になる。
薄膜が所定膜厚に成長すると、スパッタリングによる真空処理は終了し基板１２３は、真空槽１２０の外部に搬出され、別の未処理の基板が真空槽１２０内に搬入され、スパッタリングが開始される。

【0009】

上記のような、 吸着板１２１を使用した真空処理方法において、真空処理が終了した基板１２３を真空槽１２０の外部に搬出するために基板１２３を吸着板１２１から剥離させる際に、電極１０２に印加した吸着電圧を遮断しても、電極１０２と基板１２３とで形成されるコンデンサには残留電荷があり、基板１２３は吸着板１２１に吸着されたままである。

【0010】

図７Ｃは、ピン１４０を上昇させてピン１４０の上端を基板１２３の裏面に接触させた状態であり、残留電荷がある状態で、図７Ｃのピン１４０を更に上昇させて、吸着板１２１上から基板１２３を持ち上げようとすると、残留吸着力によって、基板１２３が割れてしまったり、基板１２３を持ち上げたときに、ピン１４０上で位置がずれたり、また、ピン１４０上から基板１２３が脱落する等の問題が起こる(図７Ｄ)。

【0011】

残留電荷を直接測定しようとしても、残留電荷によって形成される電気力線は、吸着板１２１と基板１２３との間の微少空間に形成されるため、直接測定することが困難である。基板搬送ロボットのアーム等にセンサを設け、吸着板１２１から持ち上げた基板１２３を真空槽１２０の外部に搬出するときに、基板１２３の帯電量を測定し、次の基板を持ち上げる際に、測定結果から求めた大きさの逆電圧を印加する技術がある。

【0012】

また、真空処理が終了した基板１２３を吸着板１２１上から剥離させて持ち上げたときに、電極１０２に流れる電流を測定し、測定結果から逆電圧の大きさを求め、次に真空処理をした基板に対し、直前に真空処理をした基板１２３の測定結果から求めた大きさの逆電圧を印加した後、持ち上げる技術がある。

【0013】

しかしながら、このような残留吸着力はプロセスの条件や被保持物体の種類、あるいは印加電圧や吸着時間により変動する。さらには、印加電圧の極性により残留吸着量は均一ではない為、完全に除電することができなかった。

【0014】

特許第４２２６１０１号の明細書には、同符号で絶対値が等しい値になる状況を最小値として、基板を脱離させることが示されている。しかしながら、近年のデバイス構造の変更や、基板の吸着面の材料による吸着状況の変化や基板厚みの薄膜化による機械的強度低下が進み、この方法においても基板割れや搬送トラブルを生じる場合が発生している。残留している電荷量を完全に除去し、基板搬送を確実に行うことが必要となっている。
図９のグラフに特許第４２２６１０１号で示した従来の逆バイアス印加方法による残留吸着力の低下方法を示す。

【0015】

双極式の静電チャックでは、二個の電極と吸着板上に配置された基板との間に形成される等価的なコンデンサは直列接続されているため、二個の電極に同時に逆電圧(逆バイアス)を印加する場合、二個の電極に異なる大きさの逆電圧を印加しても、二個の電極に実行的に印加される電圧は、大きさは等しく、極性が反対の電圧になる。

【0016】

このような条件では、二個の電極の残留電荷ゼロにするための逆電圧が異なる場合には、一方の電極の残留電荷がゼロにできたとしても、他方の電極の残留電荷はゼロにすることはできず、残留電荷を消去することができない。

【0017】

例えば、図９のグラフのような、残留電荷と、その残留電荷をゼロにするための逆電圧を有する二個の電極の場合は、逆電圧の印加量１５０Ｖにおいて、残留電荷量が０．８μＣとなる状態が最適条件となり、絶対量として両極の電荷量を均一にすることで、印加電極毎に偏った電荷を残すよりも基板振動や基板の位置ズレを最小にするようにしていた。
しかしながら、二個の電極にそれぞれ１μＣの残留電荷量が残っており、残留電荷による吸着力は依然として発生することになる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0018】

【特許文献1】特許第４２２６１０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0019】

本発明は、上記従来技術の問題を解決するために創作されたものであり、処理対象物の吸着が終了した双極型吸着装置の残留電荷を測定し、残留電荷を消去することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0020】

上記課題を解決するために本発明は、真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極のうち、吸着電源から、前記第一電極と接地電位の間に第一吸着電圧を印加し、前記第二電極と接地電位の間に第二吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着する吸着工程と、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を加工する真空処理工程と、を有する真空処理方法であって、前記真空処理方法は、前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させ、前記第一電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物を接地電位に接続した状態で前記第一電極の電位を測定し、測定結果である第一測定結果を求める第一測定工程と、前記第二電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させ、前記第二電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物を接地電位に接続した状態で前記第二電極の電位を測定し、測定結果である第二測定結果を求める第二測定工程と、前記第一電極と前記処理対象物との間の第一コンデンサに蓄積された第一残留電荷と前記第一電極の電位との間の関係である第一電位関係と、前記第一測定結果とから、前記第一測定結果に応じた大きさで前記第一吸着電圧とは逆極性の第一逆電圧を求める第一求電圧工程と、前記第二電極と前記処理対象物との間の第二コンデンサに蓄積された第二残留電荷と前記第二電極の電位との間の関係である第二電位関係と、前記第二測定結果とから、前記第二測定結果に応じた大きさで前記第二吸着電圧とは逆極性の第二逆電圧を求める第二求電圧工程と、前記第二電極と前記吸着電源との間の接続を遮断させ、前記第二電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物と接地電位に接続された接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続した状態で、前記第一電極に前記第一逆電圧を印加し、前記第一電極と前記処理対象物との間の第一コンデンサに蓄積された第一残留電荷を減少させる第一除電工程と、前記第一電極と前記吸着電源との間の接続を遮断させ、前記第一電極を電気的に浮遊させ、前記処理対象物と前記接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続した状態で、前記第二電極に前記第二逆電圧を印加し、前記第二電極と前記処理対象物との間の第二コンデンサに蓄積された第二残留電荷を減少させる第二除電工程と、が設けられた主除電工程を有する真空処理方法である。
本発明は、前記主除電工程を複数回行う真空処理方法である。
本発明は、前記主除電工程は、前記第一測定結果に基づいて、前記第一逆電圧の印加又は不印加を決定する第一比較工程と、前記第二測定結果に基づいて、前記第二逆電圧の印加又は不印加を決定する第二比較工程と、を有し、前記主除電工程では、前記第一、第二測定工程を行った後、前記第一、第二比較工程を行い、前記第一比較工程の決定が印加の場合は、前記第一除電工程を行い、不印加の場合は前記第一除電工程を行わず、前記第二比較工程の決定が印加の場合は、前記第二除電工程を行い、不印加の場合は前記第二除電工程を行わない真空処理方法である。
本発明は、前記第一、第二測定工程では、前記処理対象物と前記接地部材とを帯電して導電性を有するガスに接触させて前記処理対象物を接地電位に接続させる真空処理方法である。
本発明は、前記第一測定結果は第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位が測定されて求められ、前記第二測定結果は第二信号配線によって前記第二電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第二被測定部の電位が測定されて求められる真空処理方法である。
本発明は、前記第一被測定部の電位と、前記第二被測定部の電位とは、表面電位計によって非接触で測定される真空処理方法である。

【0021】

本発明は上記のように構成されており、吸着板に内蔵された電極と処理対象物の間のコンデンサの容量をＣとし、処理対象物を接地させたときの残留電荷による電極の電圧をＶとすると、電極と処理対象物の間の残留電荷Ｑは、下記式(１)で表すことができる。
Ｑ ＝ Ｃ・Ｖ……(１)
電極と処理対象物との間の距離をｄとし、比例定数をｋとすると、残留電荷Ｑによる残留吸着力Ｆは、下記(２)式で表すことができる。
Ｆ＝ｋ・Ｑ²／ｄ²……(２)
電圧Ｖを測定すれば残留電荷Ｑや残留吸着力Ｆを求めることができる。また残留電荷Ｑを消滅させるために電極に印加する逆電圧も、測定した残留電荷Ｑと対応して予め測定や計算などによって求めておき、測定した電圧Ｖと、予め求めた残留電荷Ｑと逆電圧の対応とから、印加すべき逆電圧を求めることができる。

【発明の効果】

【0022】

吸着板の残留電荷を剥離前に測定することができる。その際、第一電極と第二電極の残留電荷を別々に測定し、個別に残留電荷を小さくすることができるので、吸着板の残留電荷を小さくすることができる。
また、処理対象物を剥離する前に残留電荷を測定し、逆電圧を印加するので、残留電荷の測定と、測定結果から求めた逆電圧の印加とを、電極毎に繰り返して行うことができるので、残留電荷を一層小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1A】第一例の真空処理装置を説明するための図

【図1B】第一例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図

【図1C】第一、第二電極に形成された貫通孔の位置を示すための図

【図2A】第二例の真空処理装置を説明するための図

【図2B】第二例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図

【図3A】第三例の真空処理装置を説明するための図

【図3B】第三例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図

【図4A】第四例の真空処理装置を説明するための図

【図4B】第四例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図

【図5A】第四例の変形例である第五例の真空処理装置を説明するための図

【図5B】第五例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図

【図6A】吸着装置の等価回路

【図6B】別例の吸着装置の等価回路

【図6C】他の別例の吸着装置の等価回路

【図7A】従来技術の真空処理装置を説明するための図

【図7B】基板を吸着板上に載置した状態を示す図

【図7C】ピンを基板裏面に接触させた状態を示す図

【図7D】ピン上から脱落した基板を示す図

【図8】二個の電極に異なる逆電圧を印加する場合の例

【図9】二個の電極に等しい逆電圧を印加する場合の例

【発明を実施するための形態】

【0024】

図１Ａ、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａには、本発明の第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５がそれぞれ示されている。
各真空処理装置１１〜１５は、真空槽２０と、吸着装置９と、加工装置１８とを有しており、各吸着装置９は、吸着板２２を有している。

【0025】

図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂは、吸着板２２上に処理対象物２３が乗せられた状態を示している。
吸着板２２は、絶縁体が板状に成形された絶縁板２７を有している。
吸着板２２は双極型であり、絶縁板２７の内部に第一電極２ａと第二電極２ｂとが配置されている。

【0026】

吸着板２２に配置された処理対象物２３は、絶縁板２７と接触しており、第一電極２ａは、絶縁板２７の一部又は全部を間に挟んで、処理対象物２３の片面と対面するように配置されており、また、第二電極２ｂも、絶縁板２７の一部又は全部を間に挟んで、第一電極２ａが対面する処理対象物２３と同じ面に対面するようにされている。

【0027】

真空槽２０の底面には、台７３が配置されており、台７３上には温度調整装置３８が配置されている。吸着板２２は、温度調整装置３８上に温度調整装置３８と接触して配置されている。

【0028】

第一電極２ａには、被覆された金属配線である第一電源配線１０ａが接続され、その第一電源配線１０ａは、真空槽２０の壁面(ここでは底壁面)に設けられた端子２８ａを介して、真空槽２０の外部に導出されており、第一電源配線１０ａのうち、真空槽２０の外部に導出された部分は、第一開閉装置７ａを介して、吸着電源２５に接続されている。

【0029】

同様に、第二電極２ｂには、被覆された金属配線である第二電源配線１０ｂが接続され、その第二電源配線１０ｂは、真空槽２０の壁面(ここでは底壁面)に設けられた端子２８ｂを介して、真空槽２０の外部に導出されており、真空槽２０の外部に導出された部分は、第二開閉装置７ｂを介して、吸着電源２５に接続されている。

【0030】

第一、第二開閉装置７ａ、７ｂは、二端子のスイッチ装置であり、二端子間を電気的に遮断させる開状態と、二端子間を電気的に接続する閉状態とを切り替えられるようになっている。

【0031】

第一電源配線１０ａにより、第一開閉装置７ａの一方の端子は第一電極２ａに電気的に接続され、他方の端子は吸着電源２５に電気的に接続されており、第一電極２ａと吸着電源２５とは、第一開閉装置７ａが閉状態のときは電気的に接続され、開状態のときは電気的に遮断される。

【0032】

同様に、第二電源配線１０ｂにより、第二開閉装置７ｂの一方の端子は第二電極２ｂに接続され、他方の端子は吸着電源２５に接続されており、第二電極２ｂと吸着電源２５とは、第二開閉装置７ｂが閉状態のときは電気的に接続され、開状態のときは電気的に遮断される。

【0033】

吸着電源２５が出力した電圧は、第一開閉装置７ａが閉状態のときに第一電極２ａに印加される。また、吸着電源２５が出力した電圧は、第二開閉装置７ｂが閉状態のときに、第二電極２ｂに印加される。
吸着電源２５は、第一、第二開閉装置７ａ、７ｂが閉状態のときには、第一電極２ａと第二電極２ｂのうち、いずれか一方又は両方に電圧を印加することができ、両方に印加するときには、同じ値の電圧や異なる値の電圧(異なる極性の電圧を含む)を印加できるようにされている。

【0034】

吸着板２２に配置された処理対象物２３と第一、第二電極２ａ、２ｂとはそれぞれ平板である。
処理対象物２３と第一電極２ａの間と、処理対象物２３と第二電極２ｂとの間には、絶縁板２７を構成する絶縁体が配置されており、従って、処理対象物２３と第一電極２ａの間には第一コンデンサが形成され、処理対象物２３と第二電極２ｂの間には第二コンデンサがそれぞれ形成される。

【0035】

図６Ａは、吸着装置９の回路図であり、符号２９ａは第一コンデンサを示し、符号２９ｂは第二コンデンサを示している。符号２４ａ，２４ｂは、第一、第二コンデンサ２９ａ，２９ｂに対してそれぞれ並列接続され、漏れ電流が流れる成分である第一、第二の等価抵抗である。

【0036】

吸着板２２に処理対象物２３を配置して処理対象物２３を吸着するときには第一コンデンサ２９ａと第一の等価抵抗２４ａの並列回路と、第二コンデンサ２９ｂと第二の等価抵抗２４ｂの並列回路とは直列接続される。

【0037】

＜配置手順＞
次に、処理対象物２３を吸着板２２に配置する手順を説明する。
真空槽２０には、搬入口７４ａと搬出口７４ｂとが設けられており、また、真空槽２０には、真空排気装置３１が設けられている。

【0038】

搬入口７４ａと搬出口７４ｂとを閉じ、真空槽２０の内部を、真空排気装置３１によって真空排気することによって真空排気工程を行い、真空槽２０の内部を真空雰囲気にする。真空排気装置３１は、継続して真空槽２０の内部を真空排気するものとする。

【0039】

真空槽２０で行う真空処理の前処理側には前段槽３０ａが配置され、後処理側には後段槽３０ｂが配置されており、前段槽３０ａと後段槽３０ｂとは、それぞれ真空雰囲気にされている。
搬入口７４ａを開けると、真空槽２０の内部は前段槽３０ａの内部と接続され、また、搬出口７４ｂを開けると、真空槽２０の内部は後段槽３０ｂの内部と接続されるように構成されている。

【0040】

真空槽２０の内部で真空処理を行う際には、先ず、配置工程を開始し、真空槽２０の内部の真空雰囲気を維持しながら搬入口７４ａを開け、前段槽３０ａの内部に位置する処理対象物(ここでは半導体基板や、金属薄膜が形成されたガラス基板などの基板である。)を真空槽２０の内部に搬入する。

【0041】

真空槽２０の外部には、昇降装置７５が配置されており、昇降装置７５には、上端が真空槽２０の内部に配置された昇降部材７６が取り付けられている。
吸着板２２と温度調整装置３８とには、複数個の貫通孔３６が設けられており、各貫通孔３６には、下端が昇降部材７６に固定されたピン４０がそれぞれ挿通されている。
図１Ｃは、第一、第二電極２ａ、２ｂに形成された貫通孔３６の位置を示している。

【0042】

昇降装置７５が動作すると、昇降部材７６が昇降移動し、それに伴って、ピン４０も昇降移動する。符号７２は、昇降部材７６が昇降移動する台７３内部の空間を示している。符号７９はベロースであり、真空槽２０の内部の雰囲気は、ベロースによって維持される。
昇降装置７５によって、各ピン４０を上昇させ、上端を吸着板２２の表面より上方に位置させ、真空槽２０の内部に搬入された処理対象物２３をピン４０上に乗せる。

【0043】

次いで、ピン４０を降下させ、上端を吸着板２２の表面より下方に位置させると、ピン４０上の処理対象物２３は吸着板２２上に乗る。図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂは、その状態を示している。搬入口７４ａを閉じ、配置工程を終了させる。

【0044】

＜吸着手順＞
次に、処理対象物２３の真空処理手順について説明する。
加工装置１８は、加工ガス導入装置３２を有しており、加工装置１８により、真空槽２０の真空雰囲気中に、プラズマ状の加工ガスや、イオン化した加工ガス等の、帯電した加工ガスを含有させることができるようにされている。加工ガス導入装置３２から、帯電した加工ガスを真空槽２０の真空雰囲気に導入してもよいし、加工装置１８が、加工ガス導入装置３２から真空槽２０の真空雰囲気に導入した加工ガスを、帯電させるようにしてもよい。

【0045】

真空槽２０は接地電位に接続されており、真空槽２０の内部には、真空槽２０の内部に位置し、真空槽２０と同じ接地電位に接続された接地部材が露出されている。ここでは、真空槽２０の内壁面が真空雰囲気に露出され、符号４９の接地部材として用いられている。

【0046】

吸着板２２上に処理対象物２３が配置されたときに形成される第一、第二コンデンサ２９ａ、２９ｂは、一端が互いに接続されており、第一開閉装置７ａと第二開閉装置７ｂとが閉状態にされると、第一、第二コンデンサ２９ａ、２９ｂの他端は、第一、第二の開閉装置７ａ，７ｂを介して吸着電源２５に接続される。
従って、吸着電源２５から、第一電極２ａと第二電極２ｂとに異なる値の電圧を印加すると、第一、第二コンデンサ２９ａ，２９ｂは充電される。

【0047】

ここでは、第一電極２ａと第二電極２ｂのうち、一方に負極性の電圧を出力し、他方に正極性の電圧を出力することで第一電極２ａと第二電極２ｂの間に吸着電圧を印加する。
吸着電源２５の中の符号７０ａは、吸着装置９に用いた吸着電源２５の内部で、第一電極２ａに電圧を印加する回路を示しており、符号７０ｂは、吸着電源２５の内部で第二電極２ｂに電圧を印加する回路を示している。

【0048】

吸着工程を開始し、吸着電源２５から、第一電極２ａと接地電位との間に第一吸着電圧を印加し、第二電極２ｂと接地電位の間に、第一吸着電圧とは異なる第二吸着電圧を印加し、第一、第二コンデンサ２９ａ，２９ｂを充電させ、処理対象物２３を吸着板２２に吸着させる。

【0049】

第一吸着電圧と第二吸着電圧とは、符号が異なる電圧であるのが普通で有り、一般的には、絶対値が同じで符号が異なる電圧の印加である。

【0050】

吸着された状態では、処理対象物２３と絶縁板２７との間の熱抵抗は、吸着されていない状態のときよりも小さくなっており、処理対象物２３は、温度調整装置３８によって温度制御されながら、加工装置１８によって真空処理をすることができる。

【0051】

＜真空処理＞
加工装置１８を用いて行う真空処理工程を説明すると、第一例の真空処理装置１１の加工装置１８は、真空槽２０内に配置されたカソード電極３３と、カソード電極３３に設けられたターゲット３４とを有しており、加工ガス導入装置３２から、アルゴンガス等の希ガスから成るスパッタリングガスを真空槽２０の内部に加工ガスとして供給し、加工ガスを真空槽２０の内部の真空雰囲気への導入開始によって真空処理工程が開始される。

【0052】

次いで、第一、第二電極２ａ、２ｂの間に吸着電圧を印加し、処理対象物２３を吸着板２２に吸着すると共に、加工ガスを導入しながら、スパッタ電源３５によって、カソード電極３３に負電圧を印加し、加工ガスのプラズマを生成するとターゲット３４がスパッタリングされ、処理対象物２３の表面に薄膜が成長する。
薄膜が所定膜厚に形成されると、真空処理工程は終了する。

【0053】

図２Ｂの第二例の真空処理装置１２と、図４Ｂ、図５Ｂの第四、第五例の真空処理装置１４、１５とに設けられた加工装置１８は、シャワーヘッド４３と、プラズマ電源４５とを有しており、加工ガス導入装置３２はシャワーヘッド４３に接続され、真空処理工程は、薄膜の原料ガスである加工ガスを、加工ガス導入装置３２からシャワーヘッド４３を介して真空槽２０の内部の真空雰囲気への導入を開始することで開始される。

【0054】

プラズマ電源４５は、シャワーヘッド４３に接続されており、プラズマ電源４５を起動してシャワーヘッド４３に電圧を印加すると、加工ガスのプラズマが生成され、処理対象物２３の表面で化学反応が生じて、吸着板２２に吸着された処理対象物２３の表面に薄膜が形成され、所定膜厚に形成されることで真空処理工程が終了する。

【0055】

図３Ｂの第三例の真空処理装置１３では、加工装置１８は、ターゲット３４と、イオンガン７１とを有している。
イオンガン７１は、イオン生成装置４６と、イオン生成電源４８と、加工ガス導入装置３２とを有しており、先ず、加工ガス導入装置３２から、アルゴンガス等の加工ガスをイオン生成装置４６内に導入することで真空処理工程が開始され、次いで、イオン生成電源４８から供給された電圧によって、導入された加工ガスのプラズマを形成し、加工ガスを電離させて帯電した加工ガスを生成する。生成された帯電した加工ガスは、加速されてターゲット３４に照射され、ターゲット３４がスパッタリングされて、吸着板２２に吸着された処理対象物２３の表面に薄膜を所定膜厚に形成し、真空処理工程を終了させる。

【0056】

本発明の真空処理装置１１〜１５は、制御装置３９を有しており、加工装置１８は、制御装置３９によって動作が開始された後、真空処理工程が終了すると、制御装置３９は、加工装置１８の動作を停止させると共に、吸着電源２５の出力電圧を接地電位に設定し、第一、第二電極２ａ、２ｂを接地電位に接続し、第一、第二電極２ａ、２ｂの残留電荷を少量放電させることができる。

【0057】

＜接地電位接続手順＞
次に、残留電荷を測定する手順を説明する。
本発明の第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５は、真空槽２０の真空雰囲気中に、導電性を有する帯電ガスを含有させる帯電ガス生成装置１９を有している。

【0058】

第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５のうち、第一例〜第三例、第五例の真空処理装置１１〜１３、１５では、加工装置１８が帯電ガス生成装置１９として用いられており、加工ガス導入装置３２から帯電ガス生成装置１９(加工装置１８)に希ガスや窒素ガス等の反応性が低い低反応性ガスが供給され、低反応性ガスは帯電ガス生成装置１９内で帯電されて、真空槽２０の内部に導電性を有する帯電ガスとして放出される。その結果、真空槽２０の真空雰囲気中に、導電性を有する帯電ガスを含有させることができる。

【0059】

第四例の真空処理装置１４では、第三例の真空処理装置１３に設けられたイオンガン７１と同じ構成のイオンガンが帯電ガス生成装置１９として設けられている。
この帯電ガス生成装置１９は、イオン生成装置４６と、イオン生成電源４８と、低反応性ガス導入装置４２とを有しており、制御装置３９の制御によって、低反応性ガス導入装置４２から、アルゴンガス等の低反応性ガスをイオン生成装置４６内に導入し、イオン生成電源４８から供給された電圧によって、低反応性ガスのプラズマを形成し、低反応性ガスを電離させ、帯電した低反応性ガスを生成する。

【0060】

真空処理工程の終了後、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５では、制御装置３９によって、第一開閉装置７ａと第二開閉装置７ｂとは開状態にされ、第一、第二電極２ａ、２ｂを吸着電源２５から切り離し、第一、第二電極２ａ、２ｂを浮遊電位に置く。

【0061】

次いで、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５では、制御装置３９により、真空槽２０の内部に帯電ガス生成装置１９から帯電ガスが導入され、吸着板２２上に配置された処理対象物２３と接地部材４９とが、帯電ガスに接触すると、処理対象物２３は接地電位に接続される。
帯電した低反応性ガスは真空槽２０の内部に導電性を有する帯電ガスとして放出し、真空雰囲気に含有させることができる。低反応性ガスには加工ガスと同種類のガスを用いてもよい。

【0062】

第一例〜第三例、第五例の真空処理装置１１〜１３、１５では、加工装置１８が帯電ガス生成装置１９として用いられたが、第四例の真空処理装置１４では、加工装置１８を動作させずに、帯電ガス生成装置１９を動作させて、真空雰囲気に導電性を有する帯電ガスを含有させることができる。

【0063】

第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５において、真空雰囲気に含有された導電性を有する帯電ガスは、吸着板２２上の処理対象物２３と接地部材４９とに接触し、処理対象物２３は接地電位に接続される。

【0064】

他方、第五例の真空処理装置１５には、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５の帯電ガス生成装置１９とは別に、接地接続装置５０が設けられている。
接地接続装置５０は、装置本体５１と、装置本体５１に設けられ、接地電位に接続された触針５２とを有しており、制御装置３９は装置本体５１を制御し、触針５２を接地部材４９として、吸着板２２上に配置された処理対象物２３の表面又は裏面に接触させることで処理対象物２３が接地電位に接続される。

【0065】

触針５２を接地部材４９にして処理対象物２３を接地電位に接続させる真空処理装置１５が例えばイオン注入装置であれば、触針５２を処理対象物２３に接触させてイオン注入処理を行える点で都合がよい。他方、触針５２は、プラズマに曝されると劣化するため、処理対象物２３に行う真空処理が、処理対象物２３をプラズマに曝さない処理であれば都合がよい。

【0066】

＜測定手順＞
次に、第一、第二測定工程を説明する。
制御装置３９は、導電性を有する帯電ガスや、接地接続装置５０によって処理対象物２３を接地電位に接続した状態で、第一、第二開閉装置７ａ、７ｂを開状態にし、第一、第二電極２ａ、２ｂを吸着電源２５から遮断させることで、第一、第二測定工程を開始する。

【0067】

真空処理工程が終了した後は、第一、第二コンデンサ２９ａ、２９ｂには、残留電荷が蓄積されており、処理対象物２３が接地電位に接続され、第一、第二電極２ａ、２ｂが吸着電源２５から遮断されていると、第一、第二電極２ａ、２ｂには、第一、第二コンデンサ２９ａ、２９ｂに蓄積された残留電荷の大きさに応じた大きさの電位が現れる。

【0068】

吸着装置９は、第一電極２ａに接続された第一信号配線１７ａと、第二電極２ｂに接続された第二信号配線１７ｂと、第一信号配線１７ａに接続された第一被測定部３ａと、第二信号配線１７ｂに接続された第二被測定部３ｂと、第一被測定部３ａの電位を測定する第一電位測定装置４ａと、第二被測定部３ｂの電位を測定する第二電位測定装置４ｂとを有している。

【0069】

ここでは、第一被測定部３ａと第二被測定部３ｂとは露出された金属配線又は露出された金属片であり、第一被測定部３ａは、第一電源配線１０ａの真空槽２０の外部に位置する部分に接続され、第一電源配線１０ａのうち、第一電極２ａと第一被測定部３ａが接続された部分の間が第一信号配線１７ａにされており、同様に、第二被測定部３ｂは、第二電源配線１０ｂの真空槽２０の外部に位置する部分に接続されており、第二電源配線１０ｂのうち、第二電極２ｂと第二被測定部３ｂが接続された部分の間が第二信号配線１７ｂにされている。

【0070】

第一電位測定装置４ａと第二電位測定装置４ｂとは表面電位計であり、第一電位測定装置４ａは、第一電位検出部５ａと、第一測定装置本体６ａとを有しており、第二電位測定装置４ｂは、第二電位検出部５ｂと、第二測定装置本体６ｂとを有している。
符号４４ａは、第一電位検出部５ａと第一測定装置本体６ａとを接続する金属配線であり、符号４４ｂは、第二電位検出部５ｂと第二測定装置本体６ｂとを接続する金属配線である。

【0071】

第一電位検出部５ａは、第一被測定部３ａとは非接触で、第一被測定部３ａの近傍に配置されており、第二電位検出部５ｂは、第二被測定部３ｂとは非接触で、第二被測定部３ｂの近傍に配置されている。

【0072】

第一測定工程では、処理対象物２３が接地電位に接続され、第一、第二電極２ａ，２ｂが吸着電源２５から切り離された状態で、第一電位検出部５ａは、第一被測定部３ａの電位を検出し、検出結果を示す電位信号を生成し、第一測定装置本体６ａに第一測定結果として出力する。
第一測定装置本体６ａは、入力された電位信号に基づいて、第一電極２ａの極性と接地電位を基準とした電位の値とを求め、求めた極性と電位の値とを制御装置３９に出力すると、第一電位測定装置４ａによる第一測定工程が終了される。

【0073】

第二測定工程では、処理対象物２３が接地電位に接続され、第一、第二電極２ａ，２ｂが吸着電源２５から切り離された状態で、第二電位検出部５ｂは、第二被測定部３ｂの電位を検出し、検出結果を示す電位信号を生成し、第二測定装置本体６ｂに第二測定結果として出力する。
第二測定装置本体６ｂは、入力された電位信号に基づいて、第二電極２ｂの極性と接地電位を基準とした電位の値とを求め、求めた極性と電位の値とを制御装置３９に出力すると、第二電位測定装置４ｂによる第二測定工程が終了される。

【0074】

＜除電の手順＞
次に、残留電荷を消滅させるために第一、第二電極２ａ、２ｂに印加する電圧を求める手順について説明する。
第一コンデンサ２９ａに蓄積された残留電荷を第一残留電荷とし、第二コンデンサ２９ｂに蓄積された残留電荷を第二残留電荷とすると、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５を用いて、第一残留電荷と第一電極２ａの電位との間の関係である第一対応関係が予め測定され、また、第二残留電荷と第二電極２ｂの電位との間の関係である第二対応関係とが予め測定されており、測定された第一、第二対応関係は、記憶装置４１に記憶されている。

【0075】

また、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５を用いて、第一コンデンサ２９ａの第一残留電荷の値と、その第一残留電荷を消滅させるために第一電極２ａに印加する第一逆電圧の値との関係である第一逆対応関係と、第二コンデンサ２９ｂの第二残留電荷の値と、その第二残留電荷を消滅させるために第二電極２ｂに印加する第二逆電圧の値との関係である第二逆対応関係とが測定され、記憶装置４１には、第一、第二逆対応関係が記憶されている。

【0076】

第一対応関係と第一逆対応関係とを、第一電位関係とし、第二対応関係と第二逆対応関係とを、第二電位関係とすると、記憶装置４１には、第一電位関係と第二電位関係とが記憶されており、制御装置３９は、第一測定結果を、記憶装置４１に記憶された第一電位関係に照合して第一求電圧工程を開始し、第一残留電荷を求め、求めた第一残留電荷から第一逆電圧を求めて第一求電圧工程を終了させ、次に、又は求電圧工程よりも前に、又は同時に、制御装置３９が第二測定結果を照合して第二求電圧工程を開始し、第二残留電荷を求め、求めた第二残留電荷から第二逆電圧を求め第二求電圧工程を終了させる。

【0077】

第一測定結果の正負符号と第二測定結果の正負符号とが反対である場合は、第一逆電圧の極性は第一測定結果の極性とは逆極性であり、第二逆電圧の極性は第二測定結果とは逆極性である。

【0078】

次に、制御装置３９は、帯電ガス生成装置１９又は接地接続装置５０を動作させ、導電性を有する帯電ガス又は触針５２によって処理対象物２３を接地電位に接続する。
図６Ａの符号７８は、制御装置３９が帯電ガスを真空雰囲気に含有させ、又は、接地接続装置５０を動作させて触針５２を処理対象物に接触させて、処理対象物２３を接地電位に接続し、その逆に、制御装置３９が帯電ガスを真空雰囲気に含有させず、又は、接地接続装置５０を動作させて触針５２を処理対象物２３から離間させて、処理対象物２３を接地電位から切り離すことで、処理対象物２３を接地電位に接続し、又は、接地電位から切り離すことを示す等価的な開閉部材である。
第一、第二コンデンサ２９ａ、２９ｂの処理対象物２３側の端子は、この等価的な開閉部材７８が閉状態になったときに、接地電位に接続される。

【0079】

次に、逆電圧を用いた除電手順について説明する。
ここでは、制御装置３９は、導電性を有する帯電ガスや、接地接続装置５０によって処理対象物２３を接地電位に接続した状態にさせており、第一除電工程を開始し、第一開閉装置７ａを閉状態、第二開閉装置７ｂを開状態にし、第一電極２ａを吸着電源２５に接続させ、第二電極２ｂを吸着電源２５から切り離す。

【0080】

次いで、制御装置３９は吸着電源２５を動作させ、第一電極２ａに第一逆電圧を印加して第一コンデンサ２９ａに蓄積された第一残留電荷を減少させ、第一除電工程を終了させる。
次に、処理対象物２３が接地電位に接続された状態で、第二除電工程を開始し、第二開閉装置７ｂを閉状態、第一開閉装置７ａを開状態にし、第二電極２ｂを吸着電源２５に接続させ、第一電極２ａを吸着電源２５から切り離す。
次いで、制御装置３９は吸着電源２５を動作させ、第二電極２ｂに第二逆電圧を印加して第二コンデンサ２９ｂに蓄積された第二残留電荷を減少させ、第二除電工程を終了させる。

【0081】

以上は、第一、第二測定工程と、第一、第二求電圧工程と、第一、第二除電工程とを有する主除電工程について説明したが、主除電工程には、第一測定結果に基づいて、第一逆電圧の印加と不印加を決定する第一比較工程と、第二測定結果に基づいて第二逆電圧の印加と不印加を決定する第二比較工程とを設け、第一測定工程を行った後、第一比較工程での決定が印加の場合は、第一除電工程によって第一電極２ａに第一逆電圧を印加し、第一比較工程での決定が不印加の場合は、第一除電工程を行わず、第一電極２ａには第一逆電圧を印加しない。

【0082】

また、第二測定工程を行った後、第二比較工程での決定が印加の場合は、第二除電工程によって第二電極２ｂに第二逆電圧を印加し、第二比較工程での決定が不印加の場合は、第二除電工程を行わず、第二電極２ｂには第二逆電圧を印加しない。

【0083】

具体的に第一、第二比較工程を説明すると、記憶装置４１には、基準電位範囲が記憶されており、第一比較工程は、第一測定結果を基準電位範囲と比較し、第一測定結果の値が基準電位範囲内に位置していることを示す場合は不印加の決定をし、第一測定結果の値が基準電位範囲内に位置していないことを示す場合は印加の決定をする。

【0084】

第二比較工程は、第二測定結果を基準電位範囲と比較し、第二測定結果の値が基準電位範囲内に位置していることを示す場合は不印加の決定をし、第二測定結果の値が基準電位範囲内に位置していないことを示す場合は印加の決定をする。

【0085】

又は、記憶装置４１には、基準逆電圧範囲を記憶させ、第一測定工程と第一求電圧工程の後で、第一比較工程を行い、また、第二測定工程と第二求電圧工程の後で、第二比較工程を行うようにし、第一比較工程は、第一逆電圧の値を基準逆電圧範囲と比較し、比較結果が、第一逆電圧の値が基準逆電圧範囲内に位置していたことを示す場合は不印加と決定し、第一逆電圧の値が基準逆電圧範囲内に位置していないことを示す場合は印加と決定する。

【0086】

また、第二比較工程は、第二逆電圧の値を基準逆電圧範囲と比較し、比較結果が、第二逆電圧の値が基準逆電圧範囲内に位置していたことを示す場合は不印加と決定し、第二逆電圧の値が基準逆電圧範囲内に位置していないことを示す場合は印加と決定する。

【0087】

以上は、第一、第二測定工程後、第一、第二求電圧工程を行ったが、第一測定工程、第一求電圧工程、第二測定工程、第二求電圧工程の順序でおこなってもよい。
また、第一測定工程、第一求電圧工程、第一除電工程をこの順序で行った後、第二測定工程、第二求電圧工程、第二除電工程をこの順序でおこなってもよい。

【0088】

上記第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５は、処理対象物２３の表面に薄膜を形成する装置であったが、処理対象物２３の表面をエッチングするエッチング装置など、種々の装置が含まれる。

【0089】

以上説明した真空処理装置１１〜１５では、第一、第二被測定部３ａ、３ｂは、真空槽２０の外部に設けられており、第一、第二被測定部３ａ、３ｂの電位を測定し易く、また、第一，第二電位検出部５ａ、５ｂを真空槽２０の外部に配置することができるため、第一，第二電位検出部５ａ、５ｂが真空処理の影響を受けることが無く、寿命が長くなる。但し、第一、第二被測定部３ａ、３ｂを、真空槽２０の内部に設けた吸着装置や真空処理装置には、その利点が無いが、本発明に含まれる。

【0090】

また、以上説明した第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５では、導電性を有する帯電ガスを真空雰囲気に含有させて、残留電荷に応じた第一、第二電極２ａ、２ｂの電位を測定する際に、帯電ガス生成装置１９は、直流電圧を用いて導電性を有する帯電ガスを生成することが望ましい。電位の測定中には、交流電圧を停止させなくても測定は可能である。

【0091】

なお、上記第一，第二測定装置本体６ａ、６ｂには、例えば振動容量方法等、種々の測定原理に基づいて動作する装置が含まれる。
なお、上記第一電極２ａと第二電極２ｂは、それぞれ一枚の電極であったが、第一電極２ａと第二電極２ｂとは、吸着電源２５から同じ電圧が印加される複数の電極で構成することができる。

【0092】

以上は第一、第二電極２ａ、２ｂに、第一、第二逆電圧を印加することで、除電したが、第一、第二逆電圧を印加するのでは無く、プラズマや帯電ガスを処理対象物２３と接地部材４９とに接触させ、処理対象物２３を接地部材４９に接続させることで、除電を行っても良い。

【0093】

第五例の加工装置１８も、帯電ガス生成装置１９として動作させることができるので、第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５では、第一除電工程では、第一電極２ａを接地電位に接続し、第二電極２ｂを電気的に浮遊させた状態で、第一測定結果の値に応じた電力で帯電ガスを発生させ、第一コンデンサ２９ａを放電させることで第一電極２ａの除電を行い、次に、第二除電工程では、第二電極２ｂを接地電位に接続し、第一電極２ａを電気的に浮遊させた状態で、第二測定結果の値に応じた電力で帯電ガスを発生させ、第二コンデンサ２９ｂを放電させることで第二電極２ｂの除電をおこなってもよい。

【0094】

第一、第二電極２ａ、２ｂを接地電位に接続するためには、吸着電源２５から接地電位の電圧を第一、第二電極２ａ、２ｂにそれぞれ印加してもよいが、吸着電源２５から接地電位の電圧を印加するのでは無く、吸着電源２５の内部又は外部に第一、第二補助開閉装置を設け、第一補助開閉装置を閉状態にすることによって、第一電極２ａを接地電位に接続し、第二補助開閉装置を閉状態にすることで第二電極２ｂを接地電位に接続してもよい。

【0095】

以上説明した主除電工程は、繰り返し行うことで、第一、第二コンデンサ２９ａ，２９ｂの残留電荷をゼロに近づけることができるので、上限回数を設定しておき、主除電工程の繰り返し回数が上限回数に到達する前であっても、第一、第二の比較結果の両方が、不印加を決定した場合に、主除電工程を終了させることができるようにしておくと、少ない時間で、残留電荷をゼロに近づけることができる。

【0096】

以上は、スパッタ装置やＣＶＤ装置等の成膜装置を例にしたが、本発明は、成膜装置の他、エッチング装置やイオン注入装置等、成膜対象物を真空雰囲気中で処理する真空処理装置が広く含まれる。

【0097】

特に、イオン注入装置の場合は、処理対象物を真空雰囲気中に配置して処理対象物にイオンを注入するときには、上述の接地接続装置５０によって、処理対象物を接地電位に接続しているから、プラズマを用いずに接地接続装置５０によって処理対象物を接地電位に接続し、第一、第二電極２ａ、２ｂの電位を測定することができる。

【0098】

以上説明した各真空処理装置１１〜１５を構成する帯電ガス生成装置１９等の部材は、制御装置３９によって制御されているが、残留電荷の測定結果の値が異常であった場合には、制御装置３９が警報を出力するようにしたり、又は、制御装置３９が処理対象物２３の種類を判別して、逆電圧等の除電の条件を変更する等、制御装置３９に記憶された処理手順を追加、変更することで、真空処理装置１１〜１５の動作の追加や変更をすることができる。

【0099】

＜逆電圧の例＞
図８のグラフは、正電圧が印加されるプラス電極である第一電極２ａと、負電圧が印加されるマイナス電極である第二電極２ｂの残留電荷の一例であり、第一電極２ａには、−１２５Ｖの逆電圧が印加されて残留電荷がゼロになり、第二電極２ｂには、＋１８０Ｖの逆電圧が印加されて残留電荷がゼロになっている。

【0100】

＜吸着装置の他の例＞
図６Ｂは、吸着装置９の別例の等価回路であり、第一電源配線１０ａ，１０ｂには、分岐のための第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂが電気的に接続されており、その分岐のための第一，第二信号配線１７ａ，１７ｂに、第一、第二被測定部３ａ，３ｂが電気的にそれぞれ接続されている。

【0101】

分岐のための第一，第二信号配線１７ａ，１７ｂがそれぞれ接続された第一，第二電源配線１０ａ，１０ｂの位置と、第一，第二電極２ａ，２ｂとの間の第一，第二電源配線１０ａ，１０ｂは、第一，第二信号配線１７ａ，１７ｂとしても用いられている。

【0102】

この図６Ｂの等価回路の吸着装置９でも、第一被測定部３ａの電位を非接触の第一電位検出部５によって検出することで、第一電極２ａの電位を測定し、測定結果から逆電圧を求めて印加することができる。又、双極型の吸着装置９の第一、第二電源配線１０ａ，１０ｂに、それぞれ分岐のための第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂを接続し、その分岐のための第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂに第一、第二被測定部３ａ、３ｂを電気的に接続して、第一、第二被測定部３ａ、３ｂの電位を第一、第二電位検出部５ａ，５ｂによって検出することで、第一、第二電極２ａ，２ｂの電位を測定し、測定結果から逆電圧を求めて、第一、第二電極２ａ，２ｂに印加することができる。

【0103】

図６Ｃは、吸着装置９の他の別例の等価回路であり、流れる電流を制限するための１０¹⁰Ω以上の高インピーダンスの第一電流制限装置３７ａによって、第一電位検出部５ａを第一電源配線１０ａに接続し、第二電流制限装置３７ｂによって、第二電位検出部５ｂを第二電源配線１０ｂに接続することで、第一、第二電位検出部５ａ，５ｂを第一，第二電極２ａ，２ｂに電気的にそれぞれ接続したときの等価回路である。

【0104】

ここでも第一信号配線１７ａは一部が第一電源配線１０ａと共用にされ、第二信号配線１７ｂは一部が第二電源配線１０ｂと共用にされている。
第一、第二電位検出部５ａ，５ｂが第一、第二電流制限装置３７ａ，３７ｂを介して第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂの電位を検出することで、第一、第二電極２ａ，２ｂの電位を測定する。

【産業上の利用可能性】

【0105】

本発明は、被保持物体を静電吸着できるように構成された静電吸着装置に関するものである。さらに詳しくは、残留吸着力の除去は、プロセスの条件や被保持物体の種類、または静電吸着装置の種類や印加電圧やその吸着時間により変動する。本発明は、残留電荷の存在する電極を個別に除電することで、完全に電荷を除去することができる。除電方法は、プラズマを介し基板と静電チャック電極を接地する方法、あるいは、最適な電荷を注入し、基板と静電チャック電極間の電位差を相殺し残留吸着力を除去するいずれの方法でも良い。

【符号の説明】

【0106】

２ａ……第一電極
２ｂ……第二電極
４ａ……第一電位測定装置
４ｂ……第二電位測定装置
５ａ……第一電位検出部
５ｂ……第二電位検出部
６ａ……第一測定装置本体
６ｂ……第二測定装置本体
７ａ……第一開閉装置
７ｂ……第二開閉装置
９……吸着装置
１０ａ……第一電源配線
１０ｂ……第二電源配線
１１〜１５……真空処理装置
１７ａ……第一信号配線
１７ｂ……第二信号配線
１８……加工装置
１９……帯電ガス生成装置
２０……真空槽
２２……吸着板
２３……処理対象物
２５……吸着電源
３７ａ……第一電流制限装置
３７ｂ……第二電流制限装置
３９……制御装置
４１……記憶装置

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8】

【図9】