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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6478801
(24)【登録日】2019年2月15日
(45)【発行日】2019年3月6日
(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20190225BHJP
B23K 26/00 20140101ALI20190225BHJP
B23K 26/364 20140101ALI20190225BHJP
B23K 26/70 20140101ALI20190225BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 Q
H01L21/78 B
H01L21/78 F
B23K26/00 M
B23K26/364
B23K26/70
【請求項の数】2
【全頁数】13
(21)【出願番号】特願2015-101599(P2015-101599)
(22)【出願日】2015年5月19日
(65)【公開番号】特開2016-219564(P2016-219564A)
(43)【公開日】2016年12月22日
【審査請求日】2018年3月26日
(73)【特許権者】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100089118
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 宏明
(72)【発明者】
【氏名】小川 雄輝
(72)【発明者】
【氏名】長岡 健輔
(72)【発明者】
【氏名】小幡 翼
(72)【発明者】
【氏名】伴 祐人
【審査官】
儀同 孝信
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１４−１６５２４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開昭６３−０３６９８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２００５／０２０２６５１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
特開平０６−２２４２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−２９５８９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００８−０９１７７９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ２１／３０１
Ｂ２３Ｋ ２６／００
Ｂ２３Ｋ ２６／３６４
Ｂ２３Ｋ ２６／７０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の表面に積層された機能層に、格子状に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成され、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えるウエーハの加工方法であって、
機能層の表面に外的刺激によって硬化する保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
基板の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削し、機能層に至らない残存部を残した切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップを実施した後、基板に吸収性を有する波長のレーザー光線を該切削溝に沿って照射し、該残存部を分割してウエーハをデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該切削溝形成ステップでは、外周余剰領域に切削溝を形成しない非加工部を形成するウエーハの加工方法。
機能層の表面に外的刺激によって硬化する保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
基板の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削し、機能層に至らない残存部を残した切削溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップを実施した後、基板に吸収性を有する波長のレーザー光線を該切削溝に沿って照射し、該残存部を分割してウエーハをデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該切削溝形成ステップでは、外周余剰領域に切削溝を形成しない非加工部を形成するウエーハの加工方法。
【請求項2】
該分割ステップでは、該非加工部を含む分割予定ラインに対応した領域にレーザー光線を照射して、該非加工部の表面にレーザー加工溝を形成し、
該非加工部に形成された該レーザー加工溝を撮像手段で撮像し、所望のレーザー光線照射位置と該レーザー加工溝の位置とのずれ量を加工位置補正情報として検出するずれ量検出ステップと、
該加工位置補正情報に基づいてレーザー光線の照射位置を補正する位置補正ステップと、
を備えることを特徴とする請求項１記載のウエーハの加工方法。
該非加工部に形成された該レーザー加工溝を撮像手段で撮像し、所望のレーザー光線照射位置と該レーザー加工溝の位置とのずれ量を加工位置補正情報として検出するずれ量検出ステップと、
該加工位置補正情報に基づいてレーザー光線の照射位置を補正する位置補正ステップと、
を備えることを特徴とする請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウエーハは、処理能力向上のため基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によって半導体デバイスを形成する製造方法が実用化されている。この膜は、切削ブレードによる切削では容易に基板から剥離してしまう脆い性質があるため、レーザー光線により膜をグルービングして除去し、その間に切削ブレードを位置付けて基板を分割する加工方法が実施されている（特許文献１）。
【0003】
しかしながら、この加工方法では、切削ブレードの幅を超えて機能層を除去するため、複数回のレーザー走査が必要であり加工時間が長くかかった、機能層を除去して形成した溝の形状によってはブレードが偏摩耗してしまったり、レーザー加工で発生するデブリの付着防止のため保護膜を被覆する必要があったり、機能層の表面にはＳｉＯ２、ＳｉＮ等を含むパシベーション膜が形成されているため、レーザーを照射するとパシベーション膜を透過して機能層の内部に達し、デバイスを損傷してしまう恐れがあったりといった、課題があった。
【0004】
そこで、本発明の出願人は、ウエーハの裏面から切削ブレードで所定量切り残し部を備えた溝を形成し、溝越しにレーザー又はプラズマエッチングにより機能層を除去する事で、こうした課題を解決できる加工方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００５−６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、ウエーハの裏面から切削ブレードで所定量切り残し部を備えた溝を形成し、溝越しにレーザー又はプラズマエッチングにより機能層を除去する加工方法では、切削ブレードでウエーハ（基板）の厚さの大半を切削後、レーザー加工装置に搬入し、ウエーハを分割するため、搬送時にウエーハが破損する恐れが残されていた。また、切削溝の溝底にレーザー光線を照射するが、溝底を撮像してもレーザー光線の照射跡が見えにくく、照射位置がずれていたとしても、位置ずれを発見することが難しく、レーザー光線の照射位置を補正しにくいという課題もあった。
【0007】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その技術的課題は、搬送時にウエーハが破損することを抑制でき、レーザー光線の照射位置を容易に補正することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、基板の表面に積層された機能層に、格子状に形成された複数の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成され、デバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えるウエーハの加工方法であって、機能層の表面に外的刺激によって硬化する保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、基板の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削し、機能層に至らない残存部を残した切削溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップを実施した後、基板に吸収性を有する波長のレーザー光線を該切削溝に沿って照射し、該残存部を分割してウエーハをデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該切削溝形成ステップでは、外周余剰領域に切削溝を形成しない非加工部を形成することを特徴とする。
【0009】
また、上記ウエーハの加工方法において、該分割ステップでは、該非加工部を含む分割予定ラインに対応した領域にレーザー光線を照射して、該非加工部の表面にレーザー加工溝を形成し、該非加工部に形成された該レーザー加工溝を撮像手段で撮像し、所望のレーザー光線照射位置と該レーザー加工溝の位置とのずれ量を加工位置補正情報として検出するずれ量検出ステップと、該加工位置補正情報に基づいてレーザー光線の照射位置を補正する位置補正ステップと、を備えるものとすることができる。
【発明の効果】
【0010】
そこで、本願発明のウエーハの加工方法では、切削溝形成ステップでウエーハの外周余剰領域に非加工部を形成するので、ウエーハの外周に補強部があるような状態になるため、搬送時にウエーハが破損することを抑制できる、と言う効果を奏する。さらに、非加工部にもレーザー光線を照射することで、平坦な表面である非加工部でレーザー光線の照射位置を明確に確認する事が可能であるため、レーザー光線の照射位置を容易に補正することができるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【0013】
〔実施形態〕実施形態に係るウエーハの加工方法を、図１から図１６に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図、図２は、実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの要部の断面図、図３（ａ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護テープ貼着ステップの保護テープ貼着前のウエーハなどを示す斜視図、図３（ｂ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護テープ貼着ステップの保護テープ貼着後のウエーハを示す斜視図、図４は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護テープ貼着ステップ後のウエーハが切削装置のチャックテーブルに保持された状態を示す斜視図、図５（ａ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の高さ記録ステップ前の概要を示す側面図、図５（ｂ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の高さ記録ステップ後の概要を示す側面図、図６（ａ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の厚み記録ステップ前の概要を示す側面図、図６（ｂ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の厚み記録ステップ後の概要を示す側面図、図７（ａ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の切削溝形成ステップの切削溝形成開始時を示す断面図、図７（ｂ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の切削溝形成ステップの切削溝形成終了時を示す断面図、図８（ａ）は、図７（ａ）中のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線に沿う断面図、図８（ｂ）は、図７（ｂ）中のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿う断面図、図９は、実施形態に係るウエーハの加工方法の切削溝形成ステップ後のウエーハがレーザー加工装置のチャックテーブルに保持された状態を示す斜視図、図１０は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップの概要を示す断面図、図１１（ａ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップのレーザー加工溝形成前のウエーハの要部の断面図、図１１（ｂ）は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップのレーザー加工溝形成後のウエーハの要部の断面図、図１２は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップのレーザー加工溝形成途中のウエーハなどを示す斜視図、図１３は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップのレーザー加工溝形成途中のウエーハなどを示す他の斜視図、図１４は、図９中のＸＩＶ部をレーザー加工装置の撮像手段が撮像して得た画像の一例を示す図、図１５は、図１２及び図１３中のＸＶ部をレーザー加工装置の撮像手段が撮像して得た画像の一例を示す図、図１６は、実施形態に係るウエーハの加工方法のフローの一例を示す図である。
【0014】
実施形態に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と呼ぶ）は、図１及び図２に示すウエーハＷを加工する加工方法であって、表面Ｂａに機能層ＦＬが積層された基板Ｂの裏面Ｂｂ側から切削溝ＣＲ（図８などに示す）を形成した後に、切削溝ＣＲの底面にレーザー光線Ｌ（図１０に示す）を照射して個々のデバイスチップＤＴ（図１３に示す）に分割する方法である。なお、本実施形態に係る加工方法により個々のデバイスチップＤＴに分割される加工対象としてのウエーハＷは、図１及び図２に示すように、厚さが５０μｍ〜３００μｍのシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハで構成された基板Ｂと、基板Ｂの表面Ｂａに絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された機能層ＦＬとを備えている。ウエーハＷは、基板Ｂの表面Ｂａに積層された機能層ＦＬに格子状に形成された複数の分割予定ラインＳ１，Ｓ２と分割予定ラインＳ１，Ｓ２に区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスチップＤＴを構成するデバイスＤが形成されたものである。即ち、デバイスチップＤＴは、デバイスＤを含んで構成される。
【0015】
なお、分割予定ラインＳ１，Ｓ２として、互いに平行な複数の分割予定ラインＳ１と、これら複数の分割予定ラインＳ１に直交する複数の平行な複数の分割予定ラインＳ２とが設けられている。また、ウエーハＷは、デバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＲと、デバイス領域ＤＲを囲繞するとともにデバイスＤが形成されていない外周余剰領域ＧＲとを備える。
【0016】
本実施形態では、機能層ＦＬを形成する絶縁膜は、ＳｉＯ２膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなり、厚みが、１０μｍに設定されている。このようにして構成された機能層ＦＬは、表面にＳｉＯ２、ＳｉＮ等を含むパシベーション膜が形成されている。分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の機能層ＦＬの表面は、図２に示すように、デバイスＤ上の機能層ＦＬの表面よりも若干低く形成されている。
【0017】
実施形態に係る加工方法は、ウエーハＷを分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って分割する加工方法であって、図１６に示すように、保護テープ貼着ステップＳＴ１と、高さ記録ステップＳＴ２と、厚み記録ステップＳＴ３と、切削溝形成ステップＳＴ４と、分割ステップＳＴ５とを備える。
【0018】
実施形態に係る加工方法は、まず、保護テープ貼着ステップＳＴ１において、図３（ａ）に示すように、ウエーハＷを構成する機能層ＦＬの表面に外的刺激によって硬化する粘着層を有する保護テープＴＧを対向させた後、機能層ＦＬの表面に、図３（ｂ）に示すように、デバイスＤを保護するために保護テープＴＧを貼着する。なお、保護テープＴＧは、ポリエチレンフィルム等の樹脂シートなどで構成された母材と母材の表面に設けられた粘着層とを含んで構成される。粘着層は、外的刺激としての紫外線が照射されたり、外的刺激として加熱されることにより硬化するものを用いることができる。そして、高さ記録ステップＳＴ２に進む。
【0019】
高さ記録ステップＳＴ２では、図４に示すように、保護テープ貼着ステップＳＴ１が実施されたウエーハＷの保護テープＴＧ側を切削装置１０のチャックテーブル１１の保持面に載置する。そして、チャックテーブル１１に図示しない真空吸引経路を介して接続された真空吸引源により保持面を吸引して、保護テープＴＧを介してウエーハＷをチャックテーブル１１の保持面に吸引保持する。
【0020】
そして、図５（ａ）に示すように、ウエーハＷの所定の分割予定ラインＳ１，Ｓ２の一端を切削装置１０の高さ位置測定器１２の直下に位置付ける。次に、高さ位置測定器１２を作動するとともに、切削装置１０の図示しない加工送り手段などを作動してチャックテーブル１１を分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って移動する。そして、図５（ｂ）に示すように、分割予定ラインＳ１，Ｓ２の他端が高さ位置測定器１２の直下に達したら、加工送り手段を停止するとともに高さ位置測定器１２を停止する。そして、高さ位置測定器１２によって、チャックテーブル１１に吸引保持されたウエーハＷの所定の分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する基板Ｂの裏面Ｂｂの高さ位置が検出される。なお、高さ位置測定器１２として、レーザー光線を基板Ｂの裏面Ｂｂに照射して裏面Ｂｂの高さ位置を測定するもの、レーザー変位計、背圧センサ、マイクロゲージなどを用いることができる。そして、厚み記録ステップＳＴ３に進む。
【0021】
厚み記録ステップＳＴ３では、図６（ａ）に示すように、ウエーハＷの所定の分割予定ラインＳ１，Ｓ２の一端を切削装置１０の厚み測定器１３の直下に位置付ける。次に、厚み測定器１３を作動するとともに、切削装置１０の図示しない加工送り手段などを作動してチャックテーブル１１を分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って移動する。そして、図６（ｂ）に示すように、分割予定ラインＳ１，Ｓ２の他端が厚み測定器１３の直下に達したら、加工送り手段を停止するとともに厚み測定器１３を停止する。そして、厚み測定器１３によって、チャックテーブル１１に吸引保持されたウエーハＷの所定の分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域の厚みが検出される。厚みは、ウエーハＷ全体の厚み、基板Ｂの厚み、機能層ＦＬの厚みから種々選択できる。なお、厚み測定器１３として、超音波を基板Ｂの裏面Ｂｂに放射して厚みを測定するもの、超音波厚さ計、レーザー干渉計などを用いることができる。そして、切削溝形成ステップＳＴ４に進む。
【0022】
切削溝形成ステップＳＴ４では、チャックテーブル１１に吸引保持されたウエーハＷの基板Ｂの裏面Ｂｂ側から分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って切削装置１０の切削ブレード１４で切削し、機能層ＦＬに至らない残存部ＵＰ（図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す）を残した切削溝ＣＲを形成するステップである。また、切削溝形成ステップＳＴ４では、ウエーハＷの外周余剰領域ＧＲに切削溝ＣＲを形成しない非加工部ＵＣ（図７（ｂ）などに示す）を形成するステップである。切削溝形成ステップＳＴ４では、切削装置１０の図示しない撮像手段が取得した画像に基いて、基板Ｂの裏面Ｂｂの分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域と切削ブレード１４（図４に示す）との位置合わせを行うためのパターンマッチングなどの画像処理を実行してアライメントを遂行する。
【0023】
その後、基板Ｂの裏面Ｂｂ側から分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域に切削ブレード１４を位置付けて、切削ブレード１４が機能層ＦＬに至らない基板Ｂの一部を残して切削溝ＣＲ（図７及び図８などに示す）を順に形成する。分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域に切削溝ＣＲを形成する際には、分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域の一端よりも若干中央寄りのデバイス領域ＤＲの端に図７（ａ）に二点鎖線で示すように切削ブレード１４を対向させる。その後、機能層ＦＬの表面から例えば厚みが１０μｍ程度の残存部ＵＰが生じるように、高さ記録ステップＳＴ２で測定した裏面Ｂｂの高さ位置及び厚さ記録ステップＳＴ３で測定した厚さに基づいて、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応する表面の高さ位置を算出して、図７（ａ）に示すように、切削ブレード１４を機能層ＦＬに至らないようにウエーハＷに切り込ませる。
【0024】
そして、チャックテーブル１１を移動させて、切削ブレード１４を分割予定ラインＳ１，Ｓ２の他端に向けて移動させる。その後、切削ブレード１４が図７（ｂ）に示すように分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域の他端よりも若干中央寄りのデバイス領域ＤＲの端に位置した後、図７（ｂ）に二点鎖線で示すように切削ブレード１４を上昇させる。このように、切削溝形成ステップＳＴ４においては、ウエーハＷの外周余剰領域ＧＲに非加工部ＵＣ（図９に示す）を残し、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って切削溝ＣＲを形成する。即ち、切削溝形成ステップＳＴ４では、ウエーハＷの外周余剰領域ＧＲに切削ブレード１４による切削加工が施されない非加工部ＵＣをウエーハＷの全周に亘って形成する。すべての分割予定ラインＳ１，Ｓ２と対応する領域に切削溝ＣＲを形成すると、分割ステップＳＴ５に進む。
【0025】
分割ステップＳＴ５は、切削溝形成ステップＳＴ４を実施した後、残存部ＵＰを分割してウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割するステップである。分割ステップＳＴ５では、まず、切削溝形成ステップＳＴ４が実施されたウエーハＷにレーザー光線Ｌを照射するレーザー加工装置２０のチャックテーブル２１（図９に示す）のポーラス状の保持面上に、保護テープＴＧを介してウエーハＷを載置する。チャックテーブル２１に図示しない真空吸引経路を介して接続された真空吸引源により保持面を吸引して、図９に示すように、保護テープＴＧを介してウエーハＷをチャックテーブル２１の保持面で吸引保持する。
【0026】
そして、レーザー加工装置２０の撮像手段２２が取得した画像（一例を図１４に示す）に基いて、アライメントを遂行する。その後、チャックテーブル２１とレーザー加工装置２０のレーザー光線照射手段２３とをチャックテーブル２１に保持されたウエーハＷの分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って相対的に移動手段により移動させながら、図１０及び図１１（ａ）に示すように、ウエーハＷの基板Ｂに吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線Ｌを切削溝ＣＲに沿って照射する。本実施形態では、各分割予定ラインＳ１，Ｓ２の全長に亘って残存部ＵＰの表面に焦点が合わされたレーザー光線Ｌを照射し、各分割予定ラインＳ１，Ｓ２の全長に亘ってアブレーション加工を施して、図１１（ｂ）に示すように、レーザー加工溝ＬＲを形成する（ステップＳＴ５１）。こうして、分割ステップＳＴ５では、非加工部ＵＣを含む各分割予定ラインＳ１，Ｓ２の全長に対応した領域にレーザー光線Ｌを照射して、図１２に示すように、非加工部ＵＣの表面にレーザー加工溝ＬＲを形成する。
【0027】
具体的には、分割ステップＳＴ５では、まず、チャックテーブル２１とレーザー加工装置２０のレーザー光線照射手段２３とを分割予定ラインＳ１に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線Ｌを複数の分割予定ラインＳ１に一つずつ順に照射してレーザー加工溝ＬＲを形成する（ステップＳＴ５１）。そして、レーザー加工装置２０の図示しない制御手段が複数の分割予定ラインＳ１のうち所定の分割予定ラインＳ１にレーザー光線Ｌを照射しているか否かを判定する（ステップＳＴ５２）。レーザー加工装置２０の制御手段が所定の分割予定ラインＳ１にレーザー光線Ｌを照射していると判定する（ステップＳＴ５２：Ｙｅｓ）と、非加工部ＵＣに形成されたレーザー加工溝ＬＲを撮像手段２２で撮像し、図１５に一例を示す画像を得る。そして、制御手段が、図１５に一例を示す画像において、例えば、切削溝ＣＲの幅方向の中央などの予め定められた基準線ＳＬ（図１５中に二点鎖線で示し、所望のレーザー光線照射位置に相当する）と、レーザー加工溝ＬＲの位置とのずれ量ＤＡを加工位置補正情報として検出するずれ量検出ステップを実施する（ステップＳＴ５３）。なお、所定の分割予定ラインＳ１は、複数の分割予定ラインＳ１のうち加工開始から数本目のものを用いることができる。
【0028】
そして、制御手段は、以降の分割予定ラインＳ１にレーザー光線Ｌを照射する際に、ずれ量ＤＡである加工位置補正情報に基いて、レーザー光線Ｌの照射位置を補正する位置補正ステップを実施する（ステップＳＴ５４）。具体的には、制御手段は、ずれ量ＤＡに基づいて、レーザー加工溝ＬＲが基準線ＳＬ上に形成されるように、レーザー光線照射手段２３とウエーハＷとの相対的な位置を補正する。制御手段は、所定の分割予定ラインＳ１にレーザー光線Ｌを照射していないと判定する（ステップＳＴ５２：Ｎｏ）又は、位置補正ステップＳＴ５４を実施した後に、全ての分割予定ラインＳ１，Ｓ２にレーザー加工溝ＬＲを形成したか否かを判定（ステップＳＴ５５）し、全ての分割予定ラインＳ１，Ｓ２にレーザー加工溝ＬＲを形成していないと判定（ステップＳＴ５５：Ｎｏ）し、ステップＳＴ５１に戻る。
【0029】
また、制御手段は、全ての分割予定ラインＳ１にレーザー加工溝ＬＲを形成すると、チャックテーブル２１を９０度回転させた後、チャックテーブル２１とレーザー加工装置２０のレーザー光線照射手段２３とを分割予定ラインＳ２に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線Ｌを複数の分割予定ラインＳ２に一つずつ順に照射してレーザー加工溝ＬＲを形成する（ステップＳＴ５１）。そして、制御手段は、所定の分割予定ラインＳ２にレーザー光線Ｌを照射しているか否かを判定する（ステップＳＴ５２）。制御手段は、所定の分割予定ラインＳ２にレーザー光線Ｌを照射していると判定する（ステップＳＴ５２：Ｙｅｓ）と、非加工部ＵＣに形成されたレーザー加工溝ＬＲを撮像手段２２で撮像し、図１５に一例を示す画像からずれ量ＤＡを検出するずれ量検出ステップを実施する（ステップＳＴ５３）。なお、所定の分割予定ラインＳ２は、複数の分割予定ラインＳ２のうち加工開始から数本目のものを用いることができる。
【0030】
そして、制御手段は、加工位置補正情報に基いて、レーザー光線Ｌの照射位置を補正する位置補正ステップを実施する（ステップＳＴ５４）。制御手段は、所定の分割予定ラインＳ２にレーザー光線Ｌを照射していないと判定する（ステップＳＴ５２：Ｎｏ）又は、位置補正ステップＳＴ５４を実施した後に、全ての分割予定ラインＳ１，Ｓ２にレーザー加工溝ＬＲを形成したか否かを判定（ステップＳＴ５５）し、全ての分割予定ラインＳ１，Ｓ２にレーザー加工溝ＬＲを形成していないと判定（ステップＳＴ５５：Ｎｏ）すると、ステップＳＴ５１に戻り、全ての分割予定ラインＳ１，Ｓ２にレーザー加工溝ＬＲを形成したと判定（ステップＳＴ５５：Ｙｅｓ）すると、チャックテーブル２１の吸引保持を解除するなどして、加工方法を終了する。
【0031】
実施形態に係る加工方法によれば、切削溝形成ステップＳＴ４でウエーハＷの外周余剰領域ＧＲに非加工部ＵＣを形成するので、ウエーハＷの外周に補強部があるような状態になるため、切削溝ＣＲが形成されていても、切削装置１０からレーザー加工装置２０などへの搬送時、ウエーハＷの割れが発生しにくくなると言う効果を奏する。さらに、加工方法によれば、分割ステップＳＴ５においてレーザー加工溝ＬＲを形成する際（ステップＳＴ５１）に、非加工部ＵＣにもレーザー光線Ｌを照射することで、平坦な表面である非加工部ＵＣでレーザー光線Ｌの照射位置を明確に確認する事が可能である。このために、加工方法によれば、レーザー光線Ｌの照射位置のずれ量ＤＡを発見したり、発見したずれ量ＤＡを補正値として利用して、所望の位置にレーザー光線Ｌを照射することができるという効果もある。したがって、加工方法によれば、搬送時にウエーハＷが破損することを抑制でき、レーザー光線Ｌの照射位置を容易に補正することができる、という効果を奏する。
【0032】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、前述した実施形態では、位置補正ステップＳＴ５４において、レーザー加工装置２０の制御手段がずれ量ＤＡに基づいてレーザー光線Ｌの照射位置を補正したが、本発明では、撮像手段２２が撮像して得た画像をレーザー加工装置２０のオペレータが目視し、ずれ量ＤＡを読み取って、オペレータがレーザー光線Ｌの照射位置を補正してもよい。
【符号の説明】
【0033】
１４ 切削ブレード２２ 撮像手段
Ｂ 基板
Ｂａ 表面
Ｂｂ 裏面
ＣＲ 切削溝
Ｄ デバイス
ＤＴ デバイスチップ
ＤＡ ずれ量（加工位置補正情報）
ＤＲ デバイス領域
ＧＲ 外周余剰領域
ＴＧ 保護テープ
ＦＬ 機能層
Ｌ レーザー光線
ＬＲ レーザー加工溝
Ｓ１，Ｓ２ 分割予定ライン
ＳＬ 基準線（所望のレーザー光線照射位置）
Ｗ ウエーハ
ＵＣ 非加工部
ＵＰ 残存部
ＳＴ１ 保護テープ貼着ステップ
ＳＴ４ 切削溝形成ステップ
ＳＴ５ 分割ステップ
ＳＴ５３ ずれ量検出ステップ
ＳＴ５４ 位置補正ステップ