特許 6494377 ワーク加工装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6494377

(24)【登録日】2019年3月15日

(45)【発行日】2019年4月3日

(54)【発明の名称】ワーク加工装置

(51)【国際特許分類】

   B24B 47/22 20060101AFI20190325BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20190325BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20190325BHJP

【ＦＩ】

   B24B47/22

   B24B7/04 A

   H01L21/304 622R

【請求項の数】5

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2015-73439(P2015-73439)

(22)【出願日】2015年3月31日

(65)【公開番号】特開2016-193458(P2016-193458A)

(43)【公開日】2016年11月17日

【審査請求日】2017年12月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】100169960

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 貴光

(74)【代理人】

【識別番号】100060575

【弁理士】

【氏名又は名称】林 孝吉

(72)【発明者】

【氏名】五十嵐 健二

【審査官】 小川 真

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−１９３１５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２００９６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−３０９６７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２６４９１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２２６７４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ２４Ｂ ７／０４

Ｂ２４Ｂ ４１／０４７

Ｂ２４Ｂ ４１／０６

Ｂ２４Ｂ ４７／２２

Ｂ２４Ｂ ４９／０４

Ｂ２４Ｂ ４９／１０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

ＤＷＰＩ（Ｄｅｒｗｅｎｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、
複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面と直交した回転軸心を中心に回転するチャックテーブルと、
前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、
前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、
前記保持面上の前記ワークよりも回転軸心側で該保持面上に当接されて、その当接している箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第１センサと、
前記保持面上の前記ワークよりも外周縁側で該保持面上に当接されて、その当接している箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第２センサと、
前記各センサの測定結果に基づいて前記保持面の形状を判定し、前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心の相対的な傾きを調整する制御手段と、
を備えることを特徴とするワーク加工装置。

【請求項2】

前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心との相対的な傾き調整は、前記チャックテーブルの回転軸心に対して前記加工ホイールの回転軸心を傾けて行う、ことを特徴とする請求項１記載のワーク加工装置。

【請求項3】

前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心との相対的な傾き調整は、前記加工ホイールの回転軸心に対して前記チャックテーブルの回転軸心を傾けて行う、ことを特徴とする請求項１記載のワーク加工装置。

【請求項4】

前記チャックテーブルの前記保持面は、チャックテーブル上に載置された支持基盤でなる、ことを特徴とする請求項１、２または３に記載のワーク加工装置。

【請求項5】

前記ワークが半導体ウェハである、ことを特徴とする請求項１、２、３または４に記載のワーク加工装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はワーク加工装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、例えば半導体デバイスや光デバイスの製造プロセスでは、インゴットから切り出された炭化ケイ素(ＳｉＣ)、サファイア、ＬＴなどのウェハが、研削装置や研磨装置によって研削・研磨されて、所定の厚みへと薄化及び平坦化される。

【0003】

そして、薄化・平坦化されたウェハの表面に複数の回路素子を形成し、更にウェハの裏面が研削・研磨されて所定の厚みへと薄化された後、ダイシング装置などによりウェハを個々のデバイスへと分割することで、各種の半導体デバイスや光デバイスが製造される。

【0004】

また、研削装置や研磨装置による加工中に、被加工物の厚みを測定しつつ研削や研磨を遂行し、被加工物が所定の厚みに達した場合に加工を終了するようにした手段も知られている（例えば、特許文献１参照）。

【0005】

さらに、１つの環状フレームの開口部内に粘着シートを介して複数の被加工物を装着し、研削や研磨を同時に実施して、全ての被加工物を所定の厚みへと薄化するようにした手段も知られている(例えば、特許文献２参照)。

【0006】

その特許文献２の記載の発明は、図８及び図９に示すように、１つの環状フレームＦに貼着された粘着テープＴの中心に第１ウェハＷａを貼着すると共に、複数(６個)の第２ウェハＷｂをその周りに貼着してなるウェハユニット５１を形成し、そのウェハユニット５１をチャックテーブル５２上に配置している。また、チャックテーブル５１の回転軸心Ｏ１から第２ウェハＷｂの最外周位置までの長さより大きい半径を有してなる加工ホイール５４の外周縁が、第１ウェハＷａの中心を通過するように、チャックテーブル５２と加工ホイール５４の位置関係を設定する。そして、接触型の厚みセンサ５５で第１ウェハＷａの厚みを測定しながら、第１ウェハＷａ及び第２ウェハＷｂの研削を同時に実施し、第１ウェハＷａの厚みが所定厚みへ達した際に、全てのウェハＷａ、Ｗｂが所定の厚みに研削されたと見なして研削送りを停止するようにしたものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００６−２１２６４号公報。

【特許文献2】特開２０１２−１０１２９３号公報。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

図８及び図９に示すように、特許文献２に開示された加工の仕方は、第１ウェハＷａの厚みだけを見て、第２ウェハＷｂの厚みは見なし測定をしている。このように複数の第２ウェハＷｂを同心上に配置させて加工をする場合は、ウェハＷが配置されているチャックテーブル５１の保持面が加工時における熱で膨張して撓み変形を起こすことも少なくない。しかしながら、特許文献２に開示された加工では、その熱膨張による変形については何ら考慮されていない。

【0009】

その熱膨張による撓み変形について更に説明をすると、本来は、加工後の第２ウェハＷｂの厚みは、図１０の(ｅ)に示すように、全てが均一でなければならない。しかし、加工途中の発熱により、チャックテーブル５１の保持面が変形をし、例えば保持面の撓み変形が、図１０の(ａ)に示すように回転軸心Ｏ１側が最外周位置側よりも高く、最外周位置側が下がって変形したような場合で、加工ホイール５４の回転軸心Ｏ２がチャックテーブル５１の回転軸心Ｏ１と平行で、かつ、加工ホイール５４が水平に送られてチャックテーブル５１上に押し付けられたときには、各第２ウェハＷｂの断面形状は、図１０の(ｂ)に示すように回転軸心Ｏ１側の厚みの方が最外周位置側の厚みよりも小さくなり、厚みが均一にならない。また、反対に、例えば図１０の(ｃ)に示すように回転軸心Ｏ１側が最外周位置側よりも低く、回転軸心Ｏ１側が凹んで変形したような場合で、加工ホイール５４が水平に送られてチャックテーブル５１上に押し付けられたときには、各第２ウェハＷｂの断面形状は、図１０の(ｄ)に示すように回転軸心Ｏ１側の厚みの方が最外周位置側の厚みよりも大きくなり、厚みが均一にならない。

【0010】

しかしながら、従来の加工装置では、加工途中の発熱などにより、チャックテーブルの保持面が熱変形を起こすことに関しての考慮は行われていなかった。そのため、製品によって仕上がり厚みにバラツキが生じるという問題があった。

【0011】

そこで、ワークの厚みのバラツキを少なくできるようにしたワーク加工装置を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面と直交した回転軸心を中心に回転するチャックテーブルと、前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、前記保持面上の前記ワークよりも回転軸心側で該保持面上に当接されて、その当接している箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第１センサと、前記保持面上の前記ワークよりも外周縁側で該保持面上に当接されて、その当接されている箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第２センサと、前記各センサの測定結果に基づいて前記保持面の形状を判定し、前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心の相対的な傾きを調整する制御手段と、を備えるワーク加工装置を提供する。

【0013】

この構成によれば、加工途中に、接触型の第１センサにより保持面の回転軸心側における高さを測定すると共に、接触型の第２センサにより保持面の外周縁側における高さを測定し、その接触型の第１センサと第２センサの測定結果に基づいて加工途中における保持面の形状を判定する。また、その判定に基づいて加工ホイールの回転軸心とチャックテーブルの回転軸心の相対的な傾きを制御手段により調整して、保持面の熱変形などを補正するので、保持面の熱による撓み変形などを考慮して、ワークを精度よく加工することができる。これにより、加工によるワークの厚みのバラツキが少なくなる。

【0014】

請求項２記載の発明は、請求項１記載の構成において、前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心との相対的な傾き調整は、前記チャックテーブルの回転軸心に対して前記加工ホイールの回転軸心を傾けて行う、ワーク加工装置を提供する。

【0015】

この構成によれば、保持面に熱による撓み変形などがあるとき、加工ホイールの回転軸心をチャックテーブルの回転軸心に対して傾けることで、加工ホイールの回転軸心とチャックテーブルの回転軸心との相対的な傾き調整を簡単に行うことができる。

【0016】

請求項３記載の発明は、請求項１記載の構成において、前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心との相対的な傾き調整は、前記加工ホイールの回転軸心に対して前記チャックテーブルの回転軸心を傾けて行う、ワーク加工装置を提供する。

【0017】

この構成によれば、保持面に熱による撓み変形などがあるとき、チャックテーブルの回転軸心を加工ホイールの回転軸心に対して傾けることで、チャックテーブルの回転軸心と加工ホイールの回転軸心との相対的な傾き調整を簡単に行うことができる。

【0018】

請求項４記載の発明は、請求項１、２または３に記載の構成において、前記チャックテーブルの前記保持面は、チャックテーブル上に載置された支持基盤でなる、ワーク加工装置を提供する。

【0019】

この構成によれば、チャックテーブルの保持面を、チャックテーブル上に配置される支持基盤で形成することができる。すなわち、支持基盤をワークの製作に適した材質のものに変えることにより、ワークを精度良く加工をすることができるので、更に、加工によるワークの厚みのバラツキを少なくして、製品精度を向上させることができる。

【0020】

請求項５記載の発明は、請求項１、２、３または４に記載の構成において、前記ワークが半導体ウェハである、ワーク加工装置を提供する。

【0021】

この構成によれば、半導体ウェハを精度良く厚みを均一に加工することができる。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、チャックテーブルの保持面の熱変形などを考慮した加工を行うことができるので、製品毎に仕上がり厚みのバラツキが出るのを少なくして、製品の品質を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の実施形態に係るワーク加工装置の平面図である。

【図2】一部を破断して示す同上ワーク加工装置の側面図である。

【図3】同上ワーク加工装置の制御手順の一例を示すフローチャートである。

【図4】第１制御例での、同上ワーク加工装置の動作を説明する図である。

【図5】同上ワーク加工装置の第１制御例を説明する図で、(ａ)は保持面が変形している状態の説明図、(ｂ)は保持面が変形しているときに作られるウェハの説明図、(ｃ)は正常なウェハの説明図である。

【図6】第２制御例での、同上ワーク加工装置の動作を説明する図である。

【図7】同上ワーク加工装置の第２制御例を説明する図で、(ａ)は保持面が変形している状態の説明図、(ｂ)は保持面が変形しているときに作られるウェハの説明図、(ｃ)は正常なウェハの説明図である。

【図8】従来の一例として示すワーク加工装置の概略斜視図である。

【図9】複数のウェハを支持した環状フレームの一例を示す斜視図である。

【図10】複数のウェハを加工するときの問題点を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

本発明はワークの厚みのバラツキを少なくできるようにしたワーク加工装置を提供するという目的を達成するために、複数のワークを同時に研削又は研磨して所定の厚みへと加工するワーク加工装置において、複数の前記ワークを同心円上に配列して保持する保持面を有し、該保持面と直交した回転軸心を中心に回転するチャックテーブルと、前記保持面上のワークと対向して配設される研削又は研磨部材と共に回転する加工ホイールと、前記加工ホイールを回転可能に支持して前記ワーク方向に送り、前記保持面上のワークに前記研削又は研磨部材を押し付ける送り機構と、前記保持面上の前記ワークよりも回転軸心側で該保持面上に当接されて、その当接している箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第１センサと、前記保持面上の前記ワークよりも外周縁側で該保持面上に当接されて、その当接している箇所における該保持面の高さを加工中に測定する接触型の第２センサと、前記各センサの測定結果に基づいて前記保持面の形状を判定し、前記加工ホイールの回転軸心と前記チャックテーブルの回転軸心の相対的な傾きを調整する制御手段と、を備えることにより実現した。

【0025】

以下、本発明の実施形態によるワーク加工装置を半導体製造プロセスにおいて、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化し、また平坦化する研削装置に適用した場合を例に挙げ、図１乃至図７を参照しながら好適な実施例について詳細に説明する。なお、本実施例では、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化する場合について説明するが、ウェハを研磨する研磨装置にも同様して適用することができるものである。

【実施例】

【0026】

図１及び図２は半導体製造プロセスにおいて、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化し、平坦化する研削装置を示すものであり、図１はその概略平面図、図２はその一部を破断して示す側面図である。

【0027】

図１及び図２において、ワーク加工装置としての研削装置１０は、チャックテーブル１１と、該チャックテーブル１１上にセットされた支持基盤１２と、支持基盤１２上に冷却水(純水)を供給する冷却水供給ノズル１３と、砥石１４を設けた加工ホイール１５と、加工ホイール１５を支持する送り機構１６と、接触型の第１センサ(プローブ)１７と、接触型の第２センサ(プローブ)１８と、制御手段２０などを備えている。

【0028】

前記制御手段２０は、接触型の第１センサ１７及び非接触型のセンサ１８からの測定結果を基に、前記研削装置１０を決められた手順で動作させるプログラムなどが格納されてなる手段であり、例えばコンピュータである。

【0029】

前記チャックテーブル１１は、回転軸心Ｏ１を中心に、図１中の矢印Ａで示す反時計回りに回転する。また、チャックテーブル１１は、チルト機構２１を有しており、該チルト機構２１は、チャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１をＸ−Ｙ方向に傾倒させて、そのチャックテーブル１１をＸ−Ｙ方向に傾倒調整ができるようになっている。

【0030】

前記支持基盤１２は、チャックテーブル１１上に、そのチャックテーブル１１の保持面として一体回転可能に取り付けられた円板状の基盤であり、チャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１と同心的に配設されている。その支持基盤１２は、例えばセラミック材などで形成されている。そして、支持基盤１２上(以下、支持基板１２の上面を「保持面１２ａ」という)には、回転軸心Ｏ１の周りで、かつ、同心円Ｃ３上に４つのウェハＷがほぼ等間隔で配置されて固定されている。それら４つのウェハＷの固定は、例えばワックスなどで取り外し自在に固定される。なお、支持基盤１２の保持面１２ａ上に配置するウェハＷの数は、支持基盤１２の大きさによって変更される。また、支持基盤１２は必ずしも必要とするものではなく、例えばチャックテーブル１１の上面を保持面１２ａとして使用する場合もある。

【0031】

前記加工ホイール１５は、支持基盤１２と対向する面に研削又は研磨部材としての砥石１４を設けて、回転可能に前記送り機構１６に取り付けられている。加工ホイール１５の砥石面(砥石１４が占める面)は、支持基盤１２の最外周縁から回転軸心Ｏ１のほぼ近傍の位置を通過するように、支持基盤１２との位置関係を設定する。その加工ホイール１５は、回転軸心Ｏ２を中心に図１中の矢印Ｂで示す時計回りに回転する。また、加工ホイール１５は、チルト機構２２を有しており、そのチルト機構２２は、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２をＸ−Ｙ方向に傾倒させて、その加工ホイール１５をＸ−Ｙ方向に傾倒調整ができるようになっている。

【0032】

前記送り機構１６は、加工ホイール１５と砥石１４を一体に、回転軸心Ｏ２方向に移動させるものであり、その送り移動により、加工ホイール１５と共に回転している前記砥石１４を保持面１２ａ上のウェハＷに押し付け、ウェハＷを研削することができるようになっている。

【0033】

前記冷却水供給ノズル１３は、切削ホイール１５の砥石１４と支持基盤１２の保持面１２ａが当接する位置(以下、この位置を「加工位置」と言う)の上流側に、供給水吹出口をその加工位置に向けて配設されている。その冷却水供給ノズル１３は、砥石１４と支持基盤１２が当接する加工位置に冷却水を供給して、その加工位置での温度上昇を抑える。

【0034】

前記接触型の第１センサ１７は、保持面１２ａ上のウェハＷよりも回転軸心Ｏ１側の円周部分Ｃ１において該保持面１２ａ上に当接されており、該保持面１２ａの形状(高さ位置)を測定可能になっている。また、その測定された結果は、前記制御手段２０に入力される。

【0035】

前記接触型の第２センサ１８は、保持面１２ａ上のウェハＷよりも外周縁側の円周部分Ｃ２において該保持面１２ａ上に当接されており、該保持面１２ａの形状(高さ位置)を測定可能になっている。また、その測定された結果は、前記制御手段２０に入力される。

【0036】

図３は、前記制御手段２０が第１センサ１７、第２センサ１８の形状測定に基づいて、チルト機構２２を介して加工ホイール１５の回転軸線Ｏ２の傾きを制御する制御手順の一例を示すフローチャートである。次に、図３に示すフローチャートに従って、本実施例における研削装置１０の動作を(１)〜(５)の順に説明する。

【0037】

(１) まず、加工に先立ち、図１に示すように、チャックテーブル１１の保持面１２ａ上には、加工を必要とする４枚のウェハＷが同心円Ｃ３上に固定してセットされる。セット後、制御手段２０は、チャックテーブル１１の回転を開始させると共に、加工ホイール１５の回転を開始させる。例えば、この時の加工ホイール１５の回転数は毎分２０００回転、チャックテーブル１１の回転数は毎分３００回転である。そして、チャックテーブル１１が４枚のウェハＷと共に回転し、加工ホイール１５が砥石１４と共に回転する。また、同時に第１センサ１７と第２センサ１８が保持面１２上の高さの測定を開始し、その測定結果が制御手段２０に入力される(ステップＳ１)。

【0038】

(２) 次いで、制御手段２０は、送り機構１６を介して回転している加工ホイール１５を指定の速度でチャックテーブル１１に向けて送り込み、回転している砥石１４をチャックテーブル１１上のウェハＷに押し付ける。また、その加工の初期段階では、チャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１と加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２は、互いに略平行に保持され、加工ホイール１５はチャックテーブル１１に対して略平行に押し付けられている。

【0039】

(３) 次に、制御手段２０は、第１センサ１７と第２センサ１８からの測定結果から、内側の円周部分Ｃ１の高さと、外側の円周部分Ｃ２の高さとを比較する。そして、ステップＳ３、ステップＳ４で、それぞれ円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２との高さの差が、±Ｘの範囲内であると判定された場合、制御手段２０は、チルト機構２１、２２を制御することなく、送り機構１６を介して加工ホイール１５を所定の量だけチャックテーブル１１に向けて送り込む。また、所定の量だけ送り込まれたら、加工ホイール１５をチャックテーブル１１から離して初期位置まで戻し、加工を終了する(ステップＳ５、Ｓ６)。これにより、チャックテーブル１１上の４枚のウェハＷは全て同じ厚みに薄化及び平坦化される。

【0040】

(４) 一方、ステップＳ３において、制御手段２０が、円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２との高さの差が＋Ｘ以上であると判定した場合は、図４中に１点鎖線で示すように、制御手段２０は、チルト機構２２を介して、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２を矢印３１ａで示す方向、すなわちチャックテーブル１１の回転軸線Ｏ１に対し外側に向けて倒し、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを調整する(ステップＳ７)。

【0041】

すなわち、ステップＳ３において、制御手段２０が、円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２との高さの差が＋Ｘ以上であると判定したということは、図５の(ａ)に示すように回転軸心Ｏ１側の円周部分Ｃ１の高さが最外周位置側の円周部分Ｃ２の高さよりも高く、熱などで変形した場合である。したがって、チルト機構２２を調整せずに加工ホイール１５が、回転軸心Ｏ２に沿ってチャックテーブル１１に向かって押し付けられたときには、各ウェハＷの断面形状は、図５の(ｂ)に示すように、回転軸心Ｏ１側の厚みの方が最外周位置側の厚みよりも小さくなり、厚みが均一にならない。しかし、加工ホイール１５をチャックテーブル１１に対して外側に起こして倒すように、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを、円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２との高さの差に応じて調整し、加工ホイール１５をチャックテーブル１１に押し付けると、各ウェハＷの断面形状は、図５の(ｃ)に示すように厚みが均一になる。

【0042】

(５) 一方、ステップＳ４において、制御手段２０が、円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２との高さの差が−Ｘ以下であると判定した場合は、図６中に１点鎖線で示すように、制御手段２０は、チルト機構２２を介して、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２を矢印３１ｂで示す方向、すなわちチャックテーブル１１の回転軸線Ｏ１に対し内側に倒し、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを調整する(ステップＳ８)。

【0043】

すなわち、ステップＳ４において、制御手段２０が、円周部分Ａと円周部分Ｂとの高さの差が−Ｘ以上であると判定したということは、図７の(ａ)に示すように回転軸心Ｏ１側の円周部分Ｃ１の高さが最外周位置側の円周部分Ｃの高さよりも低く、熱などで変形した場合である。したがって、チルト機構２２を調整せずに加工ホイール１５が、回転軸心Ｏに沿ってチャックテーブル１１に向かって押し付けられたときには、各ウェハＷの断面形状は、図７の(ｂ)に示すように、回転軸心Ｏ１側の厚みの方が最外周位置側の厚みよりも大きくなり、厚みが均一にならない。しかし、加工ホイール１５をチャックテーブル１１に対して内側に倒して、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを、円周部分Ｃ１と円周部分Ｃ２の高さの差に応じて調整し、加工ホイール１５をチャックテーブル１１に押し付けると、各ウェハＷの断面形状は、図７の(ｃ)に示すように厚みが均一になる。

【0044】

したがって、この実施例による研削装置１０によれば、加工中に接触型の第１センサ１７により保持面１２ａの回転軸心Ｏ１側における円周部分Ｃ１の高さと、接触型の第２センサ１８により保持面１２ａの最外周縁側における円周部分Ｃ２の高さとをそれぞれ測定し、その接触型の第１センサ１７と第２センサ１８の測定結果に基づいて加工途中に、保持面１２ａの形状を判定する。また、その判定に基づいて加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを制御手段２０により逐次調整し、保持面１２ａの熱変形などを補正するので、保持面１２ａの熱による撓み変形などの影響を受けること無く、ウェハＷを精度良く加工することができる。これにより、加工によるウェハＷの厚みのバラツキを少なくして、製品精度を向上させることができることになる。

【0045】

なお、第１センサ１７と第２センサ１８の計測は、加工中、連続して行わずに、所定時間毎に行ってもよい。

【0046】

また、上記実施例の構造では、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の相対的な傾きを調整するのに、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２の傾きを回転軸線Ｏ２に対して調整するようにした構造を開示したが、反対にチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の傾きを回転軸線Ｏ２に対して調整するようにしても良いものである。さらに、加工ホイール１５の回転軸心Ｏ２とチャックテーブル１１の回転軸心Ｏ１の、両方の傾きを調整するようにしてもよいものである。

【0047】

また、上記実施例では、ウェハを研削して所定の厚みへと薄化する場合について説明したが、ウェハを研磨する研磨装置にも同様して適用することができるものである。よって、本発明はワークを研削する研削装置だけでなく、ワークを研磨する研磨装置にも権利化が及ぶものである。

【0048】

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。

【産業上の利用可能性】

【0049】

以上説明したように、本発明は半導体製造プロセスにおける加工に限ることなく、広く一般の研磨・研削装置にも応用できる。

【符号の説明】

【0050】

１０ 研削装置(ワーク加工装置)
１１ チャックテーブル
１２ 支持基盤
１２ａ 保持面
１３ 冷却水供給ノズル
１４ 砥石(研削又は研磨部材)
１５ 加工ホイール
１６ 送り機構
１７ 第１センサ
１８ 第２センサ
２０ 制御手段
２１ チルト機構
２２ チルト機構
３１ａ、３１ｂ 傾倒方向
Ｗ ウェハ
Ｏ１、Ｏ２ 回転軸心
Ａ、Ｂ 矢印(回転方向)
Ｃ１ 内側の円周部分
Ｃ２ 外側の円周部分
Ｃ３ 同心円

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】