特許 6550962出願番号 特願 2015-126929
炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置
出願人 株式会社デンソー（識別番号 4260）
2026年 特許公開件数ランキング 15位 815件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 10位 1,038件（※）
出願人 一般財団法人電力中央研究所（識別番号 173809）
2026年 特許公開件数ランキング 990位 21件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 780位 21件（※）
出願人 昭和電工株式会社（識別番号 2004）
2026年 特許公開件数ランキング 25705位 0件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 21207位 0件（※）
公報発行日 2019年7月31
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、図９に示したように、インレットＪ１のうち反応室側の先端は平面状となっていることから、図中の破線矢印で示したようなガス流の淀みが生じ得る。これにより、ドーパントガスが対流し、エピタキシャル成長させるＳｉＣ半導体層の深さ方向のキャリア濃度の制御性が悪くなるという問題がある。すなわち、エピタキシャル成長させるＳｉＣ半導体層の深さ方向において、キャリア濃度を急峻に変えるような構造を実現することが難しい。特に、ＳｉＣ半導体のような高温雰囲気でエピタキシャル成長が行われるものにおいては、インレット近傍の温度勾配が大きく、ガス流の淀みが生じやすい。 本発明は点に鑑みて、エピタキシャル成長させるＳｉＣ半導体層のキャリア濃度を制御性良く形成可能なＳｉＣ半導体におけるエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本発明の第１実施形態にかかるエピタキシャル成長装置１０の断面図である。
【図2】図１のII−II断面図である。
【図3】図１中のインレット３０からのガス流れを示した断面図である。
【図4】キャリア濃度と深さの関係を示した図である。
【図5】本発明の第２実施形態にかかるエピタキシャル成長装置１０の断面図である。
【図6】本発明の第３実施形態にかかるエピタキシャル成長装置１０の断面図である。
【図7】本発明の第４実施形態にかかるエピタキシャル成長装置１０の断面図である。
【図8】他の実施形態で説明する導入口構成部３４ａ〜３４ｃの先端形状を示した断面図である。
【図9】従来のインレットＪ１からのガス流れを示した断面図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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