特許 6555254 ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6555254

(24)【登録日】2019年7月19日

(45)【発行日】2019年8月7日

(54)【発明の名称】ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   B32B 17/10 20060101AFI20190729BHJP

   B32B 27/00 20060101ALI20190729BHJP

   C03C 27/10 20060101ALI20190729BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20190729BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20190729BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20190729BHJP

   C08L 83/05 20060101ALI20190729BHJP

   C08L 83/07 20060101ALI20190729BHJP

【ＦＩ】

   B32B17/10

   B32B27/00 101

   C03C27/10 E

   H05B33/14 A

   H05B33/02

   H05B33/10

   C08L83/05

   C08L83/07

【請求項の数】11

【全頁数】31

(21)【出願番号】特願2016-512791(P2016-512791)

(86)(22)【出願日】2015年4月10日

(86)【国際出願番号】JP2015061256

(87)【国際公開番号】WO2015156395

(87)【国際公開日】20151015

【審査請求日】2018年2月13日

(31)【優先権主張番号】特願2014-81190(P2014-81190)

(32)【優先日】2014年4月10日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2014-236275(P2014-236275)

(32)【優先日】2014年11月21日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000044

【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100152984

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 秀明

(74)【代理人】

【識別番号】100080159

【弁理士】

【氏名又は名称】渡辺 望稔

(74)【代理人】

【識別番号】100090217

【弁理士】

【氏名又は名称】三和 晴子

(74)【代理人】

【識別番号】100121393

【弁理士】

【氏名又は名称】竹本 洋一

(72)【発明者】

【氏名】宮越 達三

(72)【発明者】

【氏名】ヴォレ ニュフェ

(72)【発明者】

【氏名】照井 弘敏

(72)【発明者】

【氏名】山内 優

【審査官】 市村 脩平

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１１／１４２２８０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１４／０６１５６５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１４／０５０８３４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ３２Ｂ１／００−４３／００

Ｃ０３Ｃ２７／００−２７／１２

Ｈ０１Ｌ５１／００−５１／５６

Ｈ０５Ｂ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備え、前記支持基材の層と前記シリコーン樹脂層の界面の剥離強度が前記シリコーン樹脂層と前記ガラス基板の層の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、
前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、アルケニル基を有し、数平均分子量が５００〜９０００であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを反応させて得られる硬化物であり、
前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の前記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である、ガラス積層体。

【請求項2】

前記シリコーン樹脂層が、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、ヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）が１４．０ＭＰａ^1/2以下の溶媒を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の前記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層である、請求項１に記載のガラス積層体。

【請求項3】

前記溶媒が、ケイ素原子を含有する溶媒である、請求項２に記載のガラス積層体。

【請求項4】

前記溶媒が、環状または直鎖状のジアルキルポリシロキサンである、請求項２または３に記載のガラス積層体。

【請求項5】

前記シリコーン樹脂層が、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、沸点が２００℃以下の溶媒を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の前記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層である、請求項１に記載のガラス積層体。

【請求項6】

前記シリコーン樹脂層が、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、沸点が２００℃超の溶媒を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の前記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１であり、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）および前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）の合計含有量が７０質量％以上１００質量％未満である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層である、請求項１に記載のガラス積層体。

【請求項7】

前記シリコーン樹脂層の厚さが、２〜１００μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス積層体。

【請求項8】

前記支持基材が、ガラス板である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス積層体。

【請求項9】

前記シリコーン樹脂層に、さらにシリコーンオイルが含まれる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス積層体。

【請求項10】

支持基材の片面に、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）および前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含み、前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の前記アルケニル基と、前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の前記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である層を形成し、前記支持基材面上で前記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と前記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを反応させてシリコーン樹脂層を形成し、次いで前記シリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。

【請求項11】

請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス積層体の前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記支持基材および前記シリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ガラス積層体およびその製造方法に係り、特に、所定の数平均分子量のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンを用いて形成されたシリコーン樹脂層を有するガラス積層体およびその製造方法に関する。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法にも関する。

【背景技術】

【0002】

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２００７／０１８０２８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年、電子デバイスのより一層の高機能化に伴い、電子デバイス自体が小型化し、その取扱い性のより一層の向上が求められている。そのため、ガラス積層体中のガラス基板上に高温条件下にて電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板をガラス積層体から剥離する際に、ガラス基板がより容易に剥離することが望まれている。
しかしながら、従来の積層体ではガラス基板の剥離性が昨今の要求レベルには達しておらず、さらなるガラス基板の剥離性の向上が求められている。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、所定の数平均分子量のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンを使用することにより、所望の効果が得られることを知見して、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備え、上記支持基材の層と上記シリコーン樹脂層の界面の剥離強度が上記シリコーン樹脂層と上記ガラス基板の層の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、上記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、アルケニル基を有し、数平均分子量が５００〜９０００であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを反応させて得られる硬化物であり、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の上記アルケニル基と、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の上記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である、ガラス積層体である。
また、第１の態様においては、上記シリコーン樹脂層が、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、ヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）が１４．０ＭＰａ^1/2以下の溶媒を含み、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の上記アルケニル基と、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の上記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層であることが好ましい。
また、第１の態様においては、上記溶媒が、ケイ素原子を含有する溶媒であることが好ましい。
また、第１の態様においては、上記溶媒が、環状または直鎖状のジアルキルポリシロキサンであることが好ましい。
また、第１の態様において、上記シリコーン樹脂層が、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、沸点が２００℃以下の溶媒を含み、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の上記アルケニル基と、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の上記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層であることが好ましい。
また、第１の態様において、上記シリコーン樹脂層が、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、および、沸点が２００℃超の溶媒を含み、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の上記アルケニル基と、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の上記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１であり、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）および上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）の合計含有量が７０質量％以上１００質量％未満である硬化性樹脂組成物を塗布して得られる層に、硬化処理を施して得られる層であることが好ましい。
また、第１の態様においては、上記シリコーン樹脂層の厚さが、２〜１００μｍであることが好ましい。
また、第１の態様においては、上記支持基材が、ガラス板であることが好ましい。
また、第１の態様においては、シリコーン樹脂層に、さらにシリコーンオイルが含まれることが好ましい。
本発明の第２の態様は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備え、支持基材の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度がシリコーン樹脂層とガラス基板の層の界面の剥離強度よりも高い、ガラス積層体であって、シリコーン樹脂層にシリコーンオイルが含まれ、シリコーン樹脂層とガラス基板の層の界面の剥離強度が０．１０Ｎ／２５ｍｍ以上１．４０Ｎ／２５ｍｍ以下である、ガラス積層体である。
本発明の第３の態様は、支持基材の片面に、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）および上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含み、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中の上記アルケニル基と、上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）中の上記ハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１である層を形成し、上記支持基材面上で上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と上記ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを反応させてシリコーン樹脂層を形成し、次いで上記シリコーン樹脂層の表面にガラス基板を積層する、第１の態様のガラス積層体の製造方法である。
本発明の第４の態様は、第１または第２の態様のガラス積層体の上記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、上記電子デバイス用部材付き積層体から上記支持基材および上記シリコーン樹脂層を含むシリコーン樹脂層付き支持基材を除去し、上記ガラス基板と上記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。

【図2】本発明に係る部材付きガラス基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

【0010】

本発明のガラス積層体は、支持基材の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備える。すなわち、支持基材の層とガラス基板の層との間にシリコーン樹脂層を有し、シリコーン樹脂層は、一方の側が支持基材の層に接し、他方の側がガラス基板の層に接している。
本発明のガラス積層体の特徴点の一つは、シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が所定の数平均分子量のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンを用いて形成されている点が挙げられる。本発明者らは、従来技術の問題点について検討を行ったところ、ガラス基板の剥離性に、シリコーン樹脂層中に残存する未反応のハイドロシリル基が関連していることを知見した。つまり、シリコーン樹脂層中に未反応のハイドロシリル基が数多く残存している場合、ガラス積層体への高温加熱処理の際に、ハイドロシリル基がガラス基板と反応して、シリコーン樹脂層とガラス基板との接着性が向上してしまい、結果としてガラス基板が剥離しづらくなることを知見した。そこで、所定の数平均分子量のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンを用いてシリコーン樹脂層を形成することにより、未反応のハイドロシリル基の残存量を低下させ、ガラス基板の剥離性を向上させた。より具体的には、該アルケニル基含有オルガノポリシロキサンは、その数平均分子量の低さから高い運動性を有するため、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との反応性が高く、結果として未反応のハイドロシリル基の量が減ると推測される。
なお、該シリコーン樹脂層を使用することにより、ガラス基板の剥離の際にシリコーン樹脂層の凝集破壊がより抑制される。
さらに、後述するように所定のヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）の溶媒を含む硬化性樹脂組成物を用いた場合は、得られるシリコーン樹脂層の平坦性がより優れ、ガラス基板との密着性がより優れる。

【0011】

図１は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基材１２の層とガラス基板１６の層とそれらの間にシリコーン樹脂層１４が存在する積層体である。シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基材１２に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。言い換えると、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。
支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。なお、ガラス積層体１０の製造のためにあらかじめ製造される支持基材１２の層およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分をシリコーン樹脂層付き支持基材１８という。

【0012】

このガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１０は、そのガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、シリコーン樹脂層付き支持基材１８と電子デバイス（部材付きガラス基板）に分離され、シリコーン樹脂層付き支持基材１８は、電子デバイスを構成する部分とはならない。シリコーン樹脂層付き支持基材１８には新たなガラス基板１６と積層され、新たなガラス積層体１０として再利用することができる。

【0013】

支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面は、剥離強度（ｘ）を有し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４の界面が剥離する。シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面は、剥離強度（ｙ）を有し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面が剥離する。
ガラス積層体１０（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体１０は、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面で剥離してガラス基板１６とシリコーン樹脂層付き支持基材１８に分離する。

【0014】

剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも、相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、後述するように、所定の成分を含む硬化性樹脂組成物の層（すなわち、硬化性樹脂組成物の塗膜）を支持基材１２上で硬化(例えば、架橋硬化)させてシリコーン樹脂層１４を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
一方、硬化後のオルガノポリシロキサンの硬化物のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基材１２上で硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施してシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造することが好ましい。

【0015】

以下で、まず、ガラス積層体１０を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、シリコーン樹脂層１４）について詳述し、その後、ガラス積層体および電子デバイスの製造方法について詳述する。

【0016】

＜支持基材＞
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基材１２は、ガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材１２は、ガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

【0017】

支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、シリコーン樹脂層１４の厚さ、およびガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基材１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さとシリコーン樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基材１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基材１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

【0018】

支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

【0019】

支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反ったり、支持基材１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基材１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

【0020】

＜ガラス基板＞
ガラス基板１６は、第１主面１６ａがシリコーン樹脂層１４と接し、シリコーン樹脂層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は、耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低いものも得ることができる。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

【0021】

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は、加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

【0022】

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、一旦、板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

【0023】

ガラス基板１６のガラスの種類は、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

【0024】

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

【0025】

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

【0026】

なお、ガラス基板１６は、２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は、同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は、全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

【0027】

＜シリコーン樹脂層＞
シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに剥離可能に密着する。シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低い。
すなわち、ガラス基板１６と支持基材１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１主面１６ａとシリコーン樹脂層１４との界面で剥離し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面では剥離し難い。このため、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、このシリコーン樹脂層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基材１２の第１主面とシリコーン樹脂層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の面（第２主面１６ｂ）上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）や剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも低い。

【0028】

シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。シリコーン樹脂層１４を形成した後、その表面にガラス基板１６を積層する場合、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合は、ファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ、接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体１０製造後、その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂は、ガラス基板１６面に接着し、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間の結合力は、上昇すると考えられる。
場合により、積層前のシリコーン樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１主面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を低くすることができる。

【0029】

また、シリコーン樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基材１２表面に結合されている。たとえば、上述したように、硬化性樹脂組成物の層を支持基材１２表面で硬化させることにより、硬化物であるシリコーン樹脂を支持基材１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間の結合力を高めることもできる。
シリコーン樹脂層１４と支持基材１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が高いことを意味する。

【0030】

シリコーン樹脂層１４の厚さは、特に限定されないが、硬化性樹脂組成物が溶媒を含有する場合、含有しない場合のいずれの場合であっても、形成されるシリコーン樹脂層１４の厚さは、２〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。シリコーン樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、厚さが比較的厚い場合は、異物が存在していても、気泡となることを抑制することができる。また、シリコーン樹脂層１４の厚さが厚すぎると、シリコーン樹脂層１４を形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、シリコーン樹脂層１４の厚さが薄すぎると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との密着性が低下する場合がある。 シリコーン樹脂層１４の厚さは、硬化性樹脂組成物の樹脂成分の濃度や、支持基材上に塗工する塗布液の量で調節することができる。
なお、シリコーン樹脂層１４は、２層以上からなっていてもよい。この場合「シリコーン樹脂層１４の厚さ」は、全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

【0031】

シリコーン樹脂層１４に含まれるシリコーン樹脂は、アルケニル基を有し、数平均分子量が５００〜９０００であるアルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、ハイドロシリル基を有するハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを反応させて得られる硬化物（例えば、架橋硬化物）である。該シリコーン樹脂は、３次元網目構造を形成していることが好ましい。

【0032】

アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）（以後、ポリシロキサン（Ａ）とも称する）とは、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。
ポリシロキサン（Ａ）の数平均分子量は、５００〜９０００であり、ガラス基板の剥離がより容易である点から、１０００〜８０００が好ましく、１５００〜６０００がより好ましい。
数平均分子量が５００未満の場合、揮発成分が多くなり、硬化が十分に進行しない。数平均分子量が９０００超の場合、ガラス基板１６の剥離性に劣る。
上記数平均分子量の測定方法としては、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの数平均分子量である。

【0033】

ポリシロキサン（Ａ）は、直鎖状、分岐鎖状でもよく、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、直鎖状（例えば、線状）が好ましい。
ポリシロキサン（Ａ）に含まれるアルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、中でも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
ポリシロキサン（Ａ）に含まれるアルケニル基の数は、特に制限されないが、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点から、１分子あたり少なくとも２個有することが好ましく、２〜１２０個有することがより好ましく、２〜３個有することがさらに好ましい。
なお、また、ポリシロキサン（Ａ）に含まれるアルケニル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。

【0034】

ポリシロキサン（Ａ）中におけるアルケニル基の位置は、特に制限されないが、ポリシロキサン（Ａ）の末端および／または側鎖が挙げられる。
ポリシロキサン（Ａ）が直鎖状の場合、アルケニル基は、下記に示すＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＭ単位に存在していることが好ましく、２個のＭ単位の両方に存在していることが好ましい。
なお、Ｍ単位およびＤ単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、Ｍ単位とは有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｄ単位とは有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は、２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ_1/2と表現される。

【0035】

【化1】

【0036】

なお、アルケニル基を有するＭ単位としては、上記Ｒのうちいずれか１つがアルケニル基であり、他のＲがアルキル基である態様が好ましい。
また、アルケニル基を有するＤ単位としては、上記Ｒのうちいずれか１つがアルケニル基であり、他のＲがアルキル基である態様が好ましい。

【0037】

ハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）（以後、ポリシロキサン（Ｂ）とも称する）は、ハイドロシリル基（ケイ素原子に結合した水素原子）を有するオルガノポリシロキサンである。
ポリシロキサン（Ｂ）の数平均分子量は、特に制限されないが、ガラス基板１６の剥離がより容易である点から、５００〜９０００が好ましく、１０００〜８０００がより好ましく、１５００〜６０００がさらに好ましい。

【0038】

ポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖状、分岐鎖状でもよく、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、直鎖状（例えば、線状）が好ましい。
ポリシロキサン（Ｂ）に含まれるハイドロシリル基（ケイ素原子に結合した水素原子）の数は、特に制限されないが、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点から、１分子あたり少なくとも２個有することが好ましく、２〜１２０個有することがより好ましく、２〜１００個有することがさらに好ましい。
また、ポリシロキサン（Ｂ）に含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。

【0039】

ポリシロキサン（Ｂ）中におけるハイドロシリル基の位置は、特に制限されないが、ポリシロキサン（Ｂ）の末端および／または側鎖が挙げられる。
ポリシロキサン（Ｂ）が直鎖状の場合、ハイドロシリル基は、上述したＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。

【0040】

ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との混合比率は、ポリシロキサン（Ａ）中のアルケニル基と、ポリシロキサン（Ｂ）中のハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が、０．７／１〜１．３／１であり、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、０．８／１〜１．２／１が好ましい。
混合モル比が１．３／１超の場合、加熱処理後のガラス基板１６の剥離性に劣る。なお、混合モル比が１．３／１を超える場合に、加熱処理後の剥離力が上昇する原因は明らかではないが、加熱処理により、硬化物中の未反応のハイドロシリル基とガラス表面のシラノール基とのなんらかの反応が関与しているものと考えている。また、混合モル比が０．７／１未満の場合、硬化物の架橋密度が低下するため、耐薬品性等に問題が生じるおそれがある。また、硬化物の架橋密度の低下に伴い、耐熱性の低下懸念がある。

【0041】

シリコーン樹脂層１４中に含まれるシリコーン樹脂は、上記ポリシロキサン（Ａ）と上記ポリシロキサン（Ｂ）とを反応（例えば、付加反応）させて得られる硬化物である。
反応は、必要に応じて、触媒（例えば、ヒドロシリル化触媒）の存在下にて実施してもよい。
この触媒としては白金族金属触媒を用いることが好ましい。白金族金属触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などが挙げられる。
触媒は、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との合計質量に対して、１〜１００００質量ｐｐｍが好ましく、１０〜１０００質量ｐｐｍがより好ましい。

【0042】

シリコーン樹脂層１４中にはシリコーンオイルが含まれていてもよい。ここで用いられるシリコーンオイルは、ポリシロキサン（Ａ）またはポリシロキサン（Ｂ）とは反応しない、すなわち、非反応性のシリコーンオイルである。
シリコーンオイルの種類は、特に限定されないが、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル（ポリシロキサンの側鎖の一部がフェニル基であるもの）、などのストレートシリコーンオイル、ストレートシリコーンオイルの側鎖にポリエーテル基、アラルキル基、フロロアルキル基、長鎖アルキル基、高級脂肪酸エステル基、高級脂肪酸アミド基、ハロゲン基などを導入した非反応性の変性シリコーンオイル、両末端にポリエーテル基、メトキシ基、フェニル基などを導入した非反応性の変性シリコーンオイルが例示される。
なお、シリコーンオイルとは不揮発性成分であって、揮発性成分である溶媒とは異なる。
より具体的には、シリコーンオイルとは沸点が２３５℃以上のものを意図し、沸点が２３５℃未満のもの（例えば、シロキサン化合物）は溶媒に該当する。上記沸点は、１気圧下での測定値である。

【0043】

シリコーンオイルの粘度（動粘度。２５℃にて測定）は、特に制限されないが、シリコーン樹脂層１４中に含まれるシリコーン樹脂の表面にブリードアウトしやすくガラス基板の剥離性が優れる点で、０．５〜１００００００（ｍｍ^２/ｓ）が好ましく、５〜１０００００（ｍｍ^２/ｓ）がより好ましく、５０〜８００００（ｍｍ^２/ｓ）がさらに好ましく、１００〜６００００（ｍｍ^２/ｓ）が特に好ましく、５０〜１００００（ｍｍ^２/ｓ）がより特に好ましく、１００〜１００００（ｍｍ^２/ｓ）が最も好ましい。

【0044】

シリコーン樹脂層１４中に含まれるシリコーンオイルの含有量は、特に制限されないが、「ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）」の合計質量を１００質量部とした場合、０．５〜１５質量部が好ましく、１〜１５質量部がより好ましく、２〜１０質量部がさらに好ましい。０．５質量部以上であるとガラス基板の剥離性が優れる点で好ましく、１５質量部以下であると加熱時の発泡がより抑制される点で好ましい。

【0045】

上記ポリシロキサン（Ａ）に対するシリコーンオイルの質量比（ポリシロキサン（Ａ）/シリコーンオイル）は、１００/０．５〜１００/１６が好ましく、１００/２〜１００/１６がより好ましく、１００/４〜１００/１１がさらに好ましい。１００/０．５以上であるとガラス基板の剥離性が優れる点で好ましく、１００/１６以下であると加熱時の発泡がより抑制される点で好ましい。

【0046】

シリコーン樹脂層１４の形成方法は、特に制限されないが、通常、上記ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む組成物の層に対して、硬化処理を施す方法が挙げられる。シリコーン樹脂層の形成方法の詳細について、後段の［ガラス積層体およびその製造方法］で詳述する。

【0047】

［ガラス積層体およびその製造方法］
本発明のガラス積層体１０は、上述したように、支持基材１２とガラス基板１６とそれらの間にシリコーン樹脂層１４が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体１０の製造方法は、特に制限されないが、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面の剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、支持基材１２表面上でポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを反応させてシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。すなわち、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを上記混合モル比で含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを反応させてシリコーン樹脂層１４（例えば、架橋シリコーン樹脂の層）を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造する方法である。
ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを支持基材１２表面上で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを反応（例えば、架橋）させてシリコーン樹脂層１４を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面にガラス基板１６を積層してガラス積層体１０とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。

【0048】

（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを架橋させてシリコーン樹脂層１４を形成する。なお、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とは、上述した所定の混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）が０．７／１〜１．３／１となるように混合される。
支持基材１２上にポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む層を形成するためには、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを上記混合モル比で含む硬化性樹脂組成物を使用し、この組成物を支持基材１２上に塗布して組成物の層を形成することが好ましい。組成物中におけるポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との濃度の調整などにより、組成物の層の厚さを制御することができる。

【0049】

なお、組成物の塗布性が良好となり、より高速で塗布が可能となる点、より薄膜のシリコーン樹脂層を形成できる点、粘度低下によるレベリング性の向上の点、および、塗布膜の平坦性の向上の点より、硬化性樹脂組成物には、溶媒が含まれることが好ましい。
溶媒の種類は、特に制限されず、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム、ジアルキルポリシロキサン、飽和炭化水素などが挙げられる。
溶媒の動粘度は、特に制限されないが、シリコーン樹脂層１４の平坦性がより優れる点で、２３ｍｍ^２/ｓ以下が好ましく、１２ｍｍ^２/ｓ以下がより好ましく、６ｍｍ^２/ｓ以下がさらに好ましい。下限は、特に制限されないが、０．１ｍｍ^２/ｓ以上の場合が多い。
溶媒は、形成されたシリコーン樹脂層の表面に残留することがないよう、１００℃以上で乾燥させることが好ましく、溶媒の沸点以上で加熱することが好ましい。しかし、仮に樹脂層表面に残留した溶媒が、樹脂層と積層したのち剥離したガラス基板の表面に転写したとしても、ガラス基板の表面に常圧プラズマ処理などを施し、水接触角が小さくなるように表面の性状を変えることができる。
また、溶媒の沸点は、特に制限されないが、シリコーン樹脂層１４の平坦性がより優れる点で、３０〜２８０℃が好ましく、５０〜２３０℃がより好ましい。なお、沸点は、大気圧下での値を意図する。
なかでも、ガラス積層体に高温加熱処理を施した後であっても、ガラス基板をより容易に剥離できる点で、溶媒の沸点は、２００℃以下であることが好ましい。
また、溶媒の沸点が２００℃超の場合であっても、このような溶媒を含む組成物中のポリシロキサン（Ａ）およびポリシロキサン（Ｂ）の合計割合（合計含有量）が、組成物全質量に対して、７０質量％以上１００質量％未満であれば、ガラス積層体に高温加熱処理を施した後であっても、ガラス基板をより容易に剥離できる。なお、この態様においては、組成物中における溶媒の含有量が０質量％超３０質量％以下であることが好ましい。また、この態様であれば、シリコーン樹脂層から溶媒を除去しやすく、生産性にも優れる。

【0050】

使用される溶媒の溶解度パラメータである、ヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）（以後、「ヒルデブランドのＳＰ値」とも称する）は、特に制限されず、例えば、１８ＭＰａ^1/2以下の溶媒が挙げられるが、得られるシリコーン樹脂層１４の平坦性がより優れる点で、ヒルデブランドのＳＰ値が１４．０ＭＰａ^1/2以下の溶媒を使用することが好ましい。該溶媒は、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との相溶性に優れ、組成物の層を形成する際に、該層の表面をあらすことなく、揮発することができ、結果としてシリコーン樹脂層１４の平坦性がより優れる。
該溶媒のヒルデブランドのＳＰ値は、１４．０ＭＰａ^1/2以下が好ましく、１３．５ＭＰａ^1/2以下がより好ましく、１３．０ＭＰａ^1/2以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との相溶性の点から、１０．０ＭＰａ^1/2以上が好ましい。
上記ヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、ハンセンのＳＰ値[δD, δP, δH]を用いて、次のように表すことができる。
ヒルデブランドのＳＰ値＝「（δD²＋δP²＋δH²）の平方根」
ハンセン（Ｈａｎｓｅｎ）溶解度パラメータは、ヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）によって導入された溶解度パラメータを、分散項δＤ，極性項δＰ，水素結合項δＨの３成分に分割し、３次元空間に表したものである。分散項δＤは、分散力のよる効果、極性項δＰは、双極子間力による効果、水素結合項δＨは水素結合力の効果を示す。なお、ハンセン溶解度パラメータの定義と計算は、Ｃｈａｒｌｅｓ Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ著、Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ： Ａ Ｕｓｅｒｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ （ＣＲＣプレス，２００７年）に記載されている。また、コンピュータソフトウエア Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ）を用いることにより、簡便にハンセン溶解度パラメータを推算することができる。なお、本発明では、ハンセンのＳＰ値[δD, δP, δH]の実際の計算に当たっては、ハンセンらによって作成されたソフトウエア、ＨＳＰｉＰ ｖｅｒ．４．１を用いる。
なお、具体例としては、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサンのハンセンのＳＰ値［δD，δP，δH＝１２．８, １．３, １］から、ヒルデブランド溶解度パラメータ（ＳＰ値）が１２．９となる。

【0051】

上記ヒルデブランドのＳＰ値を有する溶媒としては、ポリシロキサン（Ａ）およびポリシロキサン（Ｂ）に対する相溶性がより優れ、シリコーン樹脂層１４の平坦性がより優れる点から、ケイ素原子を含有する溶媒が好ましく、ジアルキルポリシロキサン（好ましくは、ジメチルポリシロキサン（ポリジメチルポリシロキサン））が好ましい。
ジアルキルポリシロキサンとしては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれでもよく、直鎖状または環状が好ましく、環状（例えば、環状ジアルキルポリシロキサン）がより好ましい。また、ジアルキルポリシロキサンは、上述した粘度または沸点の範囲であることが好ましい。
ジアルキルポリシロキサンの具体例としては、例えば、以下式（１）で表される環状ジメチルポリシロキサンや、式（２）で表される直鎖状ジメチルポリシロキサンなどが挙げられる。

【0052】

【化2】

【0053】

上記式（１）中、ｎは３〜９の整数を表す。
上記式（２）中、ｍは３〜９の整数を表す。
このような式で表わされる化合物としては、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ヒルデブランドのＳＰ値：１２．９）、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン（ヒルデブランドのＳＰ値：１１．５）、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン（ヒルデブランドのＳＰ値：１２．９）などが挙げられる。

【0054】

硬化性樹脂組成物に溶媒が含まれる場合は、塗布性の点から、ポリシロキサン（Ａ）およびポリシロキサン（Ｂ）の合計割合は、組成物全質量に対して、１０〜９５質量％が好ましく、２０〜９０質量％がより好ましく、３０〜７０質量％がさらに好ましく、３０〜５０質量％がより好ましい。

【0055】

硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、ポリシロキサン（Ａ）、ポリシロキサン（Ｂ）および溶媒以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、上述した触媒やシリコーンオイルが含まれていてもよい。
また、硬化性樹脂組成物には、さらに、触媒とともに触媒活性を調整する目的で触媒活性を抑制する作用のある活性抑制剤（反応抑制剤、遅延剤等とも呼ばれる化合物）を併用することが好ましい。活性抑制剤としては、例えば、各種有機窒素化合物、有機リン化合物、アセチレン系化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物などが挙げられる。さらに必要に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、各種シリカ、炭酸カルシウム、酸化鉄などの無機フィラーなどを含有していてもよい。

【0056】

支持基材１２表面上にポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む硬化性樹脂組成物を塗布する方法は、特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は、特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）との硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。

【0057】

次いで、支持基材１２上の硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施し、層中のポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを反応（具体的には架橋）させて、シリコーン樹脂層１４を形成する。より具体的には、図２（Ａ）に示すように、該工程では支持基材１２の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層１４が形成される。
硬化（例えば、架橋）の方法としては、通常、熱硬化が採用される。
ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを反応させる際の温度条件は、シリコーン樹脂層１４の耐熱性を向上し、ガラス基板１６と積層後の剥離強度（ｙ）を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、８０〜２５０℃が好ましく、１２０〜２３０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜１２０分が好ましく、３０〜６０分がより好ましい。

【0058】

なお、組成物の層は、プレキュア（予備硬化）を行った後、後硬化（本硬化）を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層１４を得ることができる。

【0059】

（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４のシリコーン樹脂面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２の層とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。より具体的には、図２（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層１４の支持基材１２側とは反対側の表面１４ａと、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂを有するガラス基板１６の第１主面１６ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とを積層し、ガラス積層体１０を得る工程である。

【0060】

ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１４上に積層する方法は、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

【0061】

真空ラミネート法や真空プレス法によりシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とを圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

【0062】

ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。

【0063】

なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（例えば、加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は、使用されるシリコーン樹脂層１４の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４の間の剥離強度（ｙ）をより適切なものとする点から、２００℃以上（好ましくは、２００〜４００℃）で５分間以上（好ましくは、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

【0064】

なお、シリコーン樹脂層１４の形成は、上記方法に限られるものではない。
例えば、シリコーン樹脂表面に対する密着性がガラス基板１６よりも高い材質の支持基材１２を用いる場合には、ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む上記硬化性樹脂組成物を何らかの剥離性表面上で硬化してシリコーン樹脂のフィルムを製造し、このフィルムをガラス基板１６と支持基材１２との間に介在させ同時に積層することができる。
また、シリコーン樹脂による接着性がガラス基板１６に対して充分低くかつその接着性が支持基材１２に対して充分高い場合は、ガラス基板１６と支持基材１２の間でポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）とを含む上記硬化性樹脂組成物の層を硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することができる。
さらに、支持基材１２がガラス基板１６と同様のガラス材料からなる場合であっても、支持基材１２表面の接着性を高める処理を施してシリコーン樹脂層１４に対する剥離強度を高めることもできる。例えば、シランカップリング剤のような化学的に固定力を向上させる化学的方法（プライマー処理）や、フレーム（火炎）処理のように表面活性基を増加させる物理的方法、サンドブラスト処理のように表面の粗度を増加させることにより引っかかりを増加させる機械的処理方法などが例示される。

【0065】

（ガラス積層体）
本発明のガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、太陽電池（ＰＶ）、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、３５０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。
なお、ガラス積層体中のシリコーン樹脂層にシリコーンオイルが含まれる場合、シリコーン樹脂層とガラス基板の層の界面の剥離強度がより低下し、好ましい。具体的には、シリコーン樹脂層とガラス基板の層の界面の剥離強度は、０．１０Ｎ／２５ｍｍ以上１．４０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。

【0066】

［電子デバイスおよびその製造方法］
本発明においては、上述した積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイス（以後、適宜「部材付きガラス基板」とも称する）が製造される。
電子デバイスの製造方法は、特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として電子デバイス（部材付きガラス基板）とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体からシリコーン樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

【0067】

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体１０中のガラス基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材（機能性素子とも称される）２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

【0068】

（電子デバイス用部材）
電子デバイス用部材２０は、ガラス積層体１０中のガラス基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

【0069】

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

【0070】

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は、特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。シリコーン樹脂層１４から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、シリコーン樹脂層１４から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基材１２を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基材１２を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。

【0071】

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１０のガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４側とは反対側の表面上（ガラス基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する工程、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する工程、裏面電極を形成する工程、封止板を用いて封止する工程、等の各種の層形成や処理の工程が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

【0072】

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１０のガラス基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。

【0073】

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

【0074】

貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

【0075】

（分離工程）
分離工程は、図２（Ｄ）に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層されたガラス基板１６（部材付きガラス基板）と、支持基材１２とに分離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１６を含む部材付きガラス基板（電子デバイス）２４を得る工程である。
剥離時のガラス基板１６上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１６上に形成することもできる。

【0076】

ガラス基板１６と支持基材１２とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持基材１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基材が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板１６−シリコーン樹脂層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基材１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうするとシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との界面やシリコーン樹脂層１４の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基材１２を容易に剥離することができる。
また、支持基材１２は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体１０を製造することができる。

【0077】

なお、電子デバイス用部材付き積層体２２から部材付きガラス基板２４を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層１４の欠片が部材付きガラス基板２４に静電吸着することをより抑制することができる。

【0078】

上述した部材付きガラス基板２４の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は、主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

【0079】

上記方法で製造された部材付きガラス基板２４としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

【実施例】

【0080】

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらの例によって限定されるものではない。

【0081】

以下の実施例１〜２５、比較例１〜２では、支持基材としては、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２４０ｍｍ、横２４０ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

【0082】

＜実施例１＞
初めに、板厚０．５ｍｍの支持基材を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。
次に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００、アルケニル基の数：２個以上）（１００質量部）と、ハイドロジェンポリシロキサン（数平均分子量：２０００、ハイドロシリル基の数：２個以上）（１５質量部）と配合した。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）は、０．９／１であった。さらに、触媒（白金触媒）を、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計質量に対し、３００ｐｐｍ添加した。この液を、硬化性樹脂組成物Ｘとする。この硬化性樹脂組成物Ｘを、ダイコーターを用いて支持基材の第１主面上に塗布して、未硬化のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを含む層を支持基材上に設けた。

【0083】

次に、２３０℃で、１０分間、大気中で加熱硬化して、支持基材の第１主面に厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。なお、シリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
この際、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
得られたガラス積層体Ａにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ａにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。

【0084】

次に、ガラス積層体Ａを窒素雰囲気下にて３５０℃で６０分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、ガラス積層体Ａの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
そして、３５０℃、６０分間の加熱処理後のガラス積層体Ａに対して、以下の剥離試験を行い、ガラス基板の剥離強度（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。その際の剥離強度は、１．４９Ｎ/２５ｍｍであった。
（剥離強度の測定方法）
剥離強度の測定方法は、幅２５ｍｍ・長さ７０ｍｍのガラス積層体Ａを用意し、オートグラフＡＧ−２０／５０ｋＮＸＤｐｌｕｓ（島津製作所）を用いて、ガラス基板の剥離を行った。
この際、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成した後、ガラス基板を完全に固定し、支持基材を引き上げることで強度の測定を行った。なお、剥離速度は、３０ｍｍ／ｍｉｎあった。荷重を検知した地点を０とし、その位置から２．０ｍｍ引き上げた位置での剥離強度を測定値とした。

【0085】

＜実施例２＞
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００）の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：５０００、アルケニル基の数：２個以上）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｂを得た。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比が実施例１と同じようなるように、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの使用量を調整した。
得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体Ｂにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｂにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｂを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｂの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．５１Ｎ/２５ｍｍであった。

【0086】

＜実施例３＞
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００）の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：８０００、アルケニル基の数：２個以上）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｃを得た。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比が実施例１と同じようなるように、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの使用量を調整した。
得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体Ｃにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｃにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｃを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｃの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．５６Ｎ/２５ｍｍであった。

【0087】

＜実施例４＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４。動粘度（２５℃）：２．３ｍｍ^２／ｓ、沸点：１７５℃、ＳＰ値：１２．９ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｄを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、８０質量％になる量とした。
なお、この際のダイコーターの塗布速度は、実施例１に比べて、２倍の速度で塗布することができた。また、その際、硬化性樹脂組成物Ｘの吐出量に関しては、１０μｍのシリコーン樹脂層が形成されるように、調整した。

【0088】

得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体Ｄにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｄにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｄを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｄの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．４６Ｎ/２５ｍｍであった。

【0089】

＜実施例５＞
オクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４）の代わりに、溶媒としてＩＰソルベント２０２８（出光興産社製。動粘度（４０℃）：２．５３ｍｍ^２／ｓ、沸点：２１６〜２６２℃、ＳＰ値：１４．５〜１６．３ＭＰａ^1/2）を使用した以外は、実施例４と同様の方法で、ガラス積層体Ｅを得た。
なお、この際のダイコーターの塗布速度は、実施例１に比べて、２倍の速度で塗布することができた。また、その際、硬化性樹脂組成物Ｘの吐出量に関しては、１０μｍのシリコーン樹脂層が形成されるように、調整した。
ガラス積層体Ｅにおいては、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｅを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｅの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．４９Ｎ/２５ｍｍであった。
なお、得られたガラス積層体Ｅにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかったが、シリコーン樹脂層の平坦性がやや劣った。

【0090】

＜実施例６＞
ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（板厚０．２ｍｍ）の代わりに、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（板厚０．１ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｆを得た。
得られたガラス積層体Ｆにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｆにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｆを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｆの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．４８Ｎ/２５ｍｍであった。

【0091】

＜比較例１＞
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００）の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：１００００、アルケニル基の数：２個以上）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｇを得た。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比が実施例１と同じようなるように、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの使用量を調整した。
得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体Ｇにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｇにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｇを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｇの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．７５Ｎ/２５ｍｍであった。

【0092】

＜比較例２＞
アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：１００００）の代わりに、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：１５０００、アルケニル基の数：２個以上）を用いた以外は、比較例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｈを得た。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比が実施例１と同じようなるように、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンの使用量を調整した。
得られたシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体Ｈにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ｈにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体Ｈを実施例１と同様の加熱処理をおこなったところ、ガラス積層体Ｈの支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、加熱処理後の剥離強度は、１．７８Ｎ/２５ｍｍであった。

【0093】

＜作業性の評価＞
上記した実施例１〜６および比較例１、２、ならびに後述する実施例７〜２５の各ガラス積層体の作業性の評価は、以下のように行なった。
実施例および比較例で得られたガラス積層体（幅２５ｍｍ・長さ７０ｍｍ）中のシリコーン樹脂層中のガラス基板との界面の一端側に、ステンレス製刃物を５ｍｍ挿入し、長さ方向に沿ってステンレス製刃物を５０ｍｍ移動させた。ステンレス製刃物がガラス基板の割れを起こさずにスムーズに移動した場合を「○」、ステンレス製刃物の移動が困難で、ガラス基板の割れが引き起こされる場合を「×」とした。その結果については、表１〜３の表中の作業性の欄に表記した。
上記ステンレス製刃物の移動しやすさは、シリコーン樹脂層とガラス基板との剥離強度と関連し、剥離強度が大きい場合は、ステンレス製刃物が移動しにくくなる。
＜剥離強度の評価＞
上記した実施例１〜６および比較例１、２、ならびに後述する実施例７〜２５の各ガラス積層体の剥離強度の評価は、前述した（剥離強度の測定方法）の項目で示した方法によって測定した数値を用いた。

【0094】

上記実施例１〜６および比較例１、２の仕様および評価結果を、表１として、以下にまとめて示す。
なお、表１および２において、ＳＰ値（ヒルデブランドのＳＰ値）の単位は、ＭＰａ^1/2である。
表１および２において、「ポリシロキサン（Ａ）」とは、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンを意図する。
表１中、「平坦性」に関して、平坦性が良好であったものを「○」、実用上問題ないが良好でなかったものを「△」、平坦性が悪く実用上問題がある場合を「×」とした。

【0095】

【表1】

【0096】

表１に示すように、５００〜９０００の範囲内の数平均分子量のポリシロキサン（Ａ）を使用した場合は、剥離強度が低く、ガラス基板を剥離しやすかった。このガラス基板の剥離性により、生産性も優れていた。
また、実施例４と５との比較より、硬化性樹脂組成物が溶媒を含む場合は、ヒルデブランドのＳＰ値：１４．０ＭＰａ^1/2以下の溶媒を使用することにより、シリコーン樹脂層の平坦性がより優れることが確認された。
一方、数平均分子量が５００〜９０００の範囲内でないポリシロキサン（Ａ）を使用した場合は、剥離強度が増大し、結果として作業性にも劣っていた。

【0097】

＜実施例７＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４。動粘度（２５℃）：２．３ｍｍ^２／ｓ、沸点：１７５℃、ＳＰ値：１２．９ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｉを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、４０質量％になる量とした。

【0098】

＜実施例８＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてデカメチルシクロペンタシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９５。動粘度（２５℃）：４ｍｍ^２／ｓ、沸点：２１０℃、ＳＰ値：１１．５ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｊを得た。
なお、デカメチルシクロペンタシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、４０質量％になる量とした。

【0099】

＜実施例９＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてデカメチルシクロペンタシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９５。動粘度（２５℃）：４ｍｍ^２／ｓ、沸点：２１０℃、ＳＰ値：１１．５ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｋを得た。
なお、デカメチルシクロペンタシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、６０質量％になる量とした。

【0100】

＜実施例１０＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてデカメチルシクロペンタシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９５。動粘度（２５℃）：４ｍｍ^２／ｓ、沸点：２１０℃、ＳＰ値：１１．５ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｌを得た。
なお、デカメチルシクロペンタシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、７０質量％になる量とした。

【0101】

＜実施例１１＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてデカメチルシクロペンタシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９５。動粘度（２５℃）：４ｍｍ^２／ｓ、沸点：２１０℃、ＳＰ値：１１．５ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｍを得た。
なお、デカメチルシクロペンタシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、８０質量％になる量とした。
＜実施例１２＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらに溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４。動粘度（２５℃）：２．３ｍｍ^２／ｓ、沸点：１７５℃、ＳＰ値：１２．９ＭＰａ^1/2）を加えた以外は、実施例１と同様の方法で、ガラス積層体Ｎを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、５０質量％になる量とした。

【0102】

上記実施例１、４、５、７〜１２の仕様、ならびに剥離強度、作業性および再積層性の評価結果を、表２として、以下にまとめて示す。
なお、表２及び表３に示した再積層性の評価は、以下の方法により行なった。
＜再積層性の評価方法＞
ガラス積層体の高温処理後に、ガラス積層体からガラス基板を剥離して樹脂層付き支持基材を得て、再度、同じ樹脂層付き支持基材を新規のガラス基板と積層し使用する際に、吸着が進行しやすく、積層しやすいかを下記の方法により評価した（この評価を「再積層性の評価」とした）。
ガラス積層体Ａを窒素雰囲気下にて３５０℃で６０分間加熱処理を行い、室温まで冷却した。 そして、３５０℃、６０分間の加熱処理後のガラス積層体Ａからガラス基板を剥離し、樹脂層付き支持基材を得た。
この剥離により得られた樹脂層付き支持基材を、新規に準備した清浄なガラス基板に対し常圧下でロール積層させた。
なお、ガラス積層体Ａの代わりにガラス積層体Ｉ、Ｎを用いて上記と同様の手順でロール積層を行った。なお、表３における再積層性は、ガラス積層体Ａの代わりにガラス積層体Ｏからガラス積層体ＡＡを用いて上記と同様の手順でロール積層を行ったものである。
評価基準として、ガラス積層体Ａ（実施例１）を基準とし、実施例１よりも、積層の際に気泡が残りにくい場合を「◎」、実施例１と同等の場合を「○」、実施例１よりも気泡が残りやすい場合を「×」とし、その結果を表２および３に表記した。

【0103】

【表2】

【0104】

表２に示すように、沸点が２００℃以下の溶媒を使用した実施例４、７および１２においては、ポリシロキサン（Ａ）およびポリシロキサン（Ｂ）の合計含有量に関わらず、剥離強度が低く、ガラス基板を剥離しやすかった。
また、沸点が２００℃超の溶媒を使用した実施例５、８〜１１の比較から分かるように、ポリシロキサン（Ａ）およびポリシロキサン（Ｂ）の合計含有量が７０質量％以上の場合、剥離強度がより低く、ガラス基板をより剥離しやすかった。

【0105】

＜実施例１３＞
硬化性樹脂組成物Ｘに、さらにシリコーンオイルとしてジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−２００ｃｓ。動粘度（２５℃）：２００ｍｍ^２／ｓ）を「ポリシロキサン（Ａ）とポリシロキサン（Ｂ）」の合計質量を１００質量部としたときに１質量部加えた以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｏを得た。
＜実施例１４＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を１質量部から４質量部に変更した以外は、実施例１３と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｐを得た。
＜実施例１５＞
上記ジメチルポリシロキサンと共に、溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４。動粘度（２５℃）：２．３ｍｍ^２／ｓ、沸点：１７５℃、ＳＰ値：１２．９ＭＰａ^1/2）を硬化性樹脂組成物Ｘにさらに加えた以外は、実施例１３と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｑを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、４０質量％になる量とした。

【0106】

＜実施例１６＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を１質量部から２質量部に変更した以外は、実施例１５と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｒを得た。

【0107】

＜実施例１７＞
シリコーンオイルとしてジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−２００ｃｓ。動粘度（２５℃）：２００ｍｍ^２／ｓ）をジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−５０ｃｓ。動粘度（２５℃）：５０ｍｍ^２／ｓ）に変更し、溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量を変更した以外は、実施例１６と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｓを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、５０質量％になる量とした。

【0108】

＜実施例１８＞
ジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−５０ｃｓ。動粘度（２５℃）：５０ｍｍ^２／ｓ）をジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−２００ｃｓ。動粘度（２５℃）：２００ｍｍ^２／ｓ）に変更した以外は、実施例１７と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｔを得た。

【0109】

＜実施例１９＞
ジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−５０ｃｓ。動粘度（２５℃）：５０ｍｍ^２／ｓ）をジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−１０００ｃｓ。動粘度（２５℃）：１０００ｍｍ^２／ｓ）に変更した以外は、実施例１７と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｕを得た。

【0110】

＜実施例２０＞
ジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６−５０ｃｓ。動粘度（２５℃）：５０ｍｍ^２／ｓ）をジメチルポリシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９６Ｈ−１００００ｃｓ。動粘度（２５℃）：１００００ｍｍ^２／ｓ）に変更した以外は、実施例１７と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｖを得た。

【0111】

＜実施例２１＞
上記ジメチルポリシロキサンと共に、溶媒としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（信越化学工業社製、ＫＦ−９９４。動粘度（２５℃）：２．３ｍｍ^２／ｓ、沸点：１７５℃、ＳＰ値：１２．９ＭＰａ^1/2）を硬化性樹脂組成物Ｘにさらに加えた以外は、実施例１４と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｗを得た。
なお、オクタメチルシクロテトラシロキサンの使用量は、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計量が組成物全量に対して、５０質量％になる量とした。

【0112】

＜実施例２２＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を４質量部から６質量部に変更した以外は、実施例２１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｘを得た。

【0113】

＜実施例２３＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を４質量部から８質量部に変更した以外は、実施例２１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｙを得た。

【0114】

＜実施例２４＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を４質量部から１０質量部に変更した以外は、実施例２１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ｚを得た。

【0115】

＜実施例２５＞
ジメチルポリシロキサンの使用量を４質量部から１５質量部に変更した以外は、実施例２１と同様の手順に従って、ガラス積層体ＡＡを得た。

【0116】

上記実施例７〜２５にて得られたガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）中のシリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
また、得られたガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）においては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）において、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
次に、ガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）を実施例１と同様の加熱処理を行なったところ、いずれのガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）においても、支持基材とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は、認められなかった。
また、ガラス積層体（ガラス積層体Ｉ〜ＡＡ）の加熱処理後の剥離強度を、表２と表３にまとめて示す。剥離強度の測定方法は、実施例１と同様であった。

【0117】

上記実施例１３〜２５の各仕様、ならびに剥離強度、作業性および再積層性の評価結果を、表３として、以下にまとめて示す。
なお、表３中の「含有量」は、組成物中における「ポリシロキサン（Ａ）」および「ポリシロキサン（Ｂ）」の組成物全質量に対する合計含有量（質量％）を表す。

【0118】

【表3】

【0119】

表３に示すように、シリコーンオイルを添加した実施例１３から実施例２５は、表２に示すシリコーンオイルを添加していない実施例１、７、１２と比較して剥離強度が低下し、リワーク性にも優れていた。

【0120】

＜実施例２６＞
本例では、実施例１で得た、ガラス積層体Ａを用いてＯＬＥＤを製造する。
まず、ガラス積層体Ａにおけるガラス基板の第２主面上に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜する。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理をおこなう。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理をおこなう。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成する。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをＮ型、Ｐ型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりＴＦＴ電極を形成する。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理をおこなった後に、プラズマＣＶＤ法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成する。

【0121】

続いて、蒸着法により、ガラス基板の第２主面側に、正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜する。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成する。次に、ガラス基板の第２主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止する。上記手順によって、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を形成する。ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体Ａ（以下、パネルＡという。）が、本発明の電子デバイス用部材付き積層体である。

【0122】

続いて、パネルＡの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルＡのコーナー部のガラス基板と樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板と樹脂層の界面に剥離のきっかけを与える。そして、パネルＡの支持基材表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させる。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行う。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら真空吸着パッドを引き上げる。その結果、定盤上に有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板のみを残し、樹脂層付き支持基材を剥離することができる。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機ＥＬ構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してＯＬＥＤを作製する。こうして得られるＯＬＥＤは、特性上問題は生じない。

【産業上の利用可能性】

【0123】

本発明によれば、高温加熱処理後であってもガラス基板とシリコーン樹脂層との剥離強度の上昇が抑制され、容易にガラス基板を剥離することができるガラス積層体およびその製造方法を提供することができ、かかるガラス積層体は、電子デバイスを製造する際の部材として有用である。
なお、２０１４年４月１０日に出願された日本特許出願２０１４−０８１１９０号および２０１４年１１月２１日に出願された日本特許出願２０１４−２３６２７５号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。

【符号の説明】

【0124】

１０ ：ガラス積層体
１２ ：支持基材
１４ ：シリコーン樹脂層
１４ａ ：シリコーン樹脂層の第１主面
１６ ：ガラス基板
１６ａ ：ガラス基板の第１主面
１６ｂ ：ガラス基板の第２主面
１８ ：シリコーン樹脂層付き支持基材
２０ ：電子デバイス用部材
２２ ：電子デバイス用部材付き積層体
２４ ：部材付きガラス基板

【図1】

【図2】