特許6571155炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス

発明の名称　炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス

出願人　インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー　（識別番号 501209070）

　　　　特許公開件数ランキング 4997 位（1件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12296 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6571155

公報発行日　2019年9月4

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6571155

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