特許 6585191 キャリア又は基板を搬送するための装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6585191

(24)【登録日】2019年9月13日

(45)【発行日】2019年10月2日

(54)【発明の名称】キャリア又は基板を搬送するための装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/50 20060101AFI20190919BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20190919BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20190919BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20190919BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20190919BHJP

【ＦＩ】

   C23C14/50 K

   C23C14/24 G

   C23C14/24 C

   H05B33/14 A

   H05B33/10

   H01L21/68 A

【請求項の数】15

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2017-557376(P2017-557376)

(86)(22)【出願日】2016年5月18日

(65)【公表番号】特表2018-527455(P2018-527455A)

(43)【公表日】2018年9月20日

(86)【国際出願番号】EP2016061142

(87)【国際公開番号】WO2017198298

(87)【国際公開日】20171123

【審査請求日】2018年1月11日

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ヴェルチェージ， トンマーゾ

(72)【発明者】

【氏名】ハイミル， オリバー

(72)【発明者】

【氏名】ハース， ディータ

(72)【発明者】

【氏名】バンゲルト， シュテファン

【審査官】 神▲崎▼ 賢一

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０１１６３３７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００４−２６３２９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０８−３２１４９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０５−１２１０２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−０１０１４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−３１２０７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２６４９３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２２７６０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０４−１９５０１８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ １４／５０

Ｃ２３Ｃ １４／２４

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法であって、
真空チャンバ内で前記キャリアアセンブリを浮上させることと、
所定の位置に対して前記キャリアアセンブリを位置付けるために、前記キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、
（ａ）基板搬送方向、（ｂ）第１方向、及び（ｃ）基板搬送方向と第１方向とを合成した方向からなる群から選択された少なくとも１つの方向で、マスク又はマスクキャリアに対して前記キャリアアセンブリを位置合わせすることとを含み、
前記第１方向は、鉛直方向であるか、鉛直方向に対してずれた角度にある方向であり、ずれた角度は高々１５°であり、
前記基板搬送方向と前記第１方向とによって提供される平面内で前記キャリアアセンブリを回転させることによって、前記マスク又は前記マスクキャリアに対して前記キャリアアセンブリを更に位置合わせすることを更に含む、
方法。

【請求項2】

前記キャリアアセンブリが、マスク又はマスクキャリアに対して移動される、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

浮上させながら前記基板搬送方向に沿って前記キャリアアセンブリを誘導することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

前記キャリアアセンブリが、位置合わせ中の機械的接触を伴わない、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項5】

前記位置合わせすることが５０μｍ以下の精度で行われる、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

前記更に位置合わせすることが３°以下の精度で行われる、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

機械的位置合わせを行うために、２つ以上の位置合わせアクチュエータに、前記マスク若しくは前記マスクキャリア、前記キャリアアセンブリ、又は、前記マスク若しくは前記マスクキャリア及び前記キャリアアセンブリを接触させることを更に含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項8】

前記機械的位置合わせが５μｍ以下の精度で行われる、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

キャリアアセンブリの基板を処理する方法であって、
請求項１から８のいずれか一項に記載の前記キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの前記方法であって、前記マスク又は前記マスクキャリアが前記真空チャンバ内に位置付けられる、前記方法と、
前記真空チャンバ内で前記基板を処理することとを含む、方法。

【請求項10】

前記真空チャンバのゲートバルブを開き、かつ、前記キャリアアセンブリが浮上している間に、前記真空チャンバから出すように前記キャリアアセンブリを移動させることを更に含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記真空チャンバ内で前記基板を処理することが、前記基板上に層を堆積させることを含む、請求項９又は１０に記載の方法。

【請求項12】

堆積させることが、前記基板に沿って堆積ソースアセンブリを移動させることを含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

基板処理システムの真空チャンバ内での、キャリアアセンブリ、及び、マスク又はマスクキャリアの互いに対する非接触型位置合わせのための装置（１００）であって、
前記真空チャンバ内に複数の能動磁気ユニット（１７５）を有する誘導構造体（１７０）であって、前記真空チャンバ内で前記キャリアアセンブリを浮上させるよう構成される、誘導構造体（１７０）と、
前記真空チャンバ内に複数の更なる能動磁気ユニットを有する駆動構造体（１８０）であって、機械的な接触を伴わずに搬送方向に沿って前記キャリアアセンブリを駆動するよう構成される、駆動構造体（１８０）と、
前記真空チャンバ内で、前記マスク若しくは前記マスクキャリア、前記キャリアアセンブリ、又は、前記マスク若しくは前記マスクキャリアと前記キャリアアセンブリに接触する、２つ以上の位置合わせアクチュエータと、
前記誘導構造体、前記駆動構造体、及び、前記２つ以上の位置合わせアクチュエータに接続されたコントローラであって、前記誘導構造体及び前記駆動構造体を用いて事前位置合わせを行い、かつ、前記２つ以上の位置合わせアクチュエータを用いて機械的位置合わせを行うために、前記複数の能動磁気ユニット及び前記複数の更なる能動磁気ユニットを制御するよう構成された、コントローラとを含む、装置。

【請求項14】

前記２つ以上の位置合わせアクチュエータが圧電アクチュエータである、請求項１３に記載の装置。

【請求項15】

少なくとも１つの更なる圧電アクチュエータを更に備える、請求項１４に記載の装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、キャリア又は基板、より具体的には大面積基板への層堆積のためのキャリア又は基板を、搬送するための装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］基板に材料を堆積させるためのいくつかの方法は既知である。一例としては、基板は、蒸発プロセス、スパッタリングプロセスや噴霧プロセスなどの物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、又は化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスを使用することによって、コーティングされうる。プロセスは、コーティングされるべき基板が配置される、堆積装置の処理チャンバ内で実施されうる。堆積材料が処置チャンバ内に提供される。小分子、金属、酸化物、窒化物、及び炭化物などの複数の材料が、基板への堆積に使用されうる。更に、エッチング、構造化（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）、アニール処理などといったその他のプロセスが、処理チャンバ内で実行されうる。

【0003】

［０００３］例えば、コーティングプロセスは、例としてはディスプレイ製造技術における、大面積基板向けのものとみなされうる。コーティングされた基板は、いくつかの用途及びいくつかの技術分野において使用されうる。例えば、１つの用途は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネルでありうる。更なる用途は、絶縁パネル、半導体デバイスなどのマイクロエレクトロニクス、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）付き基板、カラーフィルタなどを含む。ＯＬＥＤは、電気の印加により光を発する（有機）分子の薄膜で構成された固体デバイスである。一例としては、ＯＬＥＤディスプレイは、電子デバイスの明るいディスプレイを提供すること、及び、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して使用電力を低減することが可能である。処理チャンバ内で、有機分子は、生成され（例えば蒸発し、スパッタリングされ、又は噴霧される等）、基板上に層として堆積される。基板上の所望の位置に材料を堆積させて、例えば基板上にＯＬＥＤパターンを形成するために、粒子が、例としては、境界又は特定のパターンを有するマスクを通過しうる。

【0004】

［０００４］マスクに対する基板の位置合わせ、及び、処理済み基板の品質（詳細には堆積層の品質）が、提供されうる。一例としては、良好な処理結果を実現するために、位置合わせは正確かつ安定的であるべきである。基板とマスクとの位置合わせに使用されるシステムは、振動などの外部干渉を受けやすいことがある。更に、位置合わせのためのシステムは所有コストを増大させうる。

【0005】

［０００５］上記を鑑みるに、層堆積プロセス中のキャリア又は基板の搬送の制御の向上をもたらしうる装置が、必要とされている。

【発明の概要】

【0006】

［０００６］一実施形態により、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法が提供される。この方法は、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させることと、所定の位置、特にマスク又はマスクキャリアに対して、キャリアアセンブリを位置付けるために、キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、基板搬送方向、垂直方向に＋−１５°の第１方向、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの方向に、マスク又はマスクキャリアに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることとを、含む。

【0007】

［０００７］別の実施形態により、キャリアアセンブリの基板を処理する方法が提供される。この方法は、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法であって、マスク又はマスクキャリアが真空チャンバ内に位置付けられる、方法と、真空チャンバ内で基板が処理されることとを、含む。キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法は、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させることと、所定の位置、特にマスク又はマスクキャリアに対して、キャリアアセンブリを位置付けるために、キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、基板搬送方向、垂直方向に＋−１５°の第１方向、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの方向で、マスク又はマスクキャリアに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることとを、含む。

【0008】

［０００８］別の実施形態により、基板処理システムの真空チャンバ内での、キャリアアセンブリ、及び、マスク又はマスクキャリアの互いに対する非接触型位置合わせのための装置が、提供される。この装置は、真空チャンバ内に複数の能動磁気ユニットを有する誘導構造体であって、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させるよう構成されている、誘導構造体と、真空チャンバ内に複数の更なる能動磁気ユニットを有する駆動構造体であって、機械的接触を伴わずに搬送方向に沿ってキャリアアセンブリを駆動するよう構成されている、駆動構造体と、真空チャンバ内で、マスク、基板、又はマスクと基板に接触する、２つ以上の位置合わせアクチュエータと、誘導構造体、駆動構造体、及び、２つ以上の位置合わせアクチュエータに接続されたコントローラであって、誘導構造体及び駆動構造体を用いて事前位置合わせを行い、かつ、２つ以上の位置合わせアクチュエータを用いて機械的位置合わせを行うために、複数の能動磁気ユニット及び複数の更なる能動磁気ユニットを制御するよう構成された、コントローラとを、含む。

【0009】

［０００９］本開示の上述の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に要約されている本開示の、より詳細な説明が得られる。添付の図面は本開示の実施形態に関するものであり、下記でそれらについて説明する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1A】本開示の実施形態による、基板処理システムにおける、表面上に基板がローディングされたキャリアなどのキャリアアセンブリを搬送するための装置の概略側面図を示す。

【図1B】図１Ａによる装置の上面図を示す。

【図1C】図１Ａによる装置の別の側面図を示す。

【図2】本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置を含む基板処理システムなどの装置を示す。

【図3A-3B】本開示の実施形態による、表面上に基板がローディングされたキャリアなどのキャリアアセンブリの搬送の概略側面図を示す。

【図4A-4B】本開示の実施形態による、基板処理システム内で基板を位置合わせする方法を示す、概略側面図を示す。

【図5】本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置と組み合わされて、又は基板処理システム内で、利用されうる、マスク又はマスク構成の概略図を示す。

【図6】本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置と組み合わされて、又は基板処理システム内で、利用されうる、マスク又はマスク構成の概略図を示す。

【図7】本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の概略図を示す。

【図8】本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の断面図を示す。

【図9】本書に記載の更なる実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の概略図を示す。

【図10】本開示の実施形態による、キャリアアセンブリ及びマスクの互いに対する位置合わせの方法を図示するフロー図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［００１０］本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の一又は複数の例が図中に示されている。図面についての下記の説明において、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。個々の実施形態に関しては、相違点についてのみ説明する。本開示の説明として各例が提供されているが、例は本開示を限定することを意図するものではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。本明細書がかかる改変例及び変形例を含むことが、意図されている。

【0012】

［００１１］本書に記載の実施形態は、キャリア又は基板の非接触型の浮上、搬送、及び／又は位置合わせに関する。本開示はキャリアアセンブリに言及しており、このキャリアアセンブリは、基板を支持するキャリア、基板を伴わないキャリア、基板、又は支持体によって支持された基板からなる群のうちの一又は複数の要素を含みうる。本開示全体における「非接触（ｃｏｎｔａｃｔｌｅｓｓ）」という語は、キャリアと基板などの重量が、機械的接触又は機械的な力によって保持されず、磁力によって保持されるという意味に、理解されうる。具体的には、キャリアアセンブリは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮上状態又は浮動状態で保持される。一例としては、本書に記載の装置は、堆積ソースアセンブリの重量を支持する、機械的レールなどの機械的手段を有さないことがある。一部の実行形態では、システム内でキャリアアセンブリが浮上（例えば移動）している間に、キャリアアセンブリと装置のそれ以外の部分との機械的接触が全く存在しないことがある。

【0013】

［００１２］本開示の実施形態により、浮上すること又は浮上は、機械的な接触又は支持を伴わずに物体が浮動している、物体の状態を表す。更に、物体の移動は、駆動力（例えば浮力とは異なる方向への力）を提供することを表し、物体は、一つの位置からそれとは異なる別の位置（例えば別の横方向位置）に移動する。例えば、キャリアアセンブリなどの物体は、例えば重力に反作用する力によって浮上し、浮上している間に重力に平行な方向とは異なる方向に移動しうる。

【0014】

［００１３］本書に記載の実施形態による、キャリアアセンブリの非接触型の浮上、搬送、及び／又は位置合わせは、キャリアアセンブリの搬送中又は位置合わせ中に、堆積ソースアセンブリと機械的レールなどの装置の部位との機械的接触による粒子発生がないという点で、有利である。したがって、詳細には非接触型の浮上、搬送、及び／又は位置合わせを使用すると粒子発生が最少化されることから、本書に記載の実施形態は、基板への層堆積の純度及び均一性の向上をもたらす。

【0015】

［００１４］キャリアアセンブリを誘導するための機械的手段と比較しての更なる利点は、本書に記載の実施形態が、キャリアアセンブリの移動の直線性及び／又は精度に影響を与える摩擦の関与を受けないことである。キャリアアセンブリの非接触型搬送はキャリアアセンブリの摩擦のない移動を可能にし、マスクに対するキャリアアセンブリの位置合わせは、高精度で制御され、維持されうる。また更に、浮上により、キャリアアセンブリのスピードの素早い加速及び減速、及び／又は、キャリアアセンブリのスピードの微細な調整が、可能になる。

【0016】

［００１５］更に、機械的レールの材料には、典型的には、チャンバの排出によって、また、温度、使用、摩耗などによって引き起こされうる、変形が発生する。かかる変形は、キャリアアセンブリの位置付けに影響を与え、ひいては、堆積層の品質に影響を与える。対称的に、本書に記載の実施形態は、例えば、本書に記載の誘導構造体に発生する可能性がある変形を補償することを可能にする。キャリアアセンブリが浮上し、搬送される非接触様態を鑑みるに、本書に記載の実施形態は、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせを可能にする。したがって、マスクに対する基板の位置合わせの改善及び高効率化がもたらされうる。

【0017】

［００１６］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、装置は、垂直方向（例えばｙ方向）に沿った、かつ／又は、一又は複数の横断方向（例えばｘ方向）に沿った、キャリアアセンブリの非接触型平行移動に適するよう、構成される。

【0018】

［００１７］本書に記載の実施形態は、例えばマスクに対してキャリアアセンブリを角度方向に位置合わせするための、少なくとも１つの回転軸に対するキャリアアセンブリの非接触型回転を可能にする。０．００３度〜３度の角度範囲内で、回転軸に対する堆積ソースアセンブリの回転が行われうる。［００１７］本書に記載の実施形態は、例えばマスクに対してキャリアアセンブリを角度方向に位置合わせするための、少なくとも１つの回転軸に対するキャリアアセンブリの追加の機械的回転（すなわち、接触を伴う回転）を可能にする。０．０００１度〜３度の角度範囲内で、回転軸に対する堆積ソースアセンブリの機械的回転が行われうる。

【0019】

［００１８］本開示では、「実質的に平行（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｐａｒａｌｌｅｌ）」な方向という文言は、互いに１０度まで又は１５度までの小角度をなす複数の方向を含みうる。更に、「実質的に直角（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ）」な方向という文言は、互いに９０度未満（例えば、少なくとも８０度、又は少なくとも７５度）の角度をなす、複数の方向を含みうる。同様の考えが、実質的に平行又は直角な軸、平面、領域などの概念に適用される。

【0020】

［００１９］本書に記載の一部の実施形態は、「垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」という概念を伴う。垂直方向は、重力に沿った方向に実質的に平行な方向と見なされる。垂直方向は、例えば１５度までの角度の範囲で、厳密な垂直性（重力によって規定される鉛直方向）からずれうる。例えば、本書に記載のｙ方向（図では「Ｙ」と示す）は、垂直方向である。詳細には、図示されているｙ方向は重力の方向を画定している。

【0021】

［００２０］本書に記載の実施形態は、「横断方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」という概念を、更に伴いうる。横断方向は、垂直方向とは相違すると理解すべきである。横断方向は、重力によって画定される厳密な垂直方向に対して、直角又は実質的に直角でありうる。例えば、本書に記載のｘ方向及びｚ方向（図では「Ｘ」及び「Ｚ」と示す）は、横断方向である。

【0022】

［００２１］本書に記載の実施形態は、例えばディスプレイ製造向けに大面積基板をコーティングするために、利用されうる。本書に記載の装置及び方法の提供の対象である基板又は基板受領領域は、大面積基板でありうる。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又は、約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０でもありうる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に大型の世代、並びに、それに相当する基板領域も、同様に実装されうる。

【0023】

［００２２］本書において、「基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」という語は、特に、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体の薄片、又はガラスプレートといった、実質的に非フレキシブルな基板を包含しうる。しかし、本開示はそれらに限定されるわけではなく、「基板」という語は、ウェブや箔などのフレキシブル基板も包含しうる。「実質的に非フレキシブルな（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙｉｎｆｌｅｘｉｂｌｅ）」という文言は、「フレキシブル」とは相違すると理解される。具体的には、０．５ｍｍ以下の厚さを有するガラスプレートなどの実質的に非フレキシブルな基板も、ある程度の可撓性を有することがあり、実質的に非フレキシブルな基板の可撓性は、フレキシブル基板と比較して低くなる。

【0024】

［００２３］基板は、材料堆積に好適な任意の材料で作製されうる。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、若しくは、堆積プロセスによってコーティングされうる他の任意の材料又は材料の組み合わせからなる群から選択された材料で、作製されうる。

【0025】

［００２４］図１Ａに示しているように、一実施形態により、キャリアアセンブリ１１０及び／又は基板１２０の非接触型搬送のための装置１００が提供される。装置はキャリアアセンブリ１１０を含む。キャリアアセンブリ１１０は基板１２０を含みうる。キャリアアセンブリ１１０は、第１受動磁気ユニット１５０を含む。装置は、キャリアアセンブリ搬送方向に延在する、誘導構造体１７０を含む。誘導構造体は、複数の能動磁気ユニット１７５を含む。キャリアアセンブリ１１０は、誘導構造体１７０に沿って可動である。強磁性材料の棒状体などの第１受動磁気ユニット１５０、及び、誘導構造体１７０の複数の能動磁気ユニットは、キャリアアセンブリ１１０を浮上させるための第１磁気浮力を提供するよう構成される。本書で説明している浮上のための手段は、例えばキャリアアセンブリを浮上させる非接触力を提供するための手段である。

【0026】

［００２５］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、装置１００は処理チャンバ内に配置されうる。処理チャンバは、真空チャンバ又は真空堆積チャンバでありうる。本書において、「真空（ｖａｃｕｕｍ）」という語は、例えば１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する工業的真空の意味に理解されうる。装置１００は、真空チャンバの内部に真空を発生させるために真空チャンバに接続された、ターボポンプ及び／又はクライオポンプなどの一又は複数の真空ポンプを含みうる。

【0027】

［００２６］図１Ａは、装置１００の側面図を示している。装置１００はキャリアアセンブリ１１０を含む。更に、装置は誘導構造体１７０を含む。装置は、駆動構造体１８０を更に含みうる。駆動構造体は、複数の更なる能動磁気ユニットを含む。キャリアアセンブリは、駆動構造体１８０の更なる能動磁気ユニット１８５と相互作用する、強磁性材料の棒状体などの第２受動磁気ユニット１６０を含みうる。図１ＡはＸ−Ｙ平面の側面図を示している。図１Ｂは、図１Ａの装置１００の上面図を示している。図１ＢはＸ−Ｚ平面を示している。図１Ｂでは、複数の能動磁気ユニット１７５が上側視点から示されている。図１Ｃは、装置１００の別の側面図を示している。図１ＣはＺ−Ｙ平面を示している。図１Ｃには、複数の能動磁気ユニットのうちの１つの能動磁気ユニット１７５が示されている。能動磁気ユニット１７５は、キャリアアセンブリ１１０の第１受動磁気ユニット１５０と相互作用する、磁力を提供する。例えば、第１受動磁気ユニット１５０は強磁性材料のロッドでありうる。ロッドは、キャリアアセンブリ１１０の、支持構造体１１２に接続されている部分でありうる。このロッド又は第１受動磁気ユニットはそれぞれ、基板１２０を支持するための支持構造体１１２と一体的に形成されることもある。キャリアアセンブリ１１０は、更なるロッドなどの第２受動磁気ユニット１６０を更に含みうる。更なるロッドはキャリアアセンブリ１１０に接続されうる。このロッド又は第２受動磁気ユニットはそれぞれ、支持構造体１１２と一体的に形成されることもある。

【0028】

［００２７］「受動（ｐａｓｓｉｖｅ）」磁気ユニットという用語は、本書では、「能動（ａｃｔｉｖｅ）」磁気ユニットという概念と区別するために使用される。受動磁気ユニットは、少なくとも装置１００の動作中以外においては、能動的な制御又は調整の影響を受けない磁気特性を有する要素のことでありうる。例えば、キャリアアセンブリのロッド又は更なるロッドなどの受動磁気ユニットの磁気特性は、通常、堆積装置又は処理装置に至るキャリアアセンブリの移動中には、能動制御の影響を受けない。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、装置１００のコントローラは、堆積ソースアセンブリの受動磁気ユニットを制御するようには構成されない。受動磁気ユニットは、静磁場などの磁場を発生させるよう適合しうる。受動磁気ユニットは、調整可能磁場を発生させるようには構成されない。受動磁気ユニットは、強磁性材料などの磁性材料でありうるか、永久磁石でありうるか、又は、永久磁石特性を有しうる。

【0029】

［００２８］能動磁気ユニットによって発生した磁場の調整可能性及び制御可能性を考慮すると、受動磁気ユニットと比較して、能動磁気ユニットはより高い適応性及び精度を供する。本書に記載の実施形態により、能動磁気ユニットによって発生した磁場は、キャリアアセンブリ１１０の位置合わせを行うよう、制御されうる。例えば、調整可能磁場を制御することによって、キャリアアセンブリ１１０に作用する磁気浮力が高い精度で制御されることが可能であり、ゆえに、能動磁気ユニットによって、キャリアアセンブリ、ひいては基板の非接触型位置合わせが可能になる。

【0030】

［００２９］本書に記載の実施形態により、複数の能動磁気ユニット１７５が、第１受動磁気ユニット１５０、ひいてはキャリアアセンブリ１１０に磁力を提供する。複数の能動磁気ユニット１７５は、キャリアアセンブリ１１０を浮上させる。更なる能動磁気ユニット１８５が、例えばＸ方向に沿って、すなわち基板搬送方向である第１方向に沿って、処理システム内でキャリアを駆動する。したがって、複数の更なる能動磁気ユニット１８５は、キャリアアセンブリ１１０を、複数の能動磁気ユニット１７５によって浮上している間に移動させるための、駆動構造体を形成する。更なる能動磁気ユニット１８５は、第２受動磁気ユニット１６０と相互作用して、基板搬送方向に沿った力を提供する。例えば、第２受動磁気ユニット１６０は、極性が交互になるように配置されている、複数の永久磁石を含みうる。結果として得られる第２受動磁気ユニット１６０の磁場は、複数の更なる能動磁気ユニット１８５と相互作用して、キャリアアセンブリ１１０を、浮上している間に移動させうる。

【0031】

［００３０］複数の能動磁気ユニット１７５を用いてキャリアアセンブリ１１０を浮上させ、かつ／又は、複数の更なる能動磁気ユニット１８５を用いてキャリアアセンブリ１１０を移動させるために、能動磁気ユニットは、調整可能磁場を提供するよう制御されうる。調整可能磁場は、静的又は動的な磁場でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、能動磁気ユニットは、垂直方向に沿って延在する磁気浮力を提供するための磁場を発生させるよう、構成される。本書に記載の更なる実施形態と組み合わされうる他の実施形態により、能動磁気ユニットは、横断方向に沿って延在する磁力を提供するよう、構成されうる。本書で説明している能動磁気ユニットは、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超伝導磁石、又はこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された要素でありうるか、又は、かかる要素を含みうる。

【0032】

［００３１］図２は、真空チャンバ内で基板を処理するための装置２００を示している。真空チャンバ２５２は、例えば、チャンバ壁２５３を有しうる。ゲートバルブ２６２がチャンバ壁２５３に設けられうる。ゲートバルブは、キャリアアセンブリ１１０を真空チャンバ２５２内にローディングし、そこから出すために、開きうる。一又は複数の誘導構造体１７０が提供される。一又は複数の誘導構造体は、複数の能動磁気ユニット１７５を含みうる。図２は、２つのゲートバルブ２６２及び２つの誘導構造体１７０を有する、装置２００の一実施形態を示している。したがって、２つのキャリアアセンブリ１１０が、例えば交互又は同時に、真空チャンバ２５２にローディングされ、真空チャンバ２５２からアンローディングされうる。キャリアアセンブリ１１０を交互にローディング及びアンローディングすることには、堆積ソースなどの処理ツールがキャリアアセンブリの基板を処理するのと同時に、別途、別のキャリアアセンブリの別の基板がアンローディング又はローディングされるという、利点がある。したがって、装置２００のスループットが増大しうる。

【0033】

［００３２］図２に示しているように、装置２００は、例えば更なる真空チャンバでありうる、保守チャンバ２５４を更に含む。保守チャンバ２５４は、更なるゲートバルブ２６４によって真空チャンバ２５２から分離されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一実施形態により、装置２００は堆積装置でありうる。堆積ソースアセンブリ２７０は、軌道２７２に沿って移動しうる。軌道２７２又は軌道２７２の一部分は、堆積ソースアセンブリを真空チャンバ２５２から保守チャンバ２５４へと移動させるために、保守チャンバ２５４内に延在しうる。堆積ソースアセンブリ２７０を保守チャンバ内に移動させることには、堆積ソースアセンブリが真空チャンバ２５２の外部でメンテナンスされうるという利点がある。例えば、更なるゲートバルブ２６４が閉じた後に、堆積ソースアセンブリへの保守アクセスを有するよう、保守チャンバ２５４が換気されうる一方、真空チャンバ２５２は排気されたままでありうる。一部の実施形態により、第２堆積ソースアセンブリ２７０が真空チャンバ２５２内で動作している間に、第１堆積ソースアセンブリ２７０は、保守チャンバ２５４内でメンテナンスされうる。追加的又は代替的には、真空チャンバ２５２が換気を要する回数が減少することの結果として、真空チャンバ２５２内の環境がよりクリーンになる。

【0034】

［００３３］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、堆積ソースアセンブリ２７０は支持体２７４を含みうる。支持体２７４は、堆積ソースアセンブリ２７０を軌道２７２に沿って移動させるために、駆動ユニットを含みうる。支持体２７４は、堆積ソースアセンブリを浮上させるために、磁気ユニットを更に含みうる。堆積ソースアセンブリには一又は複数の堆積ソースが含まれうる。図２に例示しているように、支持体２７４は、材料を蒸発させて基板に堆積させるための、３つのるつぼ２７６を支持する。蒸発した材料は、蒸気分配要素又は蒸気分配管２７８内に誘導されうる。蒸気分配要素又は蒸気分配管は、キャリアアセンブリ１１０のキャリアに装着された基板へと、蒸発した材料を方向付けうる。

【0035】

［００３４］図２は、図２の上側のキャリアアセンブリ１１０の基板に対面している堆積ソースアセンブリを示している。堆積ソースアセンブリは、キャリアアセンブリのキャリアに装着された基板に沿って移動しうる。例えば、堆積ソースアセンブリは、一又は複数の線ソースを含みうる。線ソースの提供と堆積ソースアセンブリの移動とを組み合わせることで、ディスプレイ製造用の大面積基板などの長方形基板に材料を堆積させることが可能になる。更なる代替例により、堆積ソースアセンブリの分配管は、基板表面に沿って移動しうる一又は複数の点ソースを含みうる。

【0036】

［００３５］堆積ソースアセンブリの平行移動に加えて、堆積ソースアセンブリは、図２に示す下側のキャリアアセンブリ１１０の基板に向けて堆積ソースを方向付けるように、堆積ソースを回転させることも可能である。したがって、キャリアアセンブリ１１０が、図２に示す上側の位置と下側の位置のうちの第１位置で真空チャンバ２５２内にローディングされ、そこから出されている間に、キャリアアセンブリの基板が、図２に示す上側の位置と下側の位置のうちの対応する他方の位置で、処理されうる。この対応する他の基板が処理された後に、例えばキャリアアセンブリ１１０への新たな基板のローディングが完了しうる。堆積ソースアセンブリ２７０の一又は複数の堆積ソースが回転した後、図２に示す上側の位置と下側の位置のうちの第１位置にローディングされた基板が処理されうる。同様に、第１位置における基板の処理（例えば層堆積）中に、他方の位置において、別の基板のアンローディング及びローディングが実行されうる。

【0037】

［００３６］実施形態により、ソース搬送方向に沿った堆積ソースアセンブリのスピードが、堆積速度を制御するために制御されうる。堆積ソースアセンブリのスピードは、コントローラの制御のもとに、リアルタイムで調整されうる。調整は、堆積速度の変化を補償するために行われうる。スピードプロファイルが規定されうる。スピードプロファイルは、種々の位置における堆積ソースアセンブリのスピードを決定しうる。スピードプロファイルは、コントローラに提供されうるか、又は、コントローラに記憶されうる。コントローラは、堆積ソースアセンブリのスピードがスピードプロファイルに準じるように、駆動システムを制御しうる。したがって、層の均一性が更に向上しうるように、堆積速度のリアルタイムの制御及び調整が行われうる。本書に記載の実施形態によるものと見なされる、ソース搬送方向に沿った堆積ソースアセンブリの平行移動は、コーティングプロセスにおける高コーティング精度、特に高マスキング精度を可能にする。コーティング中に基板及びマスクが静止したままでありうるからである。

【0038】

［００３７］図２に示しているように、マスク２１２が、堆積ソースアセンブリ２７０とキャリアアセンブリ１１０の基板との間に提供されうる。図２は、上側の位置、すなわち、堆積ソースアセンブリと上側のキャリアアセンブリ１１０との間の位置における第１マスク２１２と、下側の位置、すなわち、堆積ソースアセンブリと下側のキャリアアセンブリ１１０との間の位置における第２マスク２１２とを、示している。

【0039】

［００３８］本書に記載の、図５及び図６に関連してより詳細に説明されている実施形態により、マスクは、エッジ除外マスクでありうるか、又は、基板上にパターンを堆積させるためのマスク（シャドウマスク）でありうる。本書に記載の実施形態により、マスクはマスクキャリアによって支持されうる。したがって、本書で言及されているマスクの位置合わせ、浮上、又は、かかるマスクとの機械的接触も、このマスクキャリアに関連して行われうる。本開示の実施形態は、処理装置内で浮上したキャリアアセンブリを移動させることに言及している。浮上したキャリアアセンブリの移動は、機械的に支持される、すなわち、例えば基板搬送ローラに対する機械的接触という接触を伴わずには支持されない、キャリアアセンブリの移動と比較して、より高精度の位置付けを可能にする。特に、浮上したキャリアアセンブリの移動は、図１Ａから図１ＣのＸ方向及びＹ方向などの、搬送方向及び／又は垂直方向での、高精度の基板位置付けを可能にする。本書に記載の実施形態による、キャリアアセンブリのこの位置付け精度により、マスク２１２に対する、キャリアアセンブリのキャリアによって支持された基板の位置合わせの改善が可能になる。位置合わせは、一部のマスク構成については所望の精度を提供するよう改善されうるか、又は、その他の一部のマスク構成については、別個の位置合わせシステムの複雑性の低減を可能にするよう改善されうる。

【0040】

［００３９］本開示による装置及び方法が、垂直基板処理に使用されうる。かかる装置及び方法においては、基板処理中に基板が垂直に配向される。すなわち、基板は、本書で説明している（すなわち、発生可能性のある厳密な垂直性からのずれを許容する）垂直方向に、平行に配置される。基板配向の厳密な垂直性からの小さなずれが提供されうる。例えば、基板支持体がかかるずれを伴うことで、より安定的な基板位置、又は、基板表面への粒子付着の低減がもたらされうるからである。基本的に垂直な基板は、垂直配向からの＋−１５°以下のずれを有しうる。したがって、本開示の実施形態は、基板配向への言及がなされる場合に、垂直＋−１５°の方向に言及していることがある。

【0041】

［００４０］図３Ａ及び図３Ｂは、垂直な基板配向を提供する装置の代替的な実施形態を示しており、１５°以下の絶対値を有する小さなずれが提供されうる。本開示の実施形態により、支持体１１２によって支持された基板１２０は、若干下向きに傾いていることがある。このことが、基板処理中の基板表面への粒子付着を低減する。図３Ａは、第１受動磁気ユニット１５０及び第２受動磁気ユニットを有する、キャリアアセンブリを示している。基板１２０を支持するための支持体１１２は、第１受動磁気ユニットと第２受動磁気ユニットとの間に設けられうる。図３Ａは、誘導構造体１７０及び駆動構造体１８０を更に示している。図３Ａに示すキャリアアセンブリは、誘導構造体１７０の長さに沿って分布する更なる能動磁気ユニット３７０又は複数の更なる能動磁気ユニット３７０を提供することによって、傾いており、すなわち、垂直配向からの若干のずれを有し、第２受動磁気ユニット１６０が更なる能動磁気ユニット３７０に引き寄せられている。したがって、浮上状態のキャリアアセンブリが提供され、キャリアアセンブリの下端部が、更なる能動磁気ユニット３７０によって側方に引っ張られる。機械的接触を伴わずにキャリアアセンブリの下端部を側方に引っ張るための他の要素も、提供されうる。

【0042】

［００４１］また更なる実施形態により、垂直配向からのずれは、永久磁石などの受動磁気ユニットによっても提供されうる。例えば、キャリアアセンブリは、第２受動磁気ユニット１６０として、又は、第２受動磁気ユニット１６０に加えて（例えば隣接して）提供された、永久磁石を有しうる。更なる永久磁石は永久磁石の下方に提供されうる。更なる永久磁石と永久磁石とは、互いに引き寄せ合うよう、極性が逆になるように提供されうる。この引力によって、キャリアアセンブリが垂直配向から偏向しうる。更に、引力により、搬送方向に沿った誘導が行われうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる、また更なる実施形態により、キャリアの上端部に誘導力を提供するために、永久磁石同士のまた更なる対が提供されうる。したがって、永久磁石同士の第２の対のうちの１つの永久磁石は、キャリアアセンブリの上部領域内に提供されることがあり、永久磁石同士の第２の対のうちのこれに対応する永久磁石は、誘導構造体の領域内に隣接して提供されうる。永久磁石同士の第２の対の間の引力によって、搬送方向に沿った誘導が行われうる。

【0043】

［００４２］図３は、第１受動磁気ユニット１５０及び第２受動磁気ユニット１６０を有する、本開示の別の実施形態を示している。傾いた、すなわち、垂直配向から若干（例えば１５°以下の絶対値だけ）ずれている、基板１２０の基板配向を提供するために、支持体１１２が基板傾きを提供するよう形作られる一方で、キャリアアセンブリは垂直である。

【0044】

［００４３］本開示の実施形態により、本書に示すキャリアアセンブリ１１０などのキャリアアセンブリは、プレート又はフレームに基板１２０を保持するよう構成された、一又は複数の保持デバイス（図示せず）を含みうる。一又は複数の保持デバイスは、機械クランプ及び／又は磁性クランプなどの、機械的手段、静電手段、動電（ファンデルワールス：ｖａｎｄｅｒＷａａｌｓ）手段、電磁的手段、及び／又は、磁性手段のうちの、少なくとも１つを含みうる。

【0045】

［００４４］一部の実行形態では、キャリアアセンブリは、静電チャック（Ｅチャック）を含むか、又は、Ｅチャックである。Ｅチャックは、表面上に基板１２０を支持するための支持面（例えば、図１Ｃ、図３Ａ、及び図３Ｂに示す支持体１１２）を有しうる。一実施形態では、Ｅチャックは、電極が内部に埋め込まれている誘電本体を含む。誘電本体は、誘電体材料、好ましくは、熱分解性の窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、又は等価材料などの高熱伝導性誘電体材料から、製造されうる。電極は電源に連結されてよく、電源は、チャック力を制御するために電極に電力を提供する。チャック力は、支持体の支持面に基板を固定するよう基板１２０に作用する、静電力である。

【0046】

［００４５］一部の実行形態では、キャリアアセンブリ１１０は、動電チャック若しくはゲッコチャック（Ｇチャック）を含むか、又は、動電チャック若しくはＧチャックである。Ｇチャックは、表面上に基板を支持するための支持面を有しうる。チャック力は、支持面に基板を固定するよう基板に作用する、動電力でありうる。

【0047】

［００４６］図４Ａ及び図４Ｂは、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態による、装置１００の動作状態を示している。図４Ａ及び図４Ｂは、装置１００の側面図を示している。図示しているように、誘導構造体１７０は、キャリアアセンブリの搬送方向、すなわち、図４Ａ及び図４ＢにおけるＸ方向に沿って、延在しうる。キャリアアセンブリの搬送方向は、本書で説明している横断方向である。誘導構造体１７０は、搬送方向に沿って延在する直線形状を有しうる。ソース搬送方向に沿った誘導構造体１７０の長さは１〜３０ｍでありうる。

【0048】

［００４７］図４Ａ及び図４Ｂに示している実施形態では、基板１２０は、例えば＋１５のずれを伴って、図の平面に実質的に平行に配置されうる。層堆積プロセスなどの基板処理中、基板は基板受領領域内に提供されうる。基板受領領域は、対応する基板寸法と同じか、又は、それよりも若干（例えば５〜２０％）大きい、長さや幅などの寸法を有する。

【0049】

［００４８］装置１００の動作中に、キャリアアセンブリ１１０は、ｘ方向などの搬送方向に、誘導構造体１７０に沿って平行移動可能でありうる。図４Ａと図４Ｂは、誘導構造体１７０に対して、ｘ方向に沿った別々の位置にあるキャリアアセンブリ１１０を示している。水平矢印４８５は駆動構造体１８０の駆動力を示す。結果として、誘導構造体１７０に沿った、左から右へのキャリアアセンブリ１１０の平行移動が行われる。垂直矢印４７５はキャリアアセンブリに作用する浮力を示す。

【0050】

［００４９］第１受動磁気ユニット１５０は、搬送方向に、第１受動磁気ユニット１５０の長さに実質的に沿った、磁気特性を有しうる。能動磁気ユニット１７５’によって発生した磁場は、第１受動磁気ユニット１５０の磁気特性と相互作用して、第１磁気浮力及び第２磁気浮力を提供する。したがって、キャリアアセンブリ１１０の非接触型の浮上、搬送、及び位置合わせが行われうる。

【0051】

［００５０］図４Ａに示しているように、キャリアアセンブリ１１０は第１位置に提供される。本開示の実施形態により、２つ以上の能動磁気ユニット１７５’（例えば、２つ又は３つの能動磁気ユニット１７５’）が、コントローラ４４０によって活性化されて、キャリアアセンブリ１１０を浮上させるための磁場を発生させる。本開示の実施形態により、キャリアアセンブリは、機械的接触を伴わずに、誘導構造体１７０の下方に浮遊する。

【0052】

［００５１］図４Ａでは、２つの能動磁気ユニット１７５’が、矢印４７５で示されている磁力を提供する。磁力は、キャリアアセンブリを浮上させるように、重力に接触する。コントローラ４４０は２つの能動磁気ユニット１７５’を制御して（詳細には、２つの能動磁気ユニットを個別に制御して）、キャリアアセンブリを浮上状態に維持する。更に、一又は複数の更なる能動磁気ユニット１８５’が、コントローラ４４０によって制御される。更なる能動磁気ユニットは、交互極性の永久磁石の組などの第２受動磁気ユニット１６０と相互作用して、矢印４８５で示す駆動力を発生させる。駆動力は、搬送方向に沿って、キャリアアセンブリの支持体によって支持された基板などの基板を移動させる。図４Ａに示しているように、搬送方向はＸ方向でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、更なる能動磁気ユニット１８５’のうち、駆動力を提供するために同時に制御されるものの数は、１〜３である。他の実施形態により、更なる能動磁気ユニット１８５’の制御は、能動磁気ユニット１７５’を制御するコントローラ４４０とは異なる第２コントローラによって行われることもある。

【0053】

［００５２］キャリアアセンブリの移動が、Ｘ方向などの搬送方向に沿って基板を移動させる。したがって、基板は、第１位置において能動磁気ユニット１７５’の第１の群の下方に位置付けられ、更なる別の位置においては、能動磁気ユニット１７５’の更なる別の群の下方に位置付けられる。コントローラ４４０は、それぞれの位置に関してどの能動磁気ユニット１７５’が浮力を提供するかを制御し、かつ、キャリアアセンブリを浮上させるよう、それぞれの能動磁気ユニットを制御する。例えば、浮力は、基板が移動している間に、直後の能動磁気ユニットによって提供されうる。本書に記載の実施形態により、キャリアアセンブリは、能動磁気ユニットの１つの組から能動磁気ユニットの別の組へと、渡されていく。

【0054】

［００５３］図４Ｂは、第２位置のキャリアアセンブリを示している。図４Ｂに示す位置は、基板が処理される処理位置に相当する。この処理位置において、キャリアアセンブリは所望の位置に移動しうる。基板は、本開示で説明されている非接触型搬送システムを用いて、マスクに対して位置合わせされる。

【0055】

［００５４］図４Ｂで例示している第２位置において、２つの能動磁気ユニット１７５’は、矢印４９４で示す第１磁力、及び、矢印４９６で示す第２磁力を提供する。コントローラ４４０は、２つの能動磁気ユニット１７５’を制御して、図４ＢのＹ方向などの垂直方向に、位置合わせを行う。更に、追加的又は代替的には、コントローラ４４０は、２つの能動磁気ユニット１７５’を制御して位置合わせを行い、キャリアアセンブリがＸ−Ｙ平面内で回転する。この両方の位置合わせ移動が、点線のキャリアアセンブリ４１０の位置と実線で描かれたキャリアアセンブリ１１０の位置とを比較することによって、図４Ｂで例示的に視認されうる。

【0056】

［００５５］コントローラは、キャリアアセンブリを垂直方向に平行移動させて位置合わせするために能動磁気ユニット１７５’を制御するよう、構成されうる。能動磁気ユニットを制御することによって、キャリアアセンブリ１１０は、ターゲットの垂直位置に位置付けられうる。キャリアアセンブリ１１０は、コントローラ４４０の制御のもとで、ターゲットの垂直位置に維持されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、コントローラは、第１回転軸（例えば、主要基板表面に対して直角な回転軸、すなわち本開示におけるＺ方向に延在する回転軸）に対して堆積ソースを角度方向に位置合わせするために、能動磁気ユニット１７５’を制御するよう、構成される。

【0057】

［００５６］本開示の実施形態により、垂直方向（Ｙ方向）のキャリアアセンブリの位置合わせ、特に非接触型位置合わせは、０．１ｍｍ〜３ｍｍの位置合わせ範囲で行われうる。更に、垂直方向の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、１μｍ〜１０μｍ、例えば５μｍなど、５０μｍ以下でありうる。本開示の実施形態により、回転の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、３°以下でありうる。

【0058】

［００５７］本開示の実施形態により、一又は複数の更なる能動磁気ユニット１８５’は、矢印４９８で示す駆動力を提供しうる。コントローラは、一又は複数の更なる能動磁気ユニット１８５’を制御して、図４ＢのＸ方向などの横断方向に、位置合わせを行う。本開示の実施形態により、横断方向（Ｘ方向）のキャリアアセンブリの位置合わせは、誘導構造体の長さに沿って延在する位置合わせ範囲で行われうる。更に、横断方向の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、５μｍ〜３０μｍなど、５０μｍ以下でありうる。

【0059】

［００５８］図５は、本開示の他の実施形態と組み合わされうる、マスクの位置合わせの一実施形態を示している。図５に示すマスク５１２はエッジ除外マスクである。このエッジ除外マスクは、マスク５１２のエッジ５１４を提供することによって、基板１２０のエッジの一部を覆う。例えば、基板１２０の覆われた部分の幅５１６は、５ｍｍ以下など、１０ｍｍ以下でありうる。開放領域（又は開口部５１８）がエッジ５１４によって提供される。すなわち、開口部５１８はエッジ５１４によって囲まれる。２つ以上の開口部５１８が対応する複数のエッジによって囲まれて存在するように、エッジ除外マスク５１２の中央に仕切り壁がオプションで提供されうる。しかし、開口部は、パターンフィーチャを画定するようには構成されない。開口部は、基板の面積をを画定するよう構成される。例えば、図５に示す開口部５１８の面積は、基板の面積の少なくとも８０％である。２つ以上の開口部を有する実施形態については、各開口部が、基板面積の少なくとも０．１％の面積を有する。

【0060】

［００５９］図５は、表面上に基板１２０を支持しているキャリアアセンブリ１１０を示している。キャリアアセンブリ１１０、ひいては基板１２０は、マスク５１２、ひいてはマスクのエッジ５１４に対して位置合わせされうる。本開示の実施形態によるキャリアアセンブリとマスクとの位置合わせは、誘導構造体１７０の能動磁気ユニット１７５’及び／又は駆動構造体１８０の更なる能動磁気ユニット１８５’などの能動磁気ユニットの制御によって、実行される。一部の実施形態により、エッジ除外マスクであるマスクについては特に、能動磁気ユニットによる位置合わせを利用する位置合わせ精度は、基板処理の所望の精度のために十分なものでありうる。したがって、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、基板及びマスクの互いに対する位置合わせが、機械的接触を伴わない基板搬送システムなどの基板を浮上させる基板搬送システムの能動磁気ユニットによって、行われる。

【0061】

［００６０］例えば、ＯＬＥＤディスプレイの製造などのディスプレイ製造は、図５の一又は複数の開口部５１８に対応する面積などの基板上の大面積を覆って、導電層が提供される、メタライズプロセスを含みうる。メタライズプロセスは、エッジ除外マスク５１２を利用して実行されうる。基板及びマスクの互いに対する位置合わせは、誘導構造体の能動磁気ユニット及び／又は駆動構造体の能動磁気ユニットによって行われうる。能動磁気ユニットを用いた位置合わせの精度（例えば、５０μｍ以下の精度）は、メタライズプロセスのために十分なものでありうる。

【0062】

［００６１］図６は、マスクの位置合わせの更なる実施形態を示している。図６は、複数の小型開口部６１４を含むシャドウマスク６１２を示している。例えば、これらの開口部の面積、すなわち、生成されることになるパターンのうちの一フィーチャの面積は、基板面積の０．０１％未満でありうる。図６は、表面上に基板１２０を支持しているキャリアアセンブリ１１０を示している。事前位置合わせが、誘導構造体１７０の能動磁気ユニット１７５’及び／又は駆動構造体１８０の更なる能動磁気ユニット１８５’などの能動磁気ユニットの制御によって、実行されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、基板及びマスクの互いに対する事前位置合わせが、機械的接触を伴わない基板搬送システムなどの基板を浮上させる基板搬送システムの能動磁気要素によって、行われる。事前位置合わせは、５０μｍ以下の精度を有しうる。事前位置合わせのこの精度は、位置合わせアクチュエータ６３０（例えば、圧電位置合わせアクチュエータなどの圧電アクチュエータ）を利用することを可能にし、このことにより、位置合わせユニット又は位置合わせシステムの複雑性が低減する。本開示の一部の実施形態により、位置合わせユニット又は位置合わせシステムは、２つ以上（例えば４つ）の位置合わせアクチュエータを含みうる。位置合わせアクチュエータは、上述の事前位置合わせの精度を伴わずに利用される一般的な位置合わせアクチュエータと比較して、複雑性が低くなりうる。上記を鑑みるに、本開示の実施形態による基板搬送システムの能動磁気要素を用いた位置合わせは、処理システムの所有コストを減少させうる。複雑性が低い位置合わせユニット又は位置合わせシステムについて、下記で図７から図９に関連して説明する。

【0063】

［００６２］図７及び図８は、本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に、キャリアアセンブリ１１０の基板キャリア１１１、及びマスクキャリア７４０を支持するための、保持構成７００の概略図を示している。図８は、本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア１１１及びマスクキャリア７４０を支持するための、保持構成７００の断面図を示している。図９は、４つの位置合わせアクチュエータを有する保持構成の概略図を示している。

【0064】

［００６３］垂直に動作するツールで使用される位置合わせシステムは、処理チャンバの外部から（すなわち外気側（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｓｉｄｅ）から）機能しうる。位置合わせシステムは、例えば処理チャンバの壁を通って延在する剛性アームを用いて、基板キャリア及びマスクキャリアに接続されうる。マスクキャリア又はマスクと基板キャリア又は基板との間の機械的パスが長いと、システムは、外部干渉（振動、加熱など）及び許容誤差の影響を受けやすくなる。

【0065】

［００６４］いくつかの実施形態では、本開示は、２つ以上の位置合わせアクチュエータを有する保持構成を提供し、このアクチュエータは、マスクキャリアと基板キャリアとの間に短い接続パスを提供する。本書に記載の実施形態による保持構成は外部干渉の影響を受けにくく、堆積層の品質が向上しうる。

【0066】

［００６５］保持構成７００は、基板キャリア１１１とマスクキャリア７４０の少なくとも一方に接続可能な、２つ以上の位置合わせアクチュエータを含み、保持構成７００は基板キャリア１１１を、第１平面内に、又は第１平面に平行に支持するよう構成され、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第１位置合わせアクチュエータ７１０は、キャリアアセンブリとマスクキャリア７４０とを、少なくとも第１方向Ｙに、互いに対して移動させるよう構成され、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第２位置合わせアクチュエータ７２０は、キャリアアセンブリとマスクキャリア７４０とを、少なくとも、第１方向Ｙ、及び、第１方向Ｙとは異なる第２方向Ｘに、互いに対して移動させるよう構成され、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘは、第１平面内にある。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、「位置合わせブロック」とも称される。

【0067】

［００６６］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる、本書に記載の一部の実施形態により、マスク７２５はマスクキャリア７４０に取り付けられうる。一部の実施形態では、保持構成７００は、詳細には層堆積中に、基板キャリア１１１とマスクキャリア７４０の少なくとも一方を実質的に垂直な配向に支持するよう、構成される。

【0068】

［００６７］２つ以上の位置合わせアクチュエータを使用して、キャリアアセンブリとマスクキャリア７４０とを、少なくとも第１方向Ｙ及び第２方向Ｘに、互いに対して移動させることによって、基板１２０は、マスクキャリア７４０又はマスク７２５に対して位置合わせされることが可能であり、堆積層の品質が向上しうる。

【0069】

［００６８］２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリとマスクキャリア１４０の少なくとも一方に接続可能でありうる。一例としては、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ又は基板キャリア１１１に接続可能であり、マスクキャリア１４０に対して基板キャリア１３０を移動させるよう構成される。マスクキャリア１４０は定位置又は静止位置にありうる。他の例では、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、マスクキャリア１４０に接続可能であり、基板キャリア１１１に対してマスクキャリア１４０を移動させるよう構成される。基板キャリア１１１は定位置又は静止位置にありうる。

【0070】

［００６９］図９の保持構成では、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、第３位置合わせアクチュエータ９３０と第４位置合わせアクチュエータ９４０の少なくとも一方を含む。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ若しくは基板キャリア１１１、又はマスクキャリア１４０を、第１平面内で又は第１平面に平行に（例えば、ｘ方向及びｙ方向に）移動させるか、又は位置合わせするよう構成され、かつ、基板キャリア１３０又はマスクキャリア１４０の角位置を第１平面内で又は第１平面に平行に、調整するか、又は変化させるよう構成される。

【0071】

［００７０］一部の実行形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの少なくとも１つの位置合わせアクチュエータは、基板１２０とマスクキャリア１４０とを、第３方向Ｚに、互いに対して移動させるよう構成され、詳細には、第３方向は第１平面及び／又は基板表面７１１に対して実質的に直角である。一例としては、第１位置合わせアクチュエータ７１０及び第２位置合わせアクチュエータ７２０は、第３方向Ｚに基板キャリア１１１又はマスクキャリア１４０を移動させるよう構成される。一部の実行形態では、基板１２０とマスク７２５との間の距離は、キャリアアセンブリ若しくは基板キャリア１１１、又はマスクキャリア１４０を第３方向Ｚに移動させることによって、調整されうる。一例としては、基板１２０又は基板キャリア１１１とマスク７２５との間の距離は、表面上に層が堆積されるよう構成された基板表面７１１の領域において実質的に一定になるよう、調整されうる。一部の実施形態により、この距離は、１ｍｍ未満、具体的には５００マイクロメートル未満、更に具体的には５０マイクロメートル未満でありうる。

【0072】

［００７１］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、第１位置合わせアクチュエータ７１０は、第２方向Ｘに対する浮動を行っている。「浮動（ｆｌｏａｔｉｎｇ）」という語は、第１位置合わせアクチュエータ７１０が、基板キャリア１３０が第２方向Ｘに移動する（例えば、第２位置合わせアクチュエータ７２０によって駆動される）ことを可能にすることであると、理解されうる。

【0073】

［００７２］基板キャリア１１１は、第１エッジ部分７３２及び第２エッジ部分７３４を有しうる。第１エッジ部分及び第２エッジ部分は、基板キャリア１１１の両側に配置されうる。基板１２０が配置されうる基板キャリアの基板領域は、第１エッジ部分７３２と第２エッジ部分７３４との間に提供されうる。一例としては、第１エッジ部分７３２は、基板キャリアの上側エッジ部分又は上部エッジ部分でありうる。第２エッジ部分７３４は、基板キャリアの下側エッジ部分又は底部エッジ部分でありうる。

【0074】

［００７３］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、第１位置合わせアクチュエータ７１０及び第２位置合わせアクチュエータ７２０は、第１エッジ部分７３２又は第２エッジ部分７３４に提供される。一部の実行形態では、第１位置合わせアクチュエータ７１０及び第２位置合わせアクチュエータ７２０は、基板キャリア１１１の角又は角領域（例えば、第１エッジ部分７３２又は第２エッジ部分７３４の角又は角領域）に提供されうる。

【0075】

［００７４］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、電動アクチュエータ又は空圧アクチュエータでありうる。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、例えば、線形位置合わせアクチュエータでありうる。一部の実行形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、ステッパアクチュエータ、ブラシレスアクチュエータ、ＤＣ（直流）アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、及び圧電アクチュエータからなる群から選択された、少なくとも１つのアクチュエータを含みうる。「アクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）」という語は、ステッパモータなどのモータを表しうる。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、プラスマイナス約１マイクロメートル未満の精度で、キャリアアセンブリ又は基板キャリア１１１を（したがって基板を）移動させるか、又は位置付けるよう、構成されうる。一例としては、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、第１方向Ｙ、第２方向Ｘ、及び第３方向Ｚのうちの少なくとも１つの方向に、プラスマイナス約０．５マイクロメートル、具体的には約０．１マイクロメートルの精度で、基板キャリア１１１を移動させるか、又は位置付けるよう、構成されうる。

【0076】

［００７５］一部の実行形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータを同時に又は順次駆動することによって、第１方向、第２方向、及び第３方向のうちの少なくとも１つの方向への基板の移動が実施されうる。

【0077】

［００７６］図１０は、本開示の実施形態による、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法を図示するフロー図を示している。ブロック９０２に示しているように、キャリアアセンブリは浮上する。例えば、能動磁気ユニット１７５’がコントローラ４４０によって活性化されかつ／又は制御され、２つが、重力に反作用する磁力を提供する。磁力は、キャリアアセンブリを浮上させる役割を果たす。ブロック９０４は、キャリアアセンブリをマスクに対して位置付けるために、キャリアアセンブリを移動させることを示している。本書に記載の実施形態により、キャリアアセンブリを移動させること、又はキャリアアセンブリの移動は、キャリアアセンブリが浮上している間に実行される。ブロック９０６は、マスクに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることを示している。したがって、キャリアアセンブリの移動は、マスクに対するキャリアアセンブリの十分な精度を伴う位置付け、すなわち位置合わせを行うよう、制御される。

【0078】

［００７７］本開示の一部の実施形態により、オプションで、キャリアアセンブリ及び／又はマスクは、更なる機械的位置合わせを行うために、例えば位置合わせアクチュエータに、機械的に接触されうる。そのような場合、ブロック９０６に示す位置合わせは、事前位置合わせと見なされうる。

【0079】

［００７８］本開示の実施形態により、キャリアアセンブリの搬送システム又は保持装置は、位置合わせ、又は少なくとも事前位置合わせを行うよう、構成される。本書に記載の方法は、キャリアアセンブリの、例えば浮上している間の、機械的接触を伴わない移動を行い、非接触型搬送システムは、キャリアによって支持されたかつ／又はキャリアアセンブリの一部分である基板などの基板とマスクとを互いに対して位置合わせするのに十分な精度を可能にする。例えば、この精度は、５０μｍ以下など、１００μｍ未満でありうる。

【0080】

［００７９］本開示には、いくつかの用途向けの別々の位置合わせアクチュエータを避けること、又は、少なくとも、多数用途向けの複数の位置合わせアクチュエータの複雑性を低減することを含む、いくつかの利点がある。マスクに対する基板の位置合わせの改善及び／又は高効率化が、提供されうる。したがって、処理システムの所有コストが減少しうる。更に、本開示の一部の実施形態はスループットの増大を可能にする。更なる利点は、とりわけ、例えばＯＬＥＤディスプレイ製造に利用される大面積基板向けの堆積システムなどの処理システムにおける、粒子発生を減少させることを含む。例えば、基板上の堆積層の純度及び均一性の向上が提供されうる。

【0081】

［００８０］以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2】

【図3A-3B】

【図4A-4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】