特許 6642443 基板検査装置、及び基板検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6642443

(24)【登録日】2020年1月8日

(45)【発行日】2020年2月5日

(54)【発明の名称】基板検査装置、及び基板検査方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/00 20060101AFI20200127BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20200127BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20200127BHJP

   G01R 27/02 20060101ALN20200127BHJP

【ＦＩ】

   G01R31/00

   G06F3/041 660

   G06F3/044 126

   !G01R27/02 A

【請求項の数】12

【全頁数】25

(21)【出願番号】特願2016-556404(P2016-556404)

(86)(22)【出願日】2015年8月7日

(86)【国際出願番号】JP2015072558

(87)【国際公開番号】WO2016067709

(87)【国際公開日】20160506

【審査請求日】2018年7月19日

(31)【優先権主張番号】特願2014-220189(P2014-220189)

(32)【優先日】2014年10月29日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】392019709

【氏名又は名称】日本電産リード株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100074561

【弁理士】

【氏名又は名称】柳野 隆生

(74)【代理人】

【識別番号】100124925

【弁理士】

【氏名又は名称】森岡 則夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141874

【弁理士】

【氏名又は名称】関口 久由

(74)【代理人】

【識別番号】100143373

【弁理士】

【氏名又は名称】大西 裕人

(72)【発明者】

【氏名】高橋 正

(72)【発明者】

【氏名】▲ひばり▼野 俊寿

(72)【発明者】

【氏名】本田 睦博

【審査官】 青木 洋平

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１２２９８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／１２１８６２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平０３−０４６５７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０５−０９９７８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０８８５１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６０−２１６４９３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０１Ｒ ３１／００

Ｇ０１Ｒ ２７／０２

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０９Ｆ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査する基板検査装置であって、
所定の交流電圧を出力する交流電圧出力部と、
電流を検出する電流検出部と、
前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第１接続端子と、
前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第２接続端子と、
前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して前記交流電圧出力部によって前記交流電圧を供給させ、その第１接続端子に流れる電流を前記電流検出部によって検出させることにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理部と、
前記測定処理において前記電流検出部によって検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出部と、
前記各組み合わせに対応して前記基板検査装置内部で生じる静電容量と抵抗値とを、内部静電容量と内部抵抗値として記憶する内部パラメータ記憶部とを備え、
前記算出部は、さらに、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを、当該各組み合わせに対応して前記内部パラメータ記憶部に記憶された内部静電容量と内部抵抗値とに基づいて補正する内部パラメータ補正処理を実行する基板検査装置。

【請求項2】

前記複数の第１及び第２電極と前記複数の第１及び第２接続端子とが接続されない状態で前記測定処理と前記算出処理とを前記測定処理部と前記算出部とによって実行させることにより前記各組み合わせに対応して得られる静電容量及び抵抗値を、当該各組み合わせに対応して前記内部静電容量及び前記内部抵抗値として前記内部パラメータ記憶部に記憶させる内部パラメータ取得処理部をさらに備える請求項１に記載の基板検査装置。

【請求項3】

所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査する基板検査装置であって、
所定の交流電圧を出力する交流電圧出力部と、
電流を検出する電流検出部と、
前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第１接続端子と、
前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第２接続端子と、
前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して前記交流電圧出力部によって前記交流電圧を供給させ、その第１接続端子に流れる電流を前記電流検出部によって検出させることにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理部と、
前記測定処理において前記電流検出部によって検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出部と、
前記各組み合わせに対応して前記基板に生じる浮遊容量を記憶する浮遊容量記憶部とを備え、
前記算出部は、前記各組み合わせに対応する静電容量を、当該各組み合わせに対応して前記浮遊容量記憶部に記憶された浮遊容量に基づいて補正する浮遊容量補正処理を実行する基板検査装置。

【請求項4】

前記各組み合わせに対応して基板内部で生じる静電容量である基準静電容量が予め判っている基準基板の前記各組み合わせに対応する前記基準静電容量を記憶する基準容量記憶部と、
前記基準基板に対して前記複数の第１及び第２接続端子が接続された状態で、前記測定処理と前記算出処理とを前記測定処理部と前記算出部とによって実行させることにより前記各組み合わせに対応して得られる静電容量と、前記基準容量記憶部によって前記各組み合わせに対応して記憶されている前記基準静電容量とに基づいて、前記各組み合わせに対応する浮遊容量を算出し、前記浮遊容量記憶部に記憶させる浮遊容量取得処理部とをさらに備える請求項３に記載の基板検査装置。

【請求項5】

前記基板は、
前記複数の第１電極とそれぞれ導通する複数の第１基板端子と、
前記複数の第２電極とそれぞれ導通する複数の第２基板端子とを含み、
前記複数の第１接続端子は、前記複数の第１基板端子とそれぞれ接続され、当該複数の第１基板端子を介して前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続され、
前記複数の第２接続端子は、前記複数の第２基板端子とそれぞれ接続され、当該複数の第２基板端子を介して前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続される請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板検査装置。

【請求項6】

前記基板は、前記各第１電極と前記各第２電極とが交差する位置の静電容量を読み取るために予め設定された読取周波数の交流信号が前記各第１及び第２電極に供給されることが予定されたタッチパネルであり、
前記交流電圧の周波数は、前記読取周波数と略等しい請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板検査装置。

【請求項7】

前記各組み合わせに対応する前記抵抗値の良否判定の基準となる判定値を予め記憶する判定値記憶部と、
前記算出部により得られた前記各組み合わせに対応する抵抗値と、当該各組み合わせに対応して前記判定値記憶部に記憶された判定値との差を、前記各組み合わせに対応してそれぞれ算出し、当該各組み合わせに対応する差が予め設定された差分判定値を超えたとき、当該差分判定値を超えた組み合わせに対応する前記第１及び第２電極によって表される座標位置を、前記基板の不良位置と判定する判定部とを備える請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板検査装置。

【請求項8】

前記算出処理により算出された、前記各組み合わせに対応する抵抗値を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板検査装置。

【請求項9】

前記算出処理により算出された、前記各組み合わせに対応する静電容量を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板検査装置。

【請求項10】

前記判定部により算出された、前記各組み合わせに対応する差を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備える請求項７に記載の基板検査装置。

【請求項11】

所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を、基板検査装置を用いて検査する基板検査方法であって、
複数の第１接続端子を前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、
複数の第２接続端子を前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、
前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して交流電圧を供給し、その第１接続端子に流れる電流を検出することにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理工程と、
前記測定処理において前記検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出工程と、
前記各組み合わせに対応して前記基板検査装置の内部で生じる静電容量と抵抗値とを、内部静電容量と内部抵抗値として内部パラメータ記憶部に記憶する工程とを含み、
前記算出工程において、さらに、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを、当該各組み合わせに対応して前記内部パラメータ記憶部に記憶された内部静電容量と内部抵抗値とに基づいて補正する内部パラメータ補正処理を実行する基板検査方法。

【請求項12】

所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査する基板検査方法であって、
複数の第１接続端子を前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、
複数の第２接続端子を前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、
前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して交流電圧を供給し、その第１接続端子に流れる電流を検出することにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理工程と、
前記測定処理において前記検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出工程と、
前記各組み合わせに対応して前記基板に生じる浮遊容量を浮遊容量記憶部に記憶する工程とを含み、
前記算出工程において、前記各組み合わせに対応する静電容量を、当該各組み合わせに対応して前記浮遊容量記憶部に記憶された浮遊容量に基づいて補正する浮遊容量補正処理をさらに実行する基板検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を検査する基板検査装置、及び基板検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、スマートフォンやタブレットを始めとした電子機器の急速な普及に伴い、人間の指やスタイラスペンがタッチした位置を検出するタッチパネルの需要が特に高まっている。このようなタッチパネルとして、二枚の抵抗膜を対向配置させてタッチ面に配置し、ユーザがタッチ面をタッチしたときの抵抗値からタッチ位置を検出する抵抗膜方式のタッチパネルが知られている。このような抵抗膜方式のタッチパネルの検査方法として、例えば特許文献１が知られている。

【0003】

一方、近年、格子状に配置した透明電極をタッチ面に配置し、ユーザがパネルを指でタッチしたときに生じる静電容量に基づき、タッチ位置を検出する静電容量方式のタッチパネルが広く用いられている。静電容量方式のタッチパネルは、パネル表面にＸ−Ｙの二次元座標が設定され、Ｘ−Ｙ座標に対応するように、例えばガラス等の透明基板上にＸ方向に延びる複数の透明電極と、Ｙ方向に延びる複数の透明電極とが互いに絶縁されて対向配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００５−２７４２２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、上述したような静電容量方式のタッチパネルを検査する場合、Ｘ方向に延びる透明電極とＹ方向に延びる透明電極との間に生じる静電容量と、透明電極の抵抗とを測定する必要がある。静電容量の測定には静電容量用の測定装置が用いられ、抵抗値の測定にはテスターなどの抵抗用の測定装置が用いられる。そのため、静電容量の測定工程と、抵抗値の測定工程とが必要となり、検査工数が増大するという不都合があった。

【0006】

本発明の目的は、例えばタッチパネルのように、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査するにあたって、静電容量及び抵抗値の測定工数を低減することが容易な基板検査装置、及び基板検査方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る基板検査装置は、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査する基板検査装置であって、所定の交流電圧を出力する交流電圧出力部と、電流を検出する電流検出部と、前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第１接続端子と、前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続可能な複数の第２接続端子と、前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して前記交流電圧出力部によって前記交流電圧を供給させ、その第１接続端子に流れる電流を前記電流検出部によって検出させることにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理部と、前記測定処理において前記電流検出部によって検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出部とを備える。

【0008】

また、本発明に係る基板検査方法は、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査する基板検査方法であって、複数の第１接続端子を前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、複数の第２接続端子を前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、前記複数の第１接続端子と前記複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、前記各組み合わせに対応する第１及び第２接続端子について、その第２接続端子に対して交流電圧を供給し、その第１接続端子に流れる電流を検出することにより、前記各組み合わせに対応する電流を取得する測定処理を実行する測定処理工程と、前記測定処理において前記検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを算出する算出処理を実行する算出工程とを含む。

【0009】

これらの構成によれば、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査するにあたって、複数の第１接続端子と複数の第２接続端子とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせ、すなわち複数の第１電極と、複数の第２電極との各組み合わせに対応し、第２接続端子に対して交流電圧を供給し、第１接続端子に流れる電流を検出することにより、検出された電流の大きさと位相を示す情報とに基づいて、各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とが算出される。その結果、静電容量の測定工程と、抵抗値の測定工程とを別々に実行する必要がない。従って、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査するにあたって、静電容量及び抵抗値の測定工数を低減することが容易となる。

【0010】

また、前記基板は、前記複数の第１電極とそれぞれ導通する複数の第１基板端子と、前記複数の第２電極とそれぞれ導通する複数の第２基板端子とを含み、前記複数の第１接続端子は、前記複数の第１基板端子とそれぞれ接続され、当該複数の第１基板端子を介して前記複数の第１電極とそれぞれ電気的に接続され、前記複数の第２接続端子は、前記複数の第２基板端子とそれぞれ接続され、当該複数の第２基板端子を介して前記複数の第２電極とそれぞれ電気的に接続されることが好ましい。

【0011】

この構成によれば、第１及び第２電極に直接第１及び第２接続端子を接続することなく、第１及び第２基板端子に第１及び第２接続端子を接続し、第１及び第２基板端子を介して第１及び第２電極を検査することができるので、第１及び第２電極に傷をつけるなどして損傷を生じるおそれを低減しつつ、基板検査を行うことが容易となる。

【0012】

また、前記基板は、前記各第１電極と前記各第２電極とが交差する位置の静電容量を読み取るために予め設定された読取周波数の交流信号が前記各第１及び第２電極に供給されることが予定されたタッチパネルであり、前記交流電圧の周波数は、前記読取周波数と略等しいことが好ましい。

【0013】

この構成によれば、タッチパネルが使用されるときに用いられる読取周波数と略等しい周波数の交流電圧を用いてタッチパネルの検査が行われるので、実使用条件に近い条件でタッチパネルを検査することができる。

【0014】

また、前記各組み合わせに対応して前記基板検査装置内部で生じる静電容量と抵抗値とを、内部静電容量と内部抵抗値として記憶する内部パラメータ記憶部をさらに備え、前記算出部は、さらに、前記各組み合わせに対応する静電容量と抵抗値とを、当該各組み合わせに対応して前記内部パラメータ記憶部に記憶された内部静電容量と内部抵抗値とに基づいて補正する内部パラメータ補正処理を実行することが好ましい。

【0015】

この構成によれば、第１及び第２電極の組み合わせに対応して測定、算出された静電容量と抵抗値とから、基板検査装置内部で生じる静電容量と抵抗値との影響を低減することができるので、検査対象箇所の静電容量と抵抗値との取得精度を向上させることができる。

【0016】

また、前記複数の第１及び第２電極と前記複数の第１及び第２接続端子とが接続されない状態で前記測定処理と前記算出処理とを前記測定処理部と前記算出部とによって実行させることにより前記各組み合わせに対応して得られる静電容量及び抵抗値を、当該各組み合わせに対応して前記内部静電容量及び前記内部抵抗値として前記内部パラメータ記憶部に記憶させる内部パラメータ取得処理部をさらに備えることが好ましい。

【0017】

この構成によれば、基板検査装置内部で生じる静電容量及び抵抗値を測定、算出し、内部静電容量及び内部抵抗値として内部パラメータ記憶部に記憶させることができる。

【0018】

また、前記各組み合わせに対応して前記基板に生じる浮遊容量を記憶する浮遊容量記憶部をさらに備え、前記算出部は、前記各組み合わせに対応する静電容量を、当該各組み合わせに対応して前記浮遊容量記憶部に記憶された浮遊容量に基づいて補正する浮遊容量補正処理を実行することが好ましい。

【0019】

この構成によれば、第１及び第２電極の組み合わせに対応して測定、算出された静電容量から、基板に生じる浮遊容量の影響を低減することができるので、検査対象箇所の静電容量の取得精度を向上させることができる。

【0020】

また、前記各組み合わせに対応して基板内部で生じる静電容量である基準静電容量が予め判っている基準基板の前記各組み合わせに対応する前記基準静電容量を記憶する基準容量記憶部と、前記基準基板に対して前記複数の第１及び第２接続端子が接続された状態で、前記測定処理と前記算出処理とを前記測定処理部と前記算出部とによって実行させることにより前記各組み合わせに対応して得られる静電容量と、前記基準容量記憶部によって前記各組み合わせに対応して記憶されている前記基準静電容量とに基づいて、前記各組み合わせに対応する浮遊容量を算出し、前記浮遊容量記憶部に記憶させる浮遊容量取得処理部とをさらに備えることが好ましい。

【0021】

この構成によれば、各組み合わせに対応して基板に生じる浮遊容量を測定、算出し、浮遊容量記憶部に記憶させることができる。

【0022】

また、前記算出処理により算出された、前記各組み合わせに対応する抵抗値を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備えることが好ましい。

【0023】

この構成によれば、各組み合わせは、複数の第１電極と複数の第２電極との組み合わせに対応し、すなわち基板上の座標位置に対応しているので、各組み合わせに対応する抵抗値を三次元的なグラフで表すことにより、基板上の位置に対応する抵抗値を、ユーザが視覚的に確認することができる。

【0024】

また、前記算出処理により算出された、前記各組み合わせに対応する静電容量を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備えることが好ましい。

【0025】

この構成によれば、各組み合わせは、複数の第１電極と複数の第２電極との組み合わせに対応し、すなわち基板上の座標位置に対応しているので、各組み合わせに対応する静電容量を三次元的なグラフで表すことにより、基板上の位置に対応する静電容量を、ユーザが視覚的に確認することができる。

【0026】

また、前記判定部により算出された、前記各組み合わせに対応する差を、三次元的なグラフで表した画像を表示する表示部をさらに備えることが好ましい。

【0027】

この構成によれば、各組み合わせは、複数の第１電極と複数の第２電極との組み合わせに対応し、すなわち基板上の座標位置に対応しているので、各組み合わせに対応する、抵抗値の算出値と判定値との差を三次元的なグラフで表すことにより、基板上の位置に対応する抵抗値のずれを、ユーザが視覚的に確認することができる。

【0028】

また、前記各組み合わせに対応する前記抵抗値の良否判定の基準となる判定値を予め記憶する判定値記憶部と、前記算出部により得られた前記各組み合わせに対応する抵抗値と、当該各組み合わせに対応して前記判定値記憶部に記憶された判定値との差を、前記各組み合わせに対応してそれぞれ算出し、当該各組み合わせに対応する差が予め設定された差分判定値を超えたとき、当該差分判定値を超えた組み合わせに対応する前記第１及び第２電極によって表される座標位置を、前記基板の不良位置と判定する判定部とを備えることが好ましい。

【0029】

この構成によれば、第１及び第２電極の組み合わせに対応して測定、算出された各抵抗値について良否を判定すると共に、その不良位置を判定することができる。

【発明の効果】

【0030】

このような構成の基板検査装置、及び基板検査方法は、所定の第１方向に沿って延びる複数の第１電極と、第１方向と交差する第２方向に沿って延びる複数の第２電極とが互いに対向するように形成された基板を検査するにあたって、静電容量及び抵抗値の測定工数を低減することが容易となる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板検査装置の構成の一例を概念的に示すブロック図である。

【図2】図１に示す基板検査装置を簡略化して概念的に示す概念図である。

【図3】図１に示す測定処理部の測定処理において、接続端子Ｔｘｍ，Ｔｙｎが選択された場合に測定処理を実行するときの測定回路を等価的に示した等価回路である。

【図4】交流信号の電圧波形と、電流計で検出される電流波形との関係を示す波形図である。

【図5】測定インピーダンスと位相差とから抵抗値と静電容量とを算出する方法を説明するための説明図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る基板検査方法を示すフローチャートである。

【図7】本発明の一実施形態に係る基板検査方法を示すフローチャートである。

【図8】本発明の一実施形態に係る基板検査方法を示すフローチャートである。

【図9】本発明の一実施形態に係る基板検査方法を示すフローチャートである。

【図10】タッチパネル基板の各座標位置に対応する測定静電容量と、測定に用いられる交流信号の周波数との関係の一例を示す説明図である。

【図11】タッチパネル基板の各座標位置に対応する測定静電容量と、測定に用いられる交流信号の周波数との関係の一例を示す説明図である。

【図12】タッチパネル基板の各座標位置に対応する測定静電容量と、測定に用いられる交流信号の周波数との関係の一例を示す説明図である。

【図13】図１２に示す測定静電容量を補正した結果を示す説明図である。

【図14】タッチパネル基板の各座標位置に対応する抵抗値の理論値を表すグラフである。

【図15】タッチパネル基板の各座標位置に対応する測定抵抗値と、測定周波数との関係を示すグラフである。

【図16】タッチパネル基板の各座標位置に対応する測定抵抗値と、測定周波数との関係を示すグラフである。

【図17】タッチパネル基板の電極に不良が生じた場合を説明するための説明図である。

【図18】図１７に示すタッチパネル基板についての各座標位置に対応する測定抵抗値を示すグラフである。

【図19】図１に示す基板検査装置の変形例を示す説明図である。

【図20】図１９に示す基板検査装置における、タッチパネル基板についての各座標位置に対応する測定抵抗値のグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0032】

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板検査装置の構成の一例を概念的に示すブロック図である。図１に示す基板検査装置１は、交流電源２（交流電圧出力部）、電流計３（電流検出部）、制御部４、表示部５（報知部）、操作部６、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ４（第１接続端子）、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ４（第２接続端子）、及び切替スイッチＳＷ１，ＳＷ２を備える。なお、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ４を第２接続端子、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ４を第１接続端子としてもよい。

【0033】

図１に示す基板検査装置１には、検査対象のタッチパネル基板Ｐ（基板）が接続されている。図１に示すタッチパネル基板Ｐには、Ｘ−Ｙ座標が設定されており、図１に示す例では横方向がＸ軸、縦方向がＹ軸とされている。

【0034】

タッチパネル基板Ｐには、板状の例えばガラス等の透明な基材Ｐａの表面に、互いに離間してＹ軸方向（第１方向）に沿って延びる複数のＸ電極Ｘ１〜Ｘ４（第１電極）と、互いに離間してＹ軸方向と垂直に交差するＸ軸方向（第２方向）に沿って延びる複数のＹ電極Ｙ１〜Ｙ４（第２電極）とがタッチパネル基板Ｐの厚み方向（紙面奥行き方向）に互いに対向するように形成されている。これにより、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４がＸ座標に対応し、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ４がＹ座標に対応する。

【0035】

すなわち、Ｘ電極Ｘ１とＹ電極Ｙ１の組み合わせは、タッチパネル基板Ｐにおける座標位置（Ｘ１，Ｙ１）と対応し、Ｘ電極ＸｍとＹ電極Ｙｎの組み合わせは、タッチパネル基板Ｐにおける座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）と対応している（ｍ、ｎは任意の整数）。

【0036】

なお、基板は、必ずしもタッチパネル用の基板でなくてもよく、例えばプリント配線基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板であってもよい。

【0037】

なお、図１に示す例では説明を簡単にするため便宜上、Ｘ電極、Ｙ電極がそれぞれ４つずつの例を示したが、電極の数は、タッチパネル基板Ｐの大きさや位置検出精度に応じて適宜設定される。

【0038】

Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ４は、いわゆる透明電極であり、例えば酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）や、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等により構成されている。なお、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ４としては種々の材料を用いることができ、必ずしも透明電極でなくてもよい。

【0039】

Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４とＹ電極Ｙ１〜Ｙ４とが交差する位置には、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４とＹ電極Ｙ１〜Ｙ４との間に絶縁被膜が形成され、互いに電気的に絶縁されている。また、絶縁被膜の厚みによって、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４とＹ電極Ｙ１〜Ｙ４との間に微少な間隔が生じている。

【0040】

Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４、及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ４の形状は、それぞれ、一定の大きさの小さな複数の菱形を串刺ししたようなパターンとされ、幅広部と幅狭部とが長手方向で繰返し交互に現れている。Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４、及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ４は、上記の幅狭部の部分において、平面視で互いに交差している。これにより、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４、及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ４のうち何れかによって、タッチ位置検出可能な領域（以下、タッチ領域と称する）のほぼ全体が覆われている。

【0041】

タッチパネル基板Ｐには、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４と導通接続された基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ４（第１基板端子）と、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ４と導通接続された基板端子Ｐｙ１〜Ｐｙ４（第２基板端子）とが形成されている。基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ４及び基板端子Ｐｙ１〜Ｐｙ４は、例えば銀ペーストや銅ペースト等の導電性を有するペースト材料を用いて、スクリーン印刷により形成されている。

【0042】

なお、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ４，Ｐｙ１〜Ｐｙ４は、例えばコネクタであってもよく、他の接続手段であってもよい。基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ４，Ｐｙ１〜Ｐｙ４は、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ４と、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ４，Ｔｙ１〜Ｔｙ４とを導通接続させるものであればよく、上述の例に限らない。また、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ４，Ｐｙ１〜Ｐｙ４を設けず、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ４，Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ４と、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ４，Ｔｙ１〜Ｔｙ４とを直接導通接続させる構成としてもよい。

【0043】

図２は、図１に示す基板検査装置１を簡略化して概念的に示す概念図である。図２に示す基板検査装置１では、７つのＸ電極Ｘ１〜Ｘ７と、５つのＹ電極Ｙ１〜Ｙ５とを備える例を示している。図２では図示を省略しているが、以下の説明では、基板検査装置１は、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７に対応する基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７（第１基板端子）、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７（第１接続端子）、及び切替スイッチＳＷ１を備え、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５（第２電極）に対応する基板端子Ｐｙ１〜Ｐｙ５（第２基板端子）、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ５（第２接続端子）、及び切替スイッチＳＷ２を備えているものとして説明する。

【0044】

以下、図１と図２とを適宜参照しつつ基板検査装置１の構成を説明する。以下、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７，Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５を総称してそれぞれＸ電極Ｘ、Ｙ電極Ｙと称し、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５を総称してそれぞれ基板端子Ｐｘ，Ｐｙと称し、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５を総称してそれぞれ接続端子Ｔｘ，Ｔｙと称する。

【0045】

タッチパネル基板Ｐは、タッチパネル基板Ｐが製品に組み込まれて使用される際に、Ｘ電極ＸとＹ電極Ｙとが交差する位置の静電容量を読み取るために予め設定された読取周波数ｆ０の交流信号が、接続端子Ｔｙ及び基板端子Ｐｙを介してＹ電極Ｙへ供給され、その交差する位置の静電容量を介してＸ電極Ｘに供給されることが予定されている。読取周波数ｆ０は、高くなるほどタッチパネルの位置検出速度を高速化することができ、タッチパネルの応答性が向上する。

【0046】

一方、読取周波数ｆ０は、高くなるほどノイズが発生し易くなり、ノイズ対策が困難になる。そこで、ユーザがタッチパネルを操作するときの操作性の観点、及び設計上の制約から、タッチパネルの適切な応答性が得られる読取周波数ｆ０として、例えば１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの周波数、より好ましくは３００ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ程度の周波数が用いられる。

【0047】

接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５は、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５と接続可能に構成された接続端子である。接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５は、例えばユーザが検査対象のタッチパネル基板Ｐを基板検査装置１の所定の取り付け位置に取り付けることによって、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５と接続され、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７及び接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ５が、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７及びＹ電極Ｙ１〜Ｙ５と導通するようになっている。

【0048】

切替スイッチＳＷ１は、制御部４からの制御信号に応じて、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７の接続先を、それぞれ、電流計３と回路グラウンドとの間で切り替える。切替スイッチＳＷ２は、制御部４からの制御信号に応じて、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ５の接続先を、それぞれ、交流電源２と回路グラウンドとの間で切り替える。

【0049】

交流電源２は、切替スイッチＳＷ２によって選択された接続端子Ｔｙへ例えば実効値で出力電圧Ｖの交流信号ＳＡを供給する。交流信号ＳＡは、例えば正弦波、あるいは矩形波にされている。また、交流信号ＳＡの周波数ｆは、読取周波数ｆ０と略等しい周波数、例えばｆ０×０．９〜ｆ０×１．１の周波数の範囲内に設定されている。周波数ｆを、読取周波数ｆ０と略等しい周波数にすることによって、タッチパネル基板Ｐの使用条件と同等の条件でタッチパネル基板Ｐを検査することができるので、検査の信頼性を向上することができる。

【0050】

電流計３は、切替スイッチＳＷ１によって選択された接続端子Ｔｘに流れる電流を検出し、その電流値Ｉとその位相差θとを示す情報を制御部４へ出力する。位相差θは、交流信号ＳＡに対する検出電流の位相の差を示している。なお、電流計３は、位相を示す情報として位相差θを出力する例を示したが、位相を示す情報は位相差θに限らない。例えば、検出された電流の位相をリアルタイムで出力してもよい。この場合、例えば制御部４で、交流信号ＳＡと検出電流の位相差θを算出するようにしてもよい。

【0051】

表示部５は、例えば液晶表示装置や有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイ等の表示装置である。操作部６は、ユーザの操作入力を受け付ける操作装置である。操作部６としては、例えば操作スイッチやキーボード、タッチパネル等が用いられる。

【0052】

制御部４は、例えば所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）、所定の制御プログラムを記憶する不揮発性のＲＯＭ（Read Only Memory）やＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の記憶装置、ＨＤＤ等の記憶装置によって構成された内部パラメータ記憶部４５、浮遊パラメータ記憶部４６（浮遊容量記憶部）、基準パラメータ記憶部４７（基準容量記憶部）、判定値記憶部４８等の記憶部、及びこれらの周辺回路等から構成されている。そして、制御部４は、例えば上述の記憶装置に記憶された制御プログラムを実行することによって、測定処理部４１、算出部４２、内部パラメータ取得処理部４３、浮遊パラメータ取得処理部４４（浮遊容量取得処理部）、及び判定部４９として機能する。

【0053】

測定処理部４１は、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７と、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ５とをそれぞれ組み合わせて得られる複数の組み合わせに対応し、それらの各組み合わせに対応する接続端子Ｔｘｍ及び接続端子Ｔｙｎについて、その接続端子Ｔｙｎに対して交流電源２によって交流信号ＳＡを供給させ、その接続端子Ｔｘｍに流れる電流を電流計３によって検出させる。これにより、測定処理部４１は、それらの各組み合わせに対応する電流の電流値Ｉ及び位相差θを取得する測定処理を実行する。

【0054】

測定処理部４１は、接続端子Ｔｘｍを選択するときは、切替スイッチＳＷ１により接続端子Ｔｘｍを電流計３と接続させ、接続端子Ｔｘｍ以外の接続端子Ｔｘを回路グラウンドと接続させる。また、測定処理部４１は、接続端子Ｔｙｎを選択するときは、切替スイッチＳＷ２により接続端子Ｔｙｎを交流電源２と接続させ、接続端子Ｔｙｎ以外の接続端子Ｔｙを回路グラウンドと接続させる。

【0055】

なお、測定処理部４１及び切替スイッチＳＷ１，ＳＷ２は、選択された接続端子以外の接続端子をオープンにする（開放する）構成としてもよい。

【0056】

ここで、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７、接続端子Ｔｙ１〜Ｔｙ５は、それぞれＸ電極Ｘ１〜Ｘ７、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５と電気的に接続されるから、接続端子Ｔｘｍと接続端子Ｔｙｎとの組み合わせはＸ電極ＸｍとＹ電極Ｙｎの組み合わせに対応する。すなわち接続端子Ｔｘｍと接続端子Ｔｙｎとの組み合わせは座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応している。

【0057】

すなわち、測定処理部４１は、測定処理において、タッチパネル基板Ｐのすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応して、電流値Ｉ及び位相差θを取得する。以下、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応する電流値Ｉを電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と称し、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応する位相差θを位相差θ（ｍ，ｎ）と称する。また、測定処理部４１が、測定処理において切替スイッチＳＷ１，ＳＷ２によって接続端子Ｔｘｍ，Ｔｙｎを選択させ、電流値Ｉ（ｍ，ｎ）及び位相差θ（ｍ，ｎ）を電流計３によって測定させることを簡略化して、ただ単に、電流値Ｉ（ｍ，ｎ）及び位相差θ（ｍ，ｎ）を測定する、と称する。

【0058】

算出部４２は、測定処理部４１の測定処理において電流計３によって検出された電流の大きさである電流値Ｉと、位相を示す情報である位相差θとに基づいて、接続端子の各組み合わせ、すなわちタッチパネル基板Ｐのすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応する静電容量Ｃと、Ｘ電極、Ｙ電極の抵抗値Ｒとを算出する。以下、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応する静電容量Ｃを静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）と称し、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応する抵抗値Ｒを抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）と称する。

【0059】

図３は、図１に示す測定処理部４１の測定処理において、接続端子Ｔｘｍ，Ｔｙｎが選択された場合、すなわち座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の測定処理を実行する場合の測定回路を等価的に示した等価回路である。この場合の測定回路では、接続端子Ｔｙｎと基板端子Ｐｙｎとの接続点からＹ電極ＹｎがＸ電極Ｘｍと交差するまでの区間の抵抗値が、抵抗値Ｒｙ（ｍ，ｎ）となり、Ｙ電極ＹｎとＸ電極Ｘｍとの交差部分で形成される静電容量が静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）となり、Ｙ電極ＹｎとＸ電極Ｘｍとの交差部分から基板端子Ｐｘｍと接続端子Ｔｘｍとの接続点に達するまでの区間の抵抗値が抵抗値Ｒｘ（ｍ，ｎ）となる。

【0060】

座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の測定処理を実行する場合、その測定対象の回路は、抵抗値Ｒｙ（ｍ，ｎ）、静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）、及び抵抗値Ｒｘ（ｍ，ｎ）の直列回路で表される。さらに、図示しない基板検査装置１内部の抵抗値である内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）と、基板検査装置１内部の内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）とが生じる。

【0061】

また、タッチパネル基板Ｐには、浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）と、浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）に付随して生じる浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とが形成される。図３では、説明の都合により浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）と浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とが、静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）と抵抗値Ｒｘ（ｍ，ｎ）との間に接続されるように記載したが、実際には、測定対象の回路全体に分布して浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）及び浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）が生じることになる。

【0062】

算出部４２は、測定処理部４１の測定処理において得られた電流値Ｉ（ｍ，ｎ）及び位相差θ（ｍ，ｎ）と、交流電源２の出力電圧Ｖとに基づいて、例えば下記の式（１）を用いて測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）を算出する。

【0063】

Ｚ（ｍ，ｎ）＝Ｖ／Ｉ（ｍ，ｎ） ・・・（１）
但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５である。

【0064】

図４は、交流信号ＳＡの電圧波形と、電流計３で検出される電流波形との関係を示す波形図である。図５は、測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とから抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）と静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）とを算出する方法を説明するための説明図である。交流信号ＳＡの周波数ｆは、読取周波数ｆ０と略等しい周波数である。読取周波数ｆ０は、人が指をタッチパネル上で動かす速度を読み取る程度の周波数であるため、比較的低周波数である。そのため、交流信号ＳＡの周波数ｆに応じて生じる測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）に含まれるインダクタンス成分は微小であり、図３に示すように、測定回路をＲＣ回路で近似することができる。

【0065】

従って、図５に示すように、位相差θ（ｍ，ｎ）に基づくベクトル演算によって、測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）を抵抗成分と容量成分とに分解することができる。具体的には、算出部４２は、下記の式（２）、式（３）に基づいて、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）と測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）とを算出する算出処理を実行する。

【0066】

Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）＝Ｚ（ｍ，ｎ）×ＣＯＳθ ・・・（２）

【0067】

Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）＝１／｛２×π×ｆ×Ｚ（ｍ，ｎ）×ＳＩＮθ｝ ・・・（３）
（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）

【0068】

ここで、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）には、上述の内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）と、浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とが含まれる。測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）には、上述の内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と、浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）とが含まれる。そのため、抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）及び静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）を精度よく取得するためには、内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）、浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）、内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）及び浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）を、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）及び測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）から取り除く必要がある。そこで、内部パラメータ取得処理部４３と浮遊パラメータ取得処理部４４とが設けられている。

【0069】

内部パラメータ取得処理部４３は、例えばタッチパネル基板Ｐを基板検査装置１から取り外してＸ電極ＸとＹ電極Ｙとが接続端子Ｔｘ，Ｔｙと電気的に接続されていない状態で、すなわち接続端子Ｔｘ，Ｔｙが開放された状態で、上述の測定処理と算出処理とを測定処理部４１と算出部４２とによって実行させる。これにより、内部パラメータ取得処理部４３は、すべての座標位置に対応して得られる測定静電容量Ｃｍｅｓ及び測定抵抗値Ｒｍｅｓを、接続端子Ｔｘ，Ｔｙの組み合わせに相当する座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に対応する内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）及び内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）として内部パラメータ記憶部４５に記憶させる。

【0070】

なお、必ずしも内部パラメータ取得処理部４３を備えていなくてもよい。例えば予め実験的に内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）及び内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を測定し、予め内部パラメータ記憶部４５に記憶させておいてもよい。

【0071】

基準パラメータ記憶部４７には、タッチパネル基板Ｐ内部で生じる静電容量及び抵抗値である基準静電容量Ｃｒｅｆ及び基準抵抗値Ｒｒｅｆが予め判っている基準基板Ｐｒｅｆについて、すべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応して、基準静電容量Ｃｒｅｆ（ｍ，ｎ）及び基準抵抗値Ｒｒｅｆ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）が、例えば予め実験的に測定されて記憶されている。

【0072】

浮遊パラメータ取得処理部４４は、例えばユーザが基準基板Ｐｒｅｆを基板検査装置１に取り付けて、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５と接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５とが接続された状態で、操作部６によるユーザの浮遊パラメータ取得処理（浮遊容量取得処理）の実行を指示する操作指示が受け付けられたとき、上述の測定処理と算出処理とを測定処理部４１と算出部４２とによって実行させることによりすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応して得られる測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）及び測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を算出させる。

【0073】

そして、浮遊パラメータ取得処理部４４は、このようにして得られた測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）及び測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）と、基準パラメータ記憶部４７によって記憶されている基準静電容量Ｃｒｅｆ（ｍ，ｎ）及び基準抵抗値Ｒｒｅｆ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）とに基づいて、すべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応する浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）及び浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を算出し、浮遊パラメータ記憶部４６に記憶させる。

【0074】

具体的には、浮遊パラメータ取得処理部４４は、例えば下記の式（４）、（５）に基づき、浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）及び浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を算出する。

【0075】

浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）＝Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｃｒｅｆ（ｍ，ｎ）・・・（４）

【0076】

浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）＝Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｒｒｅｆ（ｍ，ｎ） ・・・（５）
（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）

【0077】

算出部４２は、検査対象のタッチパネル基板Ｐの測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）及び測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）を、内部パラメータ記憶部４５に記憶された内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）及び内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）と、浮遊パラメータ記憶部４６に記憶された浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）及び浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とに基づいて補正し、検査対象のタッチパネル基板Ｐの抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）及び静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を取得する。

【0078】

具体的には、算出部４２は、例えば下記の式（６）、（７）に基づいて、検査対象のタッチパネル基板Ｐの静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）及び抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）を取得する。
静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）＝Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｃｉ（ｍ，ｎ）−Ｃｆ（ｍ，ｎ） ・・・（６）
抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）＝Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｒｉ（ｍ，ｎ）−Ｒｆ（ｍ，ｎ） ・・・（７）
（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）

【0079】

なお、算出部４２は、浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）及び浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）を補正に用いず、下記の式（８）、（９）に基づき補正を行ってもよい。
静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）＝Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｃｉ（ｍ，ｎ） ・・・（８）
抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）＝Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｒｉ（ｍ，ｎ） ・・・（９）
（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）

【0080】

また、算出部４２は、内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）及び内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）を補正に用いず、下記の式（１０）、（１１）に基づき補正を行ってもよい。
静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）＝Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｃｆ（ｍ，ｎ） ・・・（１０）
抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）＝Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）−Ｒｆ（ｍ，ｎ） ・・・（１１）
（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）

【0081】

また、算出部４２は、補正を行わなくてもよい。

【0082】

判定値記憶部４８には、抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）及び静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）に対応する良否判定の基準となる判定値である抵抗判定値Ｒｊ（ｍ，ｎ）及び容量判定値Ｃｊ（ｍ，ｎ）が予め記憶されている。抵抗判定値Ｒｊ（ｍ，ｎ）及び容量判定値Ｃｊ（ｍ，ｎ）は、良品のタッチパネル基板Ｐの実測値を用いてもよく、設計上の理論値を用いてもよく、例えば基準抵抗値Ｒｒｅｆ（ｍ，ｎ）及び基準静電容量Ｃｒｅｆ（ｍ，ｎ）を抵抗判定値Ｒｊ（ｍ，ｎ）及び容量判定値Ｃｊ（ｍ，ｎ）として用いてもよい（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）。

【0083】

判定部４９は、算出部４２により得られた抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）と、判定値記憶部４８に記憶された抵抗判定値Ｒｊ（ｍ，ｎ）との差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）を、すべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応してそれぞれ算出し、当該各座標位置に対応する差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）が予め設定された差分判定値Ｄｒｊを超えたとき、当該差分判定値Ｄｒｊを超えた座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）を、タッチパネル基板Ｐの抵抗不良位置と判定し、その抵抗不良位置を表示部５に表示させる。

【0084】

また、判定部４９は、算出部４２により得られた静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）と、判定値記憶部４８に記憶された容量判定値Ｃｊ（ｍ，ｎ）との差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）を、すべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応してそれぞれ算出し、当該各座標位置に対応する差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）が予め設定された差分判定値Ｄｃｊを超えたとき、当該差分判定値Ｄｃｊを超えた座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）を、タッチパネル基板Ｐの静電容量不良位置と判定し、その静電容量不良位置を表示部５に表示させる。

【0085】

次に、上述のように構成された基板検査装置１の動作について説明する。図６〜図９は、本発明の一実施形態に係る基板検査方法を示すフローチャートである。まず、例えば、タッチパネル基板Ｐが基板検査装置１に取り付けられず、接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５が開放された状態で、例えばユーザが操作部６を操作して基板検査装置１の内部パラメータの測定を指示する内部パラメータ取得指示を入力した場合、操作部６によって内部パラメータ取得指示が受け付けられ（ステップＳ１でＹＥＳ）、内部パラメータ取得処理部４３が、図８に示す内部パラメータ取得処理を実行する（ステップＳ２）。

【0086】

一方、操作部６によって内部パラメータ取得指示が受け付けられない場合（ステップＳ１でＮＯ）、内部パラメータ取得処理部４３は、内部パラメータ取得処理を実行することなく、ステップＳ３へ移行する。

【0087】

まず、図８に示す内部パラメータ取得処理について説明する。内部パラメータ取得処理では、まず、内部パラメータ取得処理部４３によって、変数ｍ及びｎが１に初期化される（ステップＳ１０１）。次に、内部パラメータ取得処理部４３は、測定処理部４１によって電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とを測定させる（ステップＳ１０２）。

【0088】

ステップＳ１０２では、タッチパネル基板Ｐが基板検査装置１に取り付けられていない。この状態では、基板検査装置１内部において、交流電源２に接続された切替スイッチＳＷ２や接続端子Ｔｙｎと、電流計３に接続された切替スイッチＳＷ１や接続端子Ｔｘｍとの間の容量結合を介して電流が流れる。このようにして流れた電流をステップＳ１０２において測定し、その電流の電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とを取得する。

【0089】

次に、内部パラメータ取得処理部４３は、算出部４２によって、電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と出力電圧Ｖとから例えば式（１）に基づき測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）を算出させる（ステップＳ１０３）。

【0090】

次に、内部パラメータ取得処理部４３は、測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とから、例えば式（２）、（３）に基づき測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）と測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）とを算出させる（ステップＳ１０４）。このようにして得られた測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）と測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）とは、基板検査装置１内部のパラメータが反映されたものである。

【0091】

そこで、内部パラメータ取得処理部４３は、測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）を内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）とし、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）を内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）として内部パラメータ記憶部４５に記憶させる（ステップＳ１０５）。

【0092】

内部パラメータ取得処理部４３は、変数ｍが７でなければ（ステップＳ１０６でＮＯ）、すなわち座標Ｙｎにまだ処理の終わっていないＸ座標が残っていれば、新たなＸ座標に対応する内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）とを取得するべく変数ｍに１を加算して（ステップＳ１０７）、再びステップＳ１０２〜Ｓ１０６を繰り返す。

【0093】

一方、変数ｍが７のとき（ステップＳ１０６でＹＥＳ）、すなわち座標ＹｎのすべてのＸ座標について処理を終了したとき、内部パラメータ取得処理部４３は、変数ｍを１に初期化し（ステップＳ１０８）、変数ｎを５と比較する（ステップＳ１０９）。

【0094】

内部パラメータ取得処理部４３は、変数ｎが５でなければ（ステップＳ１０９でＮＯ）、すなわちまだ処理の終わっていないＹ座標が残っていれば、新たなＹ座標に対応する内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）とを取得するべく変数ｎに１を加算して（ステップＳ１１０）、再びステップＳ１０２〜Ｓ１０９を繰り返す。

【0095】

一方、変数ｎが５のとき（ステップＳ１０９でＹＥＳ）、すなわちタッチパネル基板Ｐのすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応する接続端子Ｔｘと接続端子Ｔｙの組み合わせについて、内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）とが内部パラメータ記憶部４５に記憶されたことになるから、内部パラメータ取得処理部４３は、内部パラメータ取得処理を終了し、図６のステップＳ３へ移行する。

【0096】

浮遊パラメータ取得処理を行う場合、ユーザは、基準基板Ｐｒｅｆを基板検査装置１に取り付けて、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５と接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５とが接続された状態にする。この状態で、例えばユーザが操作部６を操作して浮遊パラメータの測定を指示する浮遊パラメータ取得指示を入力した場合、操作部６によって浮遊パラメータ取得指示が受け付けられ（ステップＳ３でＹＥＳ）、浮遊パラメータ取得処理部４４が、図９に示す浮遊パラメータ取得処理を実行する（ステップＳ４）。一方、操作部６によって浮遊パラメータ取得指示が受け付けられなければ（ステップＳ３でＮＯ）、浮遊パラメータ取得処理部４４は、ステップＳ４を実行することなくステップＳ５へ移行する。

【0097】

図９に示す浮遊パラメータ取得処理において、浮遊パラメータ取得処理部４４によって、ステップＳ２０１〜Ｓ２０４が実行される。ステップＳ２０１〜Ｓ２０４は、内部パラメータ取得処理部４３の代わりに浮遊パラメータ取得処理部４４が処理を行う点を除いて図８におけるステップＳ１０１〜Ｓ１０４と同様であるのでその説明を省略する。

【0098】

ステップＳ２０５において、浮遊パラメータ取得処理部４４は、ステップＳ２０４で得られた測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）と、基準パラメータ記憶部４７によって記憶されている基準静電容量Ｃｒｅｆ（ｍ，ｎ）とに基づいて例えば式（４）を用いて浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）を算出し、浮遊パラメータ記憶部４６に記憶させる（ステップＳ２０５）。

【0099】

次に、浮遊パラメータ取得処理部４４は、ステップＳ２０４で得られた測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）と、基準パラメータ記憶部４７によって記憶されている基準抵抗値Ｒｒｅｆ（ｍ，ｎ）とに基づいて例えば式（５）を用いて浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）を算出し、浮遊パラメータ記憶部４６に記憶させる（ステップＳ２０６）。

【0100】

浮遊パラメータ取得処理部４４は、変数ｍが７でなければ（ステップＳ２０７でＮＯ）、すなわち座標Ｙｎにまだ処理の終わっていないＸ座標が残っていれば、新たなＸ座標に対応する浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）と浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とを取得するべく変数ｍに１を加算して（ステップＳ２０８）、再びステップＳ２０２〜Ｓ２０７を繰り返す。

【0101】

一方、変数ｍが７のとき（ステップＳ２０７でＹＥＳ）、すなわち座標ＹｎのすべてのＸ座標について処理を終了したとき、浮遊パラメータ取得処理部４４は、変数ｍを１に初期化し（ステップＳ２０９）、変数ｎを５と比較する（ステップＳ２１０）。

【0102】

浮遊パラメータ取得処理部４４は、変数ｎが５でなければ（ステップＳ２１０でＮＯ）、すなわちまだ処理の終わっていないＹ座標が残っていれば、新たなＹ座標に対応する浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）と浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とを取得するべく変数ｎに１を加算して（ステップＳ２１１）、再びステップＳ２０２〜Ｓ２１０を繰り返す。

【0103】

一方、変数ｎが５のとき（ステップＳ２１０でＹＥＳ）、すなわちタッチパネル基板Ｐのすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応する接続端子Ｔｘと接続端子Ｔｙの組み合わせについて、浮遊静電容量Ｃｆと浮遊抵抗値Ｒｆとが浮遊パラメータ記憶部４６に記憶されたことになるから、浮遊パラメータ取得処理部４４は、浮遊パラメータ取得処理を終了し、図６のステップＳ５へ移行する。

【0104】

ユーザは、タッチパネル基板Ｐの検査を行う場合、検査対象のタッチパネル基板Ｐを基板検査装置１に取り付けて、基板端子Ｐｘ１〜Ｐｘ７，Ｐｙ１〜Ｐｙ５と接続端子Ｔｘ１〜Ｔｘ７，Ｔｙ１〜Ｔｙ５とが接続された状態にする。この状態で、例えばユーザが操作部６を操作して検査の開始を指示する検査開始指示を入力した場合、操作部６によって検査開始指示が受け付けられ（ステップＳ５でＹＥＳ）、測定処理部４１が、タッチパネル基板Ｐの検査を開始するべく変数ｍ及びｎを１に初期化する（ステップＳ６）。

【0105】

次に、測定処理部４１によって、電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とが測定される（ステップＳ７）。次に、算出部４２によって、電流値Ｉ（ｍ，ｎ）と出力電圧Ｖとから例えば式（１）に基づき測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）が算出される（ステップＳ８）。

【0106】

次に、算出部４２は、測定インピーダンスＺ（ｍ，ｎ）と位相差θ（ｍ，ｎ）とから、例えば式（２）、（３）に基づき測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）と測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）とを算出する（ステップＳ９）。このようにして得られた測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）には、検査対象のタッチパネル基板Ｐの静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）、抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）の他、内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）、内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）や浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）、浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）がそれぞれ含まれている。

【0107】

そこで、算出部４２は、測定静電容量Ｃｍｅｓ（ｍ，ｎ）を、内部パラメータ記憶部４５に記憶された内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と浮遊パラメータ記憶部４６に記憶された浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）とに基づき例えば式（６）を用いて補正し、静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）を取得する（ステップＳ１０、内部パラメータ補正処理、浮遊容量補正処理）。

【0108】

これにより、内部静電容量Ｃｉ（ｍ，ｎ）と浮遊静電容量Ｃｆ（ｍ，ｎ）との影響を低減することができるので、静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）の測定精度を向上させることができる。

【0109】

次に、算出部４２は、測定抵抗値Ｒｍｅｓ（ｍ，ｎ）を、内部パラメータ記憶部４５に記憶された内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）と浮遊パラメータ記憶部４６に記憶された浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）とに基づき例えば式（７）に基づいて補正し、抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）を取得する（ステップＳ１１、浮遊容量補正処理）。

【0110】

これにより、内部抵抗値Ｒｉ（ｍ，ｎ）と浮遊抵抗値Ｒｆ（ｍ，ｎ）との影響を低減することができるので、抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）の測定精度を向上させることができる。

【0111】

次に、判定部４９は、算出部４２により得られた抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）と、判定値記憶部４８に記憶された抵抗判定値Ｒｊ（ｍ，ｎ）との差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）を算出する（ステップＳ２１）。

【0112】

そして、判定部４９は、差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）と予め設定された差分判定値Ｄｒｊとを比較し（ステップＳ２２）、差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）が差分判定値Ｄｒｊを超えていれば（ステップＳ２２でＹＥＳ）、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に抵抗不良が生じている旨のメッセージを表示部５によって表示させる（ステップＳ２３）。一方、差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）が差分判定値Ｄｒｊを超えていなければ（ステップＳ２２でＮＯ）、判定部４９は、ステップＳ２３を実行することなくステップＳ２４へ移行する。差分判定値Ｄｒｊは、タッチパネル基板Ｐに対して要求される性能に応じて適宜設定される。

【0113】

ステップＳ２４において、判定部４９は、算出部４２により得られた静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）と、判定値記憶部４８に記憶された容量判定値Ｃｊ（ｍ，ｎ）との差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）を算出する（ステップＳ２４）。

【0114】

そして、判定部４９は、差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）と予め設定された差分判定値Ｄｃｊとを比較し（ステップＳ２５）、差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）が差分判定値Ｄｃｊを超えていれば（ステップＳ２５でＹＥＳ）、座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）に静電容量不良が生じている旨のメッセージを表示部５によって表示させる（ステップＳ２６）。一方、差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）が差分判定値Ｄｃｊを超えていなければ（ステップＳ２５でＮＯ）、判定部４９は、ステップＳ２６を実行することなくステップＳ２７へ移行する。差分判定値Ｄｃｊは、タッチパネル基板Ｐに対して要求される性能に応じて適宜設定される。

【0115】

ステップＳ２７において、測定処理部４１は、変数ｍが７でなければ（ステップＳ２７でＮＯ）、すなわち座標Ｙｎにまだ処理の終わっていないＸ座標が残っていれば、新たなＸ座標に対応する検査を実行するべく変数ｍに１を加算して（ステップＳ２８）、再びステップＳ７〜Ｓ２７を繰り返す。

【0116】

一方、変数ｍが７のとき（ステップＳ２７でＹＥＳ）、すなわち座標ＹｎのすべてのＸ座標について処理を終了したとき、測定処理部４１は、変数ｍを１に初期化し（ステップＳ２９）、変数ｎを５と比較する（ステップＳ３０）。

【0117】

測定処理部４１は、変数ｎが５でなければ（ステップＳ３０でＮＯ）、すなわちまだ処理の終わっていないＹ座標が残っていれば、新たなＹ座標に対応する検査を実行するべく変数ｎに１を加算して（ステップＳ３１）、再びステップＳ７〜Ｓ３０を繰り返す。

【0118】

一方、変数ｎが５のとき（ステップＳ３０でＹＥＳ）、すなわちタッチパネル基板Ｐのすべての座標位置（Ｘ１，Ｙ１）〜（Ｘ７，Ｙ５）に対応する接続端子Ｔｘと接続端子Ｔｙの組み合わせについて、検査を終了したことになるから、処理を終了する。

【0119】

以上、ステップＳ７，Ｓ１０２，Ｓ２０２の測定処理（測定工程）とステップＳ８，Ｓ９，Ｓ１０３，Ｓ１０４，Ｓ２０３，Ｓ２０４の算出処理（算出工程）とによれば、各座標位置についてそれぞれ一回、電流値Ｉと位相差θとを測定するだけで、各座標位置に対応する静電容量及び抵抗値を得ることができるので、静電容量の測定工程と、抵抗値の測定工程とを別々に実行するよりも、静電容量及び抵抗値の測定工数を低減することが容易となる。

【0120】

また、ステップＳ１０，Ｓ１１の処理により、内部静電容量Ｃｉ、内部抵抗値Ｒｉ、浮遊静電容量Ｃｆ、及び浮遊抵抗値Ｒｆの影響を低減することができるので、静電容量Ｃ、及び抵抗値Ｒの測定精度を向上することができる結果、タッチパネル基板Ｐの検査精度を向上させることができる。

【0121】

図１０〜図１２は、タッチパネル基板Ｐの各座標位置に対応する測定静電容量Ｃｍｅｓと、測定に用いられる交流信号ＳＡの周波数ｆとの関係の一例を示す説明図である。図１０は、周波数ｆが低周波数の場合、図１１は、周波数ｆが図１０よりも高い中程度の周波数の場合、図１２は、図１に示す基板検査装置１の例を示しており、周波数ｆが読取周波数ｆ０と略等しい高周波数の場合の例を示している。

【0122】

タッチパネル基板Ｐの各座標位置に対応する静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）は、製造バラツキによる多少のバラツキはあるものの、原則的には互いに略等しい値となっている。そして、周波数ｆを低周波数とした場合には、図１０に示すように、その各座標位置に対応する測定静電容量Ｃｍｅｓは、互いに略等しい値となっており、ほぼ実際の静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）がそのまま測定可能であることが判る。

【0123】

しかしながら、周波数ｆを高めると、図１１に示すように、内部静電容量Ｃｉや浮遊静電容量Ｃｆの影響が増大し、座標位置によって測定静電容量Ｃｍｅｓに差が生じる。さらに上述のように検査の信頼性を向上させる必要から、周波数ｆを読取周波数ｆ０と略等しい高周波数にすると、図１２に示すように、内部静電容量Ｃｉや浮遊静電容量Ｃｆの影響がさらに顕著に増大し、座標位置による測定静電容量Ｃｍｅｓの差が大きくなるため、測定静電容量Ｃｍｅｓに基づきタッチパネル基板Ｐの良否を判定することが難しくなる。

【0124】

図１３は、図１２に示す測定静電容量Ｃｍｅｓを、ステップＳ１０の処理により補正した結果得られた静電容量Ｃを示す説明図である。図１３に示すように、ステップＳ１０，Ｓ１１の処理により、内部静電容量Ｃｉや浮遊静電容量Ｃｆの影響が低減され、座標位置による静電容量Ｃの差が低減できることが確認できた。

【0125】

図１４は、タッチパネル基板Ｐの各座標位置に対応する抵抗値Ｒの理論値を表すグラフである。抵抗値Ｒは、座標位置に応じて抵抗測定経路のＸ電極Ｘ及びＹ電極Ｙの長さが異なることに起因して、座標位置に応じて異なる値となる。しかしながら、その値は図１４に示すように、座標位置に対して略直線的に変化する。

【0126】

図１５、図１６は、タッチパネル基板Ｐの各座標位置に対応する測定抵抗値Ｒｍｅｓと、測定周波数ｆとの関係を示すグラフである。図１５、図１６の、底面が座標位置を示し、高さが測定抵抗値Ｒｍｅｓを示している。図１５は、周波数ｆが読取周波数ｆ０より低い低周波数の場合を示し、図１６は、図１に示す基板検査装置１の例を示しており、周波数ｆが読取周波数ｆ０と略等しい高周波数の場合の例を示している。

【0127】

周波数ｆが読取周波数ｆ０より低い低周波数の場合、図１５に示すように、座標位置に対する測定抵抗値Ｒｍｅｓのバラツキが増大するのに対し、周波数ｆが読取周波数ｆ０と略等しい高周波数の場合、図１６に示すように、測定抵抗値Ｒｍｅｓのバラツキは、図１４に示す理論値と略同程度になることが確認できた。

【0128】

図１７は、タッチパネル基板ＰのＸ電極Ｘ２に不良Ｆが生じた場合を説明するための説明図である。図１７では、不良Ｆは、座標位置（Ｘ２，Ｙ１）及び座標位置（Ｘ２，Ｙ２）に生じている。図１８は、図１７に示すタッチパネル基板Ｐについての各座標位置に対応する差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）（但し、ｍ＝１，２，３，４，５，６，７、ｎ＝１，２，３，４，５）を示すグラフである。図１８の底面が座標位置を示し、高さが差分Ｄｒを示している。

【0129】

図１８に示すように、不良Ｆが生じている座標位置（Ｘ２，Ｙ１）及び座標位置（Ｘ２，Ｙ２）で抵抗値の大きなピークが確認でき、これにより、不良Ｆの発生箇所が特定できることが確認できた。

【0130】

図１９は、図１に示す基板検査装置１の変形例を示す説明図である。図１に示す基板検査装置１では、電流計３はＸ電極Ｘの一端にのみ接続され、交流電源２はＹ電極Ｙの一端にのみ接続される例を示した。しかしながら、図１９に示すように、電流計３がＸ電極Ｘの両端に接続され、交流電源２がＹ電極Ｙの両端に接続される構成としてもよい。この場合、図２０に示すように、タッチパネル基板Ｐについての各座標位置に対応する測定抵抗値Ｒｍｅｓのグラフは、図１４に示すようなフラットな形状にならず、山形となる。この場合であっても、図６〜図９に示すステップＳ１〜Ｓ２１１の処理により、タッチパネル基板Ｐを検査することができる。

【0131】

なお、算出部４２は、例えば図１６に示すグラフで測定抵抗値Ｒｍｅｓの代わりに抵抗値Ｒを表したグラフを、表示部５で表示させてもよい。具体的には、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７に対応するＸ座標と、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５に対応するＹ座標と、そのＸ−Ｙ座標に対応する座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の抵抗値Ｒ（ｍ，ｎ）とを、例えば図１６に示すグラフのように三次元的なグラフで表した画像を表示部５で表示させてもよい。

【0132】

また、算出部４２は、例えば図１３に示すグラフを表示部５で表示させてもよい。具体的には、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７に対応するＸ座標と、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５に対応するＹ座標と、そのＸ−Ｙ座標に対応する座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の静電容量Ｃ（ｍ，ｎ）とを、例えば図１３に示すグラフのように三次元的に表した画像を表示部５で表示させてもよい。

【0133】

また、図１８に示すように、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７に対応するＸ座標と、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５に対応するＹ座標と、そのＸ−Ｙ座標に対応する座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）とを、三次元的に表した画像を表示部５で表示させてもよい。

【0134】

また、図１８に示す差分Ｄｒ（ｍ，ｎ）の代わりに差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）を表示してもよい。すなわち、Ｘ電極Ｘ１〜Ｘ７に対応するＸ座標と、Ｙ電極Ｙ１〜Ｙ５に対応するＹ座標と、そのＸ−Ｙ座標に対応する座標位置（Ｘｍ，Ｙｎ）の差分Ｄｃ（ｍ，ｎ）とを、三次元的に表した画像を表示部５で表示させてもよい。

【符号の説明】

【0135】

１ 基板検査装置
２ 交流電源（交流電圧出力部）
３ 電流計（電流検出部）
４ 制御部
５ 表示部
６ 操作部
４１ 測定処理部
４２ 算出部
４３ 内部パラメータ取得処理部
４４ 浮遊パラメータ取得処理部（浮遊容量取得処理部）
４５ 内部パラメータ記憶部
４６ 浮遊パラメータ記憶部（浮遊容量記憶部）
４７ 基準パラメータ記憶部
４８ 判定値記憶部
４９ 判定部
Ｃ 静電容量
Ｃｆ 浮遊静電容量
Ｃｉ 内部静電容量
Ｃｊ 容量判定値
Ｃｍｅｓ 測定静電容量
Ｃｒｅｆ 基準静電容量
Ｄｃ 差分
Ｄｃｊ 差分判定値
Ｄｒ 差分
Ｄｒｊ 差分判定値
ｆ 周波数
ｆ０ 読取周波数
Ｉ 電流値
Ｐ タッチパネル基板（基板）
Ｐｒｅｆ 基準基板
Ｐｘ，Ｐｘ１〜Ｐｘ７ 基板端子（第１基板端子）
Ｐｙ，Ｐｙ１〜Ｐｙ５ 基板端子（第２基板端子）
Ｒ 抵抗値
Ｒｆ 浮遊抵抗値
Ｒｉ 内部抵抗値
Ｒｊ 抵抗判定値
Ｒｍｅｓ 測定抵抗値
Ｒｒｅｆ 基準抵抗値
ＳＡ 交流信号
ＳＷ１，ＳＷ２ 切替スイッチ
Ｔｘ１〜Ｔｘ７ 接続端子（第１接続端子）
Ｔｙ１〜Ｔｙ５ 接続端子（第２接続端子）
Ｖ 出力電圧
Ｘ１〜Ｘ７ 電極（第１電極）
Ｙ１〜Ｙ５ 電極（第２電極）
Ｚ 測定インピーダンス
θ 位相差

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】