特許第6650463号(P6650463)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの特許一覧

特許6650463電荷トラップ層を備えた高抵抗率の半導体・オン・インシュレーターウェハーの製造方法
<>
  • 特許6650463-電荷トラップ層を備えた高抵抗率の半導体・オン・インシュレーターウェハーの製造方法 図000003
  • 特許6650463-電荷トラップ層を備えた高抵抗率の半導体・オン・インシュレーターウェハーの製造方法 図000004
  • 特許6650463-電荷トラップ層を備えた高抵抗率の半導体・オン・インシュレーターウェハーの製造方法 図000005
< >