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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7929746	エピタキシャルウエハを製造するためのシステムおよび方法	2026年10月 5日
特許 7924401	シリコン供給チューブの不活性ガス制御を伴った単結晶シリコンインゴットを成長させる方法	2026年 9月24日
特許 7924232	半導体基板を研磨する方法	2026年 9月24日
特許 7920211	エピタキシーに対するシリコン基板の適合性を判断する方法	2026年 9月14日
特許 7916444	酸素含有量が低いインゴット製品の製造方法	2026年 9月 7日
特許 7911554	凸多角形の研磨部材を有する両面研削装置	2026年 8月26日
特許 7909581	炉内の半導体ウエハを支持するためのウエハボート	2026年 8月21日
特許 7904213	半導体構造にイオンを注入する方法	2026年 8月12日
特許 7902911	ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ	2026年 8月10日
特許 7902834	結晶引き上げ装置の領域の過渡熱応答を取得する方法とシステム	2026年 8月10日
特許 7881729	強化されたウエハ製造のためのポリッシング後のトポグラフィ生成システムおよび方法	2026年 6月29日
特許 7877368	基板を製造するためのチョクラルスキ成長条件のエピタキシー適合性を決定する方法	2026年 6月22日
特許 7862656	水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法	2026年 5月19日
特許 7851849	凹部およびキャップを有する研磨ヘッドアセンブリ	2026年 4月27日
特許 7830463	結晶引き上げ装置のシリコン融液とリフレクタとの間の距離を決定するための非接触システムおよび方法	2026年 3月16日

23 件中 1-15 件を表示

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7929746 7924401 7924232 7920211 7916444 7911554 7909581 7904213 7902911 7902834 7881729 7877368 7862656 7851849 7830463

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