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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7720843	水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法	2025年 8月 8日
特許 7720980	ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ	2025年 8月 8日
特許 7710498	シリコン箔層の移転方法	2025年 7月18日
特許 7699633	ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法	2025年 6月27日
特許 7690107	劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法	2025年 6月 9日
特許 7688702	ハウジングを通って延在する流体充填排気管を有する結晶引上げシステム	2025年 6月 4日
特許 7686067	サイドヒータの下方に配置されるヒートシールドを有するインゴット引上げ装置及びそのような装置でインゴットを製造する方法	2025年 5月30日
特許 7678833	単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長	2025年 5月16日
特許 7672989	本体長さ後半の歪みが低減されたインゴットの製造方法	2025年 5月 8日
特許 7661348	強化されたウエハ製造のためのシステムおよび方法	2025年 4月14日
特許 7638871	高抵抗率および超高抵抗率単結晶シリコンインゴット成長用ファットネックスラブの改良された比抵抗安定化測定	2025年 3月 4日
特許 7630040	連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット	2025年 2月14日
特許 7623271	低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法	2025年 1月28日
特許 7611945	炉内の半導体ウエハを支持するためのウエハボート	2025年 1月10日
特許 7611959	ホウ酸をドーパントとする単結晶シリコンインゴットの製造方法および固相ドーパントを使用するインゴット引上げ装置	2025年 1月10日

15 件中 1-15 件を表示

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7720843 7720980 7710498 7699633 7690107 7688702 7686067 7678833 7672989 7661348 7638871 7630040 7623271 7611945 7611959

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