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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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　■　2024年特許取得件数ランキング　　　第1310位　14件（2023年：第1516位　13件）

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7585333	ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ	2024年11月18日
特許 7580545	連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット	2024年11月11日
特許 7556989	低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法	2024年 9月26日
特許 7539318	インゴットネック引張速度の移動平均の監視を伴うシリコンインゴットの製造方法	2024年 8月23日
特許 7527425	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造	2024年 8月 2日
特許 7520104	単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用	2024年 7月22日
特許 7518766	ＬＬＳリング／コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法	2024年 7月18日
特許 7515591	ＳＯＩ構造から酸化膜を除去する方法およびＳＯＩ構造を準備する方法	2024年 7月12日
特許 7503053	インゴットの品質を向上するためのシリコン融液中のドーパント濃度制御	2024年 6月19日
特許 7470233	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム	2024年 4月17日
特許 7467362	単結晶シリコンインゴット製造中のサンプルロッド成長および抵抗率測定	2024年 4月15日
特許 7451777	高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法	2024年 3月18日
特許 7430204	インゴット引上げ装置	2024年 2月 9日
特許 7418559	ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法	2024年 1月19日

14 件中 1-14 件を表示

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7585333 7580545 7556989 7539318 7527425 7520104 7518766 7515591 7503053 7470233 7467362 7451777 7430204 7418559

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