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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7778150	半導体ウェハ反応装置における予熱リングのためのシステムおよび方法	2025年12月 1日
特許 7773566	半導体構造体のエッチング方法及び処理リアクタの調整方法	2025年11月19日
特許 7763289	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム	2025年10月31日
特許 7760577	水平磁場チョクラルスキーにより単結晶シリコンインゴットを製造する方法	2025年10月27日
特許 7760704	フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法	2025年10月27日
特許 7752181	気化ドーパントを使用して単結晶シリコンインゴットを製造するためのシステム及び方法	2025年10月 9日
特許 7748937	連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット	2025年10月 3日
特許 7747833	優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造	2025年10月 1日
特許 7731920	炉内で半導体ウエハを支持するためのウエハボート	2025年 9月 1日
特許 7720843	水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法	2025年 8月 8日
特許 7720980	ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ	2025年 8月 8日
特許 7710498	シリコン箔層の移転方法	2025年 7月18日
特許 7699633	ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法	2025年 6月27日
特許 7690107	劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法	2025年 6月 9日
特許 7688702	ハウジングを通って延在する流体充填排気管を有する結晶引上げシステム	2025年 6月 4日

24 件中 1-15 件を表示

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7778150 7773566 7763289 7760577 7760704 7752181 7748937 7747833 7731920 7720843 7720980 7710498 7699633 7690107 7688702

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