特許 6656238 光学部材、光半導体デバイス、および照明装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6656238

(24)【登録日】2020年2月6日

(45)【発行日】2020年3月4日

(54)【発明の名称】光学部材、光半導体デバイス、および照明装置

(51)【国際特許分類】

   C08J 7/00 20060101AFI20200220BHJP

   G02B 1/04 20060101ALI20200220BHJP

   H01L 33/56 20100101ALI20200220BHJP

【ＦＩ】

   C08J7/00 ACFH

   G02B1/04

   H01L33/56

【請求項の数】4

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2017-519705(P2017-519705)

(86)(22)【出願日】2015年10月16日

(65)【公表番号】特表2017-533979(P2017-533979A)

(43)【公表日】2017年11月16日

(86)【国際出願番号】JP2015005238

(87)【国際公開番号】WO2016063509

(87)【国際公開日】20160428

【審査請求日】2018年10月4日

(31)【優先権主張番号】62/065,972

(32)【優先日】2014年10月20日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】719000328

【氏名又は名称】ダウ・東レ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀 正武

(74)【代理人】

【識別番号】100108578

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 詔男

(74)【代理人】

【識別番号】100094400

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 三義

(73)【特許権者】

【識別番号】590001418

【氏名又は名称】ダウ シリコーンズ コーポレーション

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100094400

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 三義

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀 正武

(74)【代理人】

【識別番号】100108578

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 詔男

(72)【発明者】

【氏名】吉田 伸

(72)【発明者】

【氏名】吉田 宏明

(72)【発明者】

【氏名】森 一高

(72)【発明者】

【氏名】クリストファー エス マクミラン

【審査官】 鶴 剛史

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−２９６５００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０４４９１６５３（ＵＳ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−１２２２７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０７７１１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 欧州特許出願公開第０２２４６３８６（ＥＰ，Ａ１）

【文献】 特表２０１０−５３９２５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０８Ｊ ７／００

Ｇ０２Ｂ １／０４

Ｈ０１Ｌ ３３／５６

ＷＰＩ

ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）

ＣＡｐｌｕｓ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

フッ素化された表面を有するシリコーン材料からなる光学部材であって、前記シリコーン材料が構造中にＳｉ−Ｒ−Ｓｉ結合（式中、Ｒはアルキレン基またはアリーレン基である。）を有し、該フッ素化された表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率において、Ｆ原子の比率が０.１〜４５at％であること、および／または、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が０.０１〜１.００であることを特徴とする、光学部材。

【請求項2】

前記シリコーン材料の表面がフッ素ガスを少なくとも含むガスによりフッ素化されてなる、請求項１に記載の光学部材。

【請求項3】

発光素子、該素子を封止もしくは被覆した光学部材から少なくとも構成される光半導体デバイスであって、前記光学部材が請求項１または２に記載の光学部材である、光半導体デバイス。

【請求項4】

光源、該光源から発光される光が透過する光学部材から少なくとも構成される照明装置であって、前記光学部材が請求項１または２に記載の光学部材である、照明装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光学部材、光半導体デバイス、および照明装置に関する。

【背景技術】

【0002】

シリコーン材料は、近年、半導体、トランジスタ、集積回路（ＩＣ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の（光）電子部品の封止材や被覆材に用いられている。しかし、このようなシリコーン材料は、その表面に粘着性を有するため、防汚性が乏しいという課題がある。

【0003】

一方、シリコーン材料の表面の粘着性を低下させるために、その表面をフッ素ガスで処理することが知られている（特許文献１、２参照）。しかしながら、フッ素ガスにより表面を処理されたシリコーン材料は透明性が低下したり、強度が変化したりして、良好な光透過性、耐熱性及び強度を有しつつ、防汚性に優れる光学部材用のシリコーン材料については検討されていなかった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開昭６４―６６２４５号公報

【特許文献2】特開２００５−３２５１７６号公報

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、良好な光透過性、耐熱性及び強度を有しつつ、防汚性に優れたシリコーン材料からなる光学部材、並びに防汚性に優れる光半導体デバイスおよび照明装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の要旨は以下の通りである。
（１）フッ素化された表面を有するシリコーン材料からなる光学部材であって、該フッ素化された表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率において、Ｆ原子の比率が０.１〜４５at％であること、および／または、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が０.０１〜１.００であることを特徴とする光学部材。
（２）前記シリコーン材料の表面がフッ素ガスを少なくとも含むガスによりフッ素化されてなる、（１）に記載の光学部材。
（３）前記シリコーン材料が構造中にＳｉ−Ｒ−Ｓｉ結合（式中、Ｒはアルキレン基またはアリーレン基である。）を有する、（１）または（２）に記載の光学部材。
（４）発光素子、該素子を封止もしくは被覆した光学部材から少なくとも構成される光半導体デバイスであって、前記光学部材が（１）乃至（３）のいずれか１に記載の光学部材である、光半導体デバイス。
（５）光源、該光源から発光される光が透過する光学部材から少なくとも構成される照明装置であって、前記光学部材が（１）乃至（３）のいずれか１に記載の光学部材である、照明装置。

【発明の効果】

【0007】

本発明の光学部材は、良好な光透過性、耐熱性及び強度を有しつつ、防汚性が優れているという特徴がある。また、本発明の光半導体装置および照明装置は、防汚性が優れるという特徴がある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の光半導体デバイスの一例であるＬＥＤの断面図である。

【図2】本発明の光半導体デバイスの一例である他のＬＥＤの断面図である。

【図3】本発明の照明装置の一部破断面を有する側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明をより詳細に説明する。
（光学部材）
本発明の光学部材は、フッ素化された表面を有するシリコーン材料からなり、該フッ素化された表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率において、Ｆ原子の比率が０.１〜４５at％であること、および／または、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が０.０１〜１.００であることを特徴とする。

【0010】

本発明に用いられるシリコーン材料については、特に限定されず、用途によって適したシリコーン材料を用いることができる。
例えば、付加反応で硬化したシリコーン材料、縮合反応で硬化したシリコーン材料、有機過酸化物によるラジカル反応で硬化したシリコーン材料、熱可塑性のシリコーン材料、硬化性のシリコーン材料が挙げられる。

【0011】

特に、本発明の光学部材は、優れた光透過性、耐熱性及び強度を実現できることから、付加反応で硬化したシリコーン材料からなるものが好ましい。

【0012】

また、本発明に用いられるシリコーン材料は、その構造中にＳｉ−Ｒ−Ｓｉ結合を有することが好ましい。これは、このような結合を有するシリコーン材料は、その表面をフッ素化しても、透明性を保つことができるからである。

【0013】

式中、Ｒはアルキレン基またはアリーレン基である。このアルキレン基としては、メチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、メチルエチレン基、ブチレン基、イソブチレン基等の炭素数２〜１２のアルキレン基が挙げられる。また、このアリーレン基としては、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ナフチレン基等の炭素数６〜１２のアリーレン基が挙げられる。

【0014】

また、本発明の光学部材の第１の特徴としては、シリコーン材料の表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＣ原子に対するＦ原子の割合が０.０１〜１.００の範囲内となることである。これは、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が上記範囲の下限以上であれば、シリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、シリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0015】

また、本発明の光学部材の第２の特徴としては、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率における、シリコーン材料の表面でのＦ原子の比率が０.１〜４５at％の範囲内となることである。これは、Ｆ原子の割合が上記範囲の下限以上であれば、シリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、シリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0016】

また、本発明に用いられるシリコーン材料として、ガス透過率の小さいシリコーン材料、具体的には、フェニル基含有シリコーン材料を用いた場合には、フッ素化されたシリコーン材料の表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＣ原子に対するＦ原子の割合は０.００１以上であり、好ましくは、０.０１以上であり、一方、１.００以下であり、好ましくは、０.８０以下、または０.６０以下である。これは、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が上記範囲の下限以上であれば、フッ素化されたシリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、フッ素化されたシリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0017】

また、上記のフッ素化されたシリコーン材料の表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は０.１at％以上であり、好ましくは、１at％以上、または２at％以上であり、一方、４５at％以下であり、好ましくは、４０at％以下、または３５at％以下である。これは、Ｆ原子の比率が上記範囲の下限以上であれば、シリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、シリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0018】

このようなフェニル基含有シリコーン材料を形成する付加反応硬化性シリコーン組成物としては、例えば、東レ・ダウコーニング株式会社製のＯＥ−６６３０、ＯＥ−６６３６、ＯＥ−６６６２等が入手可能である。

【0019】

一方、本発明に用いられるシリコーン材料として、ガス透過率の大きいシリコーン材料、具体的には、フェニル基を含有しないシリコーンを用いた場合には、フッ素化されたシリコーン材料の表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＣ原子に対するＦ原子の割合は０.００１以上、好ましくは、０.０１以上であり、一方、１.００以下であり、好ましくは、０.５０以下、０.４０以下、または０.３０以下である。これは、Ｃ原子に対するＦ原子の割合が上記範囲の下限以上であれば、フッ素化されたシリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、フッ素化されたシリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0020】

また、上記のフッ素化されたシリコーン材料の表面のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は０.１at％以上であり、好ましくは、１at％以上であり、一方、４５at％以下であり、好ましくは、４０at％以下、３０at％以下、または２０at％以下である。これは、Ｆ原子の比率が上記範囲の下限以上であれば、シリコーン材料の表面に十分な防汚性を付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、シリコーン材料の透明性を損なうことがないからである。

【0021】

このようなフェニル基を含有しないシリコーン材料を形成する付加反応硬化性シリコーン組成物としては、例えば、東レ・ダウコーニング株式会社製のＥＧ−６３０１、ＯＥ−６３３６、ＯＥ−６３７０ＨＦ、ＭＳ−１００１、ＭＳ−１００２、ＭＳ−１００３等が入手可能である。

【0022】

本発明の光学部材において、シリコーン材料の表面をフッ素化する方法としては、フッ素ガスを少なくとも含むガスにより処理する方法が挙げられる。このフッ素ガスを少なくとも含むガスとしては、フッ素ガス、フッ素ガスと窒素ガスとの混合ガス、フッ素ガスと酸素ガスとの混合ガス、フッ素ガスとアルゴンガスとの混合ガスが例示される。混合ガスを用いる場合、フッ素ガスの分圧は、好ましくは、０.１〜２０ｋＰａの範囲内、または１〜１０ｋＰａの範囲内である。これは、フッ素ガスの分圧が上記範囲の下限以上であるとシリコーン硬化物の表面のフッ素化を十分に行うことができるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると透明なフッ素化されたシリコーン材料を得ることができからである。

【0023】

また、シリコーン材料の表面をフッ素化する際の処理温度、処理時間は特に限定されないが、好ましくは、処理温度が０〜１００℃、または１０〜３０℃で、処理時間が０.１〜３６００秒、または５〜１２００秒である。これは、処理温度が上記範囲の下限以上であると、シリコーン材料の表面のフッ素化を十分に行うことができるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、透明なフッ素化されたシリコーン材料を得ることができるからである。また、処理時間が上記範囲の下限以上であるとシリコーン材料の表面のフッ素化を十分に行うことができるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると透明なフッ素化されたシリコーン材料を得ることができるからである。

【0024】

このような本発明の光学部材の形状は、特に限定されず、例えば、シート状、フィルム状、ファイバー状、板状、球状、半球状、凸レンズ状、凹レンズ状、フレネルレンズ状、円柱状、円筒状が挙げられる。また、本発明の光学部材は単体で使用することもできるが、例えば、光半導体デバイスにおける発光素子の封止材、接着材、被覆材としても用いることができ、光半導体デバイスにおけるレンズや、太陽電池における保護材や集光レンズとして用いることもできる。

【0025】

（光半導体デバイス）
本発明の光半導体デバイスは、発光素子、該素子を封止もしくは被覆した光学部材から少なくとも構成され、前記光学部材が上記の光学部材であることを特徴とする。一般に、光半導体デバイスでは、光透過性、耐熱性及び強度が要求され、埃や汚れの付着に起因した光透過性の低下が深刻な問題となり得ることから、本発明による光半導体デバイスでは、このような問題を解決することができる。

【0026】

本発明の光半導体デバイスを図１、２により詳細に説明する。
図１は本発明の光半導体デバイスの一例であるＬＥＤの断面図である。このＬＥＤは、基板１の上面に発光素子２を搭載し、発光素子２を本発明の光学部材からなり、レンズとしても作用する封止材３で封止している。

【0027】

また、図２は本発明の光半導体デバイスの一例である他のＬＥＤの断面図である。このＬＥＤは、発光素子２がリードフレーム４’上にダイボンドされており、発光素子２とリードフレーム４とがボンディングワイヤ５により電気的に接続されている。また、発光素子２の周囲には枠材６が設けられており、発光素子２が本発明の光学部材からなる封止材３により封止されている。

【0028】

このような本発明の光半導体デバイスとしては、例えば、高出力ＬＥＤ／高輝度ＬＥＤ、表面実装型ＰＬＣＣ ＬＥＤ、標準輝度のスルーホール型ＬＥＤ、車載用のチップＬＥＤ、フラッシュ用ＬＥＤ、７セグメント型をはじめとする各種ＬＥＤ表示器、またこれらのＬＥＤ表示器を用いたデジタル・サイネージ、信号機、車載照明、一般照明、民生用電子機器、家電機器、携帯型機器等の製品が挙げられる。

【0029】

（光半導体デバイス）
本発明の照明装置は、光源、該光源から発光される光が透過する光学部材から少なくとも構成され、前記光学部材が上記の光学部材であることを特徴とする。一般に、照明装置では、光透過性、耐熱性及び強度が要求され、埃や汚れの付着に起因した光透過性の低下が深刻な問題となり得ることから、本発明による照明装置では、このような問題を解決することができる。

【0030】

本発明の照明装置を図３により詳細に説明する。
この照明装置は、例えば、電球の形状をしており、光源７を囲むように本発明の光学部材からなるグローブ８が設けられている。

【0031】

本発明の照明装置における光学部材は、図３で示されるような電球におけるグローブに限定されず、信号機、街灯、ヘッドランプ等の光を透過する光学部材として好適である。

【実施例】

【0032】

本発明の光学部材、光半導体デバイス、および照明装置を実施例により詳細に説明する。なお、シリコーン硬化物の作製方法、およびその評価方法は次の通りである。

【0033】

［硬化物の作製］
硬化性シリコーン組成物を熱プレスを用いて１５０℃で１５分間加熱成形した後、１５０℃のオーブンで１時間ポストキュアして、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。

【0034】

［硬化物の光線透過率］
分光光度計（島津製作所製のＵＶ−１６５０ＰＣ）により、フッ素化前およびフッ素化後の厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物の波長５５５ｎｍにおける光線透過率を測定した。

【0035】

［硬化物のパウダー付着テスト］
フッ素化前およびフッ素化後の厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物にパウダー｛住友３Ｍ株式会社製のダイニオン（登録商標）ＴＦマイクロパウダーＴＦ９２０５；平均粒径８μｍ｝を振りかけ、その後、エアブローし、パウダー付着後のシリコーン硬化物の波長５５５ｎｍにおける光線透過率を測定した。

【0036】

［Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率の測定］
フッ素化前のシリコーン硬化物およびフッ素化後のシリコーン硬化物について、それらの表面の原子組成百分率をＸ線光電子分光（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により測定した。なお、測定は、Ｋｒａｔｏｓ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製のＡＸＩＳ Ｎｏｖａを用いた。また、使用したＸ線の励起源は、Ａｌ−Ｋ α線を使用し、１５０Ｗ、モノクロメーターを使用し、分析面積は０.４ｍｍ×０.９ｍｍとした。得られた原子組成百分率の値から、Ｆ原子の比率、およびＣ原子に対するＦ原子の割合を求めた。

【0037】

［実施例１］
フェニル基含有シリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ｄ硬さは３３であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと窒素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝４.０ｋＰａ）を室温（２５℃）で３０分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0038】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は８４％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は８２％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が５７％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が７０％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は３２.９at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.５８であった。

【0039】

［実施例２］
フェニル基含有シリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ｄ硬さは３３であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝１.０ｋＰａ）を室温（２５℃）で３０分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0040】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は８４％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は８４％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が５７％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が７３％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は１３.５at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.２０であった。

【0041】

［実施例３］
フェニル基を含有しないシリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ａ硬さは７０であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと窒素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝４.０ｋＰａ）を室温（２５℃）で３０分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0042】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は９２％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は８５％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が１６％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が７５％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は１１.８at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.２７であった。

【0043】

［実施例４］
フェニル基を含有しないシリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ａ硬さは７０であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝１.０ｋＰａ）を室温（２５℃）で３０分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0044】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は９２％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は８２％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が１６％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が８２％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は８.３at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.１５であった。

【0045】

［実施例５］
フェニル基を含有しないシリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ａ硬さは７４であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと窒素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝０.５ｋＰａ）を室温（２５℃）で５分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0046】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は９１％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は９１％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が６３％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が８３％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は４.９at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.１１であった。

【0047】

［実施例６］
フェニル基を含有しないシリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ａ硬さは７４であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと窒素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝２.０ｋＰａ）を室温（２５℃）で５分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0048】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は９１％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は８１％であり、フッ素化によっても、シリコーン硬化物の透明性が低下しないことが確認された。
また、フッ素化前のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が６３％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物のパウダー付着テストでは、光線透過率が７６％であり、フッ素化により、シリコーン硬化物の防汚性が向上していることが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は２.３at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は０.０５であった。

【0049】

［比較例１］
フェニル基含有シリコーンからなる付加反応硬化性シリコーン組成物を硬化させて、厚さ１ｍｍのシート状シリコーン硬化物を作製した。このシリコーン硬化物は構造中にＳｉ−Ｃ_２Ｈ_４−Ｓｉ結合を有し、そのＳｈｏｒｅ Ｄ硬さは３３であった。このシリコーン硬化物にフッ素ガスと窒素ガスの混合ガス（フッ素ガスの分圧＝４.０ｋＰａ）を４０℃で３０分間接触させて、シリコーン硬化物の表面をフッ素化した。

【0050】

フッ素化前のシリコーン硬化物の光線透過率は８４％であり、フッ素化後のシリコーン硬化物の光線透過率は６５％であり、フッ素化によって、シリコーン硬化物の透明性が著しく低下したことが確認された。
また、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による原子組成百分率におけるＦ原子の比率は４７.３at％であり、Ｃ原子に対するＦ原子の割合は１.０６であった。

【産業上の利用可能性】

【0051】

本発明の光学部材は、良好な光透過性、耐熱性及び強度を有しつつ、防汚性が優れるので、前記光学部材を光半導体素子の封止材もしくは被覆材とする、防汚性が優れる光半導体デバイス、あるいは、前記光学部材を有する照明装置に適用可能である。

【符号の説明】

【0052】

１ 基板
２ 発光素子
３ 封止材
４、４’ リードフレーム
５ ボンディングワイヤ
６ 枠材
７ 光源
８ グローブ

【図1】

【図2】

【図3】