特許 6695351 ハロゲン系前駆体から金属配線を保護するための方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6695351

(24)【登録日】2020年4月23日

(45)【発行日】2020年5月20日

(54)【発明の名称】ハロゲン系前駆体から金属配線を保護するための方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/285 20060101AFI20200511BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20200511BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20200511BHJP

   H01L 23/532 20060101ALI20200511BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20200511BHJP

   H01L 23/522 20060101ALI20200511BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/285 C

   H01L21/88 R

   H01L21/28 301R

   H01L21/90 B

【請求項の数】8

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2017-547455(P2017-547455)

(86)(22)【出願日】2016年1月29日

(65)【公表番号】特表2018-512731(P2018-512731A)

(43)【公表日】2018年5月17日

(86)【国際出願番号】US2016015754

(87)【国際公開番号】WO2016144433

(87)【国際公開日】20160915

【審査請求日】2018年11月12日

(31)【優先権主張番号】62/131,742

(32)【優先日】2015年3月11日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】14/711,135

(32)【優先日】2015年5月13日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ナイク， メユール ビー．

(72)【発明者】

【氏名】マー， ポール エフ．

(72)【発明者】

【氏名】ハ， テホン

(72)【発明者】

【氏名】ガッギラ， シュリーニヴァース

【審査官】 佐藤 靖史

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２００４／１１２１１４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−００１５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１４−５３５１５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０５８５６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１３／００９３０８９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−００４５３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１０−５３９６９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１９９６０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−０８２７４１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／２８５

Ｈ０１Ｌ ２１／２８

Ｈ０１Ｌ ２１／３２０５

Ｈ０１Ｌ ２１／７６８

Ｈ０１Ｌ ２３／５２２

Ｈ０１Ｌ ２３／５３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に配線を形成する方法であって、
マルチチャンバ処理システムの第１の処理チャンバに基板を配置することと、
前記基板上に形成された第１の金属層の上部に誘電材料を堆積し、前記誘電材料は前記第１の金属層と接触する、堆積することと、
前記誘電材料を貫通するビアを形成して、前記第１の金属層の一部を露出させることと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ基板を移送することと、
第２の処理チャンバ内で、露出された前記第１の金属層の前記一部の全体および前記ビアの側壁の上に実質的に均一な厚さの保護層を選択的に形成することであって、前記保護層が前記誘電材料上に形成され、前記保護層はハロゲン系前駆体に対して耐性がある、選択的に形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ基板を移送することと、
前記第３の処理チャンバ内で前記ハロゲン系前駆体を使用して前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第３の処理チャンバから第４の処理チャンバへ基板を移送することと、
前記第４の処理チャンバ内で前記バリア層の上に第２の金属層を堆積させることとを含み、
前記誘電材料は炭素含有酸化ケイ素材料を有し、前記保護層は、窒化ルテニウムチタンを含む、
方法。

【請求項2】

基板上に配線を形成する方法であって、
マルチチャンバ処理システムの第１の処理チャンバに基板を配置することと、
前記基板上に形成された第１の金属層の上部に誘電材料を堆積し、前記誘電材料は第１の金属層と接触する、堆積することと、
前記誘電材料を貫通するビアを形成して、前記第１の金属層の前記一部を露出させることと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第２の処理チャンバ内で前記誘電材料を貫通して露出された前記第１の金属層の前記一部の全体に実質的に均一な厚さの保護層を選択的に形成することであって、前記保護層がハロゲン系前駆体に耐性がある、選択的に形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第３の処理チャンバ内で前記ハロゲン系前駆体を使用して前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第３の処理チャンバから第４の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第４の処理チャンバ内で前記バリア層の上に第２の金属層を堆積させることとを含み、
前記誘電材料は炭素含有酸化ケイ素材料を有し、前記保護層は、窒化ルテニウムチタンを含む、方法。

【請求項3】

基板上に配線を形成する方法であって、
マルチチャンバ処理システムの第１の処理チャンバに前記基板を配置することと、
前記基板上に形成された第１の金属層の上部に誘電材料を堆積し、前記誘電材料は前記第１の金属層と接触する、堆積することと、
前記誘電材料を貫通するビアを形成して、前記第１の金属層の一部を露出させることと、
前記マルチチャンバ処理システムで前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第２の処理チャンバ内の露出された前記第１の金属層の前記一部の全体およびビアの側壁に実質的に均一な厚さの保護層を選択的に形成することであって、前記保護層が、前記誘電材料上に形成され、前記保護層が、ハロゲン系前駆体に耐性があり、前記保護層は窒化ルテニウムチタンを含み、厚さが１ｎｍから５ｎｍの間である、選択的に形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第３の処理チャンバ内で前記ハロゲン系前駆体を使用して前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記マルチチャンバ処理システムの前記第３の処理チャンバから第４の処理チャンバへ前記基板を移送することと、
前記第４の処理チャンバ内で前記バリア層の上に第２の金属層を堆積させることとを含み、
前記誘電材料は炭素含有酸化ケイ素材料を有する、
方法。

【請求項4】

前記バリア層の上にライナ層を堆積することをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項5】

前記バリア層が、塩素系前駆体を用いて堆積される、請求項１または２に記載の方法。

【請求項6】

前記バリア層が、フッ素系前駆体を用いて堆積される、請求項１または２に記載の方法。

【請求項7】

前記バリア層の上にライナ層を堆積することをさらに含む、請求項３に記載の方法。

【請求項8】

前記バリア層の上にライナ層を堆積することは、前記第３の処理チャンバで実施される、請求項７に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、集積回路及びその他の電子デバイスの製造において配線及び他の導電性フィーチャを形成するための方法及び装置に関する。特に、本開示は、ハロゲン系前駆体に耐性のある保護層を形成するために方法及び装置に関する。

【背景技術】

【0002】

集積回路（ＩＣ）装置の構造的寸法がサブクォータミクロン規模に縮小するにつれて、電気抵抗及び電流密度が懸念及び改善の対象となってきた。マルチレベルの配線技術によって、ＩＣ装置全体にわたって導電経路が設けられ、コンタクト、プラグ、ビア、ライン、ワイヤ、及びその他のフィーチャを含む高アスペクト比フィーチャで形成される。基板上で配線を形成する典型的な方法は、１つ又は複数の層を堆積することと、層のうちの少なくとも１つをエッチングして、１つ又は複数のフィーチャを形成することと、フィーチャ内にバリア層を堆積することと、１つ又は複数の層を堆積して、フィーチャを充填することとを含む。典型的に、フィーチャは、下部導電層と上部導電層との間に配置された誘電材料内に形成される。配線は、上部導電層と下部導電層とをリンクするためにフィーチャ内に形成される。このような配線フィーチャを確実に形成することが、回路を生成し、個々の基板の回路密度及び品質を高めるよう継続的に努力する上で重要である。

【0003】

銅は、サブミクロン規模の高アスペクト比の配線フィーチャを充填するには最適な金属である。なぜなら、銅及びその合金はアルミニウムよりも抵抗が低いからである。しかしながら、銅は周囲の材料により容易に拡散し、隣接する層の電子デバイス特徴を変えてしまう恐れがある。拡散した銅は、層間の導電経路を形成することによって回路全体の信頼性を低下させる恐れがあり、デバイスの不具合をもたらすことさえある。それ故に、銅原子の拡散を防止又は阻止するために、銅メタライゼーションの前にバリア層が堆積される。一般的に、バリア層は、タングステン、チタン、タンタル、及びそれらの窒化物などの耐熱金属であり、これらはすべて銅より密度が高い。

【0004】

非ハロゲン系前駆体に比べて、塩素やフッ素などのハロゲン系前駆体は、均一なバリア層の堆積に役立つ。しかしながら、ハロゲン系前駆体は、高アスペクト比の配線を充填する銅を腐食させる恐れがある。これにより、揮発性が低いために基板から除去することが難しい様々な銅化合物が形成されてしまう。したがって、銅が腐食する恐れがあり、結果的に信頼性が低下して歩留り損失につながる。

【0005】

したがって、ハロゲン系前駆体と配線を含む銅材料との間の有害反応を防止する必要性がある。

【発明の概要】

【0006】

一実施形態では、基板上に配線を形成する方法が本明細書に開示されている。保護層が、基板上に、且つ、基板上に形成されたビア内に形成される。保護層はハロゲン含有材料に対して耐性がある。バリア層が保護層上に形成される。バリア層はハロゲン含有材料を含む。ブランケット金属（ｂｌａｎｋｅｔ ｍｅｔａｌ）がバリア層の上に堆積される。

【0007】

別の実施形態では、基板上に配線を形成する方法が本明細書に開示されている。保護層が、基板上に形成されたビア内に選択的に形成される。保護層は、ハロゲン含有材料に対して耐性がある。バリア層が保護層上に形成される。バリア層は、ハロゲン含有材料を含む。ブランケット金属層がバリア層の上に堆積される。

【0008】

別の実施形態では、基板上に配線を形成する方法が本明細書に開示されている。保護層が、基板上に形成されたビア上に形成される。保護層はルテニウムから形成される。バリア層は、塩素前駆体を用いて保護層上に形成される。ライナ層がバリア層上に形成される。ブランケット銅層が、ライナ層の上に堆積され、ビアを充填する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。

【0010】

【図1】基板上に金属配線を形成する方法の一実施形態を示す。

【図2A-G】図１の方法の種々の段階における基板の断面図を示す。

【図3】基板上に金属配線を形成する方法の一実施形態を示す。

【図4A-G】図３の方法の種々の段階における基板の断面図を示す。

【図5】図１及び図３の方法を実行するように構成された処理システムの一実施形態の概略図を示す。

【図6】一実施形態に係る、基板上の金属配線の断面図を示す。

【0011】

明確にするために、適用可能である場合には、図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。さらに、一実施形態の要素を、本明細書に記載された他の実施形態で利用するために有利に適合させてもよい。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図１は、基板上に金属配線を形成する方法１００の一実施形態を示す。図２Ａ−２Ｇは、図１の方法の種々の段階における基板の断面図を示す。図２Ａは、基板２００上に形成された金属層２０２を有する基板２００を示す。方法１００は、ブロック１０２で開始し、図２Ｂで示されるように、基板２００の上に形成された金属層２０２上に誘電材料２０４が堆積される。誘電材料２０４は、例えば、酸化ケイ素、フッ素ドープ酸化ケイ素、又はフッ化炭素などの低誘電率材料から作製され得る。ブロック１０４では、図２Ｂで示されるように、誘電材料２０４を通してビア２０６が形成される。ビア２０６は、誘電材料２０４の上面２０５から金属層２０２の上面２０７まで延在し、金属層２０２を露出させる。残りの誘電材料２０４の上面２０５は、基板２００のフィールド２０９を画定する。

【0013】

ブロック１０６では、図２Ｃで示されるように、保護層２０８が、誘電材料２０４の表面の上に、且つ、ビア２０６内に形成される。保護層２０８は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。保護層２０８は、ハロゲン含有材料に対して耐性のある材料から作製される。このような適切な材料は、限定されないが、ルテニウム（Ｒｕ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、又は窒化ルテニウムチタン（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）（ＲｕＴｉＮ）を含む。保護層２０８は、ハロゲン含有材料と下方の金属層２０２との間の反応を防止するためのバリアとして作用する。

【0014】

ブロック１０８では、図２Ｄで示されるように、バリア層２１０が、保護層２０８の表面の上に堆積される。バリア層２１０は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。バリア層２１０は、塩素含有前駆体又はフッ素含有前駆体などのハロゲン含有前駆体を用いて堆積され得る。ハロゲン含有前駆体は、限定されないが、タンタル（Ｔａ）、ＴａＮ、又は合金系Ｔａ（例えば、ＴｉＴａ、ＴａＡｌ）などのバリア層２１０を堆積するために用いられる。バリア層２１０は、金属が周囲の誘電材料２０４内へ拡散することを防ぐ。バリア層２１０は、金属が堆積され得る周囲の誘電材料２０４上に接着層をさらに設ける。

【0015】

ブロック１１０では、図２Ｅで示されるように、任意選択的なライナ層２１２が、バリア層２１０の表面の上に堆積され得る。ライナ層２１２は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。さらに、ライナ層２１２は、バリア層２１０と同じチャンバ内で堆積され得る。ライナ層２１２は、銅、ルテニウム、又は任意の他の適切な材料であってもよい。

【0016】

ブロック１１２では、図２Ｆで示されるように、ビア２０６は金属２１４で充填される。金属２１４は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はその他の適切なプロセスによって、ビア２０６内に堆積され得る。金属２１４は、限定されないが、銅（Ｃｕ）又はコバルト（Ｃｏ）などの導電性材料であり得る。

【0017】

ブロック１１４では、基板２００のフィールド２０９の上に形成された金属２１４の一部は、図２Ｇで示されているように、化学機械研磨を用いて除去され得る。金属２１４を誘電材料２０４の上のフィールド２０９から除去した後、金属で充填されたビア２０６は、金属２１４と金属層２０２との間に形成されたライナ層２１２、バリア層２１０、及び保護層２０８と共に残る。

【0018】

図３は、基板上に金属配線を形成する方法３００の別の実施形態を示す。図４Ａ−４Ｇは、図３の方法の種々の段階における基板の断面図を示す。図４Ａは、基板４００上に形成された金属層４０２を有する基板４００を示す。方法３００は、ブロック３０２で開始し、図４Ｂで示されるように、基板４００の上に形成された金属層４０２上に誘電材料４０４が堆積される。誘電材料４０４は、例えば、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．から入手可能なＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（登録商標）及びＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（登録商標）ＩＩのような炭素含有酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）などの低誘電率材料から作製され得る。ブロック３０４では、図４Ｂで示されるように、誘電材料４０４を通してビア４０６が形成される。ビア４０６は、誘電材料４０４の上面４０５から金属層４０２の上面４０７まで延在し、金属層４０２を露出させる。残りの誘電材料４０４の上面４０５は、基板４００のフィールド４０９を画定する。

【0019】

ブロック３０６では、図４Ｃで示されるように、保護層４０８が、ビア４０６内で金属層４０２の表面の上に選択的に堆積される。保護層４０８は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。一実施形態では、保護層４０８は、ハロゲン含有材料に対して耐性のある材料から作製され得る。このような適切な材料は、限定されないが、Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ、又はＲｕＴｉＮを含む。保護層４０８は、ハロゲン含有材料と下方の金属層４０２との間の反応を防止するためのバリアとして作用する。

【0020】

ブロック３０８では、図４Ｄで示されるように、バリア層４１０が、保護層４０８の表面の上に、且つ、誘電材料４０４の表面の上に堆積される。バリア層４１０は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。バリア層４１０は、塩素含有前駆体又はフッ素含有前駆体などのハロゲン含有前駆体を用いて堆積され得る。ハロゲン含有前駆体を用いて堆積されたバリア層４１０は、限定されないが、Ｔａ、ＴａＮ、又は合金系Ｔａ（例えば、ＴｉＴａ、ＴａＡｌ）などの材料を含み得る。バリア層４１０は、金属が周囲の誘電材料４０４内へ拡散することを防ぐ。バリア層４１０は、金属が堆積され得る周囲の誘電材料４０４上に接着層をさらに設ける。

【0021】

ブロック３１０では、図４Ｅで示されるように、任意選択的なライナ層４１２が、バリア層４１０の表面の上に堆積され得る。ライナ層４１２は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、又はその他の適切なプロセスを用いて堆積され得る。さらに、ライナ層４１２は、バリア層４１０と同じチャンバ内で堆積され得る。ライナ層４１２は、銅、ルテニウム、又は任意の他の適切な材料であってもよい。

【0022】

ブロック３１２では、図４Ｆで示されるように、ビア４０６は金属４１４で充填される。金属４１４は、ＰＶＤ、ＡＬＤ、ＣＶＤ、ＥＣＤ、又はその他の適切なプロセスによって、ビア４０６内に堆積され得る。金属４１４は、限定されないが、銅（Ｃｕ）又はコバルト（Ｃｏ）などの導電性材料であり得る。

【0023】

ブロック３１４では、基板４００のフィールド４０９の上に形成された金属４１４の一部は、図４Ｇで示されているように、化学機械研磨を用いて除去され得る。金属４１４を誘電材料４０４の上のフィールドから除去した後、金属で充填されたビア４０６は、金属４１４と金属層４０２との間に形成されたライナ層４１２、バリア層４１０、及び保護層４０８と共に残る。

【0024】

図５は、マルチチャンバ処理システム５００を示す。処理システム５００は、ロードロックチャンバ５０２、５０４、ロボット５０６、移送チャンバ５０８、処理チャンバ５１０、５１２、５１４、５１６、５１８、５２８、及びコントローラ５２０を含み得る。ロードロックチャンバ５０２、５０４は、処理システム５００内外への基板（図示せず）の移送を可能にする。ロードロックチャンバ５０２、５０４は、処理システム５００内に導入された基板をポンプダウンし、真空密封を維持することができる。ロボット５０６は、ロードロックチャンバ５０２、５０４と処理チャンバ５１０、５１２、５１４、５１６、５１８、及び５２８との間で基板を移送することができる。ロボット５０６は、ロードロックチャンバ５０２、５０４と移送チャンバ５０８との間でも基板を移送することができる。

【0025】

各処理チャンバ５１２、５１４、５１６、５１８、及び５２８は、ＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、エッチング、予洗浄、ガス抜き、加熱、配向、及びその他の基板処理のような、数々の基板操作を実行するように整備され得る。さらに、各処理チャンバ５１２、５１４、５１６、５１８、及び５２８は、それぞれ、保護層、バリア層、ライナ層、及び金属層を堆積するように整備され得る。

【0026】

コントローラ５２０は、図１及び図３で開示された方法のような処理システム５００のすべての態様を操作するように使用され得る。例えば、コントローラ５２０は、基板上に金属配線を形成する方法を制御するように構成され得る。コントローラ５２０は、基板処理の制御を容易にするように処理システム５００の様々なコンポーネントに連結された、電源、クロック、キャッシュ、入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路等の、メモリ５２４及び大容量記憶デバイス、入力制御ユニット、並びにディスプレイユニット（図示せず）と共に動作可能なプログラム可能中央処理装置（ＣＰＵ）５２２を含む。コントローラ５２０は、前駆体、処理ガス、及びパージガス流をモニターするセンサを含む、処理システム５００内のセンサを通して基板処理をモニターするハードウェアをさらに含む。基板温度、チャンバ内気圧などのシステムパラメータを測定する他のセンサもコントローラ５２０に情報を提供し得る。

【0027】

上述の処理システム５００の制御を容易にするため、ＣＰＵ５２２は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するように、プログラム可能なロジックコントローラ（ＰＬＣ）などの産業用設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであり得る。メモリ５２４はＣＰＵ５２２に接続されている。メモリ５２４は、非一時的であり、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、又は任意の他の形態のローカル若しくは遠隔のデジタルストレージなど、容易に利用可能なメモリのうちの１つ又は複数であり得る。支持回路５２６は、従来の方式でプロセッサを支持するためにＣＰＵ５２２に連結される。荷電種の生成、加熱、及びその他の処理は、典型的にソフトウェアルーチンとしてメモリ５２４内に記憶される。ソフトウェアルーチンは、さらに、ＣＰＵ５２２によって制御されているハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶且つ／又は実行することができる。

【0028】

メモリ５２４は、指令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形態をとっており、ＣＰＵ５２２によって実行された際に処理システム５００の操作を促進させる。メモリ５２４内の指令は、本開示の方法を実装するプログラムなどのプログラム製品の形態をとっている。プログラムコードは、数々の異なるプログラミング言語のうちの任意の１つに適合し得る。一実施例では、本開示は、コンピュータシステムにおいて使用するためのコンピュータ可読記憶媒体上に記憶されたプログラム製品として実装され得る。プログラム製品の１つ又は複数のプログラムは、実施形態の機能（本明細書に記載された方法を含む）を規定する。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、限定されないが、（ｉ）情報が永久的に記憶される書込み不能な記憶媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭドライブ、フラッシュメモリ、ＲＯＭチップ、又は任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なＣＤ−ＲＯＭディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス）、及び（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ又はハードディスクドライブ内のフロッピーディスク或いは任意の種類のソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ）を含む。このようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載された方法の機能を方向付けるコンピュータ可読指令を運ぶ際には、本開示の実施形態である。

【0029】

実施例１
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅から作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理の後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0030】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、ルテニウム層が誘電体層の表面上に、且つ、ビア内に形成される。ルテニウム層は、塩素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方の銅金属と反応することを防止する保護層として作用する。ルテニウムは塩素との反応に対して耐性があるので、ルテニウム層はこのような望ましくない反応を防ぐ。ルテニウム層は、ＣＶＤプロセスを使用して堆積される。ルテニウム層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0031】

ルテニウム保護層の堆積が完了した後に、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを使用して、ルテニウム保護層の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のために塩素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0032】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバから銅シードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するように銅を堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらに銅材料で積層され得る。

【0033】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、銅層をライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0034】

実施例２
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅から作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0035】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、窒化チタン（ＴｉＮ）層が、誘電体層の表面上に、且つ、ビア内に堆積される。ＴｉＮ層は、フッ素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方の銅金属と反応することを防止する保護層として作用する。ＴｉＮは、フッ素との反応に対して耐性があるので、ＴｉＮ層はこのような望ましくない反応を防ぐ。ＴｉＮ層は、ＣＶＤプロセスを使用して基板上に堆積される。ＴｉＮ層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0036】

ＴｉＮ保護層の堆積が完了した後に、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを使用して、ＴｉＮ保護層の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のためにフッ素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0037】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバから銅シードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するように銅を堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらに銅材料で積層され得る。

【0038】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、銅層をライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0039】

実施例３
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、コバルトから作製される。炭素含有酸化ケイ素層の上面からコバルト層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、コバルト層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0040】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、ルテニウム層が、ビア内で、且つ、コバルト層の表面上で選択的に堆積される。ルテニウム層は、塩素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方のコバルト金属と反応することを防止する保護層として作用する。ルテニウムは塩素との反応に対して耐性があるので、ルテニウム層はこのような望ましくない反応を防ぐ。選択的な堆積はコバルトの体積を増やす。なぜなら、選択的堆積を通してビアの側壁上の保護材料が減少するからである。ルテニウム層は、ＣＶＤプロセスを使用して基板上に堆積される。ルテニウム層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0041】

ルテニウム保護層の堆積が完了した後、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを用いて、ルテニウム保護層の表面の上に、且つ、誘電材料の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のために塩素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0042】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバからコバルトシードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するようにコバルトを堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらにコバルト材料で積層され得る。

【0043】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、コバルト層をライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0044】

実施例４
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅である。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0045】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、ルテニウム層が、露出された銅金属層の表面上のビア内で選択的に堆積される。ルテニウム層は、塩素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方の銅金属と反応することを防止する保護層として作用する。ルテニウムは塩素との反応に対して耐性があるので、ルテニウム層はこのような望ましくない反応を防ぐ。ルテニウム層は、ＰＶＤプロセスを使用して堆積される。ルテニウムを露出された銅表面上に選択的に堆積することができるように、コリメータがＰＶＤチャンバ内に配置される。したがって、ビアの側壁上の保護材料が減少するので、銅の体積が増える。ルテニウム層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0046】

ルテニウム保護層の堆積が完了した際に、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを用いて、ルテニウム保護層の表面の上に、且つ、誘電材料の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のために塩素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0047】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバから銅シードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するように銅を堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらに銅材料で積層され得る。

【0048】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、銅層をライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0049】

実施例５
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、銅である。炭素含有酸化ケイ素層の上面から銅層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、銅層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0050】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、ルテニウム層が、露出された銅金属層の表面上のビア内で選択的に堆積される。ルテニウム層は、塩素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方の銅金属と反応することを防止する保護層として作用する。ルテニウムは塩素との反応に対して耐性があるので、ルテニウム層はこのような望ましくない反応を防ぐ。ルテニウム層は、ＰＶＤプロセスを使用して堆積される。銅を露出された銅表面上に選択的に堆積することができるように、コリメータがＰＶＤチャンバ内に配置される。したがって、ビアの側壁上の保護材料が減少するので、銅の体積が増える。ルテニウム層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0051】

ルテニウム保護層の堆積が完了した際に、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを用いて、ルテニウム保護層の表面の上に、且つ、誘電材料の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のために塩素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0052】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバからコバルトシードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するようにコバルトを堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらにコバルト材料で積層され得る。

【0053】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、コバルトをライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0054】

実施例６
図５に記載された処理チャンバを用いて、以下の実施例が実行され得る。導電層の上に形成された炭素含有酸化ケイ素層を有する基板が、一実施形態に係る配線を形成するために使用される。この実施例における導電層は、コバルトである。炭素含有酸化ケイ素層の上面からコバルト層の上面まで、炭素含有酸化ケイ素層を通してビアがエッチングされ、コバルト層が露出させられる。ロボットは、ガス抜きのために基板をロードロックチャンバから第１の処理チャンバへと動かす。ガス抜き処理が完了した後、ロボットは、予洗浄処理のために基板をガス抜きチャンバから第２の処理チャンバへと動かす。ガス抜き及び予洗浄処理は、基板を任意の自然酸化物から確実に自由にする。

【0055】

ロボットは、保護層を堆積するために基板を第２の処理チャンバに搬送する。保護層処理チャンバでは、ルテニウム層が、露出された銅金属層の表面上のビア内で選択的に堆積される。ルテニウム層は、塩素前駆体（バリア層の堆積に使用される）が下方のコバルト金属と反応することを防止する保護層として作用する。ルテニウムは塩素との反応に対して耐性があるので、ルテニウム層はこのような望ましくない反応を防ぐ。ルテニウム層は、ＰＶＤプロセスを使用して堆積される。ルテニウムを露出されたコバルト表面上に選択的に堆積することができるように、コリメータがＰＶＤチャンバ内に配置される。したがって、ビアの側壁上の保護材料が減少するので、コバルトの体積が増える。ルテニウム層の厚さは、１ｎｍと５ｎｍの間であり得る。

【0056】

ルテニウム保護層の堆積が完了した際に、ロボットは、基板を保護層処理チャンバからバリア層処理チャンバへと動かす。バリア層は、ＣＶＤプロセスを用いて、ルテニウム保護層の表面の上に、且つ、誘電材料の表面の上に堆積される。バリア層の堆積のために塩素前駆体ガスが使用される。バリア層は、Ｔａ膜である。ライナ層をバリア層の上面に堆積するために、基板はバリア層処理チャンバ内に留まってもよい。

【0057】

ロボットは、基板をバリア層処理チャンバから銅シードの堆積のための処理チャンバへと動かし得る。ＣＶＤプロセスを用いて、ビアを充填するように銅を堆積することができる。誘電材料の上部のライナ層の上面は、さらに銅材料で積層され得る。

【0058】

基板を化学機械研磨システム内に動かして、銅層をライナ層に戻し、ライナ層をバリア層に戻し、バリア層を保護層に戻し、且つ保護層を誘電材料に戻すように平坦化することができる。

【0059】

上述の実施形態は、シングルダマシン構造を実装するプロセスの流れを示す。単一のプロセスの流れは、デュアルダマシン構造のために実装され得ることも考えられる。図６は、デュアルダマシン構造の一実施形態を示す。

【0060】

デュアルダマシン構造により、ビア６０６及び／又はトレンチ６１６が誘電材料６０４内にエッチングされるプロセスが実装される。誘電材料６０４は、金属層６０２上に堆積される。金属層６０２が、基板６００上に形成される。保護層６０８が、誘電材料６０４の上に、且つ、金属層６０２の上面６０７のビア６０６及びトレンチ６１６内に堆積され得る。バリア層６１０が保護層６０８の上に堆積され得る。任意選択的なライナ層６１２がバリア層６１０の上に堆積され得る。金属層が任意選択的なライナ層６１２の上に堆積され得る。金属層６１４は、ビア６０６及びトレンチ６１６を充填するように用いられる。層６０８〜６１４は、化学機械プロセスを用いて、誘電材料６０４の上面６０５、ビア６０６、及びトレンチ６１６から除去され得る。

【0061】

これまでの記述は、特定の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱しなければ他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよく、その範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められる。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
基板上の配線であって、
誘電材料を通して露出された第１の金属層上に形成された保護層であって、前記保護層が、前記誘電材料上に形成され、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、保護層、
前記保護層上に形成されたバリア層、及び
前記バリア層の上に堆積された第２の金属層
を含む配線。
（態様２）
前記保護層上に形成されたライナ層をさらに含む、態様１に記載の配線。
（態様３）
前記保護層がルテニウムを含む、態様１に記載の配線。
（態様４）
前記第２の金属層がトレンチ又はビアを充填する、態様３に記載の配線。
（態様５）
前記保護層が窒化チタンを含む、態様１に記載の配線。
（態様６）
前記第２の金属層がトレンチ又はビアを充填する、態様５に記載の配線。
（態様７）
前記保護層が、ルテニウム、窒化チタン、窒化タンタル、又は窒化ルテニウムチタンのうちの１つを含む、態様１に記載の配線。
（態様８）
基板上に配線を形成する方法であって、
誘電材料を通して露出された第１の金属層上に保護層を形成することであって、前記保護層が、前記誘電材料上に形成され、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、形成することと、
前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記バリア層の上に第２の金属層を堆積することと
を含む方法。
（態様９）
基板上に配線を形成する方法であって、
誘電材料を通して露出された第１の金属層上に保護層を選択的に形成することであって、前記保護層が、ハロゲン系前駆体に対して耐性がある、選択的に形成することと、
前記保護層上にバリア層を形成することと、
前記バリア層の上に第２の金属層を堆積することと
を含む方法。
（態様１０）
前記バリア層の上にライナ層を堆積することをさらに含む、態様８又は９に記載の方法。
（態様１１）
前記保護層がルテニウムを含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
前記バリア層が、塩素系前駆体を用いて堆積される、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
前記保護層が窒化チタンを含む、態様８又は９に記載の方法。
（態様１４）
前記バリア層が、フッ素系前駆体を用いて堆積される、態様１３に記載の方法。
（態様１５）
前記保護層が、ルテニウム、窒化チタン、窒化タンタル、又は窒化ルテニウムチタンのうちの１つから作製される、態様８又は９に記載の方法。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図5】

【図6】