特許 6701611 液晶組成物及び液晶表示素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6701611

(24)【登録日】2020年5月11日

(45)【発行日】2020年5月27日

(54)【発明の名称】液晶組成物及び液晶表示素子

(51)【国際特許分類】

   C09K 19/56 20060101AFI20200518BHJP

   C09K 19/32 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/30 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/34 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/12 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/14 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/20 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/24 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/16 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/18 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/54 20060101ALI20200518BHJP

   C09K 19/38 20060101ALI20200518BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20200518BHJP

   C07C 69/54 20060101ALI20200518BHJP

   C07C 69/675 20060101ALI20200518BHJP

   C07C 69/347 20060101ALI20200518BHJP

【ＦＩ】

   C09K19/56

   C09K19/32

   C09K19/30

   C09K19/34

   C09K19/12

   C09K19/14

   C09K19/20

   C09K19/24

   C09K19/16

   C09K19/18

   C09K19/54 Z

   C09K19/38

   G02F1/13 500

   C07C69/54 Z

   C07C69/675

   C07C69/347CSP

【請求項の数】15

【全頁数】114

(21)【出願番号】特願2019-538700(P2019-538700)

(86)(22)【出願日】2018年9月20日

(86)【国際出願番号】JP2018034771

(87)【国際公開番号】WO2019069697

(87)【国際公開日】20190411

【審査請求日】2019年7月18日

(31)【優先権主張番号】特願2017-195108(P2017-195108)

(32)【優先日】2017年10月5日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002886

【氏名又は名称】ＤＩＣ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100177471

【弁理士】

【氏名又は名称】小川 眞治

(74)【代理人】

【識別番号】100163290

【弁理士】

【氏名又は名称】岩本 明洋

(74)【代理人】

【識別番号】100149445

【弁理士】

【氏名又は名称】大野 孝幸

(72)【発明者】

【氏名】山本 辰弥

(72)【発明者】

【氏名】宮本 正紀

(72)【発明者】

【氏名】甲斐 英知

(72)【発明者】

【氏名】木村 正臣

(72)【発明者】

【氏名】林 正直

(72)【発明者】

【氏名】門本 豊

【審査官】 安孫子 由美

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１５−０２１０５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−０８９７６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２０４２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３２２２９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−１１１７３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−３２１８８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry，２００２年，149，199-206

【文献】 Chemistry of Materials，２００６年，18，3924-3930

【文献】 Chemistry Select，２０１７年 １月 ９日，2(1)，101-109

【文献】 Journal of molecular modeling，２００７年，13(1)，65-77

【文献】 Journal of Controlled Release，２００６年，116，107-114

【文献】 Journal of the Chilean Chemical Society，２００４年，49(4)，281-284

【文献】 Journal of Inclusion Phenomena and Macrocyclic Chemistry，２０１５年，83，53-61

【文献】 Journal of Organic Chemistry，１９９２年，57，3744-3746

【文献】 Journal of the American Chemical Society，１９９７年，119，6909-6918

【文献】 Organic & Biomolecular Chemistry，２００８年，6，319-329

【文献】 Organic Biomolecular Chemistry，２００３年，1，427-435

【文献】 Russian Journal of General Chemistry，２０１７年，87(9)，1958-1968

【文献】 Synthesis，１９９４年，(8)，813-822

【文献】 Tetrahedron，２０１７年，73，4259-4264

【文献】 Angewandte Chemie International Edition ，２００４年，43，2959-2962

【文献】 Inorganic Chemistry，２０００年，39(10)，2033-2041

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０９Ｋ１９

ＣＡｐｌｕｓ（ＳＴＮ）

ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）

【化1】

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立して酸素原子、カルボニル基、直鎖又は分岐の炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は単結合を表し、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されてもよく、又、アルキレン基中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表す。）を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い。）で置換されていてもよいが、−О−は連続にはならなく、
Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、Ａ^ｉ１及びA^ｉ２はそれぞれ独立して、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基を表し、これらの環構造中の水素原子は置換基Ｌで置換されていてもよいが、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｉ１はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、Ｋ^ｉ１で表される基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表す。）を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、ここで少なくとも一つのＲ^ｉ１はＫ^ｉ１で表される基であり、
Ｒ^ｉ２はそれぞれ独立して、炭素原子数６〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、
Ｒ^ｉ３はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、
Ｋ^ｉ１は、以下の一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１１）及び一般式（Ｋ−１４）〜一般式（Ｋ−１６）

【化2】

（式中、
Ｗ^Ｋ１は、メチン基、Ｃ−ＣＨ_３、Ｃ−Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ−Ｃ₃Ｈ_7、Ｃ−Ｃ₄Ｈ₉又は窒素原子を表し、
Ｗ^Ｋ２は、単結合、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、（K-5）及び（K-6）がフェニル基又はピリジル基を表すことはなく、
Ｒ^１は、水素原子、炭素原子数１〜５の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良く、
一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１１）及び一般式（Ｋ−１４）〜一般式（Ｋ−１６）中、左端の黒点は結合手を表す。）からなる群より選ばれる基を表し、
ｍ^ｉ１は０を表し、
ｍ^ｉ２は０〜５の整数を表し、
ｎは、１〜１０の整数を表す。）
で表される化合物を１種又は２種以上を含有する液晶組成物。

【請求項2】

前記一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）で表される化合物が、１つ又は２つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は、以下の一般式（P−１）〜一般式（P−１６）

【化3】

で表される群より選ばれる基を表し（式中、右端の黒点は結合手を表す。）、Ｓｐ^ｉ１は炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は直接結合を表し、当該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。）を有する、請求項１に記載の液晶組成物。

【請求項3】

前記一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）におけるＲ^ｉ１が、それぞれ独立してＫ^ｉ１で表される基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、ここで少なくとも一つのＲ^ｉ１はＫ^ｉ１で表される基である、請求項１又は２のいずれか一項に記載の液晶組成物。

【請求項4】

前記一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）におけるＲ^ｉ３が水素原子である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶組成物。

【請求項5】

前記Ｋ^ｉ１が一般式（Ｋ−１５）又は一般式（Ｋ−１６）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶組成物。

【請求項6】

請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物を含有する誘電率異方性（Δε）が負の液晶組成物。

【請求項7】

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）：

【化4】

（式中、
Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、
及び
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は、−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して１、２又は３であり、
Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれは互いに同一であっても異なっていてもよい。）
のいずれかで表される化合物群から選ばれる化合物を更に含有する、請求項６に記載の液晶組成物。

【請求項8】

一般式（Ｌ）：

【化5】

（式中、
Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は、０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、及び
（ｃ） （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは互いに同一であっても異なっていてもよいが、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
で表される化合物を更に含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶組成物。

【請求項9】

重合性化合物を更に含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶組成物。

【請求項10】

前記重合性化合物として、一般式（Ｐ）：

【化6】

（式中、
Ｚ^ｐ１は、フッ素原子、シアノ基、水素原子、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルキル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルコキシ基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニルオキシ基又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｒ^ｐ２を表し、
Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２は、以下の式（Ｒ−Ｉ）〜式（Ｒ−ＩＸ）：

【化7】

（式中、
＊でＳｐ^ｐ１と結合し、
Ｒ^２〜Ｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基又は炭素原子数１〜５個のハロゲン化アルキル基を表し、
Ｗは、単結合、−Ｏ−又はメチレン基を表し、
Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−を表し、
ｐ、ｔ及びｑは、それぞれ独立して、０、１又は２を表す。）
のいずれかを表し、
Ｓｐ^ｐ１及びＳｐ^ｐ２はスペーサー基を表し、
Ｌ^ｐ１及びＬ^ｐ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ａ−、−ＮＲ^ａ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｚ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＨ_２（CH₃)C−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＣＨ_２（CH₃）C−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−C（CH₃）ＣＨ_２、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−C（CH₃）−ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｚは１〜４の整数を表す。）を表し、
Ｍ^ｐ２は、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基又は単結合を表すが、Ｍ^ｐ２は無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
Ｍ^ｐ１は、以下の式（ｉ−１１）〜（ｉｘ−１１）：

【化8】

（式中、＊でＳｐ^ｐ１と結合し、＊＊でＬ^ｐ１、Ｌ^ｐ２又はＺ^ｐ１と結合する。）
のいずれかを表し、Ｍ^ｐ1上の任意の水素原子は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
Ｍ^ｐ３は、以下の式（ｉ−１３）〜（ｉｘ−１３）：

【化9】

（式中、＊でＺ^ｐ１と結合し、＊＊でＬ^ｐ２と結合する。）
のいずれかを表し、Ｍ^ｐ３上の任意の水素原子は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
ｍ^ｐ２〜ｍ^ｐ４は、それぞれ独立して０、１、２又は３を表し、
ｍ^ｐ１及びｍ^ｐ５は、それぞれ独立して１、２又は３を表し、
Ｚ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物を１種又は２種以上含有する、請求項９に記載の液晶組成物。

【請求項11】

二つの基板と、該二つの基板の間に設けられた請求項１〜１０のいずれか一項に記載の液晶組成物を用いた液晶層と、を備える液晶表示素子。

【請求項12】

アクティブマトリックス駆動用である、請求項１１に記載の液晶表示素子。

【請求項13】

ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型である、請求項１１又は１２に記載の液晶表示素子。

【請求項14】

前記二つの基板のうち少なくとも一方の基板が配向膜を有さない、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

【請求項15】

一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）

【化1】

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立して酸素原子、カルボニル基、直鎖又は分岐の炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は単結合を表し、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されてもよく、又、アルキレン基中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表す。）を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良い。）で置換されていてもよいが、−О−は連続にはならなく、
Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、Ａ^ｉ１及びA^ｉ２はそれぞれ独立して、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基を表し、これらの環構造中の水素原子は置換基Ｌで置換されていてもよいが、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｉ１はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、Ｋ^ｉ１で表される基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表す。）を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、ここで少なくとも一つのＲ^ｉ１はＫ^ｉ１で表される基であり、
Ｒ^ｉ２はそれぞれ独立して、炭素原子数６〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、
Ｒ^ｉ３はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、当該アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されても良く、
Ｋ^ｉ１は、以下の一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１１）及び一般式（Ｋ−１５）

【化2】

（式中、
Ｗ^Ｋ１は、メチン基、Ｃ−ＣＨ_３、Ｃ−Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ−Ｃ₃Ｈ_7、Ｃ−Ｃ₄Ｈ₉又は窒素原子を表し、
Ｗ^Ｋ２は、単結合、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、（K-5）及び（K-6）がフェニル基又はピリジル基を表すことはなく、
Ｒ^１は、水素原子、炭素原子数１〜５の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されても良く、
一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１１）及び一般式（Ｋ−１５）中、左端の黒点は結合手を表す。）からなる群より選ばれる基を表し、
ｍ^ｉ１は０を表し、
ｍ^ｉ２は０〜５の整数を表し、
ｎは、１〜１０の整数を表す。）
で表される化合物。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶組成物及び液晶表示素子に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ＶＡ方式の液晶ディスプレイでは、電圧無印加時に液晶分子の垂直配向を誘起し、電圧印加時に液晶分子の水平配向を実現するために、電極上にポリイミド配向膜（ＰＩ）層が設けられている。しかし、ＰＩ層の製膜には多大なコストを要するため、近年では、ＰＩ層を省きつつも、液晶分子の配向を実現するための方法が検討されている。

【0003】

例えば特許文献１には、負の誘電異方性を有する極性化合物の混合物を基礎とし、少なくとも１種類の自発配向性添加剤を含有することを特徴とする液晶媒体が開示され、この液晶媒体が配向層を一切含有しないディスプレイにおける使用に高度に適している旨が記載されている。そして、特許文献１では、自発配向性添加剤として、水酸基を有する特定の化合物が用いられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特表２０１４−５２４９５１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載されている自己配向性添加剤を用いた場合、液晶分子を垂直に配向させる配向規制力が十分ではなく、また、該自発配向性添加剤を含有した液晶組成物の保存性の点で改善の余地があることが判明した。

【0006】

そこで、本発明の目的は、液晶組成物に添加した際に保存性を確保でき、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子の垂直配向を可能にする液晶組成物用自発配向助剤を提供することにある。また、本発明の他の目的は、保存性に優れ、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子の垂直配向が可能な該自発配向性添加剤を含有した液晶組成物、及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基（Ｋ^ｉ１は、以下の一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１６）で表される置換基を表す。）及びＲ^１（Ｒ^１は、水素原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが、−O−は連続にはならない）が置換された化合物を１種又は２種以上を含有する液晶組成物を提供する。

【0008】

【化1】

【0009】

（式中、
Ｗ^Ｋ１は、メチン基、Ｃ−ＣＨ_３、Ｃ−Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ−Ｃ₃Ｈ_7、Ｃ−Ｃ₄Ｈ₉又は窒素原子を表し、
Ｗ^Ｋ２は、単結合、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［Ｕ^Ｋ１がメチン基、Ｖ^Ｋ１がメチン基、Ｓ^Ｋ１が窒素原子］の組み合わせは除き、一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１６）中、左端の黒点は結合手を表す。）
また、本発明は、前記液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、保存性に優れ、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子の均一な垂直配向が可能な該自発配向性添加剤を含有した液晶組成物、及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】液晶表示素子の一実施形態を模式的に示す図である。

【図2】図１におけるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（液晶組成物用自発配向助剤）
本実施形態の液晶組成物は、液晶組成物用自発配向助剤としてシクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基（Ｋ^ｉ１は、以下の一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１６）で表される置換基を表す。）及びＲ^１（Ｒ^１は、水素原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが、−O−は連続にはならない）が置換された化合物を１種又は２種以上を含有する。

【0013】

【化2】

【0014】

（式中、
Ｗ^Ｋ１は、メチン基、Ｃ−ＣＨ_３、Ｃ−Ｃ_２Ｈ_５、Ｃ−Ｃ₃Ｈ_7、Ｃ−Ｃ₄Ｈ₉又は窒素原子を表し、
Ｗ^Ｋ２は、単結合、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［Ｕ^Ｋ１がメチン基、Ｖ^Ｋ１がメチン基、Ｓ^Ｋ１が窒素原子］の組み合わせは除き、一般式（Ｋ−１）〜一般式（Ｋ−１６）中、左端の黒点は結合手を表す。）
本実施形態の液晶組成物用自発配向助剤は、シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された構造であり、Ｋ^ｉ１として、式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−１６）のいずれかで表される構造を有する化合物を含有しているため、液晶組成物に用いられた際に、液晶組成物（液晶層）を挟持する基板に吸着し、液晶分子を垂直方向に配向させた状態で保持することができる。したがって、本実施形態の液晶組成物用自発配向助剤によれば、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子を配向させる（電圧無印加時に液晶分子の垂直配向を誘起し、電圧印加時に液晶分子の水平配向を実現する）ことが可能となる。このように、シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された化合物は、液晶組成物における液晶分子の自発配向を助けるために好適に使用される。Ｋ^ｉ１で表される基は、シクロファンに１つのみ置換されていてもよいし、複数置換されていてもよい。Ｋ^ｉ１で表される基は、シクロファンに結合する有機基が化合物の長軸方向を形成し、該有機基の末端に結合していることが好ましい。Ｋ^ｉ１で表される基を複数有する場合、複数のＫ^ｉ１で表される基は、化合物の長軸方向の片側の端部に位置していることが好ましい。

【0015】

加えて、本発明者らは、本実施形態の液晶組成物用自発配向助剤がシクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された構造を有することにより、液晶分子の配向のみならず、液晶組成物の保存性安定性を確保できることを見出した。
自発配向助剤として化学的安定性を重要視する場合は、Ｋ^ｉ１としては（K−１）、（K−３）、（Ｋ−８）、（Ｋ−９）、（Ｋ−１０）（Ｋ−１１）、（Ｋ−１2）、（Ｋ−１4）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、液晶の配向性を重要視する場合は、（Ｋ−１）〜（Ｋ−７）、（Ｋ−１０）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１2）、（Ｋ−１4）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、液晶化合物への溶解性を重要視する場合は、（Ｋ−１）、（Ｋ−８）、（Ｋ−１０）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、これらのバランスを重要視する場合は、（Ｋ−１）、（Ｋ−３）、（Ｋ−９）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１２）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）がより好ましい。

【0016】

以上の観点から、本実施形態の液晶組成物用自発配向助剤に含有される化合物は、シクロファンに結合する有機基の末端、好ましくはシクロファンに結合する有機基の主鎖の末端に、Ｋ^ｉ１で表される基を有していればよく、Ｋ^ｉ１で表される基の結合先の化学構造、及びシクロファン構造は、液晶組成物の機能を阻害しない範囲であれば特に制限されない。

【0017】

シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された化合物は、好ましくは、化合物中に１つ又は２つ以上の炭素原子数３以上のアルキレン基を有することが好ましく、該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されていてもよい。炭素原子数３以上のアルキレン基を有する基がシクロファンに結合することで、液晶組成物の配向性を向上させることができる。

【0018】

また、シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された化合物は、好ましくは、１つ又は２つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は、以下の一般式（P−１）〜一般式（P−１６）で表される群より選ばれる基を表し（式中、右端の黒点は結合手を表す。）、

【0019】

【化3】

【0020】

Ｓｐ^ｉ１は炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は直接結合を表し、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。）
を有することが好ましい。Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有することで、液晶分子のプレチルト角を好適に形成できる。

【0021】

前記シクロファン化合物は、一般式（ｉ）：

【0022】

【化4】

【0023】

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立して酸素原子、カルボニル基、直鎖又は分岐の炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は単結合を表し、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されてもよく、又、アルキレン基中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２及びＲ^ｉ３と同じ意味を表す。）で置換されていてもよいが、−O−は連続にはならなく、
Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、Ａ^ｉ１及びA^ｉ２はそれぞれ独立して、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基を表し、これらの環構造中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２及びＲ^ｉ３と同じ意味を表す。）で置換されていてもよいが、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｚ^ｉ２及びＡ^ｉ２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２及びＲ^ｉ３はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、Ｋ^ｉ１で表される基（Ｋ^ｉ１は一般式（Ｋ−１）〜（Ｋ−１６）で表される群より選ばれる基を表す。）又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−（Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表す。）を表し、アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが−O−は連続にはならなく、
ｍ^ｉ１及びｍ^ｉ２は、０〜５の整数を表し、
ｎは、１〜１０の整数で表される化合物を１種又は２種以上含有する。）
で表される化合物であることが好ましい。
本実施形態の液晶組成物用自発配向助剤に含有される一般式（ｉ）で表される化合物は、例えば一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）

【0024】

【化5】

【0025】

（式中、Ｘ、Ｙ，Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、ｍ^ｉ１、ｍ^ｉ２及びｎはそれぞれ独立して、一般式（ｉ）中のＸ、Ｙ，Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、ｍ^ｉ１、ｍ^ｉ２及びｎと同じ意味を表す。）
で表される化合物（以下「化合物（ｉ−１）」および「化合物（ｉ−２）」ともいう）であることが好ましい。

【0026】

式（ｉ）、式（ｉ−１）及び式（ｉ−２）中、Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２は、好ましくは、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数１〜４０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置換された基を表し、より好ましくは、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数１〜４０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置単結合、炭素原子数２〜１５の直鎖状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置換された基を表し、更に好ましくは、単結合、ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２のアルキレン基（エチレン基（−ＣＨ_２ＣＨ_２−））若しくはエチレン基中の−ＣＨ_２−の１個が−Ｏ−で置換された基（−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−）、又は炭素原子数３〜１３の直鎖状のアルキレン基若しくは該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置換された基を表す。

【0027】

Ａ^ｉ１及びＡ^ｉ２は、好ましくは、２価の６員環芳香族基又は２価の６員環脂肪族基を表すが、２価の無置換の６員環芳香族基、２価の無置換の６員環脂肪族基又はこれらの環構造中の水素原子は、置換されていないか炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていていることが好ましく、２価の無置換の６員環芳香族基若しくはこの環構造中の水素原子がフッ素原子で置換された基、又は２価の無置換の６員環脂肪族基が好ましく、置換基上の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基によって置換されていても良い１，４−フェニレン基、２，６−ナフタレン基又は１，４−シクロヘキシル基が好ましいが、少なくとも一つの置換基はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換されている。２価の６員環芳香族基又は２価の６員環脂肪族基は、具体的には、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基から選択される環構造を表すことが好ましい。

【0028】

Ｘ及びＹは、好ましくは酸素原子、直鎖又は分岐の炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は単結合を表すことが好ましく、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されていることが好ましく、アルキレン基中の水素原子はＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換されていることが好ましい。Ｘ及びＹはより具体的には、以下の式（ｉ−ａ）で表される構造であることが好ましい。

【0029】

【化6】

【0030】

（式中、ｐは１〜２０の整数を表し、ｑは０又は１を表し、左端の＊でシクロファンを構成するベンゼン環と結合し、右端の黒点でＡ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ｒ^ｉ１又はＲ^ｉ２のいずれかと結合する。式中の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されていてもよく、式中の水素原子はＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換されていてもよい。） 一般式（ｉ）中に複数存在するＸ、Ｙは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

【0031】

Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、及びＲ^ｉ３は、水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、Ｋ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましく、アルキル基中の第二級炭素原子はは、−Ｏ−、−ＯＣＯ−、又は−ＣＯＯ−で置換されていることが好ましく（ただし−O−は連続にはならない）、より好ましくは、水素原子、炭素原子数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基、Ｋ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、アルキル基中の第二級炭素原子はは、−Ｏ−、−ＯＣＯ−（ただし−O−は連続にはならない）で置換されていることを表す。

【0032】

Ｒ^ｉ１又はＲ^ｉ２のいずれか一方がＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましい。Ｒ^ｉ３は水素原子を表すことが好ましい。複数存在するＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。例えば、一般式（ｉ）中のｎ個のＲ^ｉ１が全て同じ基であってもよいし、Ｒ^ｉ１がＫ^ｉ１及びＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−のように異なる基を表してもよい。同様に、一般式（ｉ）中のｎ個のＲ^ｉ２及びＲ^ｉ３が全て同じ基であっても異なっていてもよい。

【0033】

ｍ^ｉ１及びｍ^ｉ２は、好ましくは０〜３の整数を表し、更に好ましくは０〜１の整数を表す。

【0034】

ｍ^ｉ１及びｍ^ｉ２が０を表す場合、−Ｘ−Ｒ^ｉ１及び−Ｙ−Ｒ^ｉ２は以下の式（ｉ−ａ−１）で表される構造であることが好ましい。

【0035】

【化7】

【0036】

（式中、ｐは１〜２０の整数を表し、ｑは０又は１を表し、ｍは１〜４の整数を表し、Ｒ^ｉａ１はそれぞれ独立して水素原子、Ｋ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、左端の＊でシクロファンを構成するベンゼン環と結合する。式中の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されていてもよく、式中の水素原子はＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換されていてもよい。）
式（ｉ−ａ−１）において、式中の水素原子がＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換される場合、Ｒ^ｉａ１はＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましい。より具体的には、以下の式（ｉ−ａ−１１）又は式（ｉ−ａ−１２）であることが好ましい。

【0037】

【化8】

【0038】

（式中、ｐ^１は１〜１０の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、Ｒ^ｉａ１１はそれぞれ独立してＫ^ｉ１又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、左端の＊でシクロファンを構成するベンゼン環と結合する。）
シクロファン構造を形成する同一の環に結合する−Ｘ−Ｒ^ｉ１及び−Ｙ−Ｒ^ｉ２の好ましい組み合わせは、−Ｘ−Ｒ^ｉ１がＫ^ｉ１及び／又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有する基を表し、−Ｙ−Ｒ^ｉ２が水素原子又は炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表すことが好ましい。 ｎは、好ましくは、２〜１０の整数であることが好ましく、２〜８の整数であることが好ましく、４〜８の整数であることが好ましく、４〜６の整数であることが好ましい。

【0039】

一般式（ｉ）、一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）で表される化合物は、化合物中に１つ又は２つ以上のＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基を有するが、自発配向助剤として化学的安定性を重要視する場合は、Ｋ^ｉ１としては（K−１）、（K−３）、（Ｋ−８）、（Ｋ−９）、（Ｋ−１０）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１2）、（Ｋ−１4）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、液晶の配向性を重要視する場合は、（Ｋ−１）〜（Ｋ−７）、（Ｋ−１０）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１2）、（Ｋ−１4）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、液晶化合物への溶解性を重要視する場合は、（Ｋ−１）、（Ｋ−８）、（Ｋ−１０）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）が好ましく、これらのバランスを重要視する場合は、（Ｋ−１）、（Ｋ−３）、（Ｋ−９）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１２）、（Ｋ−１5）及び（Ｋ−１６）がより好ましい。

【0040】

式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−１6）中、Ｗ^Ｋ１は、好ましくは単結合、メチン基、C-CH_3、又はＣ−Ｃ₄Ｈ₉を表す。Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１は、それぞれ独立して、好ましくは−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。Ｚ^Ｋ１は、好ましくは酸素原子を表す。

【0041】

好ましくは、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、及びＲ^ｉ３から選ばれる少なくとも１つ以上がＫ^ｉ１を表すことが好ましく、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２から選ばれる少なくとも１つ以上がＫ^ｉ１を表すことが好ましい。また、Ｘがアルキレン基を表す場合、該アルキレン基中の水素原子がＫ^ｉ１に置換されていることが好ましい。Ｋ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が複数存在する場合、シクロファンに対してＫ^ｉ１で表される基を有する複数の有機基の主鎖が同一方向に並列して結合していることが好ましい。

【0042】

一般式（ｉ）、一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）で表される化合物は、１つ又は２つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有することが好ましい。Ｓｐ^ｉ１は、好ましくは炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、より好ましくは炭素原子数２〜１５の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、更に好ましくは炭素原子数３〜１２の直鎖状アルキレン基又は単結合を表す。

【0043】

好ましくは、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、及びＲ^ｉ３から選ばれる少なくとも１つ以上がＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましく、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２から選ばれる少なくとも１つ以上がＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましい。Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で表される基を有する１価の有機基が複数存在する場合、シクロファンに対してＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で表される基を有する複数の有機基の主鎖が同一方向に並列して結合していることが好ましい。

【0044】

Ｋ^ｉ１で表される基とＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−が、シクロファン構造を形成する同一の環が置換されることにより存在していることが好ましい。例えば、Ｒ^ｉ１がＫ^ｉ１で表される基を表し、Ｒ^ｉ２がＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましく、また、Ｋ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が更にＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有していることも好ましい。 また、Ｋ^ｉ１で表される基とＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−が、シクロファン構造を形成する異なる環にそれぞれ存在していることも好ましい。この場合、シクロファンに対して、Ｋ^ｉ１で表される基を有する有機基と、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有する有機基の主鎖の方向は適宜選択できるが、同一方向に並列して結合していることが好ましい。より具体的には、一般式（ｉ）において複数存在するＲ^ｉ１又はＲ^ｉ２がそれぞれ独立してＫ^ｉ１及びＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表すことが好ましい。

【0045】

一般式（ｉ）、一般式（ｉ−１）又は一般式（ｉ−２）で表される化合物は、１つ又は２つ以上の炭素原子数３以上のアルキレン基を有することが好ましく、該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されていてもよい。炭素原子数３以上のアルキレン基を有する基が複数存在する場合、シクロファンに対して炭素原子数３以上のアルキレン基を有する有機基の主鎖が同一方向に並列して結合していることが好ましい。Ｋ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基と、炭素原子数３以上のアルキレン基を有する有機基とが、シクロファン構造を形成する同一の環が置換されることにより存在していることが好ましい。この場合、炭素原子数３以上のアルキレン基を有する有機基の末端に、Ｋ^ｉ１で表される基が結合していることが好ましい。また、Ｋ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基と、炭素原子数３以上のアルキレン基を有する有機基とがそれぞれ異なる有機基として存在することも好ましく、Ｋ^ｉ１で表される基を有する有機基と、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を有する有機基の主鎖の方向は適宜選択できるが、同一方向に並列して結合していることが好ましい。

【0046】

シクロファン化合物は、化合物中に重合性基を有さない以下の一般式（ｉｉ）：

【0047】

【化9】

【0048】

（式中、Ｘ、Ｙはそれぞれ独立して酸素原子、カルボニル基、直鎖又は分岐の炭素原子数１〜２０のアルキレン基又は単結合を表し、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されてもよく、又、アルキレン基中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２及びＲ^ｉｉ３と同じ意味を表す。）で置換されていてもよく、
Ｚ^ｉｉ１及びＺ^ｉｉ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、Ａ^ｉｉ１及びA^ｉｉ２はそれぞれ独立して、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基を表し、これらの環構造中の水素原子は置換基Ｌ（Ｌは、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２及びＲ^ｉｉ３と同じ意味を表す。）で置換されていてもよいが、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉ２及びＡ^ｉｉ２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２及びＲ^ｉｉ３はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＫ^ｉ１で表される基を表し、アルキル基中の第二級炭素原子は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが−O−は連続にはならなく、
ｍ^ｉｉ１及びｍ^ｉｉ２は、０〜５の整数を表し、
ｎは、１〜１０の整数で表される化合物を１種又は２種以上含有する。）
で表される化合物であることも好ましい。

【0049】

一般式（ｉｉ）において、Ｘ、Ｙ、ｎ、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２、Ａ^ｉｉ１、A^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉ３、ｍ^ｉｉ１及びｍ^ｉｉ２の好ましい基は一般式（ｉ）中のＸ、Ｙ、ｎ、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ａ^ｉ１、A^ｉ２、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉ３、ｍ^ｉ１及びｍ^ｉ２の好ましい基とそれぞれ同じ意味を表す。

【0050】

一般式（ｉ）及び一般式（ｉｉ）のより具体的な例としては、下記式（Ｒ−１−１）〜（Ｒ−１−４５）のいずれかで表される化合物が挙げられる。式中、Ｒ^ｉ１は、式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。

【0051】

【化10】

【0052】

【化11】

【0053】

【化12】

【0054】

また、一般式（ｉ）のより具体的な例としては、下記式（Ｐ−１−１）から（Ｐ−１−４４）のいずれかで表される化合物が挙げられる。

【0055】

【化13】

【0056】

【化14】

【0057】

【化15】

【0058】

【化16】

【0059】

【化17】

【0060】

（液晶組成物）
本実施形態の液晶組成物は、上記シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された化合物を１種又は２種以上含有する。この液晶組成物は、負の誘電率異方性（Δε）を有する。

【0061】

シクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換されたの含有量は、好ましくは０．０１〜５０質量％であるが、その下限値は、液晶分子を更に好適に配向させられる観点から、液晶組成物全量を基準として、好ましくは、０．０１質量％以上、０．１質量％以上、０．５質量％以上、０．７質量％以上、又は１質量％以上である。化合物（ｉ）の含有量の上限値は、応答特性に優れる観点から、液晶組成物全量を基準として、好ましくは、５０質量％以下、３０質量％以下、１０質量％以下であり、７質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、又は３質量％以下である。

【0062】

液晶組成物は、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）：

【0063】

【化18】

【0064】

のいずれかで表される化合物群から選ばれる化合物を更に含有してもよい。

【0065】

式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、
Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、及び
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は、−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して１、２又は３であり、
Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれは互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0066】

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）のいずれかで表される化合物は、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。

【0067】

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

【0068】

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

【0069】

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい（各式中の黒点は結合手を表す。）。

【0070】

【化19】

【0071】

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造：

【0072】

【化20】

【0073】

を表すことがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

【0074】

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

【0075】

Ｘ^Ｎ２１はフッ素原子が好ましい。

【0076】

Ｔ^Ｎ３１は酸素原子が好ましい。

【0077】

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は１又は２が好ましく、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、が好ましい。

【0078】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、１０質量％以上であり、２０質量％以上であり、３０質量％以上であり、４０質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上であり、６０質量％以上であり、６５質量％以上であり、７０質量％以上であり、７５質量％以上であり、８０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％以下であり、８５質量％以下であり、７５質量％以下であり、６５質量％以下であり、５５質量％以下であり、４５質量％以下であり、３５質量％以下であり、２５質量％以下であり、２０質量％以下である。

【0079】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、１０質量％以上であり、２０質量％以上であり、３０質量％以上であり、４０質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上であり、６０質量％以上であり、６５質量％以上であり、７０質量％以上であり、７５質量％以上であり、８０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％以下であり、８５質量％以下であり、７５質量％以下であり、６５質量％以下であり、５５質量％以下であり、４５質量％以下であり、３５質量％以下であり、２５質量％以下であり、２０質量％以下である。

【0080】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、１０質量％以上であり、２０質量％以上であり、３０質量％以上であり、４０質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上であり、６０質量％以上であり、６５質量％以上であり、７０質量％以上であり、７５質量％以上であり、８０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％以下であり、８５質量％以下であり、７５質量％以下であり、６５質量％以下であり、５５質量％以下であり、４５質量％以下であり、３５質量％以下であり、２５質量％以下であり、２０質量％以下である。

【0081】

本実施形態の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、本実施形態の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

【0082】

一般式（Ｎ−１）で表される化合物として、下記の一般式（Ｎ−１ａ）〜（Ｎ−１ｇ）で表される化合物群を挙げることができる。

【0083】

【化21】

【0084】

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表し、ｎ^Ｎａ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｂ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｃ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｄ１１は０又は１を表し、ｎ^Ｎｅ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｆ１１は１又は２を表し、ｎ^Ｎｇ１１は１又は２を表し、Ａ^Ｎｅ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、Ａ^Ｎｇ１１はトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すが少なくとも１つは１，４−シクロヘキセニレン基を表し、Ｚ^{Ｎｅ １１}は単結合又はエチレンを表すが少なくとも１つはエチレンを表す。）
より具体的には、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0085】

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は下記の化合物である。

【0086】

【化22】

【0087】

（式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基、ペンチル基又はビニル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0088】

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0089】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0090】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0091】

さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１．１）から式（Ｎ−１−１．２３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）及び式（Ｎ−１−１．３）で表される化合物が好ましい。

【0092】

【化23】

【0093】

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0094】

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は下記の化合物である。

【0095】

【化24】

【0096】

（式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基が好ましい。

【0097】

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0098】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0099】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上であり、３７質量％以上であり、４０質量％以上であり、４２質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、５０質量％以下であり、４８質量％以下であり、４５質量％以下であり、４３質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下である。

【0100】

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．２２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）、式（Ｎ−１−２．１３）及び式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましく、Δεの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）で表される化合物が好ましく、Ｔ_ＮＩの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましく、応答速度の改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましい。

【0101】

【化25】

【0102】

式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．２２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0103】

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は下記の化合物である。

【0104】

【化26】

【0105】

（式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１３２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数３〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、１−プロペニル基、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0106】

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0107】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0108】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0109】

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）から式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物が好ましい。

【0110】

【化27】

【0111】

式（Ｎ−１−３．１）〜式（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、式（Ｎ−１−３．１）及び式（Ｎ−１−３．２）の組み合わせ、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種又は３種の組み合わせが好ましい。本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0112】

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は下記の化合物である。

【0113】

【化28】

【0114】

（式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0115】

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0116】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0117】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１１質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下である。

【0118】

さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）、式（Ｎ−１−４．２）及び式（Ｎ−１−４．４）で表される化合物が好ましい。

【0119】

【化29】

【0120】

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１１質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下である。

【0121】

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は下記の化合物である。

【0122】

【化30】

【0123】

（式中、Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましくエチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

【0124】

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0125】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0126】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、８質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0127】

さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）から式（Ｎ−１−５．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物が好ましい。

【0128】

【化31】

【0129】

式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、８質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0130】

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は下記の化合物である。

【0131】

【化32】

【0132】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１０１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１０２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0133】

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本実施形態の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0134】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0135】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0136】

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）から式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）、式（Ｎ−１−１０．２）、式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物が好ましい。

【0137】

【化33】

【0138】

式（Ｎ−１−１０．１）、式（Ｎ−１−１０．２）、式（Ｎ−１−１０．２０）及び式（Ｎ−１−１０．２１）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0139】

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は下記の化合物である。

【0140】

【化34】

【0141】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１１１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１１２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0142】

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0143】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を低めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0144】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0145】

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）から式（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物が好ましい。

【0146】

【化35】

【0147】

式（Ｎ−１−１１．２）及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本実施形態の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0148】

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は下記の化合物である。

【0149】

【化36】

【0150】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}及びＲ^{Ｎ１１２２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１２１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１２２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0151】

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0152】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0153】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0154】

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は下記の化合物である。

【0155】

【化37】

【0156】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}及びＲ^{Ｎ１１３２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１３１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１３２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0157】

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0158】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0159】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0160】

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は下記の化合物である。

【0161】

【化38】

【0162】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}及びＲ^{Ｎ１１４２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１４１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１４２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0163】

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本実施形態の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0164】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0165】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0166】

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は下記の化合物である。

【0167】

【化39】

【0168】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１５１}及びＲ^{Ｎ１１５２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１５１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１５２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0169】

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0170】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0171】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0172】

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は下記の化合物である。

【0173】

【化40】

【0174】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１６１}及びＲ^{Ｎ１１６２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１６１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１６２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0175】

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0176】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0177】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0178】

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は下記の化合物である。

【0179】

【化41】

【0180】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１７１}及びＲ^{Ｎ１１７２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１７１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１７２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0181】

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0182】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0183】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0184】

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は下記の化合物である。

【0185】

【化42】

【0186】

（式中、Ｒ^{Ｎ１１８１}及びＲ^{Ｎ１１８２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１１８１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１８２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

【0187】

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0188】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0189】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0190】

さらに、一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１８．１）から式（Ｎ−１−１８．５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１８．１）〜（Ｎ−１−１１．３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１８．２及び式（Ｎ−１−１８．３）で表される化合物が好ましい。

【0191】

【化43】

【0192】

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は下記の化合物である。

【0193】

【化44】

【0194】

（式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

【0195】

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0196】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0197】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0198】

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は下記の化合物である。

【0199】

【化45】

【0200】

（式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

【0201】

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0202】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0203】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0204】

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は下記の化合物である。

【0205】

【化46】

【0206】

（式中、Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

【0207】

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0208】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0209】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、５質量％以下である。

【0210】

さらに、一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２２．１）から式（Ｎ−１−２２．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．４）で表される化合物が好ましい。

【0211】

【化47】

【0212】

一般式（Ｎ−３）で表される化合物は一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0213】

【化48】

【0214】

（式中、Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基又はペンチル基が好ましい。

【0215】

一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0216】

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0217】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｎ−３−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下である。

【0218】

さらに、一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は、式（Ｎ−３−２．１）から式（Ｎ−３−２．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0219】

【化49】

【0220】

液晶組成物は、一般式（Ｌ）：

【0221】

【化50】

【0222】

で表される化合物を更に含有してもよい。

【0223】

式（Ｌ）中、
Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は、０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）、及び
（ｃ） （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは互いに同一であっても異なっていてもよいが、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物を除く。

【0224】

一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類である。あるいは別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

【0225】

本実施形態の組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

【0226】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、１０質量％以上であり、２０質量％以上であり、３０質量％以上であり、４０質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上であり、６０質量％以上であり、６５質量％以上であり、７０質量％以上であり、７５質量％以上であり、８０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％以下であり、８５質量％以下であり、７５質量％以下であり、６５質量％以下であり、５５質量％以下であり、４５質量％以下であり、３５質量％以下であり、２５質量％以下である。

【0227】

本実施形態の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本実施形態の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

【0228】

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

【0229】

分子内に存在するハロゲン原子は０、１、２又は３個が好ましく、０又は１が好ましく、他の液晶分子との相溶性を重視する場合には１が好ましい。

【0230】

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

【0231】

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい（各式中の黒点は結合手を表す。）。

【0232】

【化51】

【0233】

ｎ^Ｌ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

【0234】

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造：

【0235】

【化52】

【0236】

を表すことがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

【0237】

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。

【0238】

一般式（Ｌ）で表される化合物は分子内のハロゲン原子数が０個又は１個であることが好ましい。

【0239】

一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0240】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は下記の化合物である。

【0241】

【化53】

【0242】

（式中、Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

【0243】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0244】

好ましい含有量の下限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１５質量％以上であり、２０質量％以上であり、２５質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上であり、４０質量％以上であり、４５質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、９５質量％以下であり、９０質量％以下であり、８５質量％以下であり、８０質量％以下であり、７５質量％以下であり、７０質量％以下であり、６５質量％以下であり、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２５質量％以下である。

【0245】

本実施形態の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本実施形態の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。

【0246】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0247】

【化54】

【0248】

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）から式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）又は式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましい。

【0249】

【化55】

【0250】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0251】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0252】

【化56】

【0253】

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４２質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下である。

【0254】

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は本実施形態の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）及び式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０質量％以上にすることは好ましくない。

【0255】

【化57】

【0256】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０質量％以上であり、１５質量％以上であり、１８質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上であり、３８質量％以上であり、４０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４３質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３２質量％以下であり、３０質量％以下であり、２７質量％以下であり、２５質量％以下であり、２２質量％以下である。

【0257】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０質量％以上であり、１５質量％以上であり、２０質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上であり、４０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４３質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３２質量％以下であり、３０質量％以下であり、２７質量％以下であり、２５質量％以下であり、２２質量％以下である。

【0258】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0259】

【化58】

【0260】

（式中Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

【0261】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、３０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３７質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２７質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１７質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下である。

【0262】

さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）又は式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は本実施形態の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０％以上にすることは好ましくない。

【0263】

【化59】

【0264】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１８質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２０質量％以下であり、１７質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下である。

【0265】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0266】

【化60】

【0267】

（式中Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

【0268】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１７質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下である。

【0269】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１７質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下である。

【0270】

さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）から式（Ｌ−１−４．３）及び式（Ｌ−１−５．１）から式（Ｌ−１−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）又は式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることが好ましい。

【0271】

【化61】

【0272】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１８質量％以上であり、２０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２０質量％以下であり、１７質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下である。

【0273】

式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１３質量％以上であり、１５質量％以上であり、１８質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３３質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、８０質量％以下であり、７０質量％以下であり、６０質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３７質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下であり、２８質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下である。

【0274】

組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４））で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。

【0275】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0276】

【化62】

【0277】

（式中Ｒ^Ｌ１７及びＲ^Ｌ１８はそれぞれ独立してメチル基又は水素原子を表す。）
本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、５質量％以上であり、１０質量％以上であり、１５質量％以上であり、１７質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２５質量％以上であり、２７質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、６０質量％以下であり、５５質量％以下であり、５０質量％以下であり、４５質量％以下であり、４２質量％以下であり、４０質量％以下であり、３８質量％以下であり、３５質量％以下であり、３３質量％以下であり、３０質量％以下である。

【0278】

さらに、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物は、式（Ｌ−１−６．１）から式（Ｌ−１−６．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

【0279】

【化63】

【0280】

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は下記の化合物である。

【0281】

【化64】

【0282】

（式中、Ｒ^Ｌ２１及びＲ^Ｌ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

【0283】

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0284】

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0285】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0286】

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。

【0287】

【化65】

【0288】

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は下記の化合物である。

【0289】

【化66】

【0290】

（式中、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

【0291】

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0292】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、本実施形態の組成物の総量に対して、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下であり、７質量％以下であり、６質量％以下であり、５質量％以下であり、３質量％以下である。

【0293】

高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

【0294】

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。

【0295】

【化67】

【0296】

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は下記の化合物である。

【0297】

【化68】

【0298】

（式中、Ｒ^Ｌ４１及びＲ^Ｌ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。）
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0299】

本実施形態の組成物において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

【0300】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１４質量％以上であり、１６質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２６質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上であり、４０質量％以上である。本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１０質量％以下であり、５質量％以下である。

【0301】

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。

【0302】

【化69】

【0303】

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していてもよいし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいてもよい。

【0304】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、９質量％以上であり、１１質量％以上であり、１２質量％以上であり、１３質量％以上であり、１８質量％以上であり、２１質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下である。

【0305】

式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、本実施形態の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％以上であり、１９質量％以上であり、２４質量％以上であり、３０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0306】

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることが好ましい。

【0307】

【化70】

【0308】

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していてもよい。

【0309】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、９質量％以上であり、１１質量％以上であり、１２質量％以上であり、１３質量％以上であり、１８質量％以上であり、２１質量％以上である。好ましい上限値は、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、８質量％以下である。

【0310】

式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、本実施形態の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％以上であり、１９質量％以上であり、２４質量％以上であり、３０質量％以上であり、好ましい上限値は、４５質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下である。

【0311】

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。

【0312】

【化71】

【0313】

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は下記の化合物である。

【0314】

【化72】

【0315】

（式中、Ｒ^Ｌ５１及びＲ^Ｌ５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
Ｒ^Ｌ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

【0316】

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0317】

本実施形態の組成物において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

【0318】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１４質量％以上であり、１６質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２６質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上であり、４０質量％以上である。本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１０質量％以下であり、５質量％以下である
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。

【0319】

【化73】

【0320】

本実施形態の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、９質量％以下である。

【0321】

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

【0322】

【化74】

【0323】

本実施形態の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、９質量％以下である。

【0324】

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。

【0325】

【化75】

【0326】

本実施形態の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、９質量％以下である。

【0327】

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は下記の化合物である。

【0328】

【化76】

【0329】

（式中、Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２のうち一方がフッ素原子、他方が水素原子であることが好ましい。

【0330】

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

【0331】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１４質量％以上であり、１６質量％以上であり、２０質量％以上であり、２３質量％以上であり、２６質量％以上であり、３０質量％以上であり、３５質量％以上であり、４０質量％以上である。本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０質量％以下であり、４０質量％以下であり、３５質量％以下であり、３０質量％以下であり、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１０質量％以下であり、５質量％以下である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。

【0332】

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。

【0333】

【化77】

【0334】

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましく、１種〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）又は（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）又は（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）又は式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）又は（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

【0335】

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることが好ましい。

【0336】

【化78】

【0337】

本実施形態の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０質量％以下であり、１５質量％以下であり、１３質量％以下であり、１０質量％以下であり、９質量％以下である。

【0338】

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は下記の化合物である。

【0339】

【化79】

【0340】

（式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ７１は一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ７１は単結合又はＣＯＯ−が好ましく、単結合が好ましく、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２は水素原子が好ましい。

【0341】

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

【0342】

本実施形態の組成物において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

【0343】

本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、２質量％以上であり、３質量％以上であり、５質量％以上であり、７質量％以上であり、１０質量％以上であり、１４質量％以上であり、１６質量％以上であり、２０質量％以上である。本実施形態の組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０質量％以下であり、２５質量％以下であり、２３質量％以下であり、２０質量％以下であり、１８質量％以下であり、１５質量％以下であり、１０質量％以下であり、５質量％以下である。

【0344】

本実施形態の組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

【0345】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

【0346】

【化80】

【0347】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

【0348】

【化81】

【0349】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。

【0350】

【化82】

【0351】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）又は／及び式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。

【0352】

【化83】

【0353】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）又は／及び式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。

【0354】

【化84】

【0355】

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．５１）から式（Ｌ−７．５３）で表される化合物であることが好ましい。

【0356】

【化85】

【0357】

液晶組成物は、重合性化合物を更に含有してもよい。重合性化合物は、液晶組成物に用いられる公知の重合性化合物であってよい。重合性化合物の例としては、一般式（Ｐ）：

【0358】

【化86】

【0359】

で表される化合物が挙げられる。

【0360】

式（Ｐ）中、
Ｚ^ｐ１は、フッ素原子、シアノ基、水素原子、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルキル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルコキシ基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニル基、水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい炭素原子数１〜１５のアルケニルオキシ基又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｒ^ｐ２を表し、
Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２は、以下の式（Ｒ−Ｉ）〜式（Ｒ−ＩＸ）：

【0361】

【化87】

【0362】

（式中、
＊でＳｐ^ｐ１と結合し、
Ｒ^２〜Ｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５個のアルキル基又は炭素原子数１〜５個のハロゲン化アルキル基を表し、
Ｗは、単結合、−Ｏ−又はメチレン基を表し、
Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−を表し、
ｐ、ｔ及びｑは、それぞれ独立して、０、１又は２を表す。）
のいずれかを表し、
Ｓｐ^ｐ１及びＳｐ^ｐ２はスペーサー基を表し、
Ｌ^ｐ１及びＬ^ｐ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ａ−、−ＮＲ^ａ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｚ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、ｚは１〜４の整数を表す。）を表し、
Ｍ^ｐ２は、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基又は単結合を表すが、Ｍ^ｐ２は無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
Ｍ^ｐ１は、以下の式（ｉ−１１）〜（ｉｘ−１１）：

【0363】

【化88】

【0364】

（式中、＊でＳｐ^ｐ１と結合し、＊＊でＬ^ｐ１、Ｌ^ｐ２又はＺ^ｐ１と結合する。）
のいずれかを表し、
Ｍ^ｐ1上の任意の水素原子は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
Ｍ^ｐ３は、以下の式（ｉ−１３）〜（ｉｘ−１３）：

【0365】

【化89】

【0366】

（式中、＊でＺ^ｐ１と結合し、＊＊でＬ^ｐ２と結合する。）
のいずれかを表し、
Ｍ^ｐ３上の任意の水素原子は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基若しくは−Ｒ^ｐ１で置換されていてもよく、
ｍ^ｐ２〜ｍ^ｐ４は、それぞれ独立して０、１、２又は３を表し、
ｍ^ｐ１及びｍ^ｐ５は、それぞれ独立して１、２又は３を表し、
Ｚ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｓｐ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｌ^ｐ１が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｍ^ｐ２が複数存在する場合にはそれらは互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0367】

本実施形態の液晶組成物がシクロファンにＫ^ｉ１で表される基を有する１価の有機基が置換された化合物に加えて重合性化合物を更に含有する場合、液晶分子のプレチルト角を好適に形成できる。

【0368】

本実施形態の組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

【0369】

組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合、カルボニル基を有する化合物の含有量を組成物の総質量に対して、５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

【0370】

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を組成物の総質量に対して、１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

【0371】

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を組成物の総質量に対して、８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。

【0372】

組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を組成物の総質量に対して、１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

【0373】

粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を組成物の総質量に対して、１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、３質量％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

【0374】

本明細書において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物（不可避的不純物）を除いて含有しないという意味である。

【0375】

液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）の下限値は、１０以上が好ましく、１０．５以上が好ましく、１１以上が好ましく、１１．５以上が好ましく、１２以上が好ましく、１２．３以上が好ましく、１２．５以上が好ましく、１２．８以上が好ましく、１３以上が好ましく、１３．３以上が好ましく、１３．５以上が好ましく、１３．８以上が好ましく、１４以上が好ましく、１４．３以上が好ましく、１４．５以上が好ましく、１４．８以上が好ましく、１５以上が好ましく、１５．３以上が好ましく、１５．５以上が好ましく、１５．８以上が好ましく、１６以上が好ましく、１６．３以上が好ましく、１６．５以上が好ましく、１６．８以上が好ましく、１７以上が好ましく、１７．３以上が好ましく、１７．５以上が好ましく、１７．８以上が好ましく、１８以上が好ましい。液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）の上限値は、２５以下が好ましく、２４．５以下が好ましく、２４以下が好ましく、２３．５以下が好ましく、２３以下が好ましく、２２．８以下が好ましく、２２．５以下が好ましく、２２．３以下が好ましく、２２以下が好ましく、２１．８以下が好ましく、２１．５以下が好ましく、２１．３以下が好ましく、２１以下が好ましく、２０．８以下が好ましく、２０．５以下が好ましく、２０．３以下が好ましく、２０以下が好ましく、１９．８以下が好ましく、１９．５以下が好ましく、１９．３以下が好ましく、１９以下が好ましく、１８．８以下が好ましく、１８．５以下が好ましく、１８．３以下が好ましく、１８以下が好ましく、１７．８以下が好ましく、１７．５以下が好ましく、１７．３以下が好ましく、１７以下が好ましい。消費電力削減を重視する場合にはバックライトの光量を抑えることが有効であり、液晶表示素子は光の透過率を向上させることが好ましく、そのためにはＫ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合にはＫ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。
（液晶表示素子）
本実施形態の液晶組成物は、液晶表示素子に適用される。以下、図１，２を適宜参照しながら、本実施形態に係る液晶表示素子の例を説明する。

【0376】

図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上、各構成要素を離間させて示している。本実施形態に係る液晶表示素子１は、図１に示すように、対向するように配置された第一基板２及び第二基板３と、第一基板２と第二基板３との間に設けられた液晶層４とを備えており、液晶層４は前述した本実施形態の液晶組成物により構成される。

【0377】

第一基板２には、液晶層４側の面に画素電極層５が形成されている。第二基板３には、液晶層４側に共通電極層６が形成されている。第一基板２及び第二基板３は、一対の偏光板７，８により挟持されていてもよい。第二基板３の液晶層４側には、カラーフィルタ９が更に設けられていてもよい。

【0378】

すなわち、一実施形態に係る液晶表示素子１は、第一偏光板７と、第一基板２と、画素電極層５と、液晶組成物を含む液晶層４と、共通電極層６と、カラーフィルタ９と、第二基板３と、第二偏光板８と、がこの順に積層された構成を有している。

【0379】

第一基板２及び第二基板３は、例えばガラス又はプラスチック等の柔軟性をもつ材料で形成されている。第一基板２及び第二基板３の少なくとも一方は透明な材料で形成されており、他方は透明な材料で形成されていても、金属やシリコン等の不透明な材料で形成されていてもよい。第一基板２及び第二基板３は、周縁領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって互いに貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサー、又はフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

【0380】

第一偏光板７及び第二偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、第一偏光板７及び第二偏光板８のうちいずれかは、電圧無印加時の液晶分子の配向方向と平行な透過軸を有するように配置されることが好ましい。

【0381】

カラーフィルタ９は、光の漏れを防止する観点で、ブラックマトリクスを形成することが好ましく、薄膜トランジスタに対応する部分にブラックマトリクス（図示せず）を形成することが好ましい。

【0382】

ブラックマトリクスは、アレイ基板と反対側の基板にカラーフィルタと共に設置されてもよく、アレイ基板側にカラーフィルタと共に設置されてもよく、ブラックマトリクスがアレイ基板に、カラーフィルタがもう一方の基板にそれぞれ別に設置されてもよい。また、ブラックマトリクスは、カラーフィルタと別に設置されてもよいが、カラーフィルタの各色を重ねることで透過率を低下させるものであってもよい。

【0383】

図２は、図１における第一基板２上に形成された画素電極層５の一部であるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図２に示すように、第一基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む画素電極層５では、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン１１と表示信号を供給するための複数のデータバスライン１２とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン１１，１１及び一対のデータバスライン１２，１２のみが示されている。

【0384】

複数のゲートバスライン１１と複数のデータバスライン１２とにより囲まれた領域により、液晶表示素子の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極１３が形成されている。画素電極１３は、互いに直交して十字形状をなす二つの幹部と、各幹部から延在する複数の枝部とを備える、いわゆるフィッシュボーン構造を有している。また、一対のゲートバスライン１１，１１の間には、ゲートバスライン１１と略平行にＣｓ電極１４が設けられている。また、ゲートバスライン１１とデータバスライン１２とが互いに交差している交差部近傍には、ソース電極１５及びドレイン電極１６を含む薄膜トランジスタが設けられている。ドレイン電極１６には、コンタクトホール１７が設けられている。

【0385】

ゲートバスライン１１及びデータバスライン１２は、好ましくはそれぞれ金属膜で形成されており、より好ましくはＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金で形成されており、更に好ましくはＭｏ、Ａｌ又はその合金で形成されている。

【0386】

画素電極１３は、透過率を向上させるために、好ましくは透明電極である。透明電極は、酸化物半導体（ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡＺＴＯ（ＡｌＺｎＳｎＯ）等）をスパッタリング等することにより形成される。この際、透明電極の膜厚は、１０〜２００ｎｍであってよい。また、電気的抵抗を低減するために、アモルファスのＩＴＯ膜を焼成することにより多結晶のＩＴＯ膜として透明電極を形成することもできる。

【0387】

本実施形態の液晶表示素子は、例えば、第一基板２及び第二基板３上にＡｌ又はその合金等の金属材料をスパッタリングすることにより配線を形成し、画素電極層５及び共通電極層６をそれぞれ形成することができる。また、カラーフィルタ９は、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルタの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルタ用の画素部を作成することができる。また、カラーフィルタ９は、ＴＦＴ等を有する基板側に設置してもよい。

【0388】

第一基板２及び第二基板３は、画素電極層５及び共通電極層６がそれぞれ内側となるように対向させるが、その際にスペーサーを介して、第一基板２及び第二基板３の間隔を調整してもよい。このときは、液晶層４の厚さが、例えば１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。

【0389】

偏光板７，８を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶層４の屈折率異方性Δｎと液晶層４の厚さとの積を調整することが好ましい。また、二枚の偏光板７，８がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。さらに、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

【0390】

２枚の基板２，３間に組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法等を用いることができるが、真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本実施形態においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーン又はフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本実施形態においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

【0391】

また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本実施形態の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本実施形態の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。

【0392】

本実施形態の液晶組成物が重合性化合物を含有する場合、重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いてもよいし、非偏光光源を用いてもよい。また、重合性化合物含有組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いてもよい。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚ〜１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。横電界型ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度〜８９．９度に制御することが好ましい。

【0393】

照射時の温度は、本実施形態の組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させてもよい。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒〜３６００秒が好ましく、１０秒〜６００秒がより好ましい。

【0394】

本実施形態の液晶組成物においては、化合物（ｉ）は上記重合性化合物の重合反応を阻害しないため、重合性化合物同士が好適に重合し、未反応の重合性化合物が液晶組成物中に残存することを抑制できる。

【0395】

重合性化合物として、例えば上記化合物（ｉｉ）を用いた場合、得られる液晶表示素子１は、二つの基板２，３と、二つの基板２，３の間に設けられた液晶組成物及び一般式（ｉｉ）で表される化合物の重合物を含む液晶層４とを備えている。この場合、一般式（ｉｉ）で表される化合物の重合物は、液晶層４中の基板２，３側に偏在していると考えられる。

【0396】

液晶表示素子１は、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子であってよい。液晶表示素子１は、ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型の液晶表示素子であってよく、好ましくはＰＳＡ型の液晶表示素子である。

【0397】

本実施形態の液晶表示素子では、化合物（ｉ）を含有する液晶組成物が用いられているため、第一基板２及び第二基板３の液晶層４側にポリイミド配向膜等の配向膜が設けられている必要がない。すなわち、本実施形態の液晶表示素子は、二つの基板のうち少なくとも一方の基板がポリイミド配向膜等の配向膜を有さない構成をとることができる。

【実施例】

【0398】

以下に製造例及び実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例中の部及び％は、特に記載のない限り、すべて質量基準である。

【0399】

実施例１〜２０、比較例１ カリックスアレーン化合物の製造
後述する手順でカリックスアレーン化合物（１）〜（２４）を製造した。カリックスアレーン化合物（１）〜（２４）の具体構造は以下の通り。

【0400】

なお、本願実施例において生成物の構造同定は、下記条件にて測定した^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、ＦＤ−ＭＳにて行った。

【0401】

^１Ｈ−ＮＭＲはＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製「ＪＮＭ−ＥＣＭ４００Ｓ」を用い、下記条件により測定した。

【0402】

磁場強度：４００ＭＨｚ
積算回数：１６回
溶媒：重水素化クロロホルム
試料濃度：２ｍｇ／０．５ｍｌ
^１３Ｃ−ＮＭＲはＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製「ＪＮＭ−ＥＣＭ４００Ｓ」を用い、下記条件により測定した。

【0403】

磁場強度：１００ＭＨｚ
積算回数：１０００回
溶媒：重水素化クロロホルム
試料濃度：２ｍｇ／０．５ｍｌ
ＦＤ−ＭＳは日本電子株式会社製「ＪＭＳ−Ｔ１００ＧＣ ＡｃｃｕＴＯＦ」を用い、下記条件により測定した。

【0404】

測定範囲：ｍ／ｚ＝５０．００〜２０００．００
変化率：２５．６ｍＡ／ｍｉｎ
最終電流値：４０ｍＡ
カソード電圧：−１０ｋＶ

【0405】

【表1】

【0406】

【表2】

【0407】

【表3】

【0408】

【表4】

【0409】

実施例１ カリックスアレーン化合物（１）の製造
〈中間体（M−１）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、下記構造式（ａ）で表されるターシャリーブチルカリックス［４］アレーン５０ｇ、フェノール３２．２６ｇおよび脱水トルエン３５０ｍｌを仕込み、窒素フロー環境下、３００ｒｐｍで撹拌した。ターシャリーブチルカリックス［４］アレーンは溶解せずに懸濁していた。フラスコを氷浴に漬け、無水塩化アルミニウム（ＩＩＩ）５１．３７ｇを数回に分けて投入した。溶液の色が淡橙透明に変化すると共に、底に無水塩化アルミニウム（ＩＩＩ）が沈殿していた。室温で５時間撹拌を続けた後、反応混合物を１Ｌのビーカーに移し、氷、１Ｎ塩酸１００ｍｌ、トルエン３５０ｍｌを加えて反応を停止させた。溶液の色は淡黄色透明に変化した。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を回収した。水層にトルエン１００ｍｌを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水した後、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、白色結晶と無色透明液体の混合物を得た。混合物を撹拌しながらメタノールをゆっくり添加し、液体中に溶解していた生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶をメタノールで洗浄した後、真空乾燥させて下記構造式（ｂ）で表される中間体（Ｍ−１）２９．２１ｇを得た。

【0410】

【化90】

【0411】

〈中間体（Ｍ−２）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、ラウロイルクロリド７.１５９ｇ、ニトロエタン１６.２７ｇを入れ攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、無水塩化アルミニウム（ＩＩＩ）５．５７ｇを数回に分けて投入した。溶液は淡橙透明溶液になった。室温下で３０分攪拌し、前記中間体（M−１）２．３０ｇを数回に分けて投入した。反応混合物は発泡し、橙透明溶液となった。室温で５時間反応させた後、クロロホルム、イオン交換水、氷の入った１Ｌのビーカーに反応混合物をゆっくり移し、反応を停止させた。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整した後、反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水した後、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、黄色透明溶液を得た。フラスコを氷浴に漬け、メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を再度クロロホルムに溶解させ、メタノールを加えて再結晶させた。得られた白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｃ）で表される中間体（Ｍ−２）５．００ｇを得た。

【0412】

【化91】

【0413】

〈中間体（Ｍ−３）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−２）７．００ｇ、ジエチレングリコールモノエチルエーテル８１．４４ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は白色懸濁溶液となった。ヒドラジン一水和物２．５８５ｇ加えて撹拌した。フラスコ内は無色透明溶液となった。水酸化カリウムペレット６．８０９ｇを加え、１００℃で３０分攪拌した後、還流条件下で１２時間撹拌を続けた。フラスコ内は黄色透明溶液であった。９０℃まで冷却してイオン交換水を３０ｇ加え、更に３０分攪拌した。室温まで冷却した後、反応混合溶液をビーカーに移し、６Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体にメタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｄ）で表される中間体（Ｍ−３）４．１５６ｇを得た。

【0414】

【化92】

【0415】

〈カリックスアレーン化合物（１）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）１１．００ｇ、テトラヒドロフラン７２．１１ｇ、トリフェニルホスフィン１２．６２ｇ、ヒドロキシエチルメタクリレート１５．６５ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は黄土色懸濁溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル８．９２ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は赤色透明溶液であった。滴下終了後、室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで反応生成物を抽出した後、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製して淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１）７．９５ｇを得た。
実施例２、３ カリックスアレーン化合物（２）及び（３）の製造
〈中間体（Ｍ−４）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）２０．００ｇ、無水アセトニトリル１８０.００ｇ、炭酸カリウム１１.１０ｇ、２−ブロモ酢酸メチル２２．３０ｇを入れ、還流条件下で２０時間撹拌した。室温まで冷却した後、イオン交換水及び０．３Ｎ塩酸を加えてｐＨ６に調整した。クロロホルム５０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム５０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、乳白色固体を得た。クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｅ）で表される中間体（Ｍ−４）２３．８９ｇを得た。

【0416】

【化93】

【0417】

〈中間体（Ｍ−５）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−４）１２．００ｇ、テトラヒドロフラン１２５．３８ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、水素化アルミニウムリチウム２．６３ｇを加えた。フラスコ内は灰色懸濁液になった。室温下で６時間撹拌して反応させた。フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水２ｇ、１０％水酸化ナトリウム水溶液、５ｇ、イオン交換水２０ｇ、クロロホルム３０ｇを添加した。反応液を珪藻土濾過し、濾液に１Ｎ塩酸１ｇ、クロロホルム３０ｇを加えた。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、無色透明液体を得た。メタノールを加えて生成物を再沈殿させ、桐山ロートで濾過した。得られた白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｆ）で表される中間体（Ｍ−５）８．６３ｇを得た。

【0418】

【化94】

【0419】

〈カリックスアレーン化合物（２）及び（３）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．８２４ｇ、メタクリル酸０．２７０ｇを入れ攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６３５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。滴下終了後、室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、カリックスアレーン化合物（２）０．５２１ｇ及びカリックスアレーン化合物（３）０．７５４ｇを得た。
実施例３、４ カリックスアレーン化合物（３）及び（４）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン１．０２９ｇ、メタクリル酸０．３３８ｇを入れ攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．７９４ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。滴下終了後、室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、カリックスアレーン化合物（３）０．３７４ｇ及びカリックスアレーン化合物（４）０．２８７ｇを得た。
実施例５ カリックスアレーン化合物（５）の製造
〈中間体（Ｍ−６）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記カリックスアレーン化合物（１）２ｇ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１２．００ｇを入れ攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、水素化ナトリウム（流動パラフィン６０質量％分散体）０．１８１ｇをゆっくり添加した。７−［［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル]オキシ]−６−［［［（１，１−１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル]オキシ］メチル］−１−ヨードヘプタン２．２７２ｇを加え、室温で２０時間攪拌した。フラスコ壁に黄色オイル状の物質が析出していた。イオン交換水及び０．３Ｎ塩酸を加え、ｐＨ６に調整した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、真空乾燥させて下記構造式（ｇ）で表される無色透明オイル状の中間体（Ｍ−６）０．９３８ｇを得た。

【0420】

【化95】

【0421】

〈カリックスアレーン化合物（５）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−６）０．９３８ｇ、テトラヒドロフラン６．５４３ｇを加えた。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）３．６３ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は淡赤色透明溶液であった。２４時間撹拌を続けた後、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製した。生成物を真空乾燥させて、白色粉末のカリックスアレーン化合物（５）０．２１９ｇを得た。
実施例６ カリックスアレーン化合物（６）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）５．００ｇ、テトラヒドロフラン１９．７１ｇ、トリフェニルホスフィン５．７３ｇ、グリセリンジメタクレート１２．４８ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は黄土色懸濁溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル４．０５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は赤色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去した後、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（６）２．９７ｇを得た。
実施例７ カリックスアレーン化合物（７）の製造
〈中間体（Ｍ−７）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記カリックスアレーン化合物（６）１．００ｇ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１２．００ｇを入れて攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、水素化ナトリウム（流動パラフィン６０質量％分散体）０．１８１ｇをゆっくり添加した。７−［［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル]オキシ]−６−［［［（１，１−１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル]オキシ］メチル］−１−ヨードヘプタン２．２７２ｇを入れ、室温で２０時間攪拌した。フラスコ壁に黄色オイル状の物質が析出していた。イオン交換水及び０．３Ｎ塩酸を加えてｐＨ６に調整した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層に合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、真空乾燥させて下記構造式（ｈ）で表される無色透明オイル状の中間体（Ｍ−７）０.７９７ｇを得た。

【0422】

【化96】

【0423】

〈カリックスアレーン化合物（７）の製造〉
撹拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−７）０．７９７ｇ、テトラヒドロフラン５．０７８ｇを加えた。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）２．８２ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は淡赤色透明溶液であった。２４時間撹拌を続けた後、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加え有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層に合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させて白色粉末のカリックスアレーン化合物（７）０．１８３ｇを得た。
実施例８ カリックスアレーン化合物（８）の製造
〈中間体（Ｍ−８）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記カリックスアレーン化合物（３）０．１００ｇ、テトラヒドロフラン１．０２２ｇ、トリフェニルホスフィン０．０９３０ｇ、２，２−ビス（ターシャリーブチルジメチルシロキサン）プロピオン酸０．１２８６ｇを入れ攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．０７１７ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は無色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体を薄相クロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝８０：２０）にて精製し、下記構造式（ｉ）で表されるオイル状の中間体（Ｍ−８）０．１０４ｇを得た。

【0424】

【化97】

【0425】

〈カリックスアレーン化合物（８）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体０．１０４ｇ、テトラヒドロフラン１．０００ｇを加えた。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）０．２ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は無色透明溶液であった。２４時間撹拌した後、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した。クロロホルム１０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた無色透明液体を薄相クロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝８０：２０）で精製した。生成物を真空乾燥させて、白色粉末のカリックスアレーン化合物（８）４２．０４ｍｇを得た。
実施例９ カリックスアレーン化合物（９）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．８２４ｇ、２−メチル−１，１‘−（２−カルボキシ−２−メチル−１，３−プロパンジイル）エステル２−プロペン酸０．８４８ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６３５ｇをゆっくり滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（９）１．３０４ｇを得た。
実施例１０ カリックスアレーン化合物（１０）の製造
〈中間体（M−９）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記カリックスアレーン化合物（９）０．５００ｇ、テトラヒドロフラン４．０５４ｇ、トリフェニルホスフィン０．１８４３ｇ、２，２−ビス（ターシャリーブチルジメチルシロキサン）プロピオン酸０．２５４９ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．１４２ｇをゆっくり滴下した。フラスコ内は無色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体を薄相クロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝８０：２０）で精製し、下記構造式（ｊ）で表されるオイル状の中間体（Ｍ−９）０．３１７ｇを得た。

【0426】

【化98】

【0427】

〈カリックスアレーン化合物（１０）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−９）０．３１７ｇ、テトラヒドロフラン２．０００ｇを加えた。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）０．５ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は無色透明溶液であった。２４時間撹拌した後、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した。クロロホルム１０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム１０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた無色透明液体を薄相クロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝８０：２０）で精製し、真空乾燥させて、白色粉末のカリックスアレーン化合物（１０）１９２．５ｍｇを得た。
実施例１１ カリックスアレーン化合物（１１）の製造
〈中間体（Ｍ−１０）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．８２４ｇ、２−［［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル］オキシ］−２−プロペン酸０．６６３ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６３５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｋ）で表される中間体（Ｍ−１０）２．５５４ｇを得た。

【0428】

【化99】

【0429】

〈カリックスアレーン化合物（１１）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた１００mLの四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１０）２．５５４ｇ、テトラヒドロフラン５０．００ｇ、酢酸０．３５６ｇを入れ攪拌した。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）５．９３ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水を加えた。更にクロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色透明液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させて、カリックスアレーン化合物（１１）１．５５１ｇを得た。
実施例１２ カリックスアレーン化合物（１２）の製造
〈中間体（Ｍ−１１）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．８２４ｇ、４−［［（１，１−ジメチルエチル）ジメチルシリル］オキシ］−２−メチレンブタン酸０．７０６ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６３５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｌ）で表される中間体（Ｍ−１１）２．４２０ｇを得た。

【0430】

【化100】

【0431】

〈カリックスアレーン化合物（１２）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１１）２．４２０ｇ、テトラヒドロフラン５０．００ｇ、酢酸０．３２９ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は無色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）５．４７ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水を添加した。更にクロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色透明液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１２）１．０７１ｇを得た。
実施例１３ カリックスアレーン化合物（１３）の製造
〈中間体（M−１２）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）５．００ｇ、無水アセトニトリル３７．３９ｇ，炭酸カリウム７．５５４ｇ、１−ブロモ−３−（２，２−ジメチル−１,３−ジオキサン−４−イル）−２−プロパン１２．９６ｇを入れ、還流条件下で２０時間撹拌した。室温まで冷却した後、イオン交換水及び０．３Ｎ塩酸を加えてｐＨ６に調整した。クロロホルム５０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム５０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、乳白色固体を得た。乳白色固体をクロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて、下記構造式（ｍ）で表される中間体（Ｍ−１２）６．６１ｇを得た。

【0432】

【化101】

【0433】

〈中間体（Ｍ−１３）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１２）５．０００、ジエチレングリコールモノエチルエーテル３８．９５ｇを入れ攪拌した。フラスコ内は白色懸濁溶液であった。ヒドラジン一水和物１１．６３ｇ加えた。フラスコ内は無色透明溶液であった。水酸化カリウムペレット１３．０３ｇ加え、１００℃で３０分攪拌した後、還流条件下で１２時間撹拌を続けた。フラスコ内は黄色透明溶液であった。９０℃まで冷却し、イオン交換水を３０ｇ加え、３０分攪拌した。室温まで冷却し、混合溶液をビーカーに移し、６Ｎ塩酸をｐＨ１になるまで加えた。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体にメタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて、下記構造式（ｎ）で表される中間体（Ｍ−１３）３．１９６ｇを得た。

【0434】

【化102】

【0435】

〈中間体（Ｍ−１４）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１３）２．０００ｇ、イミダゾール０．３９７ｇ、無水塩化メチレン１１．２８ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は白色懸濁溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、クロロターシャリーブチルジメチルシラン０．８８０ｇを３０分かけゆっくり滴下した。室温に戻し、２４時間撹拌した。十分量のイオン交換水を加えて反応を停止させ、水層に酢酸エチル５０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行った。得られた抽出液に硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。溶媒を留去した後、残渣をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：酢酸エチル＝５０:１)で精製し、下記構造式（ｏ）で表される淡黄色液体の中間体（Ｍ−１４）１．５７７ｇを得た。

【0436】

【化103】

【0437】

〈中間体（Ｍ−１５）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１４）１．５００、トリエチルアミン５０ｇ、４−ジメチルアミノピリジン０．１４０ｇ、塩化メチレン５０ｇを加えた。フラスコを氷浴に漬けて０℃に冷却し、塩化メタクリロイル０．４７９ｇを５分間かけて滴下した。滴下終了後、氷浴を外し、混合物を室温で６時間攪拌した。^１Ｈ−ＮＭＲにて出発物質の消失を確認した後、イオン交換水５０ｇを加えて反応を停止させた。クロロホルム３０ｇで生成物を抽出し、飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した後、減圧条件下で溶剤を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：酢酸エチル＝１９：１）で精製し、ロータリーエバポレーターで溶剤を留去して下記構造式（ｐ）で表される中間体（Ｍ−１５）１．０４７ｇを得た。

【0438】

【化104】

【0439】

〈カリックスアレーン化合物（１３）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１５）１．０４７ｇ、テトラヒドロフラン３５．００ｇ、酢酸０．１３５ｇを入れて攪拌した。無色透明溶液。フラスコを氷浴に漬け、テトラブチルアンモニウムフルオリド（１ｍｏｌ/Ｌテトラヒドロフラン溶液）２．２５ｍｌを攪拌しながらゆっくり滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水を添加し、ついでクロロホルム３０ｇを加えた。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色透明液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させて、カリックスアレーン化合物（１３）０．５４８９ｇを得た。
実施例１４ カリックスアレーン化合物（１４）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）７．０００）、フェノチアジン０．００５ｇ、Ｎ-メチルピロリドン１００．０ｇを入れて攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、水素化ナトリウム（流動パラフィン６０質量％分散体）２．３９７ｇをゆっくり添加した。２−ヒドロキシ−３−クロロプロピルメタクリレート１０．７１ｇを入れて攪拌した。９０℃まで加熱してフラスコ内を還流させ、４０時間撹拌した。フラスコ内は茶色透明溶液であった。室温まで冷却し、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した後、更にクロロホルムを添加した。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ３に調整した。クロロホルム３０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体にヘキサンおよびメタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて、カリックスアレーン化合物（１４）４．１５６ｇを得た。
実施例１５ カリックスアレーン化合物（１５）の製造
〈中間体（Ｍ−１６）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−４）３．００ｇ、テトラヒドロフラン２９．２４ｇ、エタノール２４．９３ｇ、水酸化カリウム１．２１ｇを加え、還流条件下で６時間撹拌した。フラスコ内は白色懸濁液であった。室温まで冷却し、イオン交換水とクロロホルムを加えた。フラスコを氷浴に漬け、６Ｎ塩酸を加えてｐＨ１に調整した。クロロホルム５０ｇを加えて反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、乳白色固体を得た。得られた乳白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｑ）で表される中間体（Ｍ−１６）２．１６ｇを得た。

【0440】

【化105】

【0441】

〈カリックスアレーン化合物（１５）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−１６）１．０００ｇ、テトラブチルアンモニウムアイオダイド０．０５６０ｇ、１−メトキシ−２−プロパノール１３．５５ｇ、フェノチアジン０．００７ｇ、グリシジルメタクリレート４．２７０ｇを入れて攪拌した。９０℃で２０時間加熱撹拌した。フラスコ内は茶色透明溶液であった。室温まで冷却して混合溶液をビーカーに移し、１Ｎ塩酸及びクロロホルム３０ｇを加えた。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム３０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 のるまるヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１５）０．４３４ｇを得た。
実施例１６ カリックスアレーン化合物（１６）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）１１．００ｇ、テトラヒドロフラン７２．１１ｇ、トリフェニルホスフィン１２．６２ｇ、４−ヒドロキシブチルアクリルレート１７．３４ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は黄土色懸濁溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル８．９２ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は赤色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１６）８．２８ｇを得た。
実施例１７ カリックスアレーン化合物（１７）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．８２４ｇ、アクリル酸０．２２６ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６３５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１７）０．６２７ｇを得た。
実施例１８ カリックスアレーン化合物（１８）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．９０５．９ｇ、ヒドロキシエチルアクリルアミド０．３９８ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６９８ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１８）１．０１４ｇを得た。
実施例１９ カリックスアレーン化合物（１９）の製造
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（Ｍ−３）２．００ｇ、テトラヒドロフラン６．８０ｇ、トリフェニルホスフィン０．９０５．９ｇ、ヒドロキシエチルビニルエーテル０．３０４ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル０．６９８ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で６時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた橙色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（１９）０．７５６ｇを得た。
実施例２０ カリックスアレーン化合物（２０）の製造
〈中間体（Ｍ−１７）の製造〉
攪拌装置、温度計、滴下ロート、及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（１）８．２０５ｇ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３０．００ｇ、４９％水酸化ナトリウム水溶液１８．９４ｇを素早く仕込み、窒素フロー環境下、３００ｒｐｍで撹拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液になった。室温条件下、滴下ロートを用いて臭化アリル２８．０７ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後更に撹拌を続け、３０分後に乳白色の固体が析出しスラリー状になった。その後、更に２時間撹拌した。酢酸と純水をゆっくり加えて、反応を停止させた。桐山ロートで濾過し、得られた結晶をメタノールで洗浄した後、真空乾燥させて下記構造式（ｒ）で表される中間体（Ｍ−１７）７．７５ｇを得た。

【0442】

【化106】

【0443】

〈中間体（Ｍ−１８）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−１７）７．７５ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン２０．００ｇを仕込み、窒素フロー環境下、３００ｒｐｍで撹拌した。還流条件下で３時間撹拌を続けた。室温まで冷却し、反応混合物をビーカーに移して氷及びクロロホルム２０ｇを投入した。ビーカーを氷浴に漬け、３８％濃塩酸２５．００ｇをゆっくり添加した。ビーカー内は淡黄色透明溶液となった。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にクロロホルム２０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、白色結晶と淡緑色透明液体の混合物を得た。混合物にメタノールをゆっくり加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶をメタノールで洗浄した後、真空乾燥させて下記構造式（ｓ）で表される中間体（M−１８）７．４６１ｇを得た。

【0444】

【化107】

【0445】

〈中間体（M−１９）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−１８）５．０００ｇ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６２．５０ｇを入れ攪拌した。フラスコを氷浴に漬け、水素化ナトリウム（流動パラフィン６０質量％分散体）２．０５ｇをゆっくり添加した。１−ヨードドデカン１５．２０ｇを入れて攪拌した。６０℃まで加熱し還流条件下で１０時間撹拌した。フラスコ内は茶色透明溶液であった。室温まで冷却し、フラスコを氷浴に漬け、イオン交換水をゆっくり添加した。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ３に調整した。析出した固体を濾過し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた乳白色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｔ）で表される中間体（M−１９）６．７２２ｇを得た。

【0446】

【化108】

【0447】

〈中間体（M−２０）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−１９）５．０００ｇ、塩化メチレン１６．８８ｇ、炭酸水素ナトリウム２．００３ｇを仕込んだ。次いで、メタクロロ過安息香酸３．０１７ｇをゆっくり添加した。室温で９６時間攪拌した。フラスコ内は黄色溶液であった。反応混合物を分液ロートに移し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、クロロホルムを加え、有機層を分液した。次いで、有機層を１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再結晶させた。得られた橙色結晶を真空乾燥させて下記構造式（ｕ）で表される中間体（M−２０）３．３５１ｇを得た。

【0448】

【化109】

【0449】

〈カリックスアレーン化合物（２０）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−２０）２．００ｇ、トリフェニルホスフィン０．０２５７ｇ、トルエン１４．００ｇ、メタクリル酸０．５７３ｇを仕込み撹拌した。還流条件下で６時間撹拌した。室温まで冷却し、反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られたこげ茶色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（２０）１．２２７ｇを得た。
実施例２１ カリックスアレーン化合物（２１）の製造
〈中間体（M−２１）の製造〉
攪拌装置、滴下漏斗、温度計及び還流冷却管を取り付けた１Ｌ四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、水素化ナトリウム４．５０ｇを投入し、ヘキサンにてミネラルオイルを洗浄除去した。続いて、乾燥ＤＭＦ６０.００ｇと臭化ヘキシル１５．５０を加え、撹拌下、９０℃に加温した。そこへ、中間体（M−１）１０．００ｇを乾燥ＤＭＦ３０．００ｇに溶かした溶液を滴下漏斗にて添加し、添加終了後、更に２時間撹拌を続けた。室温まで冷却後、反応混合物を氷（１００ｇ）に投入し、濃塩酸を加え、水溶液を酸性にしたのち、ジクロロメタン２００ｇで２回抽出した。このクロロホルム溶液をｐＨが５以上になるまで水で洗浄し、更に、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。エバポレーターで溶媒を除去し、黄色液体を得た。この混合物にメタノールを撹拌しながら加え、固体を析出させた。この固体を濾取し、イソプロピルアルコールにて再結晶した。得られた白色結晶を真空乾燥し下記構造式（ｖ）で表される中間体（M−２１）１５．２０ｇを得た。

【0450】

【化110】

【0451】

〈中間体（M−２２）の製造〉
公知文献（Ｏｒｇａｎｉｃ ＆ Ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， １３， １７０８−１７２３； ２０１５）を参考にして、下記構造式（ｖ）で表される中間体（M−２１）１５．００ｇを用いて、２段階で下記構造式（ｘ）で表される中間体（M−２２）１２．２０ｇ、下記構造式（ｙ）で表される中間体（M−２３）１１．１０ｇを得た。

【0452】

【化111】

【0453】

〈カリックスアレーン化合物（２１）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−２３）２．００ｇ、トリエチルアミン１．０５ｇ、ジクロロメタン１０．００ｇを仕込み撹拌している中に、氷冷下メチルマロニルクロリド１．３６ｇを滴下し、７時間撹拌した。室温まで昇温し、イオン交換水をゆっくり添加した。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ３に調整した。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にジクロロメタン２０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、エバポレーターで溶媒を留去し、得られたこげ茶色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（M−２１）１．０３ｇを得た。
実施例２２ カリックスアレーン化合物（２２）の製造
〈カリックスアレーン化合物（２２）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−５）２．００ｇ、トリエチルアミン７．００ｇ、ジクロロメタン１０．００ｇを仕込み撹拌している中に、氷冷下メチルマロニルクロリド９．６０ｇを滴下し、６時間撹拌した。室温まで昇温し、イオン交換水をゆっくり添加した。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ３に調整した。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にジクロロメタン２０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、エバポレーターで溶媒を留去し、得られたこげ茶色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（２２）１．１７ｇを得た。
実施例２３ カリックスアレーン化合物（２３）の製造
〈カリックスアレーン化合物（２３）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−５）２．００ｇ、トリエチルアミン７．００ｇ、ジクロロメタン１０．００ｇを仕込み撹拌している中に、氷冷下クロログリオキシル酸メチル８．６０ｇを滴下し、６時間撹拌した。室温まで昇温し、イオン交換水をゆっくり添加した。１Ｎ塩酸を加えてｐＨ３に調整した。反応混合物を分液ロートに移し、有機層を分液した。水層にジクロロメタン２０ｇを加えて有機成分を抽出する操作を３回行い、抽出液を有機層と合わせた。有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、エバポレーターで溶媒を留去し、得られたこげ茶色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９０：１０）で精製し、真空乾燥させてカリックスアレーン化合物（２２）１．０３ｇを得た。
実施例２４ カリックスアレーン化合物（２４）の製造
〈カリックスアレーン化合物（２４）の製造〉
攪拌装置、温度計及び還流冷却管を取り付けた四つ口フラスコに、前記中間体（M−５）２．００ｇ、テトラヒドロフラン１０．００ｇ、トリフェニルホスフィン１．８５ｇ、２−シアノエタノール０．５００ｇを入れて攪拌した。フラスコ内は淡黄色透明溶液。フラスコを氷浴に漬け、アゾジカルボン酸ジイソプロピル１．４５ｇを３０分かけて滴下した。フラスコ内は淡黄色透明溶液であった。室温で１２時間攪拌した。反応溶液にヘキサンを加え、トリフェニルホスフィン等の副生成物を析出させて除去した。クロロホルムで生成物を抽出し、水及び飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムを加えて脱水し、濾過した。エバポレーターで溶媒を留去し、得られた赤色粘稠液体をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ノルマルヘキサン：アセトン＝９５：５）で精製し、淡黄色透明液体を得た。溶媒を留去し、クロロホルムに溶解させた後メタノールを加えて生成物を再沈殿させた。桐山ロートで濾過し、得られた白色結晶を真空乾燥させて、カリックスアレーン化合物（２４）２．０３ｇを得た。
（実施例２５）液晶組成物の調整
下記に示すとおりの化合物と混合比率で構成される組成物：

【0454】

【化112】

【0455】

に対して、下記の重合性化合物（Ｒ−１−０）を０．３重量％添加した組成物をＬＣ−１とした。

【0456】

【化113】

【0457】

ＬＣ−１のネマチック相−等方性液体相転移温度（ＴＮＩ）は７５℃、固体相−ネマチ
ック相転移温度（ＴＣＮ）は−３３℃、屈折率異方性（Δｎ）は０．１１、誘電率異方性
（Δε）は−２．８、回転粘性（γ１）は９８ｍＰａ・ｓであった。なお、屈折率異方性
（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）、及び回転粘性（γ１）は、いずれも２５℃における測
定結果である（以下、同様）。

【0458】

さらに、化合物（ｉ）に相当するカリックスアレーン化合物（１）

【0459】

【化114】

【0460】

をＬＣ−１ １００重量％に対して０．3重量％添加し、液晶組成物を調製した。
（実施例２６〜４５）
添加量０．3重量％のカリックスアレーン化合物（１）に代えて、下記化合物を表１に示す添加量でＬＣ−１に添加した以外は、実施例１と同様にして液晶組成物を調製した。
（実施例４６）
組成物ＬＣ−１に代えて、下記に示すとおりの化合物と混合比率で構成される組成物：

【0461】

【化115】

【0462】

に対して、上記の重合性化合物（Ｒ−１−０）を０．４重量％添加した組成物ＬＣ−２を用いた以外は、実施例１と同様にして液晶組成物を調製した。

【0463】

ＬＣ−２のＴ_ＮＩは８１℃、Ｔ_ＣＮは−５４℃、Δｎは０．１１、Δεは−３．０、γ_１は９５ｍＰａ・ｓであった。
（実施例４７〜６９）
実施例２５における添加量０．３重量％のカリックスアレーン化合物（１）に代えて、表１に示す添加化合物を表１に示す添加量でＬＣ−２に添加した以外は、実施例４６と同様にして液晶組成物を調製した。
（比較例１）
化合物（P−J−１）を用いなかった以外は、実施例１と同様にして液晶組成物を調製した。
（比較例２〜1４）
化合物カリックスアレーン化合物（１）を０．３重量％添加してことに代えて、下記化合物を表１に示す添加量でＬＣ−１またはＬＣ−２に添加した以外は、実施例１と同様にして液晶組成物を調製した。

【0464】

【化116】

【0465】

実施例及び比較例の各液晶組成物について、以下の評価試験を行った。各評価試験の結果を表１に示す。
（低温保存性の評価試験）
液晶組成物をメンブレンフィルター（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、ＰＴＦＥ １３ｍｍ−０．２μｍ）にてろ過を行い、真空減圧条件にて１５分間静置し溶存空気の除去を行った。これをアセトンにて洗浄し十分に乾燥させたバイアル瓶に０．５ｇ秤量し、−２５℃の環境下に１０日間静置した。その後、目視にて析出の有無を観察し、以下の２段階で判定した。

【0466】

Ａ：析出が確認できない。

【0467】

Ｄ：析出が確認できる。
（垂直配向性の評価試験）
透明な共通電極からなる透明電極層及びカラーフィルタ層を具備した配向膜を有さない第一の基板（共通電極基板）と、アクティブ素子により駆動される透明画素電極を有する画素電極層を有する配向膜を有さない第二の基板（画素電極基板）とを作製した。第一の基板上に液晶組成物を滴下し、第二の基板上で挟持し、シール材を常圧で１１０℃２時間の条件で硬化させ、セルギャップ３．２μｍの液晶セルを得た。このときの垂直配向性および滴下痕などの配向ムラを、偏光顕微鏡を用いて観察し、以下の４段階で評価した。

【0468】

Ａ：全面に渡り、均一に垂直配向
Ｂ：ごく僅かに配向欠陥が有るも許容できるレベル
Ｃ：配向欠陥が有り許容できないレベル
Ｄ：配向不良がかなり劣悪
（プレチルト角形成の評価試験）
上記（垂直配向性の評価試験）で使用した液晶セルに、１０Ｖ、１００Ｈｚの矩形交流波を印加しながら、高圧水銀ランプを用いて、３６５ｎｍにおける照度が１００ｍ／ｃｍ^２であるＵＶ光を２００秒間照射した。その後、白表示の安定性を、１０Ｖ、１００Ｈｚの矩形交流波を印加しながらセルに物理的な外力を加え、クロスニコルの状態で観察を行い、以下の４段階で評価した。

【0469】

Ａ：均一に配向
Ｂ：ごく僅かに配向欠陥が有るも許容できるレベル
Ｃ：配向欠陥が有り許容できないレベル
Ｄ：配向不良がかなり劣悪
（残存モノマー量の評価試験）
上記（プレチルト角形成の評価試験）にて使用したセルに、さらに、東芝ライテック社製のＵＶ蛍光ランプを６０分間照射した（３１３ｎｍにおける照度１．７ｍＷ／ｃｍ^２）後の、重合性化合物（Ｒ１−１−１）の残存量をＨＰＬＣにて定量し、残存モノマー量を決定した。モノマーの残存量に応じて、以下の４段階で評価した。

【0470】

Ａ：３００ｐｐｍ未満
Ｂ：３００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ未満。

【0471】

Ｃ：５００ｐｐｍ以上１５００ｐｐｍ未満
Ｄ：１５００ｐｐｍ以上
（応答特性の評価試験）
上記（プレチルト角形成の評価試験）にて使用したセルギャップ３．２μｍのセルに、さらに、東芝ライテック社製のＵＶ蛍光ランプを６０分間照射した（３１３ｎｍにおける照度１．７ｍＷ／ｃｍ^２）。これにより得られたセルに対して、応答速度を測定した。応答速度は、６ＶにおけるＶｏｆｆを、２５℃の温度条件で、ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社のＤＭＳ７０３を用いて測定した。応答特性を以下の４段階で評価した。

【0472】

Ａ：５ｍｓ未満
Ｂ：５ｍｓ以上１５ｍｓ未満
Ｃ：１５ｍｓ以上２５ｍｓ未満
Ｄ：２５ｍｓ以上

【0473】

【表5】

【0474】

【表6】

【図1】

【図2】