特許 6705455 導電性基板、導電性基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6705455

(24)【登録日】2020年5月18日

(45)【発行日】2020年6月3日

(54)【発明の名称】導電性基板、導電性基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20200525BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20200525BHJP

   B32B 7/023 20190101ALI20200525BHJP

   B32B 15/04 20060101ALI20200525BHJP

   H01B 5/14 20060101ALI20200525BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20200525BHJP

   C23C 14/02 20060101ALI20200525BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 495

   G06F3/041 660

   G06F3/044 122

   G06F3/044 127

   B32B7/023

   B32B15/04 A

   H01B5/14 A

   H01B13/00 503B

   H01B13/00 503D

   H01B5/14 B

   C23C14/02 A

【請求項の数】4

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2017-532529(P2017-532529)

(86)(22)【出願日】2016年7月27日

(86)【国際出願番号】JP2016072055

(87)【国際公開番号】WO2017022596

(87)【国際公開日】20170209

【審査請求日】2019年2月14日

(73)【特許権者】

【識別番号】000183303

【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】志賀 大樹

(72)【発明者】

【氏名】秦 宏樹

(72)【発明者】

【氏名】西山 芳英

(72)【発明者】

【氏名】須田 貴広

(72)【発明者】

【氏名】葉 裕洲

(72)【発明者】

【氏名】葉 宗和

(72)【発明者】

【氏名】胡 志明

(72)【発明者】

【氏名】有馬 弘信

【審査官】 佐伯 憲太郎

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−２２８９８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−２１９９６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１６／０１７７７３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１６−８５５９８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

Ｂ３２Ｂ ７／０２３

Ｂ３２Ｂ １５／０４

Ｃ２３Ｃ １４／０２

Ｈ０１Ｂ ５／１４

Ｈ０１Ｂ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
金属層上に形成され、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有する保護層と、
前記保護層上に形成された黒化層と、を有する導電性基板。

【請求項2】

前記保護層は、ベンゾトリアゾール系化合物を含有する請求項１に記載の導電性基板。

【請求項3】

透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層上に硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有する保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層上に黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有する導電性基板の製造方法。

【請求項4】

前記保護層は、ベンゾトリアゾール系化合物を含有する請求項３に記載の導電性基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電性基板、導電性基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。

【0003】

そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。

【0004】

近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。

【0005】

このため、例えば特許文献２、３に開示されているように導電層としてＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば導電層として銅等の金属箔により構成される金属層を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

【0006】

そこで、銅等の金属箔により構成される金属層と共に、金属層の上面に金属層表面での光の反射を抑制できる材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】日本国特開２００３−１５１３５８号公報

【特許文献2】日本国特開２０１１−０１８１９４号公報

【特許文献3】日本国特開２０１３−０６９２６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら金属層の上面に黒化層を形成した場合に金属層と黒化層との密着性が十分ではなく、金属層や黒化層をパターニングする際に黒化層が剥離する場合があるという問題があった。

【0009】

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、黒化層が剥離することを抑制した導電性基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
金属層上に形成され、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有する保護層と、
前記保護層上に形成された黒化層と、を有する導電性基板を提供する。

【発明の効果】

【0011】

本発明の一側面によれば、黒化層が剥離することを抑制した導電性基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1A】従来の導電性基板において黒化層が剥離するメカニズムの説明模式図。

【図1B】従来の導電性基板において黒化層が剥離するメカニズムの説明模式図。

【図2A】本発明の実施形態に係る導電性基板の構成説明図。

【図2B】本発明の実施形態に係る導電性基板の構成説明図。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明の導電性基板、及び導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に形成され、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有する保護層と、保護層上に形成された黒化層と、を有することができる。

【0014】

なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、保護層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。金属層、保護層、及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。

【0015】

ここでまず、導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。

【0016】

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

【0017】

可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。

【0018】

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

【0019】

透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。

【0020】

なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。

【0021】

透明基材は第１の主平面と、第２の主平面とを有することができる。なお、ここでいう主平面とは透明基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第１の主平面と、第２の主平面とは１つの透明基材の中で対向して配置された面を意味する。第２の主平面は、１つの透明基材の中で、第１の主平面の反対側に位置する面ということもできる。

【0022】

次に、金属層について説明する。

【0023】

金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。

【0024】

透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。

【0025】

透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。

【0026】

例えば透明基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。

【0027】

また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。

【0028】

金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。

【0029】

ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。

【0030】

また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

【0031】

なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

【0032】

金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

【0033】

金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。

【0034】

また、本実施形態の導電性基板においては、後述する保護層を配置することにより、パターニングを行う際に黒化層が金属層から剥離することを抑制することができる。特に、保護層を介して金属層と黒化層との密着性をさらに高め、黒化層が剥離することをさらに抑制することができるように、金属層の保護層と対向する面の表面粗さＲａは０．０３μｍ以上０．０８μｍ以下であることが好ましい。

【0035】

なお、ここでの表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定されており、測定方法としては、例えば触針法もしくは光学的方法等により評価することができる。

【0036】

金属層の保護層と対向する面の表面粗さＲａを上述の範囲とする方法は特に限定されるものではなく、任意の方法を選択することができる。例えば成膜条件により粗面の金属層を形成する方法、または、平滑な金属層を成膜後、金属層の保護層と対向する面をサンドブラストや、マイクロ粗化エッチング等により粗化処理を施す方法により、所望の表面粗さＲａとすることができる。

【0037】

次に保護層について説明する。

【0038】

保護層は金属層上に形成することができ、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有することができる。

【0039】

本発明の発明者らは、従来の導電性基板において金属層や黒化層をパターニングする際に黒化層が剥離する原因について検討を行った。

【0040】

本発明の発明者らの検討によると、まず図１Ａに示すように、金属層１上に黒化層２を形成した従来の導電性基板においては、黒化層２に微細な孔３が含まれていた。そして、パターニングのため黒化層２の表面にエッチング液を供給した際、図１Ｂに示すように黒化層２に含まれる微細な孔３からエッチング液が金属層１表面まで浸透し金属層１表面が溶解して金属層１と黒化層２との間に隙間４が形成される場合があった。このため、金属層１と黒化層２とが接触する面積が小さくなり、金属層１と黒化層２との密着性が著しく低下し、金属層１から黒化層２が剥離する場合があったと考えられる。

【0041】

これに対して本実施形態の導電性基板においては、金属層と、黒化層との間に保護層を配置することにより、保護層を介して金属層と黒化層との密着性を図１Ａ、図１Ｂに示した従来の導電性基板の構成よりも高められていると考えられる。このため、金属層から黒化層が剥離することを抑制することが可能になる。

【0042】

保護層の材料としては特に限定されるものではなく、エッチングの際に、金属層から黒化層が剥離することを抑制できる材料であれば特に限定されることなく使用することができる。保護層の材料としては例えば、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を好ましく用いることができる。保護層は硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含むことが好ましく、上述の硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物から構成されていることがより好ましい。

【0043】

硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物としては限定されるものではないが例えば、ベンゾトリアゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、アミン類等を好ましく用いることができる。

【0044】

ベンゾトリアゾール系化合物としては例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾール（化学式１）や、１−［Ｎ,Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール（化学式２）、カルボキシベンゾトリアゾール（化学式３）、１−［Ｎ,Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール（化学式４）、２，２'−［［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］イミノ］ビスエタノール（化学式５）、１，２，３−ベンゾトリアゾールナトリウム塩水溶液（化学式６）、トリルトリアゾール（５−メチル１Ｈ−ベンゾトリアゾール）、トリルトリアゾールナトリウム塩等を好ましく用いることができる。

【0045】

【化1】

【0046】

【化2】

【0047】

【化3】

【0048】

【化4】

【0049】

【化5】

【0050】

【化6】

また、イミダゾール系化合物としては例えば、アルキルイミダゾールや、ベンゾイミダゾール、アリルフェニルイミダゾール等を好ましく用いることができる。

【0051】

特に、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物としてはベンゾトリアゾール系化合物をより好ましく用いることができる。すなわち、保護層はベンゾトリアゾール系化合物を含有することがより好ましい。

【0052】

次に黒化層について説明する。

【0053】

黒化層は、保護層の上面に形成することができる。

【0054】

黒化層の材料は特に限定されるものではなく、金属層表面における光の反射を抑制できる材料であれば好適に用いることができる。

【0055】

黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むことができる。

【0056】

なお、黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。

【0057】

黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができ、例えば乾式法、または湿式法により成膜することができる。

【0058】

黒化層を乾式法により成膜する場合、その具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。黒化層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

【0059】

反応性スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。黒化層が合金を含む場合には、黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。

【0060】

また、黒化層に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素が含まれる場合、これらは黒化層を成膜する際の雰囲気中に添加しておくことにより、黒化層中に添加することができる。例えば、黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、スパッタリングを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。黒化層を成膜する際の不活性ガス中にこれらのガスを添加することにより、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を黒化層中に添加することができる。なお、不活性ガスとしてはアルゴンを好ましく用いることができる。

【0061】

黒化層を湿式法により成膜する場合には、黒化層の材料に応じためっき液を用い、例えば電気めっき法により成膜することができる。

【0062】

黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。

【0063】

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

【0064】

本実施形態の導電性基板においては、黒化層を配置することにより、上述のように金属層表面における光の反射を抑制することができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性の低下を抑制することが可能になる。

【0065】

また、導電性基板は上述の透明基材、金属層、保護層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。

【0066】

密着層の構成例について説明する。

【0067】

上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。

【0068】

そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。

【0069】

透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。

【0070】

また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。

【0071】

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。

【0072】

密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むことができる。

【0073】

なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。

【0074】

密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

【0075】

密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。

【0076】

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。

【0077】

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。

【0078】

密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

【0079】

密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。

【0080】

密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

【0081】

次に、導電性基板の構成例について説明する。

【0082】

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、保護層と、黒化層と、を備え、透明基材上に、金属層、保護層、黒化層をその順で積層した構成とすることができる。

【0083】

具体的な構成例について、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

【0084】

例えば、図２Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に金属層１２と、保護層１３と、黒化層１４と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図２Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側と、第２の主平面１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、保護層１３Ａ、１３Ｂと、黒化層１４Ａ、１４Ｂを一層ずつその順に積層することもできる。

【0085】

本実施形態の導電性基板においては上述のように、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の上面に保護層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を介して黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）を配置している。このため、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の上面側からの光の反射を抑制することができる。また、保護層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を配置したため、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）が剥離することを抑制することができる。

【0086】

また、既述のように例えば透明基材１１と金属層１２との間には図示しない密着層を設けることもできる。なお、図２Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、透明基材１１と金属層１２Ａとの間、および／または透明基材１１と金属層１２Ｂとの間に密着層を設けることができる。密着層を設けることにより、透明基材１１と金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）との密着性を高めることができ、透明基材１１から金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）が剥離することを特に抑制することができる。また、密着層を設けることにより、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の黒化層を設けていない面についても光の反射を抑制することが可能になり好ましい。

【0087】

本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる、金属層、保護層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。金属層、保護層、及び黒化層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、保護層、及び黒化層は同じ形状にパターン化することが好ましい。

【0088】

なお、密着層を設けた場合、金属層、保護層、及び黒化層をパターン化する際、密着層についても所望の配線パターンにあわせてパターン化することができる。このため、密着層を設けた場合、密着層、金属層、保護層、及び黒化層を同じ形状にパターン化することが好ましい。

【0089】

上述のように、金属層等を所望の形状にパターニングすることができるが、この際形成するパターンは特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば導電性基板がメッシュ状の配線を有するようにパターンを形成することが好ましい。この場合、配線を構成する金属層を、所望のメッシュ状の配線を構成するようにパターニングすることができ、保護層、黒化層等も同様の形状にパターニングすることができる。

【0090】

メッシュ状の配線を有する導電性基板とする方法は特に限定されるものではない。

【0091】

例えば、図２Ａに示した導電性基板を用いてメッシュ状の配線を形成する場合、２枚の導電性基板を積層し、積層導電性基板とすることによりメッシュ状の配線を形成することができる。この場合、例えばまず各導電性基板について、直線状や、ジグザグ状等の複数の線状の配線パターンを、一方向に沿って、互いに離隔するように形成することができる。そして、２枚の導電性基板の積層方向上面側から見た場合に、一方の導電性基板に形成した配線パターンと、他方の導電性基板に形成した配線パターンとが、交差するように積層することにより、メッシュ状の配線パターンを構成することができる。なお、積層した導電性基板は例えば接着剤等により固定することができる。

【0092】

また、例えば図２Ｂにおいて、第１の主平面１１ａ側に形成した金属層１２Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成した金属層１２Ｂとをそれぞれ所定の形状にパターニングし、メッシュ状の配線を形成することもできる。この場合も金属層１２Ａ、１２Ｂの形状にあわせて、保護層１３Ａ、１３Ｂ、黒化層１４Ａ，１４Ｂ、場合によっては密着層もパターニングしておくことが好ましい。

【0093】

金属層等をパターニングする方法は特に限定されるものではなく、例えば、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）の上面に、形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置した後、エッチング処理を行うことによりパターニングできる。

【0094】

用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングする層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。

【0095】

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率（反射率）は３５％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率が３５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。

【0096】

反射率の測定は、黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）に光を照射するようにして測定を行うことができる。

【0097】

具体的には例えば図２Ａのように透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に金属層１２、保護層１３、黒化層１４の順に積層した場合、黒化層１４に光を照射するように、黒化層１４の表面１４ａ側から光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１４の表面１４ａに対して照射して正反射率を測定し、測定した値の平均値を該導電性基板の正反射率とすることができる。

【0098】

また、本実施形態の導電性基板の黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）の表面については、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系のうちの明度（Ｌ^＊）の数値が小さいことが好ましい。これは明度（Ｌ^＊）の数値が小さくなるほど黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）及び保護層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）が目立たなくなるためである。黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）の表面の明度（Ｌ^＊）は７０以下であることが好ましい。

【0099】

そして、本実施形態の導電性基板においては上述のように金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）を設けていることから、導電性基板の表面抵抗を小さくすることができる。表面抵抗は、０．２Ω／□未満であることが好ましく、０．１０Ω／□未満であることがより好ましい。表面抵抗の測定方法は特に限定されないが、例えば、４探針法により測定することができ、導電性基板の表面、例えば黒化層表面に探針が接触するようにして測定を行うことが好ましい。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。

【0100】

本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。
金属層上に硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含有する保護層を形成する保護層形成工程。
保護層上に黒化層を形成する黒化層形成工程。

【0101】

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について具体的に説明する。

【0102】

なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により上述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。

【0103】

金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。

【0104】

そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

【0105】

金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

【0106】

次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。

【0107】

次に、保護層形成工程について説明する。

【0108】

保護層形成工程においては、金属層上に保護層を形成することができる。

【0109】

既述のように、保護層は金属層や黒化層等をパターニングする際に、黒化層が金属層から剥離することを抑制することができる。

【0110】

保護層の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば保護層を構成する材料を含む溶液を金属層上に塗布、乾燥することにより形成することができる。

【0111】

金属層上に保護層を構成する材料を含む溶液を塗布する方法としては特に限定されるものではなく、任意の方法により塗布することができる。例えば、スプレーや浸漬により金属層上に保護層を構成する材料を含む溶液を塗布することができる。

【0112】

保護層の材料としては特に限定されるものではなく、エッチングの際に、金属層から黒化層が剥離することを抑制できる材料であれば特に限定されることなく使用することができる。保護層の材料としては例えば、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を好ましく用いることができる。保護層は硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物を含むことが好ましく、上述の硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物から構成されていることがより好ましい。

【0113】

硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物としては限定されるものではないが例えば、ベンゾトリアゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、アミン類等を好ましく用いることができる。特に、硫黄原子および／または窒素原子を含む有機化合物としてはベンゾトリアゾール系化合物をより好ましく用いることができる。すなわち、保護層はベンゾトリアゾール系化合物を含有することがより好ましい。保護層で好適に用いることができるベンゾトリアゾール系化合物等については既述のため、説明を省略する。

【0114】

次に、黒化層形成工程について説明する。

【0115】

黒化層形成工程において、黒化層を形成する方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができる。

【0116】

黒化層形成工程において黒化層を形成する際、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。特に、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

【0117】

また、既述のように黒化層は電気めっき法等の湿式法により成膜することもできる。

【0118】

本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。

【0119】

例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程で説明した金属薄膜層を成膜する基材とは、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材となる。

【0120】

密着層は例えば図２Ａにおいて、透明基材１１の一方の主平面である第１の主平面１１ａ上に形成することができる。また、図２Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａおよび／または第２の主平面１１ｂに密着層を形成することもできる。透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。

【0121】

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。

【0122】

密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素も添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

【0123】

なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。

【0124】

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。

【0125】

反応性スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。

【0126】

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。

【0127】

密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

【0128】

また、金属層の保護層を形成する面（金属層の保護層と対向する面）について所定の表面粗さＲａとなるように、金属層表面に加工する金属層表面加工工程を実施することもできる。

【0129】

具体的には例えば、金属層形成工程後、保護層形成工程を実施する前に、金属層の保護層を形成する面の表面粗さＲａを０．０３μｍ以上０．０８μｍ以下とする金属層表面加工工程を実施することができる。

【0130】

金属層の保護層を形成する面の表面粗さＲａを上述の範囲とする方法は特に限定されるものではなく、任意の方法を選択することができる。例えば成膜条件により粗面の金属層を形成する方法、または、平滑な金属層を成膜後、金属層の保護層と対向する面をサンドブラストや、マイクロ粗化エッチング等により粗化処理を施す方法を好ましく用いることができる。

【0131】

なお、図２Ｂに示したように透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂを形成した場合、金属層１２Ａ、及び金属層１２Ｂのうち、いずれか一方のみについて保護層を形成する面の表面を上述の表面粗さＲａとしてもよい。また、両方の金属層１２Ａ、１２Ｂについて、保護層１３Ａ、１３Ｂを形成する面の表面を上述の表面粗さＲａとしてもよい。

【0132】

本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、保護層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、保護層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、保護層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。

【0133】

このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、保護層及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、保護層、及び黒化層をパターニングする工程とすることができる。

【0134】

パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図２Ａのように透明基材１１上に金属層１２、保護層１３、黒化層１４が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１４上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施することができる。次いで、黒化層１４の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。

【0135】

エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、保護層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。

【0136】

また、図２Ｂのように透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂ、保護層１３Ａ、１３Ｂ、黒化層１４Ａ、１４Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１４Ａ、１４Ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層１４Ａ、１４Ｂの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。

【0137】

エッチング工程で形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図２Ａに示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように金属層１２、保護層１３、及び黒化層１４を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。

【0138】

また、図２Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、金属層１２Ａと、金属層１２Ｂとでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、保護層１３Ａ、及び黒化層１４Ａは、金属層１２Ａと同様の形状に、保護層１３Ｂ、及び黒化層１４Ｂは金属層１２Ｂと同様の形状になるようにそれぞれパターニングを行うことが好ましい。

【0139】

また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて金属層１２等をパターン化した後、パターン化した２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の金属層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。

【0140】

積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。

【0141】

以上の本実施形態の導電性基板の製造方法によれば、金属層と黒化層との間に保護層を設けた為、例えばパターニング工程において、金属層、及び黒化層をパターニングする際に黒化層が剥離することを抑制できる。

【0142】

さらに、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板については、金属層を有しているため、配線層にＩＴＯを使用した従来の導電性基板よりも電気抵抗を低くすることができる。また、黒化層を配置しているため、金属層表面における光の反射を抑制し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合にディスプレイの視認性が低下することを抑制することが可能になる。

【実施例】

【0143】

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。

【0144】

（表面抵抗）
低抵抗率計（株式会社ダイアインスツルメンツ製 型番：ロレスターＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて、以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の表面抵抗を測定した。測定は４探針法により行い、導電性基板を作製後、黒化層に探針が接触するようにして測定を行った。

【0145】

（正反射率）
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。

【0146】

以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面に対して、入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の正反射率とした。
（明度）
以下の実施例、比較例で作製した導電性基板の黒化層表面について、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２６００）により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して明度を測定した。
（表面粗さＲａ）
金属層形成工程後に、金属層のうち、保護層を形成する面について表面粗さＲａを測定した。なお、金属層表面加工工程を実施した場合には、金属層表面加工工程を実施した後に表面粗さＲａの測定を実施している。

【0147】

表面粗さＲａはレーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製 型式：ＶＫ９５００）を用いて測定を行った。
（黒化層の剥離試験）
作製した導電性基板について、エッチングを行う際に黒化層に剥離が生じるかを確認する試験を実施した。試験は、作製した導電性基板の黒化層表面の全面にエッチング液を噴射し、１０秒間放置した後洗浄し、黒化層の剥離の有無を評価した。

【0148】

黒化層が金属層から全く剥離しなかった場合には◎、一部剥離が見られた場合には〇、黒化層が金属層から完全に剥離した場合には×と評価した。

【0149】

なお、エッチング液としては、濃度が０．５ｍｏｌ／ｌの塩化第二銅水溶液を用いた。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
（密着層形成工程）
縦５００ｍｍ×横５００ｍｍ、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の主平面上に密着層を成膜した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。

【0150】

密着層形成工程では、Ｎｉ−１７重量％Ｃｒ合金のターゲットを装着したスパッタリング装置により、密着層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｒ合金層を成膜した。以下に密着層の成膜手順について説明する。

【0151】

予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述の透明基材を、スパッタリング装置のチャンバー内に設置した。

【0152】

次に、チャンバー内を１×１０^−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。なお、この際チャンバー内の雰囲気は体積比で３０％が酸素、残部がアルゴンとしている。

【0153】

そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の主平面上に密着層を厚さが２０ｎｍになるように成膜した。
（金属層形成工程）
金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。

【0154】

まず、金属薄膜層形成工程について説明する。

【0155】

金属薄膜層形成工程では、基材として密着層形成工程で透明基材上に密着層を成膜したものを用い、密着層上に金属薄膜層として銅薄膜層を形成した。

【0156】

金属薄膜層は、銅のターゲットを用いた点と、基材をセットしたチャンバー内を排気した後、アルゴンガスを供給してアルゴン雰囲気とした点以外は、密着層の場合と同様にしてスパッタリング装置により成膜した。

【0157】

金属薄膜層である銅薄膜層は膜厚が１５０ｎｍとなるように成膜した。

【0158】

次に、金属めっき層形成工程においては、金属めっき層として銅めっき層を形成した。銅めっき層は、電気めっき法により銅めっき層の厚さが２．０μｍになるように成膜した。

【0159】

金属層形成工程を終えた後、すなわち銅めっき層を形成後、保護層を形成する面について表面粗さＲａを測定したところ、０．０４μｍであることが確認できた。
（保護層形成工程）
保護層形成工程では、透明基材上に、密着層と、金属層とが形成された積層体の金属層上に保護層を形成した。

【0160】

保護層形成工程ではまず、上述の積層体を１，２，３−ベンゾトリアゾール溶液に８秒間浸漬した。そして、金属層の上面（金属層の密着層と対向する面と反対側の面）以外に付着した溶液を除去した後、乾燥することで、金属層上に保護層を形成した。
（黒化層形成工程）
黒化層形成工程では、保護層形成工程で形成した保護層上に、スパッタリング法により黒化層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ層を形成した。

【0161】

黒化層形成工程では、Ｎｉ−３５重量％Ｃｕ合金のターゲットを装着したスパッタリング装置により、黒化層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金層を成膜した。以下に黒化層の成膜手順について説明する。

【0162】

まず、透明基材上に、密着層と、金属層と、保護層と、を積層した積層体をスパッタリング装置のチャンバー内にセットした。

【0163】

次にチャンバー内を１×１０^−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。なお、この際チャンバー内の雰囲気は体積比で３０％が酸素、残部がアルゴンとしている。

【0164】

そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、保護層上に厚さ３０ｎｍになるように黒化層を成膜した。

【0165】

以上の工程により、金属層の上面、すなわち、金属層の密着層と対向する面と反対側の面に保護層を介して黒化層を形成し、透明基材上に、密着層、金属層、保護層、黒化層がその順で積層された導電性基板が得られた。

【0166】

得られた導電性基板について、上述の表面抵抗、正反射率、明度、黒化層の剥離試験を評価した。

【0167】

表面抵抗は、０．０５００Ω／□、正反射率は２０．８０％、明度（Ｌ^＊）は５３．００であることが確認できた。

【0168】

また、黒化層の剥離試験を行ったところ、ごく一部に剥離が見られたが、黒化層はほとんど剥離しないことを確認できた。このため、評価は〇となった。
［実施例２］
金属層形成工程後、保護層形成工程前に、金属層表面加工工程として金属層の表面の粗化処理を実施した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。

【0169】

金属層表面加工工程は、金属層形成工程後に実施し、マイクロ粗化エッチングにより金属層表面を処理した。

【0170】

金属層表面加工工程実施後に保護層を形成する面について表面粗さＲａを測定したところ、０．０６μｍであることが確認できた。

【0171】

その後、実施例１と同様にして、保護層形成工程、黒化層形成工程を実施し、導電性基板を作製した。

【0172】

得られた導電性基板について実施例１と同様に評価を行ったところ、表面抵抗は、０．０５００Ω／□、正反射率は２０．８０％、明度（Ｌ^＊）は５３．００であることが確認できた。

【0173】

また、黒化層の剥離試験を行ったところ、剥離が生じないことを確認できた。このため、評価は◎となった。
［比較例１］
保護層形成工程を実施しなかった点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。

【0174】

すなわち得られた導電性基板は透明基材上に密着層、金属層、黒化層がその順で積層された構成を有している。

【0175】

なお、金属層形成工程を終えた後、すなわち銅めっき層を形成後、黒化層を形成する面について表面粗さＲａを測定したところ実施例１の場合と同様の値になっていることが確認できた。

【0176】

得られた導電性基板について実施例１と同様に評価を行ったところ、表面抵抗は、０．０５００Ω／□、正反射率は２０．８０％、明度（Ｌ^＊）は５３．００であることが確認できた。

【0177】

しかしながら、黒化層の剥離試験を行ったところ、黒化層は金属層から完全に剥離することが確認できた。このため、評価は×となった。

【0178】

以上に導電性基板、導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

【0179】

本出願は、２０１５年７月３１日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−１５２８９１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−１５２８９１号の全内容を本国際出願に援用する。

【符号の説明】

【0180】

１０Ａ、１０Ｂ 導電性基板
１１ 透明基材
１、１２、１２Ａ、１２Ｂ 金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ 保護層
２、１４、１４Ａ、１４Ｂ 黒化層

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】