【図1】放射線源と、照明光学アセンブリと、投影光学アセンブリとを含むＥＵＶマイクロリソグラフィのための投影露光装置を非常に概略的に示す子午断面図である。

【図2】図１に記載の照明光学アセンブリ内で中間フォーカスから物体平面に配置されたレチクルまで続く照明放射線の代表的な個々の光線のビーム経路を略示する類似の子午断面図である。

【図3】図２に記載の照明チャネルのうちの１つのビーム経路からの拡大抜粋分を示す概略図である。

【図4】第１のファセットの個々のミラーの変位後の図３に記載の図である。

【図5】図３に記載のビーム経路の場合の第２のファセットのうちの１つの領域内の強度分布の概略図である。

【図6】図４に記載のビーム経路に関して対応する図である。

【図7】図５に記載の強度分布の場合の第２のファセットの個々のミラーの各々に関する正規化電力密度の図である。

【図8】図６に記載の強度分布に関して対応する図である。

【図9】予め定められた伝達率の関数としての吸収電力密度の達成可能な低減（ｙ軸）とプラズマ像サイズ（ｘ軸）の間の関係の例示的な図解のための概略図である。

【図10】より大きい仮想の第２のファセットの場合の図９に記載の図である。

【図11】異なる形状を有する個々のファセットへの２４×２４個のマイクロミラーを有するモジュール式マルチミラー要素の再分割を示す概略図である。

【図12】図１１に記載の仮想の第２のファセットの分類に対するｙ二重極照明設定の極の一方の概略図である。

【図13】第１のファセットの個々のミラーの有利な傾斜を説明するための図４に対応する概略図である。