特許 6773457 静電チャックシート及びウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6773457

(24)【登録日】2020年10月5日

(45)【発行日】2020年10月21日

(54)【発明の名称】静電チャックシート及びウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20201012BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20201012BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20201012BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 M

   H01L21/78 B

   H01L21/78 X

   H01L21/78 V

   H01L21/68 R

   H02N13/00 D

【請求項の数】3

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2016-113715(P2016-113715)

(22)【出願日】2016年6月7日

(65)【公開番号】特開2017-220557(P2017-220557A)

(43)【公開日】2017年12月14日

【審査請求日】2019年4月24日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松崎 栄

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 祝子

【審査官】 宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−２５１４１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０７９８６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１８−５１８８４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１６６００２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２４５１０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−３２６１７０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

伸縮性のあるベースシートと、
該ベースシートの上面に形成された電極回路と、
該ベースシートの上面及び該電極回路を覆いウエーハを載置する保持面を構成する非導電性樹脂層と、
該電極回路に接続する給電端子部と、を備え、
該電極回路は、該給電端子部と接続する幹部と、該幹部から複数に別れ波型に延出する枝部と、からなり、
波型の該枝部は正極と負極が互い違いに配置され、
伸縮性のあることを特徴とする静電チャックシート。

【請求項2】

表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
請求項１記載の静電チャックシートで保持したウエーハにレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップの後、ウエーハを保持したまま該静電チャックシートを拡張し、該改質層に沿ってウエーハを破断し複数のデバイスチップに分割する拡張ステップと、を備えるウエーハの加工方法。

【請求項3】

該拡張ステップの後、該静電チャックシートの拡張を維持し、隣接する該デバイスチップの間隔が空いたウエーハの露出した面にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップを備える請求項２に記載のウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、静電チャックシート及びウエーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体回路、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）構造やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などが分割予定ラインによって区画された領域に形成されたウエーハにレーザー光線を照射し、形成した改質層に沿って破断する加工方法が知られている（特許文献１及び特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５−３３２８４１号公報

【特許文献2】特開２００４−３４９６２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ウエーハの破断には、ウエーハを貼着したダイシングテープを拡張することでウエーハに外力を付与して破断する方法があり、この工程では、必ずウエーハの径より大きいダイシングテープにウエーハを貼着しておく必要がある。とくに、ウエーハに改質層を形成後薄化して、薄化による外力で改質層から亀裂を伸展させてウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法では、分割後、チップ間の距離を空けてからピックアップするピックアップ装置に投入するためや、ＤＡＦ（Die Attach Film）テープを貼着するために、ウエーハより径の大きいテープに張り替え、拡張する工程が発生する。この張り替え作業では、すでにチップに破断しているため、作業中にチップ同士が擦れて破損したりする恐れがある。

【0005】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハの破損リスクを抑えたウエーハの加工を可能にする静電チャックシート及びウエーハの加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の静電チャックシートは、伸縮性のあるベースシートと、該ベースシートの上面に形成された電極回路と、該ベースシートの上面及び該電極回路を覆いウエーハを載置する保持面を構成する非導電性樹脂層と、該電極回路に接続する給電端子部と、を備え、該電極回路は、該給電端子部と接続する幹部と、該幹部から複数に別れ波型に延出する枝部と、からなり、波型の該枝部は正極と負極が互い違いに配置され、伸縮性のあることを特徴とする。

【0009】

本発明のウエーハの加工方法は、表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、前記静電チャックシートで保持したウエーハにレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの後、ウエーハを保持したまま該静電チャックシートを拡張し、該改質層に沿ってウエーハを破断し複数のデバイスチップに分割する拡張ステップと、を備えることを特徴とする。

【0010】

ウエーハの加工方法は、該拡張ステップの後、該静電チャックシートの拡張を維持し、隣接する該デバイスチップの間隔が空いたウエーハの露出した面にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップを備えることができる。

【発明の効果】

【0011】

そこで、本願発明の静電チャックシートは、ウエーハの破損リスクを抑えたウエーハの加工を可能にするという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態１に係る静電チャックシートの平面図である。

【図2】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】図３は、図１に示された静電チャックシートに保持されるウエーハの斜視図である。

【図4】図４は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法のベースシート準備ステップを示す断面図である。

【図5】図５は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の電極形成ステップを示す断面図である。

【図6】図６は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の非導電性樹脂層形成ステップを示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の改質層形成ステップを示す側断面図である。

【図8】図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す側断面図である。

【図9】図９は、図８に示す搬送用のフレーム等を示す斜視図である。

【図10】図１０は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す側断面図である。

【図11】図１１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す平面図である。

【図12】図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す斜視図である。

【図13】図１３は、本発明の実施形態３に係る静電チャックシートの平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0014】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る静電チャックシート１及びウエーハＷの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る静電チャックシートの平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１に示された静電チャックシートに保持されるウエーハの斜視図である。

【0015】

実施形態１に係る静電チャックシート１は、図３に示すウエーハＷを保持するものである。ウエーハＷは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図３に示すように、表面ＷＳの交差する複数の分割予定ラインＳによって区画された各領域にデバイスＤが形成されている。デバイスＤとして、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems：微少電気機械システム）等が、各領域に形成される。

【0016】

実施形態１に係る静電チャックシート１の平面形状は、図１に示すように、四角形に形成されている。静電チャックシート１は、伸縮性のあるシート状に形成されている。静電チャックシート１は、図２に示すように、伸縮性のあるベースシート２と、電極回路３と、非導電性樹脂層４と、電極回路３に接続する給電端子部５とを備える。

【0017】

ベースシート２は、ゴム、合成樹脂又は布から構成されている。ベースシート２は、合成樹脂により構成される際には、ポリイミド（Polyimide）又はポリオレフィン（Polyolefin）により構成されるのが望ましい。ベースシート２は、平面形状が四角形のシート状に形成されている。ベースシート２は、ベースシート２の表面に沿って伸縮自在である。ベースシート２の厚さは、１００μｍ〜８００μｍ程度であり、１００μｍ〜３００μｍ程度であるのが望ましい。

【0018】

給電端子部５は、ベースシート２の上面に形成されている。給電端子部５は、図１に示すように、正極給電端子部５ａと、負極給電端子部５ｂとを備える。正極給電端子部５ａと、負極給電端子部５ｂとは、互いの間にベースシート２の中心を挟む外縁部１ａ，１ｂに設けられている。実施形態１において、正極給電端子部５ａと負極給電端子部５ｂとは、それぞれ、ベースシート２の外縁部１ａ，１ｂの中央に配置されている。正極給電端子部５ａと負極給電端子部５ｂとは、それぞれ、導電性の金属により構成されている。正極給電端子部５ａは、プラスの電圧が印加され、負極給電端子部５ｂは、マイナスの電圧が印加される。

【0019】

電極回路３は、ベースシート２の上面に形成されている。電極回路３は、正極電極回路３ａと、負極電極回路３ｂとを備える。正極電極回路３ａは、正極給電端子部５ａに接続され、負極電極回路３ｂは、負極給電端子部５ｂに接続されている。正極電極回路３ａは、金属により構成され、かつ、正極給電端子部５ａと接続する幹部７ａと、幹部７ａから複数に別れ波型に延出する枝部６ａと、を備える。幹部７ａは、正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａと平行に直線状に形成されている。枝部６ａは、正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａから負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂに向かって延びている。枝部６ａは、外縁部１ａ，１ｂの間に複数設けられている。枝部６ａは、外縁部１ａから外縁部１ｂに向かうにしたがって左右に交互に蛇行する波型に形成されている。

【0020】

負極電極回路３ｂは、金属により構成され、かつ、負極給電端子部５ｂと接続する幹部７ｂと、幹部７ｂから複数に別れ波型に延出する枝部６ｂと、を備える。幹部７ｂは、負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂと平行に直線状に形成されている。枝部６ｂは、負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂから正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａに向かって延びている。枝部６ｂは、外縁部１ａ，１ｂの間に複数設けられている。枝部６ｂは、外縁部１ｂから外縁部１ａに向かうにしたがって左右に交互に蛇行する波型に形成されている。また、正極電極回路３ａの互いに隣り合う二本の枝部６ａの間に負極電極回路３ｂの一本の枝部６ｂが配置され、負極電極回路３ｂの互いに隣り合う二本の枝部６ｂの間に正極電極回路３ａの一本の枝部６ａが配置されている。こうして、電極回路３は、枝部６ａと枝部６ｂとが交互に配置されている。電極回路３の波型の枝部６ａ，６ｂは、正極電極回路３ａの枝部６ａと負極電極回路３ｂの枝部６ｂとが互い違いに配置されている。

【0021】

実施形態１において、互いに隣り合う電極回路３の波型の枝部６ａ，６ｂ間の間隔は、０．１ｍｍ以上でかつ５．０ｍｍ以下であるのが望ましく、０，５ｍｍ以上でかつ２，０ｍｍ以下であるのがさらに望ましい。また、電極回路３の枝部６ａ，６ｂは、波型に形成されて、伸縮性を有する。実施形態１において、枝部６ａ，６ｂは、波型に形成されているが、波型に限らず、鋸刃状に形成されても良い。また、給電端子部５と電極回路３は、銅ペースト又は銀ペーストにより構成されるのが望ましく、厚さが３μｍ〜３０μｍに形成されるのが望ましい。

【0022】

非導電性樹脂層４は、非導電性でかつ伸縮性のある材料で構成されている。非導電性樹脂層４は、ベースシート２の上面及び電極回路３を覆いウエーハＷを載置する保持面４ａを構成する。非導電性樹脂層４は、各給電端子部５を露出させる切欠き４ｂが形成されている。切欠き４ｂは、各給電端子部５の全体又は一部を露出させる。非導電性樹脂層４は、帝国インキ製造（株）製のＵＶ（Ultraviolet）型クリアーインキにより構成されるのが望ましく、厚さが２０μｍ〜２００μｍに形成されるのが望ましい。

【0023】

静電チャックシート１は、非導電性樹脂層４の保持面４ａ上にウエーハＷが載置され、正極給電端子部５ａから正極電極回路３ａにプラスの電圧が印加され、負極給電端子部５ｂから負極電極回路３ｂにマイナスの電圧が印加されることにより、枝部６ａ，６ｂ間に発生した力によってウエーハＷを吸着保持する。なお、実施形態１において、給電端子部５ａ，５ｂから電極回路３ａ，３ｂに印加される電圧は、１０００Ｖ以上でかつ２０００Ｖ以下であるのが望ましい。

【0024】

次に、静電チャックシート１の製造方法を図面に基づいて説明する。図４は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法のベースシート準備ステップを示す断面図である。図５は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の電極形成ステップを示す断面図である。図６は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の非導電性樹脂層形成ステップを示す断面図である。

【0025】

静電チャックシート１を製造する際には、まず、ベースシート準備ステップにおいて、図４に示すように、ベースシート２を準備する。その後、電極形成ステップにおいて、図５に示すように、スクリーン印刷又はインクジェット方式の印刷によりベースシート２の上面に給電端子部５及び電極回路３を形成する。そして、非導電性樹脂層形成ステップにおいて、図６に示すように、切欠き４ｂを除いて、帝国インキ製造（株）製のＵＶ（Ultraviolet）型クリアーインキをベースシート２の上面及び電極回路３上にスキージを用いて塗り広げる、又は、スピンコートにより塗布して、非導電性樹脂層４を形成する。

【0026】

次に、静電チャックシート１を用いたウエーハＷの加工方法を図面に基づいて説明する。図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の改質層形成ステップを示す側断面図である。図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す側断面図である。図９は、図８に示す搬送用のフレーム等を示す斜視図である。図１０は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す側断面図である。図１１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す平面図である。

【0027】

ウエーハＷの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図３に示すウエーハＷを加工する方法であって、ウエーハＷにレーザー光線Ｌ（図７に示す）を照射して内部に改質層Ｋ（図７等に示す）を形成して個々のデバイスチップＤＴ（図８等に示す）に分割する方法である。である。デバイスチップＤＴは、デバイスＤを含む。なお、改質層Ｋとは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。

【0028】

加工方法は、改質層形成ステップと、拡張ステップと、テープ貼着ステップとを備える。改質層形成ステップは、静電チャックシート１で保持したウエーハＷにレーザー光線Ｌを照射し、ウエーハＷの内部に分割予定ラインＳに沿った改質層Ｋを形成するステップである。改質層形成ステップは、図７に示すように、レーザー加工装置１０のチャックテーブル１１のポーラス状の保持面１１ａ上に静電チャックシート１のベースシート２を載置し、静電チャックシート１の非導電性樹脂層４の保持面４ａ上にウエーハＷの表面ＷＳを載置する。チャックテーブル１１に切換え弁１２を介して接続された真空吸引源１３の吸引力を保持面１１ａに作用させて、静電チャックシート１を吸引し、静電チャックシート１を介してウエーハＷの表面ＷＳ側をチャックテーブル１１の保持面１１ａに吸引保持する。

【0029】

また、チャックテーブル１１の給電端子部１１ａ，１１ｂを給電端子部５ａ，５ｂに接続し、電極回路３ａ，３ｂに所定の電圧を印加し、静電チャックシート１にウエーハＷを吸引保持する。

【0030】

そして、レーザー加工装置１０の図示しない撮像手段が取得した画像に基いて、アライメントを遂行する。その後、チャックテーブル１１とレーザー光線照射手段１４とを相対的に移動手段により移動させながら、図７に示すように、チャックテーブル１１に保持されたウエーハＷの裏面ＷＲからウエーハＷに対して透過性を有する波長（例えば、１０６４ｎｍ）のレーザー光線ＬをウエーハＷの内部に集光点を合わせて分割予定ラインＳに沿って照射する。そして、分割予定ラインＳに沿った改質層ＫをウエーハＷ内部に形成する。そして、拡張ステップに進む。

【0031】

拡張ステップは、改質層形成ステップの後、ウエーハＷを保持したまま静電チャックシート１を拡張し、改質層Ｋに沿ってウエーハＷを破断し複数のデバイスチップＤＴに分割するステップである。拡張ステップは、ウエーハＷを囲繞する環状のフレーム３０をウエーハＷの外周に位置付けつつ環状のフレーム３０により、静電チャックシート１をチャックテーブル１１の保持面１１ａに押圧しつつ（リーク防止のため）、切換え弁１２を切り換えてチャックテーブル１１に切換え弁１２を介して接続されたエアー供給源１５の加圧された気体を保持面１１ａから噴出にさせて、伸縮性により、図８に示すように、静電チャックシート１を球面状に膨らます。静電チャックシート１が、拡張されると、静電チャックシート１が球面状となり、ウエーハＷに半径方向に拡大する外力を付与して、分割予定ラインＳに沿って形成された改質層Ｋに張力を作用させる。そして、改質層Ｋを起点に、ウエーハＷは、分割予定ラインＳに沿って個々のデバイスチップＤＴに破断分割され、デバイスチップＤＴ同士は、互いに離れる。そして、テープ貼着ステップに進む。

【0032】

拡張ステップからテープ貼着ステップに進む際は、ウエーハＷをレーザー加工装置１０から図１０，１１に示すテープ貼着装置２０に搬送する。このとき、レーザー加工装置１０が、静電チャックシート１を膨らました状態で、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに搬送用のフレーム３１を載置する。実施形態１において。搬送用のフレーム３１は、図９に示すように、静電チャックシート１の各外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに対応して４つ設けられている。

【0033】

搬送用のフレーム３１は、四角柱に形成され、図示しない搬送装置の搬送アームに取り付けられている。搬送用のフレーム３１は、吸引源３２からの吸引力により静電チャックシート１の非導電性樹脂層４を吸引保持する。また、４本の搬送用のフレーム３１のうち給電端子部５に重なる２本の搬送用のフレーム３１ａは、給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂに所定の電圧を印加可能な電源３３が接続している。

【0034】

搬送用のフレーム３１は、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに載置された後、静電チャックシート１の非導電性樹脂層４を吸引保持する。そして、レーザー加工装置１０の給電端子部１１ａ，１１ｂからの給電端子部５ａ，５ｂを介した電極回路３ａ，３ｂへの所定の電力の印加を停止するとともに、２本の搬送用のフレーム３１ａに接続した電源３３から給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂへの所定の電力の印加を開始する。こうして、搬送装置が、静電チャックシート１にデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷを吸引保持した状態で搬送可能となる。

【0035】

搬送装置は、ウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１をレーザー加工装置１０のチャックテーブル１１から取り外す。搬送用のフレーム３１同士を若干離して、デバイスチップＤＴ間の間隔を維持することもできる。搬送装置は、テープ貼着装置２０のチャックテーブル２１のポーラス状の保持面２１ａ上にデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１を載置し、テープ貼着ステップを実行する。

【0036】

テープ貼着ステップは、拡張ステップの後、静電チャックシート１の拡張を維持し、隣接するデバイスチップＤＴの間隔が空いたウエーハＷの露出した面である裏面ＷＲにダイシングテープＴを貼着するステップである。テープ貼着ステップは、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂをチャックテーブル２１のクランプ２２でクランプして、静電チャックシート１の拡張を維持する。チャックテーブル２１に切換え弁２３を介して接続された真空吸引源２４の吸引力を保持面２１ａに作用させて、静電チャックシート１を吸引し、静電チャックシート１を介してウエーハＷの表面ＷＳ側をチャックテーブル１１の保持面１１ａに吸引保持する。

【0037】

その後、搬送装置の搬送用のフレーム３１の吸引保持を停止し、２本の搬送用のフレーム３１ａに接続した電源３３から給電端子部５ａ，５ｂを介した電圧の印加を停止するとともに、チャックテーブル２０のクランプ２２から給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂに所定の電力を印加して、搬送装置をテープ貼着装置２０から退避させる。図１０及び図１１に示すように、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに環状のリングレームＦを重ねて、テープ貼着装置２０の貼着ユニット２５を用いて、ダイシングテープＴをデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷの裏面ＷＲとリングレームＦとに貼着する。ダイシングテープＴの貼着が完了すると、電極回路３ａ，３ｂへの印加を停止して、ダイシングテープＴを貼着したウエーハＷを次工程に搬送する。

【0038】

以上のように、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。

【0039】

また、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、電極回路３ａ，３ｂの枝部６ａ，６ｂ間に発生した力によりウエーハＷを保持するので、粘着テープにウエーハＷを保持する場合に比べて、デバイスＤの表面に粘着層が貼着されないので糊残りがない、という効果がある。特に、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、電極バンプが配設されたウエーハＷの表面ＷＳを静電チャックシート１の保持面４ａに固定させる場合、凹凸である電極バンプを粘着テープに固定すると粘着層の糊が電極バンプに残ってしまうという課題に対し有効である。

【0040】

また、実施形態１に係る静電チャックシート１は、電極回路３ａ，３ｂの枝部６ａ，６ｂが波型に形成されているので、電極回路３が破損することなく伸縮することができる。実施形態１に係る静電チャックシート１は、ベースシート２がゴム、合成樹脂又は布から構成されているので、伸縮自在となる。

【0041】

また、実施形態１に係る加工方法は、改質層形成ステップの後に、ウエーハＷを保持したまま静電チャックシート１を拡張してデバイスチップＤＴに分割する拡張ステップを備えるので、ウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。

【0042】

また、実施形態１に係る加工方法は、拡張ステップの後に、デバイスチップＤＴ同士が間隔を空けたウエーハＷの裏面ＷＲにダイシングテープＴを貼着するテープ貼着ステップを備えるので、分割後にデバイスチップＤＴ同士が擦れることを抑制することができる。

【0043】

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基いて説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す斜視図である。図１２において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

【0044】

実施形態２に係るウエーハＷの加工方法は、図１２に示すように、改質層形成ステップの後に、搬送装置の搬送用のフレーム３１からの給電によりウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１をバキュームによる吸引で保持する。実施形態２に係るウエーハＷの加工方法は、その後、搬送用のフレーム３１を互いに離れる方向に相対的に移動させて、静電チャックシート１を拡張し、ウエーハＷを複数のデバイスチップＤＴに分割する。

【0045】

実施形態２に係るウエーハＷの加工方法によれば、実施形態１と同様に、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。実施形態１及び実施形態２として、ダイシングテープＴに張り替えるステップを例示したが、本発明は、拡張ステップの後に静電チャックシート１でウエーハＷを保持したままデバイスチップＤＴをピックアップするピックアップ装置に搬入してもいい。特に、本発明は、デバイスＤがＭＥＭＳであるウエーハＷの場合、改質層形成ステップでＭＥＭＳの表面が露出しており、ダイシングテープＴに張り替えて表裏を反転する必要が無いため、拡張ステップの後にピックアップすることになる。その場合、繰り返し使用できる静電チャックシート１により、ダイシングテープＴなどの粘着テープという消耗品を使う必要が無くなり、製造コストを大幅に低減出来る。

【0046】

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係る静電チャックシートを図面に基いて説明する。図１３は、本発明の実施形態３に係る静電チャックシートの平面図である。図１３において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。

【0047】

実施形態３に係る静電チャックシート１は、図１３に示すように、複数の電極ブロック８を備える。各電極ブロック８は、給電端子部５と電極回路３とを備え、互いに独立して電極回路３に電力が印加可能な構成である。実施形態３において、静電チャックシート１は、電極ブロック８を４つ備えている。

【0048】

実施形態３に係る静電チャックシート１によれば、実施形態１と同様に、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。

【0049】

また、実施形態３に係る静電チャックシート１によれば、互いに独立した電極ブロック８を複数備えるので、分割後の大部分の電極ブロック８の電極回路３ａ，３ｂに電圧を印加して大部分のデバイスチップＤＴを吸着したまま、一部の電極ブロック８の電極回路３ａ，３ｂの電圧の印加を停止して、一部のデバイスチップＤＴを静電チャックシート１から取り外すことができる。

【0050】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0051】

１ 静電チャックシート
２ ベースシート
３ 電極回路
４ 非導電性樹脂層
４ａ 保持面
５ 給電端子部
６ａ，６ｂ 枝部
７ａ，７ｂ 幹部
Ｗ ウエーハ
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面（露出した面）
Ｄ デバイス
ＤＴ デバイスチップ
Ｌ レーザー光線
Ｋ 改質層
Ｔ ダイシングテープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】