特許 6784069 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6784069

(24)【登録日】2020年10月27日

(45)【発行日】2020年11月11日

(54)【発明の名称】液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子

(51)【国際特許分類】

   C07C 22/08 20060101AFI20201102BHJP

   C07C 43/225 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/06 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/12 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/18 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/20 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/30 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/32 20060101ALI20201102BHJP

   C09K 19/34 20060101ALI20201102BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20201102BHJP

   G02F 1/1337 20060101ALI20201102BHJP

【ＦＩ】

   C07C22/08CSP

   C07C43/225 C

   C09K19/06

   C09K19/12

   C09K19/18

   C09K19/20

   C09K19/30

   C09K19/32

   C09K19/34

   G02F1/13 500

   G02F1/1337 520

【請求項の数】11

【全頁数】68

(21)【出願番号】特願2016-118985(P2016-118985)

(22)【出願日】2016年6月15日

(65)【公開番号】特開2017-19767(P2017-19767A)

(43)【公開日】2017年1月26日

【審査請求日】2019年4月5日

(31)【優先権主張番号】特願2015-135918(P2015-135918)

(32)【優先日】2015年7月7日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】311002067

【氏名又は名称】ＪＮＣ株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】596032100

【氏名又は名称】ＪＮＣ石油化学株式会社

(72)【発明者】

【氏名】笹田 康幸

【審査官】 神谷 昌克

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−１５５７５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３０７１５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３１４３８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０７５６６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３７１０２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／１５９０５４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１１−０２６３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００４−５１３０６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−２８９１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−３２９６２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０４９６０８８４（ＵＳ，Ａ）

【文献】 特表２０１３−５１８９７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１７−５３８７５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特許第６４１３７９０（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 特許第６４１３６３２（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 Bulletin of the Chemical Society of Japan，１９８６年，Vol.59, No.2，pp.447-452

【文献】 Journal of Materials Chemistry，２００９年，Vol.19, No.39，pp.7208-7215

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０７Ｃ

Ｃ０９Ｋ

Ｇ０２Ｆ

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（１）で表される化合物。

式（１）において、
式（１ａ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルコキシであり；
Ｘは−ＣＦ_３、またはフッ素であり、Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、またはフッ素であり、Ｘがフッ素であるときは、Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、または−ＣＦＨ_２である。

【請求項2】

式（１ａ）で表される、請求項１に記載の化合物。

式（１ａ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルコキシであり；Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、またはフッ素である。

【請求項3】

式（１ａ）において、Ｒ^ａが炭素数１から１０のアルキルであり、Ｒ^ｂが炭素数２から１０のアルコキシであり；Ｙが−ＣＦ_３である、請求項２に記載の化合物。

【請求項4】

式（１ｂ）で表される、請求項１に記載の化合物。

式（１ｂ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルコキシであり；Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、または−ＣＦＨ_２である。

【請求項5】

式（１ｂ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂが炭素数２から１０のアルコキシであり；Ｙが−ＣＦ_３である、請求項４に記載の化合物。

【請求項6】

請求項１から５のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。

【請求項7】

式（２）から（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する、請求項６に記載の液晶組成物。

式（２）から（４）において、
Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、環Ｂ^３、および環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−である。

【請求項8】

式（５）から（１１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項６または７に記載の液晶組成物。

式（５）から（１１）において、
Ｒ^１３、Ｒ^１４、およびＲ^１５は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、そしてＲ^１５は、水素またはフッ素であってもよく；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、環Ｃ^３、および環Ｃ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｃ^５および環Ｃ^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１４、Ｚ^１５、Ｚ^１６、およびＺ^１７は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＨＦ−または−ＣＦ_２−であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

【請求項9】

式（１２）から（１４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項６から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１２）から（１４）において、
Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、および環Ｄ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１８、Ｚ^１９、およびＺ^２０は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素である。

【請求項10】

式（１５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項６から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１５）において、
Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｅ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^２１は、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

【請求項11】

請求項６から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、１つのフェニレン環を有し、誘電率異方性が負の液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含む液晶表示素子に関する。

【0002】

液晶表示素子は、パソコン、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。この素子は、液晶性化合物の光学異方性、誘電率異方性などの物性を利用したものである。液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）、ＦＦＳ（fringe field switching）、ＰＳＡ（polymer sustained alignment）などのモードがある。ＰＳＡモードの素子では、重合体を含有する液晶組成物が用いられる。この組成物では、重合体によって液晶分子の配向を制御することが可能になる。

【0003】

このような液晶表示素子では、適切な物性を有する液晶組成物が使われている。素子の特性をさらに向上させるには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、次の（１）から（８）で示す物性を有するのが好ましい。（１）熱や光に対する高い安定性、（２）高い透明点、（３）液晶相の低い下限温度、（４）小さな粘度（η）、（５）適切な光学異方性（Δｎ）、（６）負に大きな誘電率異方性（Δε）、（７）適切な弾性定数、（８）他の液晶性化合物との優れた相溶性。

【0004】

液晶性化合物の物性が素子の特性に及ぼす効果は、次のとおりである。（１）のように、熱や光に対する高い安定性を有する化合物は、素子の電圧保持率を上げる。これによって、素子の寿命が長くなる。（２）のように、高い透明点を有する化合物は、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（３）のように、ネマチック相、スメクチック相などのような液晶相の低い下限温度、特にネマチック相の低い下限温度を有する化合物も、素子の使用可能な温度範囲を広げる。（４）のように、粘度の小さな化合物は、素子の応答時間を短くする。

【0005】

素子の設計に応じて、（５）のように適切な光学異方性、すなわち大きな光学異方性または小さな光学異方性、を有する化合物が必要である。素子のセルギャップを小さくすることにより応答時間を短くする場合には、大きな光学異方性を有する化合物が適している。（６）のように正または負に大きな誘電率異方性を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。これによって、素子の消費電力が小さくなる。一方、小さな誘電率異方性を有する化合物は、組成物の粘度を下げることによって、素子の応答時間を短くする。この化合物は、ネマチック相の上限温度を上げることによって素子の使用可能な温度範囲を広げる。

【0006】

（７）に関しては、大きな弾性定数を有する化合物は、素子の応答時間を短くする。小さな弾性定数を有する化合物は、素子のしきい値電圧を下げる。したがって、向上させたい特性に応じて適切な弾性定数が必要になる。（８）のように他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する化合物が好ましい。これは、異なった物性を有する液晶性化合物を混合して、組成物の物性を調節するからである。

【0007】

これまでに、負に大きな誘電率異方性を有する液晶性化合物が種々合成されてきた。大きな光学異方性を有する液晶性化合物も種々合成されてきた。新規な化合物には、従来の化合物にはない優れた物性が期待されるからである。新規な化合物を液晶組成物に添加することによって、組成物において少なくとも２つの物性の間で適切なバランスが得られると期待されるからである。このような状況から、上記の物性（１）から（８）に関して優れた物性と適切なバランスを有する化合物が望まれている。

【0008】

特許文献１の実施例１には、下記の化合物が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】国際公開第２０１１／０９８２２４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

第一の課題は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点（またはネマチック相の高い上限温度）、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。類似の化合物と比較して、大きな誘電率異方性を有する化合物を提供することである。第二の課題は、この化合物を含有し、熱や光に対する高い安定性、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この課題は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の課題は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明は、式（１）で表される化合物、この化合物を含有する液晶組成物、この組成物を含む液晶表示素子に関する。

式（１）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から３０のアルキルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
ＸおよびＹは独立して、炭素数１から５のフルオロアルキル、炭素数１から５のフルオロアルコキシ、またはペンタフルオロスルファニルであり、そしてＸおよびＹの一方はフッ素であってもよい。

【発明の効果】

【0012】

第一の長所は、熱や光に対する高い安定性、高い透明点（またはネマチック相の高い上限温度）、液晶相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、適切な弾性定数、他の液晶性化合物との優れた相溶性などの物性の少なくとも１つを充足する液晶性化合物を提供することである。類似の化合物と比較して、大きな誘電率異方性を有する化合物を提供することである（比較例１の表１を参照のこと）。第二の長所は、この化合物を含有し、熱や光に対する高い安定性、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を提供することである。この長所は、少なくとも２つの物性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。第三の長所は、この組成物を含み、素子を使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、および長い寿命を有する液晶表示素子を提供することである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

この明細書における用語の使い方は、次のとおりである。「液晶性化合物」、「液晶組成物」、および「液晶表示素子」の用語をそれぞれ「化合物」、「組成物」、および「素子」と略すことがある。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが、上限温度、下限温度、粘度、誘電率異方性のような、組成物の物性を調節する目的で添加する化合物の総称である。この化合物は、１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を有し、その分子構造は棒状（rod like）である。「液晶表示素子」は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「重合性化合物」は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加する化合物である。

【0014】

液晶組成物は、複数の液晶性化合物を混合することによって調製される。この組成物に、物性をさらに調整する目的で添加物が添加される。光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤のような添加物が必要に応じて添加される。液晶性化合物や添加物は、このような手順で混合される。液晶性化合物の割合（含有量）は、添加物を添加した場合であっても、添加物を含まない液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。添加物の割合（添加量）は、添加物を含まない液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）で表される。重量百万分率（ｐｐｍ）が用いられることもある。重合開始剤および重合禁止剤の割合は、例外的に重合性化合物の重量に基づいて表される。

【0015】

「透明点」は、液晶性化合物における液晶相−等方相の転移温度である。「液晶相の下限温度」は、液晶性化合物における固体−液晶相（スメクチック相、ネマチック相など）の転移温度である。「ネマチック相の上限温度」は、液晶性化合物と母液晶との混合物または液晶組成物におけるネマチック相−等方相の転移温度であり、「上限温度」と略すことがある。「ネマチック相の下限温度」を「下限温度」と略すことがある。「誘電率異方性を大きくする」の表現は、誘電率異方性が正である組成物のときは、その値が正に増加することを意味し、誘電率異方性が負である組成物のときは、その値が負に増加することを意味する。

【0016】

式（１）で表される化合物を化合物（１）と略すことがある。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を化合物（１）と略すことがある。「化合物（１）」は、式（１）で表される１つの化合物、２つの化合物の混合物、または３つ以上の化合物の混合物を意味する。これらのルールは、他の式で表される化合物についても適用される。式（１）から（１５）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ^１、Ｃ^１などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ｃ^１などの環に対応する。六角形は、シクロヘキサンやベンゼンのような六員環を表す。六角形がナフタレンのような縮合環や、アダマンタンのような架橋環を表すことがある。

【0017】

化学式において、末端基Ｒ^１１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、任意の２つのＲ^１１が表す２つの基は同一であってもよく、または異なってもよい。例えば、化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がエチルであるケースがある。化合物（２）のＲ^１１がエチルであり、化合物（３）のＲ^１１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｚ^１１などの記号にも適用される。化合物（１５）において、ｉが２のとき、２つの環Ｅ^１が存在する。この化合物において２つの環Ｅ^１が表す２つの基は、同一であってもよく、または異なってもよい。ｉが２より大きいとき、任意の２つの環Ｅ^１にも適用される。このルールは、他の記号にも適用される。

【0018】

「少なくとも１つの‘Ａ’」の表現は、‘Ａ’の数が任意であることを意味する。「少なくとも１つの‘Ａ’は、‘Ｂ’で置き換えられてもよい」の表現は、‘Ａ’の数が１つのとき、‘Ａ’の位置は任意であり、‘Ａ’の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できることを意味する。このルールは、「少なくとも１つの‘Ａ’が、‘Ｂ’で置き換えられた」の表現にも適用される。「少なくとも１つの‘Ａ’が、‘Ｂ’、‘Ｃ’、または‘Ｄ’で置き換えられてもよい」という表現は、任意の‘Ａ’が‘Ｂ’で置き換えられた場合、任意の‘Ａ’が‘Ｃ’で置き換えられた場合、および任意の‘Ａ’が‘Ｄ’で置き換えられた場合、さらに複数の‘Ａ’が‘Ｂ’、‘Ｃ’、および／または‘Ｄ’の少なくとも２つで置き換えられた場合を含むことを意味する。例えば、「少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいアルキル」には、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。なお、連続する２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−のようになることは好ましくない。アルキルなどにおいて、メチル部分（−ＣＨ_２−Ｈ）の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられて−Ｏ−Ｈになることも好ましくない。

【0019】

「ハロゲン」はフッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を意味する。好ましいハロゲンは、フッ素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。アルキルは、直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、一般的に分岐状アルキルよりも好ましい。これらのことは、アルコキシ、アルケニルなどの末端基についても同様である。「フルオロアルキル」は、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたアルキルを意味する。このフルオロアルキルは、モノフルオロアルキル、ポリフルオロアルキル、およびペルフルオロアルキルの総称である。このルールは、フルオロアルコキシなどにも適用される。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、一般的にシスよりもトランスが好ましい。２−フルオロ−１，４−フェニレンは、下記の２つの二価基を意味する。化学式において、フッ素は左向き（Ｌ）であってもよいし、右向き（Ｒ）であってもよい。このルールは、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような、環から水素を２つ除くことによって誘導された非対称な二価基にも適用される。

【0020】

本発明は、下記の項などである。

【0021】

項１． 式（１）で表される化合物。

式（１）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から３０のアルキルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
ＸおよびＹは独立して、炭素数１から５のフルオロアルキル、炭素数１から５のフルオロアルコキシ、またはペンタフルオロスルファニルであり、そしてＸおよびＹの一方はフッ素であってもよい。

【0022】

項２． 式（１）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から２０のアルキルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−Ｓ−で置き換えられてもよく、１つまたは２つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
ＸおよびＹは独立して、炭素数１から３のフルオロアルキル、炭素数１から３のフルオロアルコキシ、またはペンタフルオロスルファニルであり、そしてＸおよびＹの一方はフッ素であってもよい、項１に記載の化合物。

【0023】

項３． 式（１）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１５のアルキルであり、これらの基において、少なくとも１つまたは２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘは、フッ素、炭素数１から３のフルオロアルキル、炭素数１から３のフルオロアルコキシ、またはペンタフルオロスルファニルであり、Ｙは、炭素数１から３のフルオロアルキルである、項１に記載の化合物。

【0024】

項４． 式（１ａ）で表される、項１に記載の化合物。

式（１ａ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数１から１０のアルコキシであり；Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、またはフッ素である。

【0025】

項５． 式（１ａ）において、Ｒ^ａが炭素数１から１０のアルキルであり、Ｒ^ｂが炭素数１から１０のアルコキシであり；Ｙが−ＣＦ_３である、項４に記載の化合物。

【0026】

項６． 式（１ｂ）で表される、項１に記載の化合物。

式（１ｂ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数１から１０のアルコキシであり；Ｙは−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、または−ＣＦＨ_２である。

【0027】

項７． 式（１ｂ）において、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂが炭素数１から１０のアルコキシであり；Ｙが−ＣＦ_３である、項６に記載の化合物。

【0028】

項８． 項１から７のいずれか１項に記載の化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物。

【0029】

項９． 式（２）から（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する、項８に記載の液晶組成物。

式（２）から（４）において、
Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、環Ｂ^３、および環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−である。

【0030】

項１０． 式（５）から（１１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８または９に記載の液晶組成物。

式（５）から（１１）において、
Ｒ^１３、Ｒ^１４、およびＲ^１５は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、そしてＲ^１５は、水素またはフッ素であってもよく；
環C^１、環C^２、環C^３、および環C^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環C^５および環C^６は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１4、Ｚ^１５、Ｚ^１６、およびＺ^１７は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＨＦ−または−ＣＦ_２−であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓは独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

【0031】

項１１． 式（１２）から（１４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１２）から（１４）において、
Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、および環Ｄ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１８、Ｚ^１９、およびＺ^２０は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、水素またはフッ素である。

【0032】

項１２． 式（１５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項８から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１５）において、
Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｅ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^２１は、単結合、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６は独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

【0033】

項１３． 項８から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。

【0034】

本発明は、次の項をも含む。（ａ）重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、および消泡剤の群から選択された、１つ、２つ、または少なくとも３つの添加物をさらに含有する、上記の液晶組成物。（ｂ）ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃で測定）が０．０８以上であり、そして周波数１ｋＨｚにおける誘電率異方性（２５℃で測定）が−２以下である、上記の液晶組成物。（ｃ）液晶表示素子の動作モードが、ＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、またはＦＰＡモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス（ＡＭ）方式である、上記の液晶表示素子。（ｄ）重合性化合物をさらに含有する上記の液晶組成物を用いて作製した、ＰＳＡモードを有する液晶表示素子。

【0035】

化合物（１）の態様、化合物（１）の合成、液晶組成物、および液晶表示素子について順に説明する。

【0036】

１．化合物（１）の態様
化合物（１）は、１つのフェニレン環を有することを特徴とする。この化合物は、負の誘電率異方性を有する。この化合物は他の液晶性化合物との相溶性がよく、この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で物理的または化学的に安定である。この組成物は、素子が通常使用される条件下で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。この化合物は、適切な光学異方性および適切な誘電率異方性を有する。

【0037】

化合物（１）における末端基Ｒ^ａおよびＲ^ｂ、および側方基ＸおよびＹの好ましい例は、以下のとおりである。この例は化合物（１）の下位式にも適用される。化合物（１）において、これらの基を適切に組み合わせることによって、物性を任意に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物（１）は、^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。なお、化合物（１）の記号の定義は、項１に記載したとおりである。

【0038】

式（１）において、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは独立して、炭素数１から３０のアルキルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよい。

【0039】

好ましいＲ^ａまたはＲ^ｂは、水素、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、アシル、アシルアルキル、アシルオキシ、アシルオキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルキニル、アルキニルオキシ、シラアルキル、およびジシラアルキルである。少なくとも１つの水素がフッ素および／または塩素で置き換えられたこれらの基も好ましい。少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられたこれらの基はさらに好ましい。これらの基においては、分岐鎖よりも直鎖の方が好ましい。Ｒ^ａまたはＲ^ｂが分岐鎖であっても光学活性であるときは好ましい。さらに好ましいＲ^ａまたはＲ^ｂはアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、フルオロアルキル、およびフルオロアルコキシである。

【0040】

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

【0041】

具体的なＲ^ａまたはＲ^ｂは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、１−プロピニル、または１−ペンテニルである。

【0042】

具体的なＲ^ａまたはＲ^ｂは、２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロエチル、２−フルオロビニル、２，２−ジフルオロビニル，２−フルオロ−２−ビニル、３−フルオロ−１−プロペニル、３，３，３−トリフルオロ−１−プロペニル、４−フルオロ−１−プロペニル、または４，４−ジフルオロ−３−ブテニルでもある。

【0043】

さらに好ましいＲ^ａまたはＲ^ｂは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、または２−ペンテニルオキシである。最も好ましいＲ^ａまたはＲ^ｂは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、またはメトキシメチルである。

【0044】

式（１）において、ＸおよびＹは独立して、炭素数１から５のフルオロアルキル、炭素数１から５のフルオロアルコキシ、またはペンタフルオロスルファニル（−ＳＦ_５）であり、そしてＸおよびＹの一方はフッ素であってもよい。フルオロアルキルは、モノフルオロアルキル、ポリフルオロアルキル、およびペルフルオロアルキルを意味する。フルオロアルコキシは、モノフルオロアルコキシ、ポリフルオロアルコキシル、およびペルフルオロアルコキシを意味する。

【0045】

好ましいＸまたはＹは、フルオロアルキル、フルオロアルコキシ、またはフッ素である。さらに好ましいＸまたはＹは、フルオロアルコキシまたはフッ素である。好ましいフルオロアルキルは、ポリフルオロアルキルまたはペルフルオロアルキルである。さらに好ましいフルオロアルキルは、ペルフルオロアルキルである。好ましいフルオロアルコキシは、ポリフルオロアルコキシまたはペルフルオロアルコキシである。さらに好ましいフルオロアルコキシは、ペルフルオロアルコキシである。好ましい炭素数は、１から３である。さらに好ましい炭素数は、１または２である。最も好ましい炭素数は１である。

【0046】

好ましいＸまたはＹは、フッ素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、または−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。

【0047】

さらに好ましいＸまたはＹは、フッ素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆである。特に好ましいＸまたはＹは、フッ素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、または−ＣＨ_２Ｆである。最も好ましいＸまたはＹは、フッ素または−ＣＦ_３である。

【0048】

化合物（１）の末端基、および側方基ＸおよびＹを適切に選択することによって、光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。これらの基が化合物（１）の物性に及ぼす効果を以下に説明する。

【0049】

化合物（１）において、Ｒ^ａまたはＲ^ｂが直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして粘度が小さい。Ｒ^ａまたはＲ^ｂが分岐鎖であるとき、他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^ａまたはＲ^ｂが光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^ａまたはＲ^ｂが光学活性基でない化合物は、組成物の成分として有用である。Ｒ^ａまたはＲ^ｂがアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

【0050】

式（１）において、ＸまたはＹがフッ素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、または−ＣＨ_２Ｆであるとき、この化合物は好ましい。大きな誘電率異方性の観点からは、−ＣＦ_３が好ましい。小さな粘度の観点からは、フッ素が好ましい。

【0051】

化合物（１）の好ましい例は、化合物（１ａ）または化合物（１ｂ）である。これらの化合物において、記号の定義は、上記の項に記載したとおりである。

【0052】

２．化合物（１）の合成
化合物（１）の合成法を説明する。化合物（１）は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物質に目的の末端基、環、または結合基を導入する方法は、「フーベン−ヴァイル」（Houben-Wyle, Methoden der Organische Chemie, Georg-Thieme Verlag, Stuttgart）、「オーガニック・シンセシズ」（Organic Syntheses, John Wily & Sons, Inc.）、「オーガニック・リアクションズ」（Organic Reactions, John Wily & Sons Inc.）、「コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス」（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、「新実験化学講座（丸善）」などの成書に記載されている。

【0053】

２，３−二置換−１，４−フェニレンの生成法を説明する。２−フルオロ−３−トリフルオロメチル−１，４−フェニレンなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。そこで下に示した化合物（１−１）、化合物（１−１’）、および化合物（１−２）から（１−６）について説明する。これら化合物は、通常の方法で化合物（１）に変換できる。

【0054】

（１）化合物（１−１）の合成

【0055】

２，３−（ビストリフルオロメチル）フェニレンは、Org. Lett., 2000, 2 (21), 3345 に記載された方法で生成させる。フラン（６２）と１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブチンとを高温でディールズ・アルダー型の反応をさせることによってアニリン（６３）を合成する。この化合物に、Org. Synth. Coll., Vol. 2, 1943, 355 に記載された方法にしたがい、サンド・マイヤー型反応を行ってヨウ化物（１−１）を得る。

【0056】

（２）化合物（１−１’）の合成

【0057】

同様な方法で、フラン（６４）と１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブチンとを高温でディールズ・アルダー型の反応をさせることによってフェノール（６５）を合成する。この化合物に、塩酸を反応させて脱保護することによってヒドロキノン（１−１’）を得る。

【0058】

（３）化合物（１−２）の合成

【0059】

化合物（６６）のＱ^２は一価基を意味する。この化合物の水酸基を適切な保護基Ｐ（例えば、トリメチルシリル基）で保護して化合物（６７）を得る。化合物（６７）にｔ−ＢｕＯＫ存在下でｓ−ブチルリチウムを作用させ、続いてホウ酸トリメチルを反応させてホウ酸（６８）を得る。この化合物を３０％過酸化水素水で酸化してフェノール（１−２）を得る。

【0060】

（４）化合物（１−３）の合成

【0061】

化合物（６９）のＱ^２は一価基を意味する。この化合物の水酸基を適切な保護基Ｐで保護して化合物（７０）を得る。化合物（７０）にｓ−ブチルリチウムを作用させ、続いてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を反応させてアルデヒド（７１）を得る。この化合物をジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化し、続いて脱保護してフェノール（１−３）を得る。

【0062】

（５）化合物（１−４）の合成

【0063】

化合物（７２）のＱ^２は一価基を意味する。この化合物の水酸基を適切な保護基Ｐで保護して化合物（７３）を得る。化合物（７３）を水素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ）で還元してアルデヒド（７４）を得る。この化合物をジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化し、続いて脱保護してフェノール（１−４）を得る。

【0064】

（６）化合物（１−５）の合成

【0065】

化合物（７０）のＱ^２は一価基であり、Ｐは水酸基の保護基である。この化合物に、ｓ−ブチルリチウムを作用させ、その後硫黄を反応させジスルフィドである化合物（７５）を得る。この化合物は、フッ化カリウム存在下で塩素ガスを反応させることにより、化合物（７６）へと導く。この化合物にフッ化水素ピリジン錯体を用いてフッ素化し、続いて脱保護してフェノール（１−５）を得る。

【0066】

（７）化合物（１−６）の合成

【0067】

水酸基を適切な保護基Ｐで保護したチオール（７７）にテトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）の存在下、ｎ−ブチルリチウムを作用させ、その後硫黄を反応させてジチオール（７８）を得る。この化合物は、フッ化カリウム存在下、塩素ガスを反応させることにより、化合物（７９）へと導く。この化合物にフッ化亜鉛を用いてフッ素化し、続いて脱保護してフェノール（１−６）を得る。

【0068】

３．液晶組成物
３−１．成分化合物
本発明の液晶組成物について説明をする。この組成物は、少なくとも１つの化合物（１）を成分（ａ）として含む。化合物（１）は、組成物の上限温度を上げるために有用である。化合物（１）は、組成物の誘電率異方性を大きくするために有用である。組成物は、２つまたは３つ以上の化合物（１）を含んでもよい。組成物の成分が化合物（１）のみであってもよい。組成物は、化合物（１）の少なくとも１つを１重量％から９９重量％の範囲で含有することが、優良な物性を発現させるために好ましい。誘電率異方性が負である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は５重量％から６０重量％の範囲である。誘電率異方性が正である組成物において、化合物（１）の好ましい含有量は３０重量％以下である。

【0069】

本発明の液晶組成物は、化合物（１）を成分（ａ）として含み、下に示す成分（ｂ）から（ｅ）から選択された液晶性化合物をさらに含むことが好ましい。

この組成物は、化合物（２）から（１５）とは異なる、その他の液晶性化合物を含んでもよい。この組成物は、その他の液晶性化合物を含まなくてもよい。この組成物を調製するときには、誘電率異方性の正負と大きさを考慮して成分（ｂ）から（ｅ）の中から選択することが好ましい。成分を適切に選択した組成物は、熱や光に対する高い安定性、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性（すなわち、大きな光学異方性または小さな光学異方性）、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、および適切な弾性定数（すなわち、大きな弾性定数または小さな弾性定数）を有する。

【0070】

成分（ｂ）は、２つの末端基がアルキルなどである化合物である。成分（ｂ）の好ましい例として、化合物（２−１）から（２−１１）、化合物（３−１）から（３−１９）、および化合物（４−１）から（４−７）を挙げることができる。成分（ｂ）の化合物において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

【0071】

【0072】

成分（ｂ）は、小さな誘電率異方性を有する。成分（ｂ）は中性に近い。化合物（２）は、粘度の減少または光学異方性の調整に効果がある。化合物（３）および（４）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学異方性の調整に効果がある。

【0073】

成分（ｂ）の含有量を増加させるにつれて組成物の粘度は小さくなるが誘電率異方性が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。ＩＰＳ、ＶＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｂ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４０重量％以上である。

【0074】

成分（ｃ）は、化合物（５）から（１１）である。これらの化合物は、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたフェニレンを有する。成分（ｃ）の好ましい例として、化合物（５−１）から（５−８）、化合物（６−１）から（６−１７）、化合物（７−１）、化合物（８−１）から（８−３）、化合物（９−１）から（９−１１）、化合物（１０−１）から（１０−３）、および化合物（１１−１）から（１１−３）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１３、Ｒ^１４、およびＲ^１５は独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、そしてＲ^１５は、水素またはフッ素であってもよい。

【0075】

【0076】

【0077】

成分（ｃ）は、誘電率異方性が負に大きい。成分（ｃ）は、ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分（ｃ）の含有量を増加させるにつれて組成物の誘電率異方性が負に大きくなるが、粘度が大きくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は少ないほうが好ましい。誘電率異方性が−５程度であることを考慮すると、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が４０重量％以上であることが好ましい。

【0078】

成分（ｃ）のうち、化合物（５）は二環化合物であるので、粘度の減少、光学異方性の調整、または誘電率異方性の増加に効果がある。化合物（６）および（７）は三環化合物であるので、上限温度を高くする、光学異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（８）から（１１）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

【0079】

ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｃ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは４０重量％以上であり、さらに好ましくは５０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｃ）を誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分（ｃ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｃ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

【0080】

成分（ｄ）は、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する化合物である。成分（ｄ）の好ましい例として、化合物（１２−１）から（１２−１６）、化合物（１３−１）から（１３−１１３）、化合物（１４−１）から（１４−５７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１６は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３である。

【0081】

【0082】

【0083】

【0084】

【0085】

【0086】

【0087】

成分（ｄ）は、誘電率異方性が正であり、熱や光に対する安定性が非常に優れているので、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＯＣＢなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。成分（ｄ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｄ）を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、成分（ｄ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｄ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

【0088】

成分（ｅ）は、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである化合物（１５）である。成分（ｅ）の好ましい例として、化合物（１５−１）から（１５−６４）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１７は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、これらの基において、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、これらの一価基において、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである。

【0089】

【0090】

【0091】

成分（ｅ）は、誘電率異方性が正であり、その値が大きいので、ＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。この成分（ｅ）を添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。成分（ｅ）は、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学異方性を調整する、という効果がある。成分（ｅ）は、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

【0092】

ＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合には、成分（ｅ）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％から９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％から９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％から９５重量％の範囲である。成分（ｅ）を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、成分（ｅ）の含有量は３０重量％以下が好ましい。成分（ｅ）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

【0093】

化合物（１）と上記の成分（ｂ）から（ｅ）を適切に組み合わせることによって熱や光に対する高い安定性、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、大きな比抵抗、適切な弾性定数などの物性の少なくとも１つを充足する液晶組成物を調製することができる。必要に応じて、成分（ｂ）から（ｅ）とは異なる液晶性化合物を添加してもよい。

【0094】

３−２．添加物
液晶組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、色素、消泡剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

【0095】

ＰＳＡ（polymer sustained alignment；高分子支持配向型）モードを有する液晶表示素子では、組成物が重合体を含有する。重合性化合物は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加される。まず、少量の重合性化合物を添加した組成物を素子に注入する。次に、この素子の基板のあいだに電圧を印加しながら、組成物に紫外線を照射する。重合性化合物は重合して、組成物中に重合体の網目構造を生成する。この組成物では、重合体によって液晶分子の配向を制御することが可能になるので、素子の応答時間が短縮され、画像の焼き付きが改善される。

【0096】

重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、およびビニルケトンである。さらに好ましい例は、少なくとも１つのアクリロイルオキシを有する化合物および少なくとも１つのメタクリロイルオキシを有する化合物である。さらに好ましい例には、アクリロイルオキシとメタクリロイルオキシの両方を有する化合物も含まれる。

【0097】

さらに好ましい例は、化合物（Ｍ−１）から（Ｍ−１８）である。これらの化合物において、Ｒ^２５からＲ^３１は独立して、水素またはメチルであり；Ｒ^３２、Ｒ^３３、およびＲ^３４は独立して、水素または炭素数１から５のアルキルであり、Ｒ^３２、Ｒ^３３、およびＲ^３４の少なくとも１つは炭素数１から５のアルキルであり；ｓ、ｖ、およびｘは独立して、０または１であり；ｔおよびｕは独立して、１から１０の整数である。Ｌ^２１からＬ^２６は独立して、水素またはフッ素であり；Ｌ^２７およびＬ^２８は独立して、水素、フッ素、またはメチルである。

【0098】

【0099】

重合性化合物は、重合開始剤を添加することによって、速やかに重合させることができる。反応温度を最適化することによって、残存する重合性化合物の量を減少させることができる。光ラジカル重合開始剤の例は、ＢＡＳＦ社のダロキュアシリーズからＴＰＯ、１１７３、および４２６５であり、イルガキュアシリーズから１８４、３６９、５００、６５１、７８４、８１９、９０７、１３００、１７００、１８００、１８５０、および２９５９である。

【0100】

光ラジカル重合開始剤の追加例は、４−メトキシフェニル−２，４−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−５−トリクロロメチル−１，３，４−オキサジアゾール、９−フェニルアクリジン、９，１０−ベンズフェナジン、ベンゾフェノン／ミヒラーズケトン混合物、ヘキサアリールビイミダゾール／メルカプトベンズイミダゾール混合物、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２，４−ジエチルキサントン／ｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチル混合物、ベンゾフェノン／メチルトリエタノールアミン混合物である。

【0101】

液晶組成物に光ラジカル重合開始剤を添加したあと、電場を印加した状態で紫外線を照射することによって重合を行うことができる。しかし、未反応の重合開始剤または重合開始剤の分解生成物は、素子に画像の焼き付きなどの表示不良を引き起こすかもしれない。これを防ぐために重合開始剤を添加しないまま光重合を行ってもよい。照射する光の好ましい波長は１５０ｎｍから５００ｎｍの範囲である。さらに好ましい波長は２５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲であり、最も好ましい波長は３００ｎｍから４００ｎｍの範囲である。

【0102】

重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、４−ｔ−ブチルカテコール、４−メトキシフェノール、フェノチアジンなどである。

【0103】

光学活性化合物は、液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。光学活性化合物を添加することによって、らせんピッチを調整することができる。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。光学活性化合物の好ましい例として、下記の化合物（Ｏｐ−１）から（Ｏｐ−１８）を挙げることができる。化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｊは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２８は炭素数１から１０のアルキルである。

【0104】

【0105】

酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）および（ＡＯ−２）；Ｉｒｇａｎｏｘ４１５、Ｉｒｇａｎｏｘ５６５、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、およびＩｒｇａｎｏｘ１０９８（商品名；ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などであり、具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）および（ＡＯ−４）；Ｔｉｎｕｖｉｎ３２９、ＴｉｎｕｖｉｎＰ、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２６、Ｔｉｎｕｖｉｎ２３４、Ｔｉｎｕｖｉｎ２１３、Ｔｉｎｕｖｉｎ４００、Ｔｉｎｕｖｉｎ３２８、およびＴｉｎｕｖｉｎ９９−２（商品名；ＢＡＳＦ社）；および１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

【0106】

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）、（ＡＯ−６）、および（ＡＯ−７）；Ｔｉｎｕｖｉｎ１４４、Ｔｉｎｕｖｉｎ７６５、およびＴｉｎｕｖｉｎ７７０ｄｆ（商品名；ＢＡＳＦ社）；ＬＡ−７７ＹおよびＬＡ−７７Ｇ（商品名；ＡＤＥＫＡ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩｒｇａｆｏｓ１６８（商品名；ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。ＧＨ（guest host）モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に添加される。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

【0107】

【0108】

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^４０は炭素数１から２０のアルキル、炭素数１から２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^４１、または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^４１であり、ここでＲ^４１は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）および（ＡＯ−５）において、Ｒ^４２は炭素数１から２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、Ｒ^４３は水素、メチルまたはＯ^・（酸素ラジカル）であり；環Ｇ^１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；化合物（ＡＯ−７）において、環Ｇ^２は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；化合物（ＡＯ−５）および（ＡＯ−７）において、ｚは、１、２、または３である。

【0109】

４．液晶表示素子
液晶組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢ、ＰＳＡなどの動作モードを有し、アクティブマトリックスで駆動する液晶表示素子に使用できる。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢ、ＶＡ、ＩＰＳなどの動作モードを有し、パッシブマトリクス方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらの素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

【0110】

この組成物は、ＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子にも適しており、ここでは組成物がマイクロカプセル化されている。この組成物は、ポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）や、ポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも使用できる。これらの組成物においては、多量の重合性化合物が添加される。一方、重合性化合物の添加量が液晶組成物の重量に基づいて１０重量％以下であるとき、ＰＳＡモードの液晶表示素子が作製される。重合性化合物の好ましい割合は０．１重量％から２重量％の範囲である。さらに好ましい割合は、０．２重量％から１．０重量％の範囲である。ＰＳＡモードの素子は、アクティブマトリックス、パッシブマトリクスのような駆動方式で駆動させることができる。このような素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。

【実施例】

【0111】

実施例（合成例、使用例を含む）により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によっては制限されない。本発明は、使用例１の組成物と使用例２の組成物との混合物を含む。本発明は、使用例の組成物の少なくとも２つを混合することによって調製した組成物をも含む。

【0112】

１．化合物（１）の実施例
化合物（１）は、下記の手順により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物や組成物の物性、および素子の特性は、下記の方法により測定した。

【0113】

ＮＭＲ分析：測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、室温、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で測定した。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

【0114】

ガスクロマト分析：測定には、島津製作所製のＧＣ−２０１０型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ６０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウム（１ｍｌ／分）を用いた。試料気化室の温度を３００℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。試料はアセトンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。記録計には島津製作所製のＧＣＳｏｌｕｔｉｏｎシステムなどを用いた。

【0115】

ＨＰＬＣ分析：測定には、島津製作所製のＰｒｏｍｉｎｅｎｃｅ（ＬＣ−２０ＡＤ；ＳＰＤ−２０Ａ）を用いた。カラムはワイエムシー製のＹＭＣ−Ｐａｃｋ ＯＤＳ−Ａ（長さ１５０ｍｍ、内径４．６ｍｍ、粒子径５μｍ）を用いた。溶出液はアセトニトリルと水を適宜混合して用いた。検出器としてはＵＶ検出器、ＲＩ検出器、ＣＯＲＯＮＡ検出器などを適宜用いた。ＵＶ検出器を用いた場合、検出波長は２５４ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．１重量％の溶液となるように調製し、この溶液１μＬを試料室に導入した。記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ７Ａｐｌｕｓを用いた。

【0116】

紫外可視分光分析：測定には、島津製作所製のＰｈａｒｍａＳｐｅｃ ＵＶ−１７００用いた。検出波長は１９０ｎｍから７００ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．０１ｍｍｏｌ／Ｌの溶液となるように調製し、石英セル（光路長１ｃｍ）に入れて測定した。

【0117】

測定試料：相構造および転移温度（透明点、融点、重合開始温度など）を測定するときには、化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学異方性、誘電率異方性などの物性を測定するときには、化合物と母液晶との混合物を試料として用いた。

【0118】

化合物を母液晶と混合した試料を用いた場合は、次のように測定した。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表される外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

【0119】

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

【0120】

化合物の誘電率異方性がゼロまたは正であるときは、下記の母液晶（Ａ）を用いた。各成分の割合を、重量％で表した。

【0121】

化合物の誘電率異方性がゼロまたは負であるときは、下記の母液晶（Ｂ）を用いた。各成分の割合を重量％で表した。

【0122】

測定方法：特性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ；Japan Electronics and Information Technology Industries Association）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載されている。これを修飾した方法も用いた。測定に用いたＴＮ素子には、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を取り付けなかった。

【0123】

（１）相構造：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置いた。この試料を、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

【0124】

（２）転移温度（℃）：測定には、パーキンエルマー社製の走査熱量計、Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムまたはエスアイアイ・ナノテクノロジー社製の高感度示差走査熱量計、Ｘ−ＤＳＣ７０００を用いた。試料は、３℃／分の速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピークまたは発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物の融点、重合開始温度もこの装置を使って測定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

【0125】

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれをＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

【0126】

（３）化合物の相溶性：類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製した。この母液晶に測定する化合物を添加した。混合する割合の一例は、１５％の化合物と８５％の母液晶である。この組成物を−２０℃、−３０℃のような低い温度で３０日間保管した。この組成物の一部が結晶（またはスメクチック相）に変化したか否かを観察した。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更した。このようにして測定した結果から、結晶（またはスメクチック相）が析出する条件および結晶（またはスメクチック相）が析出しない条件を求めた。これらの条件が相溶性の尺度である。

【0127】

（４）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。試料が化合物（１）と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物（１）と成分（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のような化合物との混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

【0128】

（５）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

【0129】

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定には、東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

【0130】

（７）光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

【0131】

（８）比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）：電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

【0132】

（９）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

【0133】

（１０）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）：２５℃の代わりに、８０℃で測定した以外は、上記の方法で電圧保持率を測定した。得られた結果をＶＨＲ−２の記号で示した。

【0134】

誘電率異方性が正の試料と負の試料とでは、特性の測定法が異なることがある。誘電率異方性が正であるときの測定法は、測定（１１ａ）から測定（１５ａ）に記載した。誘電率異方性が負の場合は、測定（１１ｂ）から測定（１５ｂ）に記載した。

【0135】

（１１ａ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
正の誘電率異方性：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

【0136】

（１１ｂ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
負の誘電率異方性：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３９ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した値を用いた。

【0137】

（１２ａ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
正の誘電率異方性：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

【0138】

（１２ｂ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
負の誘電率異方性：誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

【0139】

（１３ａ）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ）
正の誘電率異方性：測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０ボルトから２０ボルト電荷を印加し、静電容量（Ｃ）および印加電圧（Ｖ）を測定した。これらの値を「液晶デバイスハンドブックク」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．９９）からＫ_１１およびＫ_３３の値を得た。次に１７１頁にある式（３．１８）に、先ほど求めたＫ_１１およびＫ_３３の値を用いてＫ_２２を算出した。弾性定数Ｋは、このようにして求めたＫ_１１、Ｋ_２２、およびＫ_３３の平均値で表した。

【0140】

（１３ｂ）弾性定数（Ｋ_１１およびＫ_３３；２５℃で測定；ｐＮ）
負の誘電率異方性：測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

【0141】

（１４ａ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
正の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が０．４５／Δｎ（μｍ）であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

【0142】

（１４ｂ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
負の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧で表した。

【0143】

（１５ａ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）
正の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。立ち上がり時間（τｒ：rise time；ミリ秒）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time；ミリ秒）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。

【0144】

（１５ｂ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）
負の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が３．２μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＰＶＡ素子に試料を入れた。この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子にしきい値電圧を若干超える程度の電圧を１分間印加し、次に５．６Ｖの電圧を印加しながら２３．５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を８分間照射した。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、１０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。応答時間は透過率９０％から１０％に変化するのに要した時間（立ち下がり時間；fall time；ミリ秒）で表した。

【0145】

［合成例１］化合物（１−１−１）

【0146】

化合物（ｒ−１）（１０．０ｇ，２６．９ｍｍｏｌ）、エタノール（３．９ｇ、８５．３ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２５．６ｇ、９７．５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ；１００ｍＬ）に溶解させ、氷浴上で冷却した。そこへ、アゾジカルボン酸エチル（ＤＥＡＤ；２．２ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液；４４．３ｍＬ、９７．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で終夜攪拌した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにヘプタン／エタノール＝１／３（体積比）から再結晶して１．２ｇの化合物（１−１−１）を得た。

【0147】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．１６（ｓ，２Ｈ），４．０７（ｑ，４Ｈ），１．４１（ｔ，６Ｈ）．

【0148】

転移温度の測定には、化合物（１−１−１）をそのまま試料として用いた。上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）および光学異方性の測定には、化合物（１−１−１）と母液晶Ｂの混合物を試料として用いた。この測定法は、以下で合成した化合物にも採用した。
転移温度：Ｃ_１ ４９．９ Ｃ_２ ６８．８ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１１６．１℃，Δε＝−９．１１，Δｎ＝−０．０１７．

【0149】

［合成例２］化合物（１−１−３）

【0150】

化合物（ｒ−１）（１０．０ｇ，２６．９ｍｍｏｌ）、１−ブタノール（６．３ｇ、８５．３ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２５．６ｇ、９７．５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍＬ）に溶解させ、氷浴上で冷却した。そこへ、ＤＥＡＤ（２．２ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液；４４．３ｍＬ、９７．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で終夜攪拌した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、さらにエタノールから再結晶して２．３８ｇの化合物（１−１−３）を得た。

【0151】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．１５（ｓ，２Ｈ），３．９９（ｔ，４Ｈ），１．７８（ｑｕｉｎ，４Ｈ），１．５０（ｓｅｘ，４Ｈ），０．９７（ｔ，６Ｈ）．転移温度：Ｃ １７．７ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１０１．４℃，Δε＝−１０．１，Δｎ＝−０．００３．

【0152】

［合成例３］化合物（１−１−１４）

【0153】

〈第１工程〉化合物（ｒ−２）の合成
化合物（ｒ−１）（１８．０ｇ，７３．１ｍｍｏｌ）をピリジン（１００ｍＬ）に溶解させ、氷浴上で冷却した。そこへトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２９．７ｍＬ、１７５．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で終夜攪拌した。溶媒を留去し、残渣をジエチルエーテルへ溶解させ、このエーテル溶液を２Ｍ塩酸、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１、体積比）で精製して３４．９ｇの化合物（ｒ−２）を得た。

【0154】

〈第２工程〉化合物（ｒ−３）の合成
化合物（ｒ−２）（１５．１ｇ，２９．５ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ）（０．２０２ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．０６７ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）をトリエチルアミン（６０ｍＬ）に溶解させ、そこへ、ペント−１−イン（４．３１ｇ、６３．３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で７日間終夜攪拌した。溶媒を留去し、残渣をトルエンに溶解させ、このトルエン溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して７．８０ｇの化合物（ｒ−３）を得た。

【0155】

〈第３工程〉化合物（１−１−１４）の合成
化合物（ｒ−３）（３．８０ｇ，１１．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）へ溶解させ、そこへ水素化アルミニウムリチウム（１．２５ｇ、３２．９ｍｍｏｌ）を加え、２１時間加熱還流した。反応混合物を室温まで冷却した後氷水へ注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。抽出液を１Ｍ塩酸、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製した。これをアセトニトリル（８ｍＬ）に溶解させ、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム二水和物（０．４６ｇ、２．２８ｍｍｏｌ）、６Ｍ塩酸（０．３８ｍＬ）を加え、６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応混合物をヘプタンにあけた。有機層を水、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して、化合物（１−１−１４）を得た。

【0156】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．５６（ｓ，２Ｈ）、６．６８（ｄ，２H）、６．０９（ｔｔ，２Ｈ）、２．２２（ｑ，４Ｈ）、１．５２（ｓｅｘ，４Ｈ），０．９５（ｔ，６Ｈ）．転移温度：Ｃ １７．８ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１１６．４℃，Δε＝−４．３７，Δｎ＝０．０１４．

【0157】

［合成例４］化合物（１−１−２７）

【0158】

化合物（ｒ−３）（３．００ｇ，８．６６ｍｍｏｌ）をトルエン（２５ｍＬ）と２−プロパノール（２５ｍL）に溶解させ、そこへＰｄ／Ｃ（０．１７ｇ）を加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで撹拌した。Ｐｄ／Ｃをろ別した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して化合物（１−１−２７）を得た。

【0159】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．３６（ｓ，２Ｈ），２．７５（ｔ，４H）、１．６２（ｑｕｉｎ，４Ｈ）、２．２２（ｑ，４Ｈ）、１．４０−１．３１（ｍ，８Ｈ）、０．９１（ｔ，６Ｈ）．転移温度：Ｃ ２１．０ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１５４．１℃，Δε＝−２．３６，Δｎ＝−０．０５３．

【0160】

［合成例５］化合物（１−２−２０）

【0161】

〈第１工程〉化合物（ｒ−５）の合成
化合物（ｒ−４）（１０．０ｇ，３５．７ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＫ（４．５０ｇ、４０．１ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１０ｍＬ）へ溶解させ、−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６Ｍ／Ｌのヘキサン溶液；２５．０ｍＬ、３８．８ｍｍｏｌ）を滴下し、同温で２時間撹拌した。そこへＴＨＦ（５ｍＬ）に溶解させた１−ブタナール（３．３７ｇ、４０．１ｍｍｏｌ）を滴下し、−７８℃で３時間撹拌した。反応混合物を室温まで戻した後、水へ注ぎ込んだ。塩化アンモニウム水溶液で中和し、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン／酢酸エチル＝９／１、体積比）で精製して８．６２ｇの化合物（ｒ−５）を得た。

【0162】

〈第２工程〉化合物（ｒ−６）の合成
化合物（ｒ−５）（８．６２ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）をトルエン（８０ｍＬ）に溶解させ、そこへｐ-トルエンスルホン酸一水和物（０．２３ｇ、１．２１ｍｍｏｌ）を加え、発生する水を留去しながら５時間加熱還流をした。冷却後反応混合物を飽和重曹水へ注ぎ込んだ。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製して６．３７ｇの化合物（ｒ−６）を得た。

【0163】

〈第３工程〉化合物（１−２−２０）の合成
化合物（ｒ−６）（６．３７ｇ，１８．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）へ溶解させ、そこへテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．０Ｍ／ＬのＴＨＦ溶液；１９ｍＬ，１９．０ｍｍｏｌ）を１０℃以下の温度で滴下し、室温にて１時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、トルエンで抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して、４．７８ｇの化合物（１−２−２０）を得た。

【0164】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．１７（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｔ，１Ｈ），６．６３（ｄ，１H）、５．９７（ｔｔ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），２．１８（ｑ，２Ｈ）、１．４９（ｓｅｘ，２Ｈ）、１．４５（ｔ，３Ｈ）、０．９５（ｔ，３Ｈ）．転移温度：Ｃ １１．７ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１４４．１℃，Δε＝−４．０５，Δｎ＝−０．０１３．

【0165】

［合成例６］化合物（１−２−２７）

【0166】

化合物（１−２−２０）（３．６１ｇ，１３．１ｍｍｏｌ）をトルエン（２５ｍＬ）、２−プロパノール（２５ｍL）に溶解させ、そこへＰｄ／Ｃ（０．１４ｇ）を加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで撹拌した。Ｐｄ／Ｃをろ別した後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝９／１、体積比）で精製し、さらにメタノールから再結晶して２．４７ｇの化合物（１−２−２７）を得た。

【0167】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．０２（ｔ，１Ｈ），６．９４（ｄ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．６９（ｔｄ，２Ｈ），１．５５（ｑｕｉｎ，２Ｈ），１．４４（ｔ，３Ｈ），１．３５−１．２９（ｍ，４Ｈ）、０．８９（ｔ，３Ｈ）．
転移温度：Ｃ ８．９ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１６６．１℃，Δε＝−２．７８，Δｎ＝−０．０６６．

【0168】

［合成例７］化合物（１−２−９）

【0169】

〈第１工程〉化合物（ｒ−８）の合成
化合物（ｒ−７）（６．６４ｇ，２２．４ｍｍｏｌ）、１−ブタノール（１．８４ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（６．５２ｇ、２４．９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（７０ｍＬ）へ溶解させ、氷冷下でＤＥＡＤ（２．２Ｍ／Ｌのヘキサン溶液；１１．２ｍＬ、２４．６ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で２時間撹拌した。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝４／１、体積比）で精製して６．２７ｇの化合物（ｒ−８）を得た。

【0170】

〈第３工程〉化合物（１−２−９）の合成
化合物（ｒ−８）（６．２７ｇ，１７．８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍＬ）へ溶解させ、そこへテトラブチルアンモニウムフルオリド（１．０Ｍ／ＬのＴＨＦ溶液；１８ｍＬ，１８．０ｍｍｏｌ）を１０℃以下の温度で滴下し、室温にて１時間撹拌した。反応混合物を水へ注ぎ込み、トルエンで抽出した。抽出液を水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン／トルエン＝２／１、体積比）で精製し、さらにメタノールから再結晶して２．１７ｇの化合物（１−２−９）を得た。

【0171】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．０４（ｔ，１Ｈ），６．６４（ｄ，１Ｈ），４．０５（ｑ，２H）、３．９６（ｔ，２Ｈ），１．７７（ｑ，２Ｈ）、１．４９（ｓｅｘ，２Ｈ），１．４２（ｔ，３Ｈ），０．９６（ｔ，３Ｈ）．転移温度：Ｃ ９．２ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１３７．４℃，Δε＝−６．５８，Δｎ＝−０．０２６．

【0172】

［合成例８］化合物（１−４−１）

【0173】

化合物（ｒ−９）（５．００ｇ，２２．５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２０ｍＬ）に溶解させ、そこへ氷冷下ジエチルアミノサルファトリフルオリド（ＤＡＳＴ）（６．２ｍＬ；７．６ｇ）を加え、室温で終夜撹拌した。飽和炭酸ナトリウム水溶液へ反応溶液を注ぎ込みジクロロメタンで抽出後、油層を飽和炭酸ナトリウム水溶液で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘプタン）で精製し、さらにメタノールから再結晶して化合物（１−４−１）を得た。

【0174】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．０２（ｓ，２Ｈ），６．４４（ｔ，２Ｈ），４．０７（ｑ，４Ｈ），１．４１（ｔ，６Ｈ）．Δε＝−８．５５．

【0175】

［比較例１］
比較のために、国際公開第２０１１／０９８２２４号の実施例１に開示された化合物（Ｅｘ−１）を選んで合成した。

【0176】

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：６．６２（ｄｄ，２Ｈ），３．９８（ｔ，４Ｈ），１．７７（ｑｕｉｎ，４Ｈ），１．４９（ｓｅｘ，４Ｈ），０．９７（ｔ，６Ｈ）．転移温度：Ｃ −８．２ Ｉ．Ｔ_ＮＩ＝−１２４．１℃，Δε＝−５．８８，Δｎ＝−０．０１４．

【0177】

ベンゼン環上における２位と３位の置換基以外同一構造を有する比較化合物（Ｅｘ−１）と化合物（１−１−３）の物性を、「測定方法」の項で記載したように、同一の条件下で測定した。結果を下の表１にまとめた。２つの化合物は融点を有したが、ネマチック相を示さなかった。化合物（１−１−３）の誘電率異方性は、比較化合物（Ｅｘ−１）の約１．７倍であり、上限温度は２３度高いことが分かった。したがって、化合物（１−１−３）は、比較化合物（Ｅｘ−１）に比べ、上限温度や誘電率異方性の観点から有用であると結論できる。

【0178】

注）光学異方性は、マイナスの値であった。これは、外挿法に起因する。

【0179】

合成例１などに記載された方法や、「２．化合物（１）の合成」の項を参考にしながら、以下に示す化合物を合成することが可能である。

【0180】

【0181】

【0182】

【0183】

【0184】

【0185】

【0186】

【0187】

【0188】

【0189】

【0190】

【0191】

【0192】

２．液晶組成物の実施例
本発明は、使用例１の組成物と使用例２の組成物との混合物を含む。本発明は、使用例の組成物の少なくとも２つを混合した混合物をも含む。使用例における化合物は、下記の表２の定義に基づいて記号により表した。表２において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。使用例において記号の後にあるかっこ内の番号は、化合物が属する化学式を表す。（−）の記号は化合物（２）から（１５）とは異なる、その他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の物性値をまとめた。物性は、先に記載した方法にしたがって測定し、測定値を（外挿することなく）そのまま記載した。

【0193】

【0194】

［使用例１］
４Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｏ４ （１−１−３） ３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−５７） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ４０％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） ５％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１１３） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
ＮＩ＝７７．９℃；η＝１４．０ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０１；Δε＝６．８．

【0195】

［使用例２］
２Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｏ２ （１−１−１） ３％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−４７） ３％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ４０％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＨ−５ （３−１３） ３％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１ （３−６） ５％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ （１２−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−９７） １０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
ＮＩ＝７７．１℃；η＝１２．７ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０１；Δε＝５．７．

【0196】

［使用例３］
３Ｖ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｖ３ （１−１−１４） ５％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ （１５−１５） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （１５−１） １７％
２−ＢＴＢ−１ （２−１０） １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ （２−１） ２９％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （３−１） ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ （３−１） １０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−１７） ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−１７） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−１７） ３％
ＮＩ＝７１．５℃；Δｎ＝０．１２４；Δε＝５．６．

【0197】

［使用例４］
５−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−５ （１−１−２７） ４％
２−ＨＨ−３ （２−１） ５％
３−ＨＨ−Ｖ１ （２−１） １０％
１Ｖ２−ＨＨ−１ （２−１） ８％
１Ｖ２−ＨＨ−３ （２−１） ７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−３） ７％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−３） ３％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−５） ６％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） ８％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） １９％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （−） ７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （３−１） ２％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ （５−３） １１％
ＮＩ＝７８．３℃；η＝２２．５ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０２；Δε＝−４．３．

【0198】

［使用例５］
４Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−９） ３％
１−ＢＢ−３ （２−６） ９％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） ２９％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−３） １１％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） ２０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） １４％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ８％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （３−８） ６％
ＮＩ＝７０．５℃；η＝１５．４ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１００；Δε＝−３．１．

【0199】

［使用例６］
３Ｖ−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−２０） ４％
２−ＨＨ−３ （２−１） １６％
７−ＨＢ−１ （２−５） ９％
５−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−１） １５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−１） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （６−１２） ３％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （６−１２） ３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （６−１２） ２％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５ （９−６） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−５） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−５） １０％
ＮＩ＝７０．２℃；η＝２３．８ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０１；Δε＝−２．５．

【0200】

［使用例７］
５−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−２７） ３％
２−ＨＨ−３ （２−１） ２０％
３−ＨＨ−４ （２−１） ９％
１−ＢＢ−３ （２−８） ８％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−３） ８％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−３） ５％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） １３％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−５） ２１％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２ （３−８） ３％
ＮＩ＝７０．３℃；η＝１６．２ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０９３；Δε＝−３．２．

【0201】

［使用例８］
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３ＳＦ５）−Ｏ２ （１−５−１） ３％
２−ＨＨ−５ （２−１） ３％
３−ＨＨ−４ （２−１） １５％
３−ＨＨ−５ （２−１） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−４） １２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−４） １５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２ （６−１２） ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−７） ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−７） ９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−７） ９％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ３％
３−ＨＨＢ−３ （３−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ３％

【0202】

［使用例９］
２Ｏ−Ｂ（２ＳＦ５，３ＳＦ５）−Ｏ２ （１−６−１） ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ （２−５） １５％
３−ＨＨ−４ （２−１） ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−１） １２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （５−１） １２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （６−１） １１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ （６−１） １２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （６−１） １３％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ６％

【0203】

［使用例１０］
５−Ｂ（２ＳＦ５，３ＳＦ５）−５ （１−６−２７） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１２−３） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） ９％
３−ＨＨ−５ （２−１） １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ９％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ５％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ４％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１０９） ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ５％

【0204】

［使用例１１］
２Ｏ−Ｂ（２ＣＦ２Ｈ，３ＣＦ２Ｈ）−Ｏ２ （１−４−１） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １４％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１２−４） ３％
３−ＨＨ−４ （２−１） １０％
３−ＨＨ−５ （２−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １５％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ５％

【0205】

［使用例１２］
２Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｏ２ （１−１−１） ２％
４Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｏ４ （１−１−３） ２％
３−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） ３％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１３） ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１９） １５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （１３−２１） ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ （１３−２１） １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２１） ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２６） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２６） ８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ５％
ＮＩ＝６４．３℃；η＝２７．１ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０９２；Δε＝８．０．

【0206】

［使用例１３］
３Ｖ−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−Ｖ３ （１−１−１４） ３％
５−Ｂ（２ＣＦ３，３ＣＦ３）−５ （１−１−２７） ３％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １０％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １８％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１２） ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３９） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ５％
ＮＩ＝６７．８℃；Δｎ＝０．０９６；Δε＝８．２．

【0207】

［使用例１４］
４Ｏ−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−９） ５％
５−ＨＢ−Ｆ （１２−２） １２％
６−ＨＢ−Ｆ （１２−２） ９％
７−ＨＢ−Ｆ （１２−２） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ６％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （１３−１） ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （１３−４） ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ （１３−４） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （１３−３） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１３−３） ４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （１３−５） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３）１０％
５−ＨＢＢＨ−３ （４−１） ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （４−２） ３％
ＮＩ＝７４．２℃；η＝１５．２ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０８５；Δε＝４．０．

【0208】

［使用例１５］
３Ｖ−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−２０） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ７％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−１５） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １８％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２７） ８％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ （１４−１７） ２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （４−１） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （４−１） ４％
ＮＩ＝８６．７℃；η＝３５．７ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１１０；Δε＝８．４．
上記の組成物に化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５重量％の割合で添加したときのピッチは６５．３μｍであった。

【0209】

［使用例１６］
５−Ｂ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （１−２−２７） ５％
５−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １５％
３−ＨＨ−４ （２−１） １１％
３−ＨＨ−５ （２−１） ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （１３−１） ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ （１３−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ９％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ８％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ８％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ （４−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−６） ４％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１４−１５） ３％
ＮＩ＝１０３．７℃；η＝２１．０ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０８５；Δε＝３．６．

【0210】

［使用例１７］
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ，３ＳＦ５）−Ｏ２ （１−５−１） ３％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１２−４） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ７％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） １０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ８％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２３） １５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ （１３−２２） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−２４） １０％

【0211】

［使用例１８］
２Ｏ−Ｂ（２ＳＦ５，３ＳＦ５）−Ｏ２ （１−６−１） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （１２−２） １２％
３−ＨＨ−４ （２−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ２８％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ２４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−５） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−５） ５％

【0212】

［使用例１９］
５−Ｂ（２ＳＦ５，３ＳＦ５）−５ （１−６−２７） ３％
２−ＨＢ−Ｃ （１５−１） ５％
３−ＨＢ−Ｃ （１５−１） １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−５） １５％
２−ＢＴＢ−１ （２−１０） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （１３−１） ３％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （３−１） ５％
３−ＨＨＢ−３ （３−１） １３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （１３−１０） ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （１３−２） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１３−３） ５％

【産業上の利用可能性】

【0213】

本発明の液晶性化合物は、優れた物性を有する。この化合物を含有する液晶組成物は、パソコン、テレビなどに用いる液晶表示素子に広く利用できる。