特許6784237シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明の名称　シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

出願人　信越半導体株式会社　（識別番号 190149）

　　　　特許公開件数ランキング 966 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 956 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6784237

公報発行日　2020年11月11

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6784237

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