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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6791208
(24)【登録日】2020年11月9日
(45)【発行日】2020年11月25日
(54)【発明の名称】発光素子の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/48 20100101AFI20201116BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20201116BHJP
【ＦＩ】
H01L33/48
H01L21/78 Q
H01L21/78 M
H01L21/78 W
【請求項の数】3
【全頁数】17
(21)【出願番号】特願2018-97828(P2018-97828)
(22)【出願日】2018年5月22日
(65)【公開番号】特開2019-204842(P2019-204842A)
(43)【公開日】2019年11月28日
【審査請求日】2020年2月10日
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000190149
【氏名又は名称】信越半導体株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100102532
【弁理士】
【氏名又は名称】好宮 幹夫
(74)【代理人】
【識別番号】100194881
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 俊弘
(72)【発明者】
【氏名】石崎 順也
【審査官】
大西 孝宣
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１４−０３６０６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２０１８／０１３８１４２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
特開２００３−２０９２９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００３−０９８９７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００７−２０８１２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１４−０１１４４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２０１８／００５１１８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２０１７−０４５８９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１６−１９５１９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１６−０１５３６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１５−０１２０８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２０１８−５１１９４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００３−０９３９６１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ３３／００ − ３３／６４
２１／３０１
２１／７８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に発光素子が形成された半導体ウェーハを第１のテープに貼り付け、前記半導体ウェーハを複数の発光素子に分割する分割工程と、前記第１のテープを延伸することにより、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の間の距離を拡張する拡張工程と、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の間の距離が拡張された状態において、前記複数の発光素子を、前記第１のテープから第２のテープに転写する転写工程と、前記複数の発光素子を実装基板に接合する実装工程を含む発光素子の製造方法であって、
前記分割工程において、前記第１のテープとして、伸縮性のある基材部と糊層からなり、前記糊層が島状に分割されたものを用い、前記島状に分割された糊層に前記複数の発光素子を貼り付け、
前記第１のテープの前記糊層を島状に分割する方法は、前記基材部の上にディスペンス法により島状の糊層を形成することであり、
前記拡張工程において、３０〜５０℃の範囲で前記第１のテープを温めてから前記第１のテープを延伸することを特徴とする発光素子の製造方法。
前記分割工程において、前記第１のテープとして、伸縮性のある基材部と糊層からなり、前記糊層が島状に分割されたものを用い、前記島状に分割された糊層に前記複数の発光素子を貼り付け、
前記第１のテープの前記糊層を島状に分割する方法は、前記基材部の上にディスペンス法により島状の糊層を形成することであり、
前記拡張工程において、３０〜５０℃の範囲で前記第１のテープを温めてから前記第１のテープを延伸することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項2】
前記発光素子を前記実装基板にフリップチップボンディングすることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項3】
前記第１のテープとして、前記基材部がポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリプロピレン（ＰＰ）からなるものを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子の製造方法に関し、特に発光素子を実装基板に精度良く接合する発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
マイクロＬＥＤもしくはミニＬＥＤを実装する際に、ダイスをテープに保持して実装基板に実装する製造方法がある。また、基板に回路（発光素子）を作り込んだ上で実装基板に実装した後、基板を除去する製造方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８−３１１６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、前者（ダイスをテープに保持して実装基板に実装）の場合、任意のピッチにダイスを配置する必要があるが、従来のテープエキスパンド法ではダイスピッチの精度が悪かった。その理由は、従来のテープエキスパンド法で用いられるテープは、保持テープ基材と、ダイスを保持するための糊剤からなり（例えば、特許文献１参照）、保持テープ基材のポリプロピレン（ＰＰと言う場合がある）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣと言う場合がある）の延性は優れるものの、ダイスを保持するための糊材の延性が悪かったためである。
【0005】
テープエキスパンド法では実装基板に合わせて任意のピッチにダイスを配置できないため、後者（基板に回路を作り込んだ上で実装基板に実装した後、基板を除去）の方法では、あらかじめ任意のピッチになるようにダイス間の素子領域を取り除き、ピッチをそろえて実装する１：１転写が行われている。
【0006】
しかし、この方法では、ウェーハ内で発光素子にならない領域が大きくなり、コストアップになる。特に、ＲＧＢ三種類のＬＥＤを別個に実装して１画素を形成する場合、面積ロスが大きくなる。従って、ウェーハの面積ロスが少なく、かつ、精度の高いダイス実装方法が求められている。
【0007】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、半導体ウェーハに形成された発光素子をテープエキスパンド法により任意のピッチに精度よく配置することができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上に発光素子が形成された半導体ウェーハを第１のテープに貼り付け、前記半導体ウェーハを複数の発光素子に分割する分割工程と、前記第１のテープを延伸することにより、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の間の距離を拡張する拡張工程と、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の間の距離が拡張された状態において、前記複数の発光素子を、前記第１のテープから第２のテープに転写する転写工程と、前記複数の発光素子を実装基板に接合する実装工程を含む発光素子の製造方法であって、前記分割工程において、前記第１のテープとして、伸縮性のある基材部と糊層からなり、前記糊層が島状に分割されたものを用い、前記島状に分割された糊層に前記複数の発光素子を貼り付けることを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【0009】
このように、第１のテープの延性の低い糊層がカットされており、かつ、延性の高い基材部上に島状に配置することで、基材部の伸びを阻害することがないため、発光素子のピッチが大きく狂うことが無く、任意のピッチに発光素子を配置することができる。これにより、半導体ウェーハに形成された発光素子をテープエキスパンド法により任意のピッチに精度よく配置することができる。
【0010】
このとき、前記発光素子を前記実装基板にフリップチップボンディングすることができる。
【0011】
発光素子を実装基板にフリップチップボンディングする場合に、本発明を好適に適用することができる。
【0012】
このとき、前記第１のテープとして、前記基材部がポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリプロピレン（ＰＰ）からなるものを用いることが好ましい。
【0013】
第１のテープの基材部として、このような延性に優れたものを用いれば、十分延性のあるテープとすることができる。
【0014】
このとき、前記第１のテープの前記糊層を島状に分割する方法は、前記糊層をブレードまたはレーザーにより切断するか、または前記基材部の上に印刷法若しくはディスペンス法により島状の糊層を形成することが好ましい。
【0015】
このような方法によれば、比較的容易に糊層を島状に分割することができる。
【発明の効果】
【0016】
以上のように、本発明の発光素子の製造方法によれば、第１のテープの延性の低い糊層がカットされており、かつ、延性の高い基材部上に島状に配置することで、基材部の伸びを阻害することがないため、発光素子のピッチが大きく狂うことが無く、任意のピッチに発光素子を配置することができる。これにより、半導体ウェーハに形成された発光素子をテープエキスパンド法により任意のピッチに精度よく配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の発光素子の製造方法を示すフロー図である。
【図2】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図である。
【図3】本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示す工程断面図である。
【図12】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図である。
【図13】本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す工程断面図である。
【図22】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図である。
【図23】本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す工程断面図である。
【図31】位置不良の例（横ずれ、縦ずれ、回転）を示す図である。
【図32】実施例１、２及び比較例の位置不良率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0020】
最初に、基板上に発光素子が形成された半導体ウェーハを、伸縮性のある基材部と島状に分割された糊層からなる第１のテープに貼り付け、半導体ウェーハを複数の発光素子に分割する（図１のＳ１１参照）。このとき、第１のテープとして、基材部がポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリプロピレン（ＰＰ）からなるものを用いることが好ましい。第１のテープの基材部として、このような延性に優れたものを用いれば、十分延性のあるテープとすることができる。
また、第１のテープの糊層を島状に分割する方法は、糊層をブレードまたはレーザーにより切断するか、または基材部の上に印刷法若しくはディスペンス法により島状の糊層を形成することが好ましい。このような方法によれば、比較的容易に糊層を島状に分割することができる。
【0021】
次に、第１のテープを延伸することにより、複数の発光素子のそれぞれの発光素子の間の距離を拡張する（図１のＳ１２参照）。このとき、第１のテープの延性の低い糊層がカットされており、かつ、延性の高い基材部上に島状に配置されていることで、基材部の伸びを阻害することがないため、発光素子のピッチが大きく狂うことが無く、任意のピッチに発光素子を配置することができる。これにより、半導体ウェーハに形成された発光素子をテープエキスパンド法により任意のピッチに精度よく配置することができる。
【0022】
次に、Ｓ１２においてそれぞれの間の距離が拡張された複数の発光素子を、第１のテープから第２のテープに転写する（図１のＳ１３参照）。
【0023】
次に、Ｓ１３において第２のテープに転写された複数の発光素子を実装基板に接合する（図１のＳ１４参照）。このとき、発光素子を前記実装基板にフリップチップボンディングすることができる。発光素子を前記実装基板にフリップチップボンディングする場合に、本発明を好適に適用することができる。
【0024】
上記で説明した本発明の発光素子の製造方法によれば、第１のテープの延性の低い糊層がカットされており、かつ、延性の高い基材部上に島状に配置することで、基材部の伸びを阻害することがないため、発光素子のピッチが大きく狂うことが無く、任意のピッチに発光素子を配置することができる。これにより、半導体ウェーハに形成された発光素子をテープエキスパンド法により任意のピッチに精度よく配置することができる。
【0026】
図２に示すように例えば赤色または黄色ＬＥＤを形成する場合、ＧａＡｓまたはＧｅを選択した出発基板２０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層２０４と、活性層２０４よりバンドギャップの大きい（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層２０３，２０５を活性層２０４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６を作製する。
【0027】
ＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６の作製方法はＭＯＶＰＥに限定されるものではなく、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や、化学線エピタキシー（ＣＢＥ）法で作製しても良い。
【0028】
次にＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６の第一導電型層２０５の一部に接して第一電極２１１を形成する。第一導電型がＰ型の場合はＺｎ，Ｂｅを含む金属で形成する。ＡｕＺｎ合金やＡｕＢｅ合金を選択することが好適であり、ＴｉやＷ，Ｃｒ，Ｎｉ等の高融点金属を含む多層構造が好適であるが、オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではなく、より安価な金属であるＡｕＡｇやＰｔＡｇにＺｎまたはＢｅを含む金属層を選択してもよい。
【0029】
第一導電型がＮ型の場合はＳｉ，Ｇｅを含む金属で形成する。ＡｕＧｅ合金やＡｕＳｉ合金を選択することが好適であり、ＴｉやＷ，Ｃｒ，Ｎｉ等の高融点金属を含む多層構造が好適であるが、オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではなく、より安価な金属であるＡｕＡｇやＰｔＡｇにＳｉまたはＧｅを含む金属層を選択してもよい。
【0030】
第一電極２１１は実装工程に耐える厚さを有すれば良いため、薄さには大きな制約は無いが、オーミックコンタクトを得られる程度の膜厚は必要なため、５０ｎｍ以上の膜厚を有すれば良い。第一電極２１１が厚くなることで、実装状の不具合は生じないが、コスト抑制の観点から、３μｍ以下の膜厚で形成することが好適である。
【0031】
第一導電型層２０５及び活性層２０４の一部をウェットエッチングまたはドライエッチング法により除去し、第二導電型層２０３を露出させる。エッチングは、塩素を含有したガスまたは溶液にて行うことができる。エッチングは上記の材料のみで行われるのではなく、エッチング速度及び形状制御のため、他の材料を混合して行う。
【0032】
第二導電型層２０３を露出させた領域に接した第二電極２１２を設ける。第二導電型がＰ型の場合はＺｎ，Ｂｅを含む金属で形成する。ＡｕＺｎ合金やＡｕＢｅ合金を選択することが好適であり、ＴｉやＷ，Ｃｒ，Ｎｉ等の高融点金属を含む多層構造が好適であるが、オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではなく、より安価な金属であるＡｕＡｇやＰｔＡｇにＺｎまたはＢｅを含む金属層を選択してもよい。
【0033】
第二導電型がＮ型の場合はＳｉ，Ｇｅを含む金属で形成する。ＡｕＧｅ合金やＡｕＳｉ合金を選択することが好適であり、ＴｉやＷ，Ｃｒ，Ｎｉ等の高融点金属を含む多層構造が好適であるが、オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではなく、より安価な金属であるＡｕＡｇやＰｔＡｇにＳｉまたはＧｅを含む金属層を選択してもよい。
【0034】
第二電極２１２は実装工程に耐える厚さを有すれば良いため、薄さには大きな制約は無いが、オーミックコンタクトを得られる程度の膜厚は必要なため、５０ｎｍ以上の膜厚を有すれば良い。第二電極が厚くなることで、実装上の不具合は生じないが、コスト抑制の観点から、３μｍ以下の膜厚で形成することが好適である。
【0035】
また、例えば青色または緑色ＬＥＤを形成する場合、サファイア出発基板２２１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）からなる活性層２２４と、活性層２２４よりバンドギャップの大きいＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）層２２３，２２５を活性層２２４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造２２６を作製する。
【0036】
ＤＨ構造２２６の作製方法はＭＯＶＰＥに限定されるものではなく、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や、化学線エピタキシー（ＣＢＥ）法で作製しても良い。
【0037】
ＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造２２６の第一導電型層２２５の一部に接して第一電極２３１を形成する。第一電極２３１は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｕを１種類以上含む金属で形成する。オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではない。
【0038】
第一電極２３１は実装工程に耐える厚さを有すれば良いため、薄さには大きな制約は無いが、オーミックコンタクトを得られる程度の膜厚は必要なため、３０ｎｍ以上の膜厚を有すれば良い。第一電極２３１が厚くなることで、実装状の不具合は生じないが、コスト抑制の観点から、３μｍ以下の膜厚で形成することが好適である。
【0039】
第一導電型層２２５及び活性層２２４の一部をドライエッチング法により除去し、第二導電型層２２３を露出させる。エッチングは、塩素を含有したガスにて行うことができる。エッチングは上記の材料のみで行われるのではなく、エッチング速度及び形状制御のため、他の材料を混合して行う。
【0040】
第二導電型層２２３を露出させた領域に接した第二電極２３２を設ける。第二電極２３２は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｕを１種類以上含む金属で形成する。オーミック性がとれれば良いため、これらの材料に限定されるものではない。
【0041】
第二電極２３２は実装工程に耐える厚さを有すれば良いため、薄さには大きな制約は無いが、オーミックコンタクトを得られる程度の膜厚は必要なため、３０ｎｍ以上の膜厚を有すれば良い。第二電極が厚くなることで、実装上の不具合は生じないが、コスト抑制の観点から、３μｍ以下の膜厚で形成することが好適である。
【0042】
次に図３に示すようにＰＶＣやＰＰなどの延性のあるテープ基材（基材部）２５０上にアクリル等の糊材（糊層）２５１がシート状に載っているテープ２５２を準備し、図４に示すようにブレードダイシングにて糊層部分を井桁状にカットし、島状糊部（島状に分割された糊層）２５３が形成されたシート（第１のテープ）２５４とする。
【0043】
ここでテープ基材厚をＡ、糊層厚をＢとした際に、ブレードダイシング高さをＢより１０μｍ前後深い設定にてカットを行うことで、糊層を確実にカットし、かつ、テープ層（テープ基材）に過度のダメージを与えることなくカットすることができる。
【0044】
この方法ではブレードダイシングによる加工幅１５μｍ前後のカット溝を必要とするため、実装素子５μｍ□のダイスにおいて、２０μｍピッチ以上の小サイズまで適用可能な方法である。
【0045】
次に図５に示すように第一電極２１１，２３１及び第二電極２１２，２３２形成後のウェーハと井桁状にカットされた島状糊部（島状に分割された糊層）２５３が配置されたシート（第１のテープ）２５４を、電極２１１，２１２，２３１，２３２と島状糊部２５３が対向するように配置して接合し、接合体２６０とする。シート（第１のテープ）２５４は可視光に対して透明な材料を選択しておけば、ダイスパターンと島状糊部２５３をアライメントすることが容易である。
【0046】
次に図６に示すようにウェーハとシート（第１のテープ）２５４を接合し、接合体２６０とした後、ウェーハにレーザーまたはダイヤモンドスクライブにてブレーキング線２６１を形成する。ブレーキング線２６１形成後、ウェーハをブレーキング線２６１に沿ってブレーキングし、ダイス２６２を形成する。ここでは、ウェーハとシート（第１のテープ）２５４の接合後にブレーキング線２６１を形成し、ブレーキングを行う場合を例示しているが、接合前にブレーキング線２６１を形成し、接合後にブレーキングを行ってもよい。
【0047】
次に図７に示すように複数のダイス２６２のそれぞれのダイスの間の距離を拡張する。
【0048】
次に図８に示すように、出発基板２０１，２２１をリフトオフする。出発基板がＧａＡｓ基板２０１であるＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６の場合、出発基板２０１とＤＨ層２０６の間に挿入したＡｌＡｓ犠牲層２０２をＨＦやＢＨＦなどの溶液でエッチングすることで出発基板２０１をリフトオフする（図２参照）。
【0049】
出発基板がサファイア基板２２１であるＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造２２６の場合、レーザーを照射してＤＨ層２２６底部のＧａＮ層を溶解させることでリフトオフを実施する。なお、基板をリフトオフもしくは除去しなくてもよい。
【0050】
次に出発基板２０１，２２１除去後、所望のピッチになるようにテープ拡張を行い、所望のピッチでダイスが配列されたシート２６５を形成する。その際、３０〜５０℃の範囲（好適には３５〜４５℃）でテープを温めてから実施すると拡張時の均一性が室温時より改善する。
【0051】
次に図９に示すように第一の面２７１に糊層２７３を有し、第二の面２７２に基材２７４を有する第２のテープ２７５を準備し、ダイスの基板リフトオフ面２７６と糊層２７３を対向させて第２のテープ２７５にダイスを転写させ、図１０に示すように第一電極２１１，２３１と第二電極２１２，２３２が第一の面２７１と反対側に配置されたシート２８０を形成する。
【0052】
次に駆動回路が形成された実装基板２８５を準備する。そして図１１に示すように実装基板２８５上の電極２８６，２８７，２８８，２８９と、第一電極２１１，２３１及び第二電極２１２，２３２を対向させ、実装基板２８５とダイスを接合し、接合基板２９０とする。ダイスと実装基板２８５の接合は、第一電極２１１，２３１及び第二電極２１２，２３２と実装基板２８５の電極の最表面をＡｕで形成し、超音波印加圧着にて接合してもよい。あるいは、実装基板電極側もしくはダイス電極側に導電性ペースト、あるいは、共晶金属を形成し、低温にてダイスと実装基板２８５の接合を実現してもよい。
【0053】
接合基板２９０形成後、第２のテープ２７５を剥離する。
【0054】
本実施形態では可視発光をするＬＥＤの実装工程に対して例示をしたが、発光素子の発光波長が実装工程に影響しないことは自明であり、本実施形態の発光波長にかかわらず適用は可能であり、発光素子が赤外発光素子であれ、紫外発光素子であれ、発光波長にかかわらず、適用可能であることは言うまでもない。
【0055】
（第二の実施形態）次に、本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態について、図１２〜２１を参照しながら説明する。
図１２〜２１に本発明発光素子の製造方法の第二の実施形態を示す。
なお、本実施形態では、第１のテープの糊層を島状に分割する方法としてレーザーを用いている点が、第一の実施形態と異なるが、それ以外は、第一の実施形態と同様である。
【0056】
図１２に示すように例えば赤色または黄色ＬＥＤを形成する場合、第一の実施形態と同様に、ＧａＡｓまたはＧｅを選択された出発基板４０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層４０４と、活性層４０４よりバンドギャップの大きい（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層４０３，４０５を活性層４０４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造４０６を作製する。
【0057】
次にＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造４０６の第一導電型層４０５の一部に接して第一電極４１１を第一の実施形態と同様にして形成する。
【0058】
次に第一の実施形態と同様にして第一導電型層４０５及び活性層４０４の一部をウェットエッチングまたはドライエッチング法により除去し、第二導電型層４０３を露出させる。
【0059】
第二導電型層４０３を露出させた領域に接した第二電極４１２を第一の実施形態と同様にして設ける。
【0060】
また、例えば青色または緑色ＬＥＤを形成する場合、第一の実施形態と同様に、サファイア出発基板４２１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）からなる活性層４２４と、活性層４２４よりバンドギャップの大きいＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）層４２３，４２５を活性層４２４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造４２６を作製する。
【0061】
ＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造４２６の第一導電型層４２５の一部に接して第一電極４３１を第一の実施形態と同様にして形成する。
【0062】
次に第一の実施形態と同様にして第一導電型層４２５及び活性層４２４の一部をドライエッチング法により除去し、第二導電型層４２３を露出させる。
【0063】
第二導電型層４２３を露出させた領域に接した第二電極４３２を第一の実施形態と同様にして設ける。
【0064】
次に図１３に示すようにＰＶＣやＰＰなどの延性のあるテープ基材（基材部）４５０上にアクリル等の糊材（糊層）４５１がシート状に載っているテープ４５２を準備し、図１４に示すようにレーザーにて糊層部分を井桁状にカットし、島状糊部（島状に分割された糊層）４５３が形成されたシート（第１のテープ）４５４とする。レーザー出力を低出力に制御して糊層部分をカットすることで、テープ基材４５０に過剰なダメージを与えずに糊層部分を島状にカットすることができる。この方法ではレーザーによる加工幅が５μｍ前後になるため、実装素子５μｍ□前後のダイスにおいて、１０μｍピッチ以上の小サイズまで適用可能な方法である。
【0065】
次に図１５に示すように、第一の実施形態と同様にして、第一電極４１１，４３１及び第二電極４１２，４３２形成後のウェーハと井桁状にカットされた島状糊部（島状に分割された糊層）４５３が配置されたシート４５４を、電極４１１，４１２，４３１，４３２と島状糊部４５３が対向するように配置して接合し、接合体４６０とする。
【0066】
次に図１６に示すようにウェーハとシートを接合し、接合体４６０とした後、ウェーハにレーザーまたはダイヤモンドスクライブにてブレーキング線４６１を形成する。ブレーキング線４６１形成後、ウェーハをブレーキング線４６１に沿ってブレーキングし、ダイス４６２を形成する。ここでは、ウェーハとシートの接合後にブレーキングを行う場合を例示しているが、接合前にブレーキング線４６１を形成し、接合後にブレーキングを行ってもよい。
【0067】
次に図１７に示すように複数のダイスのそれぞれのダイスの間の距離を拡張する。
【0068】
次に図１８に示すようにブレーキング処理を実施し、ダイスの間の距離を拡張した後、第一の実施形態と同様にして出発基板４０１，４２１をリフトオフする。出発基板がＧａＡｓ基板４０１であるＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造４０６の場合、出発基板４０１とＤＨ層４０６の間に挿入したＡｌＡｓ犠牲層４０２をＨＦやＢＨＦなどの溶液でエッチングすることで出発基板４０１をリフトオフする。
なお、基板をリフトオフもしくは除去しなくてもよい。
【0069】
次に出発基板４０１，４２１除去後、第一の実施形態と同様にして、所望のピッチになるようにテープ拡張を行い、所望のピッチでダイスが配列されたシート４６５を形成する。
【0070】
次に図１９に示すように第一の面４７１に糊層４７３を有し、第二の面４７２に基材４７４を有するテープ（第２のテープ）４７５を準備し、ダイスの基板リフトオフ面４７６と糊層４７３を対向させてテープ（第２のテープ）４７５にダイスを転写させ、図２０に示すように第一電極４１１，４３１と第二電極４１２，４３２が第一の面４７１と反対側に配置されたシート４８０を形成する。
【0071】
次に駆動回路が形成された実装基板４８５を準備する。
【0072】
そして図２１に示すように、第一の実施形態と同様にして、実装基板４８５上の電極４８６，４８７，４８８，４８９と、第一電極４１１，４３１及び第二電極４１２，４３２を対向させ、実装基板とダイスを接合し、接合基板４９０とする。
【0073】
接合基板４９０形成後、テープ（第２のテープ）４７５を剥離する。
【0074】
本実施形態においても可視発光をするＬＥＤの実装工程に対して例示をしたが、発光素子の発光波長が実装工程に影響しないことは自明であり、本実施形態の発光波長にかかわらず適用は可能であり、発光素子が赤外発光素子であれ、紫外発光素子であれ、発光波長にかかわらず、適用可能であることは言うまでもない。
【0075】
（第三の実施形態）次に、本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態について、図２２〜３０を参照しながら説明する。
図２２〜３０に本発明発光素子の製造方法の第三の実施形態を示す。
なお、本実施形態では、第１のテープの糊層を島状に分割する方法として、基材部の上に印刷法若しくはディスペンス法により島状の糊層を形成している点が、第一の実施形態と異なるが、それ以外は、第一の実施形態と同様である。
【0076】
図２２に示すように例えば赤色または黄色ＬＥＤを形成する場合、第一の実施形態と同様に、ＧａＡｓまたはＧｅを選択された出発基板６０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層６０４と、活性層６０４よりバンドギャップの大きい（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層６０３，６０５を活性層６０４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造６０６を作製する。
【0077】
次にＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造６０６の第一導電型層６０５の一部に接して第一電極６１１を第一の実施形態と同様にして形成する。
【0078】
次に第一の実施形態と同様にして第一導電型層６０５及び活性層６０４の一部をウェットエッチングまたはドライエッチング法により除去し、第二導電型層６０３を露出させる。
【0079】
次に第二導電型層６０３を露出させた領域に接した第二電極６１２を第一の実施形態と同様にして設ける。
【0080】
例えば青色または緑色ＬＥＤを形成する場合、第一の実施形態と同様に、サファイア出発基板６２１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）からなる活性層６２４と、活性層６２４よりバンドギャップの大きいＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）層６２３，６２５を活性層６２４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造６２６を作製する。
【0081】
次にＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造６２６の第一導電型層６２５の一部に接して第一電極６３１を第一の実施形態と同様にして形成する。
【0082】
次に第一の実施形態と同様にして第一導電型層６２５及び活性層６２４の一部をドライエッチング法により除去し、第二導電型層６２３を露出させる。
【0083】
次に第二導電型層６２３を露出させた領域に接した第二電極６３２を第一の実施形態と同様にして設ける。
【0084】
次に図２３に示すようにＰＶＣやＰＰなどの延性のあるテープ基材（基材部）６５０上にアクリル等の糊材を吐出ノズルから島状に吐出して島状糊部（島状に分割された糊層）６５３が形成されたシート（第１のテープ）６５４を準備する。この方法では印刷法、もしくはディスペンス法によるヘッドの印刷精度に左右されるが、５μｍ前後の間隔で島状に糊部を設置することが可能なため、５μｍ□前後のダイスにおいて、１０μｍピッチ以上の小サイズまで適用可能な方法である。
【0085】
次に図２４に示すように、第一の実施形態と同様にして、第一電極６１１，６３１及び第二電極６１２，６３２形成後のウェーハと井桁状の島状糊部（島状に分割された糊層）６５３が配置されたシート６５４を、電極６１１，６１２，６３１，６３２と島状糊部６５３が対向するように配置して接合し、接合体６６０とする。
【0086】
次に図２５に示すようにウェーハとシートを接合し、接合体６６０とした後、ウェーハにレーザーまたはダイヤモンドスクライブにてブレーキング線６６１を形成する。ブレーキング線６６１形成後、ウェーハをブレーキング線６６１に沿ってブレーキングし、ダイス６６２を形成する。ここでは、ウェーハとシートの接合後にブレーキングを行う場合を例示しているが、接合前にブレーキング線６６１を形成し、接合後にブレーキングを行ってもよい。
【0087】
次に図２６に示すように複数のダイスのそれぞれのダイスの間の距離を拡張する。
【0088】
次に図２７に示すようにブレーキング処理を実施し、ダイスの間の距離を拡張した後、第一の実施形態と同様にして出発基板６０１，６２１をリフトオフする。出発基板がＧａＡｓ基板６０１であるＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造６０６の場合、出発基板６０１とＤＨ層６０６の間に挿入したＡｌＡｓ犠牲層６０２をＨＦやＢＨＦなどの溶液でエッチングすることで出発基板６０１をリフトオフする。
なお、基板をリフトオフもしくは除去しなくてもよい。
【0089】
次に出発基板６０１，６２１除去後、第一の実施形態と同様にして、所望のピッチになるようにテープ拡張を行い、所望のピッチでダイスが配列されたシート６６５を形成する。
【0090】
次に図２８に示すように第一の面６７１に糊層６７３を有し、第二の面６７２に基材６７４を有するテープ（第２のテープ）６７５を準備し、ダイスの基板リフトオフ面６７６と糊層６７３を対向させてテープ（第２のテープ）６７５にダイスを転写させ、図２９に示すように第一電極６１１，６３１と第二電極６１２，６３２が第一の面６７１と反対側に配置されたシート６８０を形成する。
【0091】
次に駆動回路が形成された実装基板６８５を準備する。
【0092】
そして図３０に示すように、第一の実施形態と同様にして、実装基板６８５上の電極６８６，６８７，６８８，６８９と、第一電極６１１，６３１及び第二電極６１２，６３２を対向させ、実装基板６８５とダイスを接合し、接合基板６９０とする。
【0093】
接合基板６９０形成後、テープ（第２のテープ）６７５を剥離する。
【0094】
本実施形態においても可視発光をするＬＥＤの実装工程に対して例示をしたが、発光素子の発光波長が実装工程に影響しないことは自明であり、本実施形態の発光波長にかかわらず適用は可能であり、発光素子が赤外発光素子であれ、紫外発光素子であれ、発光波長にかかわらず、適用可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【0095】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0096】
（実施例１）ＧａＡｓ基板２０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（黄色：ｙ＝０．５，ｘ＝０．１５、赤色：ｙ＝０．５，ｘ−＝０．０５）からなる活性層２０４と、活性層２０４よりバンドギャップの大きい（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ｘ＝０．８５，ｙ＝０．５）層２０３，２０５を活性層２０４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６を作製した。その際、ＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造２０６と出発基板２０１との間にＡｌＡｓ犠牲層２０２を５０ｎｍの厚さで形成した（図２参照）。
【0097】
このような構造の半導体ウェーハを第一の実施形態のように加工し、ブレードダイシングにて糊層部分を井桁状にカットした島状部２５３が形成されたＰＶＣを基材（基材部）としたシート（第１のテープ）２５４（図４参照）を用いて５〜１０μｍ角のダイスを３５〜１００μｍピッチで実装基板に接合した。なお、シート（第１のテープ）の基材（基材部）の厚みは８０μｍで糊部（糊層）の厚みは５μｍで幅１５μｍのブレードで２０〜５０μｍピッチで糊部を島状にカットした。
【0098】
（実施例２）ＧａＡｓ基板４０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、（ＡｌｘＧａ１−ｘ） ｙＩｎ１−ｙＰ（黄色：ｙ＝０．５，ｘ＝０．１５、赤色：ｙ＝０．５，ｘ−＝０．０５）からなる活性層４０４と、活性層４０４よりバンドギャップの大きい（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ｘ＝０．８５，ｙ＝０．５）層４０３，４０５を活性層４０４の両側に配置したＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造４０６を作製した。その際、ＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造４０６と出発基板４０１との間にＡｌＡｓ犠牲層４０２を５０ｎｍの厚さで形成した（図１２参照）。
【0099】
このような構造の半導体ウェーハを第二の実施形態のように加工し、レーザーにて糊層部分を井桁状にカットした島状部４５３が形成されたＰＶＣを基材としたシート（第１のテープ）４５４（図１４参照）を用いて５〜１０μｍ角のダイスを３５〜１００μｍピッチで実装基板に接合した。なお、シート（第１のテープ）の基材（基材部）の厚みは８０μｍで糊部（糊層）の厚みは５μｍでレーザーを用いて２０〜５０μｍピッチで糊部を島状にカットした。
【0100】
（比較例）シート（第１のテープ）の糊部（糊層）を島状としないこと、及びダイスのピッチを１５〜１００μｍとしたこと以外は実施例１，２と同様に発光素子の実装を行った。
【0101】
実施例１，２及び比較例の位置不良率の結果を図３２に示す。なお、位置不良としては図３１に示すように横ずれ、縦ずれ、回転の３種類がある。図３２からわかるように、糊層が島状に分割された第１のテープを用いた実施例１、２では、糊層が島状に分割されない第１のテープを用いた比較例と比較すると、実装時の位置不良が大幅に改善されている。
【0102】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【0103】
２０１、４０１、６０１…出発基板（ＧａＡｓ基板）、２２１、４２１、６２１…出発基板（サファイヤ基板、サファイヤ出発基板）、
２０２、４０２、６０２…ＡｌＡｓ犠牲層、
２０３、２２３、４０３、４２３、６０３、６２３…第二導電型層、
２０４、２２４、４０４、４２４、６０４、６２４…活性層、
２０５、２２５、４０５、４２５、６０５、６２５…第一導電型層、
２０６、４０６、６０６…ＡｌＧａＩｎＰ系ＤＨ構造、
２２６、４２６、４２６…ＡｌＧａＩｎＮ系ＤＨ構造、
２１１、２３１、４１１、４３１、６１１、６３１…第一電極、
２１２、２３２、４１２、４３２、６１２、６３２…第二電極、
２５０、４５０、６５０…テープ基材（基材部）、 ２５１、４５１…糊材（糊層）、
２５２、４５２…テープ、
２５３、４５３、６５３…島状糊部（島状に分割された糊層）
２５４、４５４、６５４…シート（第１のテープ）、
２６０、４６０、６６０…接合体、 ２６１、４６１、６６１…ブレーキング線、
２６２、４６２、６６２…ダイス、 ２６５、４６５、６６５…シート、
２７１、４７１、６７１…第一の面、 ２７２、４７２、６７２…第二の面、
２７３、４７３、６７３…糊層、 ２７４、４７４、６７４…基材、
２７５、４７５、６７５…第２のテープ、
２７６、４７６、６７６…基板リフトオフ面、 ２８０、４８０、６８０…シート、
２８５、４８５、６８５…実装基板、
２８６、２８７、２８８、２８９…電極、 ４８６、４８７、４８８、４８９…電極、
６８６、６８７、６８８、６８９…電極、
２９０、４９０、６９０…接合基板。