特許 6792796 ９０度ハイブリッド回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6792796

(24)【登録日】2020年11月11日

(45)【発行日】2020年12月2日

(54)【発明の名称】９０度ハイブリッド回路

(51)【国際特許分類】

   H01P 5/18 20060101AFI20201119BHJP

【ＦＩ】

   H01P5/18 J

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2017-5001(P2017-5001)

(22)【出願日】2017年1月16日

(65)【公開番号】特開2018-117173(P2018-117173A)

(43)【公開日】2018年7月26日

【審査請求日】2019年9月13日

(73)【特許権者】

【識別番号】000005083

【氏名又は名称】日立金属株式会社

(72)【発明者】

【氏名】小川 智之

(72)【発明者】

【氏名】松原 亮滋

【審査官】 福田 正悟

(56)【参考文献】

【文献】 特開昭６３−０４３４０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−１７００３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−０１８２０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０３６２９７３３（ＵＳ，Ａ）

【文献】 実公平０３−０１４８０３（ＪＰ，Ｙ２）

【文献】 特開昭５０−０１１１５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 実開昭６２−０８９８１０（ＪＰ，Ｕ）

【文献】 特開２００５−０８６６２２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｐ ５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体基板と、
前記誘電体基板に形成された導体パターンからなり、第１ポートと第２ポートとを導通する第１導体と、
前記誘電体基板に形成された導体パターンからなり、第３ポートと第４ポートとを導通する第２導体と、を備え、
前記第１導体の一部と前記第２導体の一部とが前記誘電体基板の表裏面で対向した結合線路が形成されており、
前記結合線路を構成する前記第１導体の一部である第１結合線路部は、当該第１結合線路部を両側から挟み込むように第１グランドパターンが形成されたコプレーナ線路からなり、
前記結合線路を構成する前記第２導体の一部である第２結合線路部は、当該第２結合線路部を両側から挟み込むように第２グランドパターンが形成されたコプレーナ線路からなり、
前記第１結合線路部は、その両端の直線距離よりも線路長が長くなるように複数回屈曲して形成されており、
前記第２結合線路部は、前記誘電体基板の厚さ方向の一方から見て前記第１結合線路部と同じ形状に形成されており、
前記第１ポートから前記第３ポートへの信号伝送は、前記第１結合線路の前記コプレーナ線路を介して行われ、
前記第１ポートから前記第２ポートへの信号伝送は、前記結合線路を介して行われ、
前記第２ポートから出力される信号の位相と、前記第３ポートから出力される信号の位相との位相差は９０度となる、
９０度ハイブリッド回路。

【請求項2】

前記第１〜第４ポートが前記誘電体基板の表面に設けられており、
前記第１導体は、前記誘電体基板の表面に形成されており、
前記第２導体は、前記第２結合線路部を含むその一部が前記誘電体基板の裏面に形成され、前記誘電体基板の表面に形成され前記第３及び第４ポートから延びる他部とスルーホールを介して電気的に接続されている、
請求項１に記載の９０度ハイブリッド回路。

【請求項3】

前記第１グランドパターンと前記第２グランドパターンとが、スルーホールを介して互いに電気的に接続されている、
請求項１または２に記載の９０度ハイブリッド回路。

【請求項4】

前記第１結合線路部は、仮想の基準線に対して所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置された複数の第１傾斜部と、前記基準線に対して前記第１傾斜部と反対方向に前記所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置され、隣り合う前記第１傾斜部の端部同士を連結する複数の第２傾斜部と、を一体に有しており、
前記第２結合線路部は、前記誘電体基板の厚さ方向の一方から見て前記第１結合線路部と同じ形状に形成されている、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の９０度ハイブリッド回路。

【請求項5】

前記第１傾斜部と前記第２傾斜部とを連結する角部が、面取りされた形状となっている、
請求項４に記載の９０度ハイブリッド回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、９０度ハイブリッド回路に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、４つの１／４波長線路をロ字状に組み合わせたブランチラインタイプの９０度ハイブリッド回路が知られている（例えば、特許文献１参照。）。例えば、第１ポート１と第２及び第３ポート、第２及び第３ポートと第４ポートとを１／４波長線路を介してそれぞれ接続した９０度ハイブリッド回路では、第１ポートから入力した信号が第１及び第４ポートから出力され、第３ポートからは信号が出力されない。また、第２ポートと第４ポートから出力される信号の出力電力は等しく、第２ポート２から出力される信号の位相は第４ポートから出力される信号の位相より９０度進む。

【0003】

この出願の発明に関連する他の先行技術文献情報としては、特許文献２がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１１−２１１２９９号公報

【特許文献2】特開２００９−２２５０６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、上述のブランチラインタイプの９０度ハイブリッド回路では、広帯域とするためには複数段（好ましくは３段以上）の９０度ハイブリッド回路を組み合わせる必要があり、サイズが大きくなってしまう。

【0006】

また、１／４波長線路はマイクロストリップ線路で構成されるのが一般的であるが、この場合、基板を構成する誘電体の影響が大きくなり、誘電損が大きくなってしまう。そのため、誘電正接が小さい高価な基板を用いる必要があり、コストの増大にもつながっていた。

【0007】

そこで、本発明は、小型で広帯域かつ低損失の９０度ハイブリッド回路を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、上記課題を解決することを目的として、誘電体基板と、前記誘電体基板に形成された導体パターンからなり、第１ポートと第２ポートとを導通する第１導体と、前記誘電体基板に形成された導体パターンからなり、第３ポートと第４ポートとを導通する第２導体と、を備え、前記第１導体の一部と前記第２導体の一部とが前記誘電体基板の表裏面で対向した結合線路が形成されており、前記結合線路を構成する前記第１導体の一部である第１結合線路部は、当該第１結合線路部を両側から挟み込むように第１グランドパターンが形成されたコプレーナ線路からなり、前記結合線路を構成する前記第２導体の一部である第２結合線路部は、当該第２結合線路部を両側から挟み込むように第２グランドパターンが形成されたコプレーナ線路からなる、９０度ハイブリッド回路を提供する。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、小型で広帯域かつ低損失の９０度ハイブリッド回路を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】（ａ）は、本発明の一実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路の斜視図、（ｂ）は誘電体基板を透視した斜視図である。

【図2】（ａ）は、図１の９０度ハイブリッド回路の表面側から見た平面図、（ｂ）は表面側から裏面を透視した図である。

【図3】（ａ）はコプレーナ線路の線路長を概略的に説明する図、（ｂ）は結合線路の線路長を概略的に説明する図である。

【図4】本発明の一変形例に係る９０度ハイブリッド回路の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

【0012】

図１（ａ）は、本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路の斜視図、図１（ｂ）は誘電体基板を透視した斜視図である。また、図２（ａ）は、９０度ハイブリッド回路の表面側から見た平面図、図２（ｂ）は表面側から裏面を透視した図である。

【0013】

図１及び図２に示すように、９０度ハイブリッド回路１は、誘電体基板２と、第１ポートＰ１と第２ポートＰ２とを導通する第１導体３と、第３ポートＰ３と第４ポートＰ４とを導通する第２導体４と、を備えている。第１導体３及び第２導体４は、誘電体基板２に形成された導体パターンからなる。

【0014】

本実施の形態では、第１ポートＰ１が入力ポートとなり、第２ポートＰ２及び第３ポートＰ３が出力ポートとなる。つまり、第１ポートＰ１から入力された信号は第２ポートＰ２と第３ポートＰ３に分配され出力される。第２ポートＰ２から出力される信号の電力と、第３ポートＰ３から出力される信号の電力とは略等しくなる。また、第２ポートＰ２から出力される信号の位相と、第３ポートＰ３から出力される信号の位相の位相差は９０度となる。第４ポートＰ４はアイソレーションポートとなり、第１ポートＰ１から信号を入力しても第４ポートＰ４からは信号が出力されない（あるいは出力される信号の電力が非常に小さい）。

【0015】

本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１では、第１導体３の一部と第２導体４の一部とが誘電体基板２の表裏面で対向した結合線路（カップリングライン）５が形成されている。以下、結合線路５を構成する第１導体３の一部を第１結合線路部５１、結合線路５を構成する第２導体４の一部を第２結合線路部５２と呼称する。結合線路５の詳細については後述する。

【0016】

まず、第１導体３と第２導体４の結合線路５以外の部分の具体的な形状等について説明する。以下の説明では、説明の簡略化のために、図２（ａ）における上下方向を幅方向、左右方向を長さ方向、紙面方向を厚さ方向という。

【0017】

第１ポートＰ１と第４ポートＰ４は、誘電体基板２の幅方向における一端部に設けられている。また、第２ポートＰ２と第３ポートＰ３は、誘電体基板２の幅方向における他端部に設けられている。第１ポートＰ１と第３ポートＰ３とは幅方向に対向して設けられており、第２ポートＰ２と第４ポートＰ４とは幅方向に対向して設けられている。全てのポートＰ１〜Ｐ４は、誘電体基板２の同じ面（表面という）に設けられている。

【0018】

第１導体３は、その全体が誘電体基板２の表面に形成されている。第１導体３は、上述の第１結合線路部５１と、第１ポートＰ１から幅方向に沿って延出された直線状の第１ポート接続部３１と、第１ポート接続部３１の先端部から長さ方向に延出され、その先端部が第１結合線路部５１の一端部に接続される第１連結部３２と、第２ポートＰ２から幅方向に沿って延出された直線状の第２ポート接続部３４と、第２ポート接続部３４の先端部から長さ方向に延出され、その先端部が第１結合線路部５１の他端部に接続される第２連結部３３と、を一体に有している。第１ポートＰ１は、第１ポート接続部３１、第１連結部３２、第１結合線路部５１、第２連結部３３、及び第２ポート接続部３４を介して、第２ポートＰ２に接続されている。

【0019】

第１ポート接続部３１と第２ポート接続部３４の幅方向に沿った長さは等しく、第１連結部３２と第２連結部３３の長さ方向に沿った長さは等しい。第１結合線路部５１は、インピーダンス調整のために、第１及び第２ポート接続部３１，３４よりも線路幅が広く形成されている。第１及び第２連結部３２，３３は、第１及び第２ポート接続部３１，３４の先端部から延出され第１及び第２ポート接続部３１，３４と線路幅が等しい定幅部８１と、定幅部８１の先端部と第１結合線路部５１とを接続し定幅部８１側から第１結合線路部５１側にかけて徐々に線路幅が広くなるように形成されている拡幅部８２と、を有している。詳細は後述するが、本実施の形態では、第２導体４にスルーホール９３を形成しているので、拡幅部８２のスルーホール９３側の縁部は、スルーホール９３からの距離が等しくなるよう湾曲した形状に形成されている。第１導体３は、全体として、平面視で１８０度回転対称の形状に形成されている。

【0020】

第２導体４は、誘電体基板２の表面と裏面とに分割して形成されている。第２導体４は、上述の第２結合線路部５２と、第３ポートＰ３から幅方向に沿って延出された直線状の第３ポート接続部４１と、第３ポート接続部４１の先端部と第２結合線路部５２の一端部とを連結する第３連結部４２と、第４ポートＰ４から幅方向に沿って延出された直線状の第４ポート接続部４４と、第４ポート接続部４４の先端部と第２結合線路部５２の他端部とを連結する第４連結部４３と、を一体に有している。第３ポートＰ３は、第３ポート接続部４１、第３連結部４２、第２結合線路部５２、第４連結部４３、及び第４ポート接続部４４を介して、第４ポートＰ４に接続されている。

【0021】

第３ポート接続部４１と第４ポート接続部４４の幅方向に沿った長さは等しく、第１導体３の第１ポート接続部３１及び第２ポート接続部３４の幅方向に沿った長さとも等しい。また、第３連結部４２と第４連結部４３の長さ方向に沿った長さは等しく、第１導体３の第１連結部３２及び第２連結部３３の長さ方向に沿った長さとも等しい。

【0022】

第２結合線路部５２は、インピーダンス調整のために、第３及び第４ポート接続部４１，４４よりも線路幅が広く形成されている。また、第２結合線路部５２は、誘電体基板２の裏面に形成されている。第３及び第４連結部４２，４３は、誘電体基板２の表裏面に分割して形成されている。

【0023】

第３及び第４連結部４２，４３は、誘電体基板２の表面に形成され、第３及び第４ポート接続部４１，４４の先端部から長さ方向に延出された線路幅が一定の定幅部９１と、誘電体基板２の裏面に形成され、スルーホール９３を介して定幅部９１の先端部と接続されており、かつ、スルーホール９３側から第２結合線路部５２側にかけて徐々に線路幅が広くなるように形成されている拡幅部９２と、を有している。第２導体３は、全体として、平面視で１８０度回転対称の形状に形成されている。

【0024】

このように、本実施の形態では、第２導体４は、第２結合線路部５２を含むその一部（第２結合線路部５２と拡幅部９２）が誘電体基板２の裏面に形成され、誘電体基板２の表面に形成され第３及び第４ポートＰ３，Ｐ４から延びる他部（第３及び第４ポート接続部４１，４４及び定幅部９１）とスルーホール９３を介して電気的に接続されている。

【0025】

誘電体基板２の裏面には、ほぼ全面にグランドパターン７が形成されている。誘電体基板２の裏面の中央部（幅方向及び長さ方向の中央部）に、グランドパターン７を除去した矩形状の領域を形成し、この領域に、結合線路５を配置している。第１〜第４ポート接続部３１，３４，４１，４４及び定幅部８１，９１の一部の裏面には、グランドパターン７が形成されている。つまり、第１〜第４ポート接続部３１，３４，４１，４４及び定幅部８１，９１の一部は、その裏面にグランドパターン７が形成されたマイクロストリップ線路からなる。

【0026】

（結合線路５の説明）
次に、結合線路５について説明する。結合線路５は、第１導体３の一部である第１結合線路部５１と、第２導体４の一部である第２結合線路部５２とを、誘電体基板２の表裏面に対向して形成し、互いに電磁結合させた線路である。

【0027】

本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１では、第１結合線路部５１は、当該第１結合線路部５１を両側から挟み込むように第１グランドパターン６１が形成されたコプレーナ線路からなる。同様に、第２結合線路部５２は、当該第２結合線路部５２を両側から挟み込むように第２グランドパターン６２が形成されたコプレーナ線路からなる。結合線路５は、伝送する信号の中心波長の１／４の長さに形成される。

【0028】

コプレーナ線路では、第１及び第２結合線路部５１，５２とグランドパターン６１，６２間に強い電磁界が生じるため、誘電体基板２を構成する誘電体の影響を受けにくく、誘電損が小さい。そのため、誘電正接が比較的大きい安価な誘電体基板２を用いることが可能になる。つまり、第１及び第２結合線路部５１，５２をコプレーナ線路とすることで、低損失かつ低コストの９０度ハイブリッド回路１を実現できる。

【0029】

第２グランドパターン６２は、誘電体基板２の裏面に形成されており、グランドパターン７からグランドパターン７を除去した中央部の領域に突出するように形成されている。第１グランドパターン６１は、誘電体基板２の厚さ方向の一方から見て第２グランドパターン６２と略同じ形状（誘電体基板２の厚さ方向の中心に対して対称な形状）に形成されている。第１グランドパターン６１と第２グランドパターン６２とは、複数のスルーホール６３を介して互いに電気的に接続されている。

【0030】

第１グランドパターン６１は、その縁部が第１結合線路部５１の縁部に沿うように形成されており、第１グランドパターン６１と第１結合線路部５１間の隙間は略一定の幅（ここでは１ｍｍ程度）とされる。同様に、第２グランドパターン６２は、その縁部が第２結合線路部５２の縁部に沿うように形成されており、第２グランドパターン６２と第２結合線路部５２間の隙間は略一定の幅（ここでは１ｍｍ程度）とされる。

【0031】

ところで、第１ポートＰ１から第２ポートＰ２への信号伝送は、コプレーナ線路である第１結合線路部５１を介して行われる。コプレーナ線路では、誘電体基板２を構成する誘電体の影響を受けにくく空気の誘電率が優勢となるため、信号の伝搬スピードが比較的早い。

【0032】

これに対して、第１ポートＰ１から第３ポートＰ３への信号伝送は、結合線路５を介して行われる。結合線路５では、誘電体基板２を挟んで電磁結合されていることから、電磁界分布は誘電体基板２を構成する誘電体内で強くなる。そのため、誘電体基板２を構成する誘電体の影響を受けやすく、信号の伝搬スピードが比較的遅くなる。

【0033】

そのため、例えば第１及び第２結合線路部５１，５２を単に直線状に形成した場合には、信号の伝搬スピードの差異の影響により、第２ポートＰ２から出力される信号の位相と第３ポートＰ３から出力される信号の位相との位相差が９０度からずれてしまい、電気特性が悪化してしまうおそれがある。

【0034】

そこで、本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１では、第１結合線路部５１を、その両端の直線距離よりも線路長が長くなるように複数回屈曲して形成した。第２結合線路部５１は、誘電体基板２の厚さ方向の一方から見て第１結合線路部５１と同じ形状（誘電体基板２の厚さ方向の中心に対して対称な形状）に形成される。

【0035】

本実施の形態では、第１結合線路部５１は、長さ方向に沿った仮想の基準線Ｃに対して所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置された複数の第１傾斜部５１ａと、基準線Ｃに対して第１傾斜部５１ａと反対方向に所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置され、隣り合う第１傾斜部５１ａの端部同士を連結する複数の第２傾斜部５１ｂと、を一体に有しており、全体としてジグザグ形状（三角波形状）に形成されている。

【0036】

図２（ａ）における上側の縁部でかつ下方に凸となっている頂部ａと、図２（ａ）における下側の縁部でかつ情報に凸となっている頂部ｂとは、共に幅方向において同じ位置（第１結合線路部５１の幅方向における中心位置、図示の基準線Ｃと重なる位置）に位置している。つまり、基準線Ｃよりも幅方向の一方の第１結合線路部５１は、幅方向の外方に頂角が臨み底辺が長さ方向に沿って形成された２等辺三角形状の導体を長さ方向に隙間なく整列配置した形状となり、幅方向の他方の第１結合線路部５１は、頂角が反対を向いた同じ形状の２等辺三角形状の導体を長さ方向に半周期ずらして隙間なく整列配置した形状となっている。

【0037】

第２結合線路部５２は、誘電体基板２の厚さ方向の一方から見て第１結合線路部５１と同じ形状に形成されている。つまり、第２結合線路部５２は、仮想の基準線Ｃに対して所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置された複数の第３傾斜部５２ａと、基準線Ｃに対して第３傾斜部５２ａと反対方向に所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置され、隣り合う第３傾斜部５２ａの端部同士を連結する複数の第４傾斜部５２ｂと、を一体に有しており、全体としてジグザグ形状（三角波形状）に形成されている。第３傾斜部５２ａは、第１傾斜部５１ａと誘電体基板２を挟んで対向しており、第４傾斜部５２ｂは、第２傾斜部５１ｂと誘電体基板２を挟んで対向している。

【0038】

図３（ａ）に破線Ａで示すように、第１ポートＰ１，第２ポートＰ２間で信号を伝送するコプレーナ線路では、電磁界が第１結合線路部５１と第１グランドパターン６１間に集中するため、その電気長が第１結合線路部５１の縁部の長さと略一致する。

【0039】

これに対して、図３（ｂ）に破線Ｂで示すように、第１ポートＰ１，第３ポートＰ３間で信号を伝送する結合線路５では、電磁界が第１結合線路部５１と第２結合線路部５２間に集中するため、その電気長は、導体中心位置を滑らかに辿る経路の長さと略等しくなり、第１結合線路部５１の縁部の長さよりも短くなる。

【0040】

よって、第１及び第２結合線路部５１，５２をジグザグ形状とすることで、伝搬スピードが比較的速いコプレーナ線路の電気長を長くし、伝搬スピードが比較的遅い結合線路の電気長を短くすることができ、第１ポートＰ１から第２及び第３ポートＰ２，Ｐ３に至る信号の伝搬時間を一致させることが可能になる。その結果、第２及び第３ポートＰ２，Ｐ３の出力位相差を精度よく９０度に保つことが可能になる。

【0041】

なお、第１及び第２結合線路部５１，５２はジグザグ形状（三角波形状）に限定されず、例えば、正弦波形状としてもよい。

【0042】

また、本実施の形態では、第１傾斜部５１ａと第２傾斜部５１ｂ（あるいは第３傾斜部５２ａと第４傾斜部５２ｂ）を連結する角部が尖った形状となっているが、図４に示すように、角部５３が面取りされた形状となっていてもよい。これにより、パターニングにより第１導体３及び第２導体４を形成しやすくなり、製造コストも削減できる。

【0043】

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１では、第１ポートＰ１と第２ポートＰ２とを導通する第１導体３の一部と、第３ポートと第４ポートとを導通する第２導体４の一部とが誘電体基板２の表裏面で対向した結合線路５が形成されており、結合線路５を構成する第１導体３の一部である第１結合線路部５１と、結合線路５を構成する第２導体４の一部である第２結合線路部５２とが、コプレーナ線路からなる。

【0044】

結合線路５を用いた９０度ハイブリッド回路１とすることで、４つの１／４波長線路を組み合わせた従来のブランチラインタイプの９０度ハイブリッド回路と比較して、小型化することが可能になる。

【0045】

また、結合線路５をコプレーナ線路とすることで、誘電体基板２を構成する誘電体の誘電正接の影響が小さくなり、マイクロストリップ構造の１／４波長線路を用いた従来の９０度ハイブリッド回路と比較して、誘電損が抑制される。また、誘電体基板２を構成する誘電体の影響を受けにくいことから、誘電正接が大きい安価な誘電体基板２を用いることが可能になり、コスト削減に寄与する。

【0046】

本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１を試作したところ、帯域１．６ＧＨｚ〜２．２ＧＨｚで良好な特性が得られ、比帯域３０％以上の広帯域な９０度ハイブリッド回路１が得られた。つまり、本実施の形態によれば、小型で広帯域かつ低損失の９０度ハイブリッド回路１を実現できる。

【0047】

また、９０度ハイブリッド回路１は、誘電体基板２に導体パターンをパターニングすることで形成可能であり、製造が容易である。また、結合線路５がコプレーナ線路となっているため、例えば、単に導体同士を対向させたような場合と比較して、結合線路の特性インピーダンスを調整し易く設計が容易である。

【0048】

本実施の形態に係る９０度ハイブリッド回路１は、例えば、アンテナ装置における周波数合成器や、２分配器として用いることができる。

【0049】

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

【0050】

［１］誘電体基板（２）と、前記誘電体基板（２）に形成された導体パターンからなり、第１ポート（Ｐ１）と第２ポート（Ｐ２）とを導通する第１導体（３）と、前記誘電体基板（２）に形成された導体パターンからなり、第３ポート（Ｐ３）と第４ポート（Ｐ４）とを導通する第２導体（４）と、を備え、前記第１導体（３）の一部と前記第２導体（４）の一部とが前記誘電体基板（２）の表裏面で対向した結合線路（５）が形成されており、前記結合線路（５）を構成する前記第１導体（４）の一部である第１結合線路部（５１）は、当該第１結合線路部（５１）を両側から挟み込むように第１グランドパターン（６１）が形成されたコプレーナ線路からなり、前記結合線路（５）を構成する前記第２導体（４）の一部である第２結合線路部（５２）は、当該第２結合線路部（５２）を両側から挟み込むように第２グランドパターン（６２）が形成されたコプレーナ線路からなる、９０度ハイブリッド回路（１）。

【0051】

［２］前記第１結合線路部（５１）は、その両端の直線距離よりも線路長が長くなるように複数回屈曲して形成されており、前記第２結合線路部（５２）は、前記誘電体基板（２）の厚さ方向の一方から見て前記第１結合線路部（５１）と同じ形状に形成されている、［１］に記載の９０度ハイブリッド回路（１）。

【0052】

［３］前記第１〜第４ポート（Ｐ１〜Ｐ４）が前記誘電体基板（２）の表面に設けられており、前記第１導体（３）は、前記誘電体基板（２）の表面に形成されており、前記第２導体（４）は、前記第２結合線路部を含むその一部が前記誘電体基板（５）の裏面に形成され、前記誘電体基板（２）の表面に形成され前記第３及び第４ポート（Ｐ３，Ｐ４）から延びる他部とスルーホール（６３）を介して電気的に接続されている、［１］または［２］に記載の９０度ハイブリッド回路（１）。

【0053】

［４］前記第１グランドパターン（６１）と前記第２グランドパターン（６２）とが、スルーホール（６３）を介して互いに電気的に接続されている、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の９０度ハイブリッド回路（１）。

【0054】

［５］前記第１結合線路部（５１）は、仮想の基準線（Ｃ）に対して所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置された複数の第１傾斜部（５１ａ）と、前記基準線（Ｃ）に対して前記第１傾斜部（５１ａ）と反対方向に前記所定角度傾斜した直線状に形成されると共に、互いに平行に整列配置され、隣り合う前記第１傾斜部（５１ａ）の端部同士を連結する複数の第２傾斜部（５１ｂ）と、を一体に有しており、前記第２結合線路部（５２）は、前記誘電体基板（２）の厚さ方向の一方から見て前記第１結合線路部（５１）と同じ形状に形成されている、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の９０度ハイブリッド回路（１）。

【0055】

［６］前記第１傾斜部（５１ａ）と前記第２傾斜部（５１ｂ）とを連結する角部が、面取りされた形状となっている、［５］に記載の９０度ハイブリッド回路（１）。

【0056】

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

【0057】

本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。

【符号の説明】

【0058】

１…９０度ハイブリッド回路
２…誘電体基板
３…第１導体
４…第２導体
５…結合線路
５１…第１結合線路部
５２…第２結合線路部
７…グランドパターン
６１…第１グランドパターン
６２…第２グランドパターン
６３…スルーホール
９３…スルーホール
Ｐ１…第１ポート
Ｐ２…第２ポート
Ｐ３…第３ポート
Ｐ４…第４ポート

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】