特許 6800246 ステージシステム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6800246

(24)【登録日】2020年11月26日

(45)【発行日】2020年12月16日

(54)【発明の名称】ステージシステム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20201207BHJP

   H01L 21/68 20060101ALI20201207BHJP

   H02K 41/03 20060101ALI20201207BHJP

【ＦＩ】

   G03F7/20 501

   G03F7/20 521

   H01L21/68 K

   H02K41/03 A

【請求項の数】12

【全頁数】24

(21)【出願番号】特願2018-560203(P2018-560203)

(86)(22)【出願日】2017年5月5日

(65)【公表番号】特表2019-519807(P2019-519807A)

(43)【公表日】2019年7月11日

(86)【国際出願番号】EP2017060738

(87)【国際公開番号】WO2017207211

(87)【国際公開日】20171207

【審査請求日】2019年1月8日

(31)【優先権主張番号】16172139.4

(32)【優先日】2016年5月31日

(33)【優先権主張国】EP

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】コックス，ヘンドリカス，ヘルマン，マリエ

(72)【発明者】

【氏名】ジゼン，ロナルド，コルネリス，ジェラルドゥス

(72)【発明者】

【氏名】リンペンズ，パトリック，ウィレム，ポール

(72)【発明者】

【氏名】リートストラ，バルト，フリソ

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル メーレン，フリッツ

【審査官】 長谷 潮

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−３６３２５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−０６４５０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 中国特許出願公開第１０３２２６２９５（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０３Ｆ ７／２０−７／２４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８

Ｈ０２Ｋ ４１／０３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

オブジェクトを位置決めするためのステージシステムであって、
位置決めされるべき前記オブジェクトを支持するオブジェクトテーブルと、
前記オブジェクトテーブルを位置決めするようにされた位置決めシステムであって、前記オブジェクトテーブルを作動の方向で位置決めするようにされたアクチュエータを備え、前記アクチュエータは磁石アセンブリとコイルアセンブリとを備える、位置決めシステムと、
を備え、
前記磁石アセンブリは、第１の磁性体と第２の磁性体とを備え、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体の間に空間が設けられ、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体は使用時に内部磁力に曝され、
前記コイルアセンブリは、使用時に前記作動の方向の力を発生するように、少なくとも部分的に前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との間の前記空間に延在し、
前記磁石アセンブリは、前記第１の磁性体を前記オブジェクトテーブルに接続するようにされた第１のインターフェイスと、前記第２の磁性体を前記オブジェクトテーブルに接続するようにされた第２のインターフェイスとを有し、
前記磁石アセンブリは更に、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体とを少なくとも前記内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するようにされたスペーサデバイスを備えている、
前記スペーサデバイスは前記作動の方向に垂直に配置された板バネを備え、前記板バネは、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、ステージシステム。

【請求項2】

前記スペーサデバイスは少なくとも１自由度で前記第１の磁性体の位置を定義し、
前記第１のインターフェイスは前記第１の磁性体の位置を残りの自由度で定義する、請求項１に記載のステージシステム。

【請求項3】

前記スペーサデバイスは少なくとも１自由度で前記第２の磁性体の位置を定義し、
前記第２のインターフェイスは前記第２の磁性体の位置を残りの自由度で定義する、請求項１又は２のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項4】

前記スペーサデバイスは第１のスペーサ要素及び第２のスペーサ要素を備え、前記第１及び第２のスペーサ要素はいずれも第１の磁性体及び第２の磁性体に接続されており、前記第１及び第２のスペーサ要素は前記作動の方向で互いに離隔しており、
前記第１及び第２のスペーサ要素は、前記内部磁力の方向、ならびに前記作動の方向及び前記内部磁力の方向に垂直に伸びる回転軸を中心とした回転方向における、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体の位置を、一緒になって定義し、
前記第１のインターフェイスは前記第１の磁性体の位置を残りの自由度で定義し、
前記第２のインターフェイスは前記第２の磁性体の位置を残りの自由度で定義する、請求項１から３のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項5】

前記スペーサデバイスは前記作動の方向に垂直に配置された板バネヒンジを備え、前記板バネヒンジは、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、請求項１から３のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項6】

前記スペーサデバイスは、
前記作動の方向に垂直に配置された第１の板バネであって、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、第１の板バネと、
前記作動の方向で前記第１の板バネから距離をとって且つ前記作動の方向に垂直に配置された第２の板バネであって、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、第２の板バネと、
を備えており、
前記第１のインターフェイスは前記第１の磁性体の中心面に対して対称的に配置された第１のヒンジを備え、前記中心面は前記作動の方向及び前記内部磁力に平行であり、
前記第２のインターフェイスは前記第２の磁性体の中心面に対して対称的に配置された第２のヒンジを備え、前記中心面は前記作動の方向及び前記内部磁力に平行であり、
前記スペーサデバイスの前記第１の板バネ及び前記第２の板バネと前記第１のヒンジ及び第２のヒンジとは、一緒になって、全自由度で前記第１の磁性体の位置及び前記第２の磁性体の位置を定義する、請求項１から３のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項7】

前記スペーサデバイスは、
前記作動の方向に垂直に配置された板バネであって、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、板バネと、
前記作動の方向で前記板バネから距離をとって且つ前記作動の方向に垂直に配置された板バネヒンジであって、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、板バネヒンジと、
を備え、
前記第１のインターフェイスは第１のピボット及び第１のインターフェイス要素を備え、前記第１のピボットは前記第１の磁性体の中心面に配置され、前記中心面は前記作動の方向及び前記内部磁力の方向に平行であり、
前記第１のインターフェイス要素は、第１の磁性体の前記中心面から距離をとって配置され、前記内部磁力の方向における前記第１の磁性体の位置を定義し、
前記第２のインターフェイスは第２のピボットを備え、前記第２のピボットは前記第２の磁性体の中心面に配置され、前記中心面は前記作動の方向及び前記内部磁力の方向に平行である、請求項１から３のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項8】

前記磁石アセンブリは更に、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との間に配置され且つこれらに接続されたダンパを備える、請求項１から７のいずれかに記載のステージシステム。

【請求項9】

前記ダンパは粘弾性材料を備える、請求項８に記載のステージシステム。

【請求項10】

パターニングデバイスから基板にパターンを転写するように配置されたリソグラフィ装置であって、請求項１から９のいずれかに記載のステージシステムを備える、リソグラフィ装置。

【請求項11】

放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置は更に、前記基板テーブルを位置決めするようにされた位置決めシステムを備え、前記位置決めシステムは前記オブジェクトテーブルを作動の方向で位置決めするようにされたアクチュエータを備え、
前記アクチュエータは磁石アセンブリとコイルアセンブリとを備え、
前記磁石アセンブリは、第１の磁性体と第２の磁性体とを備え、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体の間に空間が設けられ、前記第１の磁性体及び第２の磁性体は使用時に内部磁力に曝され、
前記コイルアセンブリは、使用時に前記作動の方向の力を発生するように、少なくとも部分的に前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との間の前記空間に延在し、
前記磁石アセンブリは、前記第１の磁性体を前記オブジェクトテーブルに接続するようにされた第１のインターフェイスと、前記第２の磁性体を前記オブジェクトテーブルに接続するようにされた第２のインターフェイスとを有し、
前記磁石アセンブリは更に、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体とを少なくとも前記内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するようにされたスペーサデバイスを備えている、
前記スペーサデバイスは前記作動の方向に垂直に配置された板バネを備え、前記板バネは、前記第１の磁性体に接続された第１の縁部と、前記第１の縁部に対向する第２の縁部とを有し、前記第２の縁部は前記第２の磁性体に接続されている、リソグラフィ装置。

【請求項12】

パターニングデバイスから基板にパターンを転写することを含むデバイス製造方法であって、請求項１に記載のステージシステムが用いられる、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[001] 本願は２０１６年５月３１日に提出された欧州出願第１６１７２１３９．４号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

[002] 本発明は、ステージシステムと、リソグラフィ装置と、ステージシステムを使用するデバイスを製造する方法とに関する。

【背景技術】

【0003】

[003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

【0004】

[004] リソグラフィ装置は、基板及び／又はパターニングデバイスを位置決めするためのステージシステムを備えていることが多い。基板及びパターニングデバイスは、非常に精密に位置決めされる必要がある。多くの場合、数ナノメータ範囲での位置決め精度が要求される。

【0005】

[005] 位置決め精度は、基板又はパターニングデバイスを支持するステージシステムのオブジェクトテーブルの機械的変形によって悪影響を受けるおそれがある。オブジェクトテーブルの機械的変形は、オブジェクトテーブルに載置されたオブジェクト及びその動的挙動によって引き起こされ得る。そのようなオブジェクトとは、例えばオブジェクトテーブルを位置決めするように適合されたアクチュエータである。

【発明の概要】

【0006】

[006] オブジェクトテーブルの機械的変形が低減されるステージシステムを提供するのが望ましい。

【0007】

[007] 本発明の一実施形態によれば、オブジェクトを位置決めするためのステージシステムが提供され、このステージシステムは、
位置決めされるべきオブジェクトを支持するように適合されたオブジェクトテーブルと、
オブジェクトテーブルを位置決めするように適合された位置決めシステムであって、オブジェクトテーブルを作動の方向で位置決めするように適合されたアクチュエータを備え、アクチュエータは磁石アセンブリとコイルアセンブリとを備える、位置決めシステムと、を備えており、
磁石アセンブリは第１の磁性体と第２の磁性体とを備え、第１の磁性体及び第２の磁性体は使用時に内部磁力に曝され、
コイルアセンブリは、基部に固定されるとともに、使用時に作動の方向の力を発生するように、少なくとも部分的に第１の磁性体と第２の磁性体との間に延在し、
磁石アセンブリは、第１の磁性体をオブジェクトテーブルに接続するように適合された第１のインターフェイスと、第２の磁性体をオブジェクトテーブルに接続するように適合された第２のインターフェイスとを有し、
磁石アセンブリは更に、第１の磁性体と第２の磁性体とを少なくとも内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するように適合されたスペーサデバイスを備えている。

【0008】

[008] 本発明の別の一実施形態においては、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するように適合されたリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、本発明によるステージシステムを備えている。

【0009】

[009] 本発明の別の一実施形態においては、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置が提供され、
リソグラフィ装置は更に、基板テーブルを位置決めするように適合された位置決めシステムを備え、位置決めシステムはオブジェクトテーブルを作動の方向で位置決めするように適合されたアクチュエータを備え、
アクチュエータは磁石アセンブリとコイルアセンブリとを備え、
磁石アセンブリは、第１の磁性体と第２の磁性体とを備え、この第１の磁性体及び第２の磁性体は使用時に内部磁力に曝され、
コイルアセンブリは、基部に固定されるとともに、使用時に作動の方向の力を発生するように、少なくとも部分的に第１の磁性体と第２の磁性体との間に延在し、
磁石アセンブリは、第１の磁性体をオブジェクトテーブルに接続するように適合された第１のインターフェイスと、第２の磁性体をオブジェクトテーブルに接続するように適合された第２のインターフェイスとを有し、
磁石アセンブリは更に、第１の磁性体と第２の磁性体とを少なくとも内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するように適合されたスペーサデバイスを備えている。

【0010】

[0010] 本発明の別の一実施形態においては、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することを含むデバイス製造方法が提供され、請求項１に記載のステージシステムが使用される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

[0011] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

【0012】

【図1】[0012] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を図示する。

【図2】[0013] 本発明によるステージシステムの第１の実施形態を示す。

【図3】[0014] 磁石アセンブリの一例を示す。

【図4】[0015] 磁石アセンブリの別の一実施形態を概略的に示す。

【図5】[0016] 磁石アセンブリの別の一実施形態を概略的に示す。

【図6】[0017] 磁石アセンブリの別の一実施形態を概略的に示す。

【図7】[0018] 磁石アセンブリの別の一実施形態を概略的に示す。

【図8】[0019] 磁石アセンブリの別の一実施形態を概略的に示す。

【図9】[0020] 図８の実施形態の実用化の一例を示す。

【図10】[0021] 周波数応答における図９に記載のダンパの適用の効果を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

[0022] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」を含む。装置は、パターニングデバイスＭＡによって基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを更に備える。

【0014】

[0023] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

【0015】

[0024] マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわち、その重量を支えている。マスク支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置に来るようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

【0016】

[0025] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

【0017】

[0026] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

【0018】

[0027] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

【0019】

[0028] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

【0020】

[0029] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスクサポート」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又はサポートを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル又はサポートを露光に使用している間に１つ以上のテーブル又はサポートで予備工程を実行することができる。

【0021】

[0030] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

【0022】

[0031] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

【0023】

[0032] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

【0024】

[0033] 放射ビームＢは、マスク支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

【0025】

[0034] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴ又は「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴ又は「マスクサポート」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

【0026】

[0035] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

【0027】

[0036] 図２は、本発明によるステージシステムの第１の実施形態を示す。

【0028】

[0037] 図２のステージシステム１は、オブジェクト３、例えば基板を支持するように適合された、オブジェクトテーブル２を備えている。オブジェクトテーブル２は、例えば基板テーブルであり得る。任意選択的には、オブジェクトテーブル２はミラーブロックを備える。

【0029】

[0038] ステージシステム１は、オブジェクト３を位置決めするように適合される。任意選択的には、基部４が設けられ、オブジェクト３はこの基部４に対して位置決めされる。基部４は、基部４が固定された世界（fixed world）であると見なされることができるように、任意選択的には静止しており、又は代替的には、基部４が固定された世界に対して可動である。任意選択的には、基部４はロングストロークポジショナを備える。

【0030】

[0039] ステージシステム１は更に、オブジェクトテーブル２を位置決めするように適合された位置決めシステムを備える。この位置決めシステムは、例えば、オブジェクトテーブル２を二次元平面内、図２においてはｘ−ｙ平面内で位置決めするように適合される。任意選択的には、位置決めシステムは、オブジェクトテーブル２を６自由度で位置決めするように適合される。基部４が存在する場合には、位置決めシステムは、オブジェクトテーブル２を基部４に対して位置決めするように随意に適合される。任意選択的には、投影システムを備えるリソグラフィ装置内にステージシステムが配置される場合には、位置決めシステムは、オブジェクトテーブル２を投影システムに対して位置決めするように随意に適合される。

【0031】

[0040] 位置決めシステムは、オブジェクトテーブル２を作動の方向１５で位置決めするためのアクチュエータ１０を備える。図２の実施形態においては、４つのアクチュエータ１０が設けられている。２つのアクチュエータはオブジェクトテーブル２をｘ方向で位置決めするように適合されており、２つのアクチュエータはオブジェクトテーブル２をｙ方向で位置決めするように適合されている。代替的な実施形態においては、異なる数のアクチュエータが利用されてもよい。

【0032】

[0041] 各アクチュエータ１０は、磁石アセンブリ２０とコイルアセンブリ１１とを備える。磁石アセンブリ２０は、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを備える。第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は使用時に内部磁力に曝される。この実施形態においては、第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は、内部磁力によって互いに引き付けられる。代替的には、第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は、内部磁力によって互いに反発してもよい。いずれの場合も、内部磁力は、作動の方向１５に対して垂直に向けられる。図２においては、内部磁力はｘ−ｙ平面内で配向される。第１及び／又は第２の磁性体２１，２２は、一例として磁石、例えば永久磁石及び／又は鉄もしくは強磁性体要素を備える。

【0033】

[0042] コイルアセンブリ１１は、使用時に作動の方向１５の力を発生するように、少なくとも部分的に第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との間に延在している。任意選択的な基部４が存在する場合には、コイルアセンブリ１１は基部４に随意に接続又は固定される。

【0034】

[0043] 磁石アセンブリ２０は、第１の磁性体２１をオブジェクトテーブル２に接続するように適合された第１のインターフェイス２３と、第２の磁性体２２をオブジェクトテーブル２に接続するように適合された第２のインターフェイス２４とを備える。第１のインターフェイス２３と第２のインターフェイス２４とは互いに分離している。

【0035】

[0044] 磁石アセンブリ２０は更に、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを少なくとも内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するように適合されたスペーサデバイスを備える。図２に示される実施形態においては、スペーサデバイスは、第１のスペーサ要素２５と第２のスペーサ要素２６とを備えている。これらのスペーサ要素２５，２６は、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを、コイルアセンブリ１１の少なくとも一部が第１及び第２の磁性体２１，２２の間に且つこれらからある距離をとって配置されることができるような距離で、互いに離隔させて保持する。スペーサ要素２５，２６は、内部磁力の作用に反して、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを互いに離隔させて保持する。

【0036】

[0045] 図２の実施形態は、第１及び第２の磁性体２１，２２をオブジェクトテーブル２に非常に強固に接続することを可能にし、その結果、オブジェクトテーブル２の有利な動的挙動がもたらされる。これは、達成可能な位置決め精度に対して好影響を有する。アクチュエータが接続された状態のオブジェクトテーブルの動的挙動は、とりわけ１つ又は複数のアクチュエータの質量によって、及びオブジェクトテーブルへのアクチュエータの接続の強固さによって、決定される。しかしながら、アクチュエータとオブジェクトとの間の接続を一方向（例えば作動の方向）で強固にすると、「寄生剛性」としても知られる、他の方向でのその接続の強固さもまた、増加する。その結果、例えば加熱又は取り付けに起因するアクチュエータの変形が、力という形でオブジェクトテーブルに伝達される。アクチュエータの各磁性体は、別個にオブジェクトテーブルに取り付けるのが有利である。あるアクチュエータの２つの磁性体が別個に且つ強固にオブジェクトテーブルに取り付けられる場合、固有周波数は、これらの磁性体がインターフェイスを共有しそのインターフェイスが両者を一緒にオブジェクトテーブルに接続する場合に生じるよりも、√２（約１．４）倍高くなる。しかし、使用の間、磁性体は内部磁力、例えば吸引力に曝され、これは、何ら他の措置がとられなければ、オブジェクトテーブルを変形させるであろう。本発明は、アクチュエータの２つの磁性体の間に存在する内部磁力に耐えるスペーサデバイスを提供することを提案する。スペーサデバイスは、各磁性体の少なくとも１自由度を定義する。各磁性体の残りの自由度は、その磁性体をオブジェクトテーブルに接続するインターフェイスによって定義される。インターフェイスは、比較的高い強固さをもって、これらの自由度で接続を提供することができる。これにより、１つ又は複数のアクチュエータを取り付けられたオブジェクトテーブルの動的挙動が改良され、その結果、例えばその１つ又は複数のアクチュエータの高いサーボ帯域幅が、オブジェクトテーブルの寄生剛性による変形を増大させることなく、もたらされる。

【0037】

[0046] 任意選択的には、図２のステージシステムは更に、位置決め測定システムを備える。位置決め測定システムは、オブジェクトテーブル２の位置、例えば基準に対して少なくとも一方向でのオブジェクトテーブル２又はオブジェクトテーブル２の一部の位置を測定する。位置測定システムは、エンコーダベース又は干渉計ベースであってもよい。位置測定システムは、センサ部及びターゲット部を随意に備える。基準は、例えば基部（あれば）に設けられる。又は、投影システムを備えるリソグラフィ装置内にステージシステムが配置される場合には、基準は例えば投影システムに設けられる。

【0038】

[0047] 位置測定システムがエンコーダベースである場合には、位置測定システムは、例えば投影システムに配置された格子、例えば一次元又は二次元格子、ならびに、ビーム源と格子からビームを受けるように適合された少なくとも１つのセンサとを備えるエンコーダヘッドを随意に備え、このエンコーダヘッドは例えばオブジェクトテーブルに配置される。代替的には、格子はオブジェクトテーブルに配置されてもよく、エンコーダヘッドは投影システムに配置されてもよい。

【0039】

[0048] 位置測定システムが干渉計ベースである場合には、位置測定システムは、例えばオブジェクトテーブル２に配置されたミラーと、光ビーム源と、ミラーからビームを受けるように適合されたセンサとを備える。光ビーム源は、光ビームがオブジェクトテーブル２上のミラーに当たるように配置される。代替的には、ミラーは、例えば投影システムに配置されてもよい。

【0040】

[0049] 図２の実施形態の可能な別形においては、スペーサデバイスは、第１の磁性体２１の位置を少なくとも１自由度で定義するように適合される。第１のインターフェイス２３は、第１の磁性体２１の位置を残りの自由度で定義するように適合される。

【0041】

[0050] 任意選択的には、スペーサデバイスは、少なくとも内部磁力の方向における第１の磁性体２１の位置を定義するように適合される。

【0042】

[0051] ある物体（body）は空間内でのその位置を定義するために６自由度を有する。すなわち、３並進自由度及び３回転自由度である。並進自由度は、一般的に、デカルト座標系において方向ｘ、ｙ及びｚと称される。方向ｘと方向ｙと方向ｚとは、互いに垂直である。回転自由度は、一般的に、方向ｒｘ、ｒｙ及びｒｚと称され、ここでｒｘは回転軸がｘ方向である回転、ｒｙは回転軸がｙ方向である回転、ｒｚは回転軸がｚ方向である回転である。

【0043】

[0052] 位置決めシステムがオブジェクトテーブル２をｘ−ｙ平面内で位置決めするように適応されており、アクチュエータ１０の作動の方向１５がｘ方向である場合、そのアクチュエータ１０における内部磁力はｙ方向に向けられる。図２の実施形態のこの別形においては、スペーサデバイスは、少なくともｙ方向における第１の磁性体２１の位置を定義するように適合される。任意選択的には、第１のインターフェイス２３は、スペーサデバイスによって定義されていない自由度でのみ第１の磁性体２１の位置を定義するように適合される。

【0044】

[0053] 位置決めシステムがオブジェクトテーブル２をｘ−ｙ平面内で位置決めするように適応されており、アクチュエータ１０の作動の方向１５がｙ方向である場合、そのアクチュエータ１０における内部磁力はｘ方向に向けられる。図２の実施形態のこの別形においては、スペーサデバイスは、少なくともｘ方向における第１の磁性体２１の位置を定義するように適合される。任意選択的には、第１のインターフェイス２３は、スペーサデバイスによって定義されていない自由度でのみ第１の磁性体２１の位置を定義するように適合される。

【0045】

[0054] 任意選択的には、第１のインターフェイス２３は、少なくとも作動の方向１５における第１の磁性体２１の位置を定義する。

【0046】

[0055] 代替的又は追加的には、スペーサデバイスは、少なくとも１自由度で第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。第２のインターフェイス２４は、残りの自由度で第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。

【0047】

[0056] 任意選択的には、スペーサデバイスは、少なくとも内部磁力の方向における第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。

【0048】

[0057] ある物体は空間内でのその位置を定義するために６自由度を有する。すなわち、３並進自由度及び３回転自由度である。並進自由度は、一般的に、デカルト座標系において方向ｘ、ｙ及びｚと称される。方向ｘと方向ｙと方向ｚとは、互いに垂直である。回転自由度は、一般的に、方向ｒｘ、ｒｙ及びｒｚと称され、ここでｒｘは回転軸がｘ方向である回転、ｒｙは回転軸がｙ方向である回転、ｒｚは回転軸がｚ方向である回転である。

【0049】

[0058] 位置決めシステムがオブジェクトテーブル２をｘ−ｙ平面内で位置決めするように適応されており、アクチュエータ１０の作動の方向１５がｘ方向である場合、そのアクチュエータ１０における内部磁力はｙ方向に向けられる。図２の実施形態のこの別形においては、スペーサデバイスは、少なくともｙ方向における第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。任意選択的には、第２のインターフェイス２４は、スペーサデバイスによって定義されていない自由度でのみ第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。

【0050】

[0059] 位置決めシステムがオブジェクトテーブル２をｘ−ｙ平面内で位置決めするように適応されており、アクチュエータ１０の作動の方向１５がｙ方向である場合、そのアクチュエータ１０における内部磁力はｘ方向に向けられる。図２の実施形態のこの別形においては、スペーサデバイスは、少なくともｘ方向における第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。任意選択的には、第２のインターフェイス２４は、スペーサデバイスによって定義されていない自由度でのみ第２の磁性体２２の位置を定義するように適合される。

【0051】

[0060] 任意選択的には、第２のインターフェイス２４は、少なくとも作動の方向１５における第２の磁性体２２の位置を定義する。

【0052】

[0061] スペーサデバイスと第１のインターフェイス２３とが一緒になって一回だけ第１の磁性体２１の全自由度を定義する場合には、第１の磁性体２１の運動学的取り付け（「静定取り付け」としても知られる）が達成される。これは、第１の磁性体２１が取り付けられる場所におけるオブジェクトテーブル２の局所的な機械的変形を低減する。

【0053】

[0062] スペーサデバイスと第２のインターフェイス２４とが一緒になって一回だけ第２の磁性体２２の全自由度を定義する場合には、第２の磁性体２２の運動学的取り付けが達成される。これは、第２の磁性体２２が取り付けられる場所におけるオブジェクトテーブル２の局所的な機械的変形を低減する。

【0054】

[0063] スペーサデバイスと第１のインターフェイス２３とが一緒になって一回だけ第１の磁性体２１の全自由度を一緒に定義し、スペーサデバイスと第２のインターフェイス２４とが一緒になって一回だけ第２の磁性体２２の全自由度を定義する場合には、両磁性体２１，２２の運動学的取り付けが達成される。これは、アクチュエータが取り付けられる場所におけるオブジェクトテーブル２の局所的な機械的変形を低減する。

【0055】

[0064] 図３は磁石アセンブリ２０の一例を示す。

【0056】

[0065] 磁石アセンブリ１１は、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを備える。第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は、使用時に内部磁力に曝される。図３においては、内部磁力の方向は矢印１６で示されている。この例では、第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は、内部磁力によって互いに引き付けられる。内部磁力は、作動の方向１５に垂直に向けられている。第１及び／又は第２の磁性体２１，２２は、一例として磁石、例えば永久磁石及び／又は鉄体要素（iron body element）を備える。

【0057】

[0066] 第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との間には空間２７が設けられる。この空間２７には、使用時に作動の方向１５の力を発生するように、コイルアセンブリの少なくとも一部が配置されることができる。

【0058】

[0067] 磁石アセンブリ２０は、第１の磁性体２１をオブジェクトテーブル２に接続するように適合された第１のインターフェイス２３と、第２の磁性体２２をオブジェクトテーブル２に接続するように適合された第２のインターフェイス２４とを備える。第１のインターフェイス２３と第２のインターフェイス２４とは互いに分離している。

【0059】

[0068] 磁石アセンブリ２０は更に、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを少なくとも内部磁力の方向で互いに対して相対距離をとって保持するように適合されたスペーサデバイスを備えており、それによって空間２７が創出される。図３に示される実施形態においては、スペーサデバイスは、第１のスペーサ要素２５と第２のスペーサ要素２６とを備えている。これらのスペーサ要素２５，２６は、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを、コイルアセンブリ１１の少なくとも一部が第１及び第２の磁性体２１，２２の間に且つこれらからある距離をとって配置されることができるような距離で、互いに離隔させて保持する。スペーサ要素２５，２６は、内部磁力の作用に反して、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２とを互いに離隔させて保持する。

【0060】

[0069] 図４は、磁石アセンブリ２０の別の一実施形態を概略的に示す。

【0061】

[0070] 図４の実施形態においては、作動の方向はｘ方向であり、内部磁力はｙ方向で作用する。

【0062】

[0071] この実施形態においては、スペーサデバイスは、第１のスペーサ要素２５と第２のスペーサ要素２６とを備えている。第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は、いずれも第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２に接続されている。第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は、図４ではｘ方向である作動の方向で、互いに離隔している。

【0063】

[0072] この実施形態においては、第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は、図４ではｙ方向である内部磁力の方向における第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２の互いに対する位置を一緒になって定義する。第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は更に、作動の方向及び内部磁力の方向に垂直に伸びる回転軸を中心とした回転方向における第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２の位置を一緒になって定義する。このように、図４の実施形態においては、第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は更に、回転方向ｒｚにおける第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２の位置を一緒になって定義する。

【0064】

[0073] 図４の実施形態においては、第１のインターフェイス２３は、残りの自由度で第１の磁性体２１の位置を定義するように適合されている。図４にはこれがインターフェイス要素３１，３２，３３，３４，３５によって概略的に示されている。第１のインターフェイス２３の第１のインターフェイス要素３１及び第２のインターフェイス要素３２は、ｚ方向及び回転ｒｙ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。第１のインターフェイス２３の第３のインターフェイス要素３３及び第４のインターフェイス要素３４は、オブジェクトテーブル２に対するｙ方向及び回転ｒｘ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。第１のインターフェイス２３の第５のインターフェイス要素３５は、オブジェクトテーブル２に対するｘ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。

【0065】

[0074] こうして、オブジェクトテーブル２に対する第１の磁性体２１の運動学的取り付け（「静定取り付け」としても知られる）が得られる。なぜなら、このような手法では、オブジェクトテーブル２に対する第１の磁性体２１の位置に関する全自由度が定義されるのは一回だけであるからである。

【0066】

[0075] インターフェイス要素３１，３２，３３，３４，３５は、支柱及び／又は枢軸など別個の構造要素の形で第１のインターフェイス２３内に存在していなくてもよい。インターフェイス要素３１，３２，３３，３４，３５の機能性は、２つ以上のインターフェイス要素の機能性を組み合わせる構造要素によっても得ることができる。そのような構造要素の例は、板バネ又は板バネヒンジである。板バネは３自由度を定義する。すなわち、板バネの平面内の２つの並進自由度（translations）及び板バネの平面に垂直な軸を中心とする回転自由度（rotation）である。板バネヒンジは、板バネの平面内の２並進自由度である２自由度のみを定義する改造された板バネである。例えば、板バネの対向する辺にあり板バネの縁部へと伸びる２つの切り欠きがこの結果を得る。図６は、板バネ及び板バネヒンジが用いられる例示的な一実施形態を示す。

【0067】

[0076] 図４の実施形態においては、第２のインターフェイス２４は、残りの自由度で第２の磁性体２２の位置を定義するように適合されている。図４にはこれがインターフェイス要素４１，４２，４４，４４，４５によって概略的に示されている。第２のインターフェイス２４の第２のインターフェイス要素４１及び第２のインターフェイス要素４２は、ｚ方向及び回転ｒｙ方向における第２の磁性体２２の位置を定義する。第２のインターフェイス２４の第３のインターフェイス要素４３及び第４のインターフェイス要素４４は、オブジェクトテーブル２に対するｘ方向及び回転ｒｙ方向における第２の磁性体２２の位置を定義する。第２のインターフェイス２４の第５のインターフェイス要素４５は、オブジェクトテーブル２に対するｘ方向における第２の磁性体２２の位置を定義する。

【0068】

[0077] こうして、オブジェクトテーブル２に対する第２の磁性体２２の運動学的取り付けが得られる。なぜなら、このような手法では、オブジェクトテーブル２に対する第２の磁性体２２の位置に関する全自由度が定義されるのは一回だけであるからである。

【0069】

[0078] インターフェイス要素４１，４２，４４，４４，４５は、支柱及び／又は枢軸など別個の構造要素の形で第２のインターフェイス２４内に存在していなくてもよい。インターフェイス要素４１，４２，４４，４４，４５の機能性は、２つ以上のインターフェイス要素の機能性を組み合わせる構造要素によっても得ることができる。そのような構造要素の例は、板バネ又は板バネヒンジである。

【0070】

[0079] 図５は、磁石アセンブリ２０の別の一実施形態を概略的に示す。

【0071】

[0080] 図５の実施形態においては、作動の方向はｘ方向であり、内部磁力はｙ方向で作用する。

【0072】

[0081] 図５の実施形態は、スペーサデバイスならびに第１及び第２のインターフェイス２３，２４について自由度の定義の異なる分布を有する。

【0073】

[0082] この実施形態においては、スペーサデバイスは、第１のスペーサ要素２５と第２のスペーサ要素２６とを備えている。第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は、いずれも第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２に接続されている。第１及び第２のスペーサ要素２５，２６は、図５ではｘ方向である作動の方向で、互いに離隔している。

【0074】

[0083] この実施形態においては、第１のスペーサ要素２５は、第１のスペーサ部材２５ａ及び第２のスペーサ部材２５ｂを備えている。第２のスペーサ要素２６は、第１のスペーサ部材２６ａ、第２のスペーサ部材２６ｂ及び第３のスペーサ部材２６ｃを備えている。

【0075】

[0084] 第１のスペーサ要素２５の第１のスペーサ部材２５ａは、第１及び第２の磁性体２１，２２の間に、第１及び第２の磁性体２１，２２の中心面２８内で、図５ではｙ方向である第１及び第２の磁性体２１，２２の間の内部磁力の方向に伸びている。中心面は、作動の方向（図５ではｘ方向）及び内部磁力の方向（図５ではｙ方向）に平行であり、したがってこの実施形態においてはｘ−ｙ平面に平行である。

【0076】

[0085] 第１のスペーサ要素２５の第２の部材２５ｂは、第１及び第２の磁性体２１，２２の間に伸び、第１のスペーサ要素２５の平面内に斜めにわたっている。この例においては、第１のスペーサ要素２５の第２の部材２５ｂは、第１のスペーサ要素２５の平面内で第２の磁性体２２の下隅から第１の磁性体２１の上隅へと伸びている。

【0077】

[0086] 第２のスペーサ要素２６の第１のスペーサ部材２６ａ及び第２のスペーサ部材２６ｂは、第１及び第２の磁性体２１，２２の間に、内部磁力の方向（図５ではｙ方向）に伸びている。第１のスペーサ部材２６ａは、第２のスペーサ要素２６の平面内で第２の磁性体２２の上隅から第１の磁性体２１の上隅へと伸びている。第２のスペーサ部材２６ｂは、第２のスペーサ要素２６の平面内で第２の磁性体２２の下隅から第１の磁性体２１の下隅へと伸びている。

【0078】

[0087] 第２のスペーサ要素２６の第３の部材２６ｃは、第１及び第２の磁性体２１，２２の間に伸び、第２のスペーサ要素２６の平面内に斜めにわたっている。この例においては、第２のスペーサ要素２６の第３の部材２６ｃは、第２のスペーサ要素２６の平面内で第２の磁性体２２の下隅から第１の磁性体２１の上隅へと伸びている。

【0079】

[0088] スペーサ要素２５，２６及びそのスペーサ部材２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２６ｃのこうした配置によって、ｙ方向、ｚ方向及び３つすべての回転方向ｒｘ、ｒｙ及びｒｚにおける第１及び第２の磁性体２１，２２の位置が定義されることが達成される。これにより、第１及び第２のインターフェイス２３，２４によって定義されなければならない自由度は少なくなる。

【0080】

[0089] 図５の実施形態においては、第１のインターフェイス２３は、残りの自由度で第１の磁性体２１の位置を定義するように適合されている。図５にはこれがインターフェイス要素３６，３７，３８によって概略的に示されている。第６のインターフェイス要素３６は、オブジェクトテーブル２に対するｚ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。第７のインターフェイス要素３７は、オブジェクトテーブル２に対するｙ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。第１のインターフェイス２３の第８のインターフェイス要素３８は、ｘ方向における第１の磁性体２１の位置を定義する。

【0081】

[0090] こうして、オブジェクトテーブル２に対する第１の磁性体２１の運動学的取り付けが得られる。なぜなら、このような手法では、オブジェクトテーブル２に対する第１の磁性体２１の位置に関する全自由度が定義されるのは一回だけであるからである。第２のインターフェイス２４のインターフェイス要素４６，４７，４８によって固定されるべき３自由度が残っている。

【0082】

[0091] インターフェイス要素３６，３７，３８は、支柱及び／又は枢軸など別個の構造要素の形で第１のインターフェイス２３内に存在していなくてもよい。インターフェイス要素３６，３７，３８の機能性は、２つ以上のインターフェイス要素の機能性を組み合わせる構造要素によっても得ることができる。そのような構造要素の例は、板バネ又は板バネヒンジである。

【0083】

[0092] 図５の実施形態においては、第２のインターフェイス２４は、残りの自由度で第２の磁性体２２の位置を定義するように適合されている。図５にはこれがインターフェイス要素４６，４７，４８，４９によって概略的に示されている。第６のインターフェイス要素４６は、オブジェクトテーブル２に対するｚ方向における第２の磁性体２２の位置を定義する。第７のインターフェイス要素４７及び第９のインターフェイス要素４９は、オブジェクトテーブル２に対するｙ方向及びオブジェクトテーブル２に対する回転方向ｒｘにおける第２の磁性体２２の位置を定義する。第２のインターフェイス２４の第８のインターフェイス要素４８は、ｘ方向における第２の磁性体２２の位置を定義する。

【0084】

[0093] こうして、オブジェクトテーブル２に対する第２の磁性体２２の運動学的取り付けが得られる。なぜなら、このような手法では、オブジェクトテーブル２に対する第２の磁性体２２の位置に関する全自由度が定義されるのは一回だけであるからである。

【0085】

[0094] インターフェイス要素４６，４７，４８，４９は、支柱及び／又は枢軸など別個の構造要素の形で第２のインターフェイス２４内に存在していなくてもよい。インターフェイス要素４６，４７，４８，４０の機能性は、２つ以上のインターフェイス要素の機能性を組み合わせる構造要素によっても得ることができる。そのような構造要素の例は、板バネ又は板バネヒンジである。

【0086】

[0095] 任意選択的には、インターフェイス要素３７，３８及び３８は、磁性体２１，２２に曲げモーメント又はねじりモーメントが導入されないように、中心面２８内で各磁性体２１，２２を係合する。これにはオブジェクトテーブルの動的挙動に対する有利な効果があり、その結果、高いサーボ帯域幅がもたらされるとともに、それによってオブジェクトテーブルの改善された位置決め性能がもたらされる。

【0087】

[0096] 図６は、磁石アセンブリ２０の別の一実施形態を示す。

【0088】

[0097] 図６の実施形態は、実用化するには現実的な実施形態であるが、図７の実施形態よりもいくらか複雑である。しかしながら、図６の実施形態は、運動学的に過拘束ではいない。

【0089】

[0098] 図６の実施形態においては、作動の方向はｘ方向であり、内部磁力はｙ方向で作用する。

【0090】

[0099] 図６に示される実施形態においては、スペーサデバイスは、板バネ６０及び板バネヒンジ７０を備えている。板バネ６０は作動の方向に垂直に、したがって図６の実施形態においてはｙ−ｚ平面内に、配置されている。板バネ６０は、第１の磁性体２１に接続された第１の縁部６１と、第１の縁部６１に対向する第２の縁部６２とを有する。第２の縁部６２は第２の磁性体２２に接続されている。板バネは第２のスペーサ要素２６の一部を形成する。

【0091】

[00100] スペーサデバイスは更に、作動の方向で板バネ６１から距離をとって且つ作動の方向に垂直に配置された板バネヒンジ７０を備えている。よって、板バネヒンジ７０は、図６の実施形態においてはｙ−ｚ平面内に配置されている。板バネヒンジ７０は、第１の磁性体２１に接続された第１の縁部７１と、第１の縁部７１に対向する第２の縁部７２とを有する。第２の縁部７２は第２の磁性体２２に接続されている。板バネ７０は２つの切り欠き７３を備えており、これらは板バネヒンジ７０の対向する辺に配置され、板バネヒンジ７０の各縁部へと伸びている。板バネヒンジ７０は、回転方向ｒｘにおける第１及び第２の縁部７１，７２の移動を可能にする。

【0092】

[00101] 第１のインターフェイス２３は、第１のピボット８０及び第１のインターフェイス要素８１を備えている。第１のピボット８０は、第１の磁性要素２１の中心面２８に配置されている。中心面２８は作動の方向及び内部磁力の方向に平行であるため、図６の実施形態においては、中心面はｘ−ｙ平面内に伸びている。

【0093】

[00102] 図６の実施形態においては、第１のインターフェイス要素８１は、第１の磁性体の中心面２８から距離をとって配置され、内部磁力の方向における第１の磁性体２１の位置を定義するように適合されている。

【0094】

[00103] 第２のインターフェイス２４は第２のピボット８５を備えている。第２のピボット８５は、第２の磁性体２２の中心面２８に配置されており、これはこの実施形態においては第１の磁性体２１の中心面と一致する。中心面２８は作動の方向及び内部磁力の方向に平行である。第１の磁性体２１の中心面と第２の磁性体の中心面とは互いに一致するのが有利である。なぜなら、そうすると曲げモーメント又はねじれモーメントが導入されないからである。

【0095】

[00104] 図７は、磁石アセンブリ２０の別の一実施形態を示す。

【0096】

[00105] 図７の実施形態は、実用化するのに現実的な実施形態である。

【0097】

[00106] 図７の実施形態においては、作動の方向はｘ方向であり、内部磁力はｙ方向で作用する。

【0098】

[00107] よって、図７に示される実施形態においては、スペーサデバイスは、第１の板バネ５０及び第２の板バネ６０を備えている。第１の板バネ５０は作動の方向に垂直に、したがって図７の実施形態においてはｙ−ｚ平面内に、配置されている。第１の板バネ５０は、第１の磁性体２１に接続された第１の縁部５１と、第１の縁部５２に対向する第２の縁部５２とを有する。第２の縁部５２は第２の磁性体２２に接続されている。板バネ５０は第１のスペーサ要素２５の一部を形成する。

【0099】

[00108] スペーサデバイスは更に、作動の方向で第１の板バネ５０から距離をとって且つ作動の方向に垂直に配置された第２の板バネ６０を備えている。第２の板バネ６０は、第１の磁性体２１に接続された第１の縁部６１と、第１の縁部６１に対向する第２の縁部６２とを有する。第２の縁部６２は第２の磁性体２２に接続されている。板バネ６０は第２のスペーサ要素２６の一部を形成する。

【0100】

[00109] 図７の実施形態においては、第１のインターフェイス２５は、第１の磁性体２１の中心面２８に対して対称的に配置された第１のヒンジ５５を備えている。中心面２８は作動の方向及び内部磁力に平行であるため、図７の実施形態においては、中心面２８はｘ−ｙ平面内に伸びている。第１のヒンジ５５は図７においてはピボット５６，５７によって概略的に表されている。

【0101】

[00110] 図７の実施形態においては、第２のインターフェイス２６は、第２の磁性体２２の中心面２８に対して対称的に配置された第２のヒンジ６５を備える。図７の実施形態においては、この中心面は第１の磁性体２１の中心面と一致する。すると曲げモーメント又はねじれモーメントが導入されないので、これは有利である。中心面２８は作動の方向及び内部磁力に平行であるため、図７の実施形態においては、中心面２８はｘ−ｙ平面内に伸びている。第２のヒンジ６５は図７においてはピボット６６，６７によって概略的に表されている。

【0102】

[00111] 図７の実施形態においては、スペーサデバイスの第１の板バネ５０及び第２の板バネ６０と第１のヒンジ５５及び第２のヒンジ６５とは、一緒になって、全自由度で第１の磁性体２１の位置及び第２の磁性体２２の位置を定義する。実際には、図７の設計では幾つかの自由度が１回よりも多く定義されるので、この設計はわずかに運動学的に過拘束である。しかしながら、図７に記載の磁石アセンブリ２０が本発明によるステージシステムに配置されるとき、オブジェクトテーブルの静的及び動的挙動は、依然として許容可能であり、従来技術に対して改良される。

【0103】

[00112] 図８は、磁石アセンブリ２０の別の一実施形態を示す。

【0104】

[00113] 簡潔にするため、図８は第１及び第２のインターフェイス２３，２４ならびにスペーサ要素２５，２６の詳細を示していない。図８の実施形態では、本願において説明されている第１及び第２のインターフェイス２３，２４ならびに第１及び第２のスペーサ要素２５，２６の任意の組み合わせを用いることが可能である。図８において矢印１５は作用の方向を示す。

【0105】

[00114] 図８の実施形態は、本発明によらない手法でステージシステム内に取り付けられたアクチュエータにおいても、そのようなアクチュエータが互いに離隔した第１及び第２の磁性体を備える限りは、使用されることが可能である。

【0106】

[00115] 図８の実施形態においては、磁石アセンブリ２０は、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との間に配置され且つこれらに接続されたダンパ９０を備えている。任意選択的には、ダンパ９０は、粘弾性材料、例えば天然ゴム又は合成ゴムを備える。

【0107】

[00116] 図８では、オブジェクトテーブルは参照番号２ａ，２ｂ及び２ｃによって概略的に示されている。参照番号２ａ及び２ｂはオブジェクトテーブルの一部を指していて、各々がオブジェクトテーブルの部分質量（object table part mass）を有し、参照番号２ｃはオブジェクトテーブルの内部剛性を示す。参照番号２ａはオブジェクトテーブルのうち第２のインターフェイス２４が接続される部分を指し、参照番号２ａはオブジェクトテーブルのうち第１のインターフェイス２３が接続される部分を指す。よって、参照番号２ａ，２ｂ及び２ｃは一緒になって、磁石アセンブリ２０がオブジェクトテーブルに接続されるエリアにおけるオブジェクトテーブルの動的モデルを示す。現実的な実施形態においては、オブジェクトテーブルは全体として単一の固体の実体となるであろう。

【0108】

[00117] 本発明によれば、第１の磁性体２１及び第２の磁性体２２は互いに別個にオブジェクトテーブルに取り付けられる。なぜなら、両者とも専用のインターフェイス２３，２４を有しているからである。第１のインターフェイス２３の剛性は参照番号２３ａによって概略的に示されている。第２のインターフェイス２４の剛性は参照番号２４ａによって概略的に示されている。オブジェクトテーブルの幾つかの振動モードにおいては、磁石アセンブリ２０の第１及び第２の磁性体２１，２２は、互いに対して移動することが明らかになっている。これは、第１及び第２のインターフェイスがオブジェクトテーブルに係合するエリアにおいて、オブジェクトテーブルの局所的な変形を引き起こす。この局所的な変形は、オブジェクトの位置決めにおける精度不良を引き起こし得る。

【0109】

[00118] ダンパ９０が第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との間に配置される場合には、第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との相対移動が緩和され、これがオブジェクトテーブルの局所的な変形を低減させる。

【0110】

[00119] 既知の構成においては、ダンパはアクチュエータ全体とオブジェクトテーブルとの間に存在している。そのような構成においては、アクチュエータの全作動力が比較的高い周波数でダンパを通過する。ダンパはこうして振動を緩和するであろうが、その一方で、オブジェクトテーブルの加速時にプリテンションされもする。このプリテンションは、ステージシステムがリソグラフィ装置において用いられるときに最も重要な期間である、オブジェクトテーブルがアクチュエータによって作動されないときには、緩められる。

【0111】

[00120] 本発明に従ってダンパ９０をアクチュエータの第１及び第２の磁性体２１，２２の間に配置することにより、第１及び第２の磁性体２１，２２の相対移動のみが緩和されるであろう。第１及び第２の磁性体２１，２２のそのような相対移動は、オブジェクトテーブルの内部モード形状によって誘発され得る。その場合、ダンパ９０はこれらの内部モード形状を緩和し、その結果、オブジェクトテーブルの改良された動的挙動がもたらされる。また、ダンパ９０がアクチュエータの第１及び第２の磁性体２１，２２の間に配置される場合、作動力はダンパ９０の変形を誘発しないであろう。したがって、ダンパ９０は、オブジェクトテーブルがアクチュエータによって作動されていない期間には、緩みを示さないであろう。

【0112】

[00121] 更に、粘弾性のダンパ材料が用いられるときには、ダンパを第１の磁性体２１と第２の磁性体２２との間に配置することによって、例えばダンパをアクチュエータとオブジェクトテーブルとの間、例えば磁石アセンブリとオブジェクトテーブルとの間に配置するのと比べて、ダンパの緩みの効果は低減され、又は幾つかの実施形態においては有意に低減されさえする。これは、図８に記載の配置においては緩みが第１及び第２の磁性体２１，２２の間の力の差に起因してのみ生じ、この差は例えばアクチュエータとオブジェクトテーブルとの間の力の差よりも有意に小さいためである。

【0113】

[00122] 図９は図８の実施形態の実用化の一例を示す。

【0114】

[00123] 図９の実装形態においては、合成ゴムで作製された４つのダンパ９１，９２，９３，９４が第１及び第２の磁性体２１，２２の間に配置されている。図９ではこれらのダンパのうち３つが見えている。２つのダンパが第１及び第２の磁性体２１，２２の上隅に配置され、２つの更なるダンパが第１及び第２の磁性体２１，２２の上隅に配置される。

【0115】

[00124] 図１０は、図８及び図９に記載のダンパの適用の効果をボーデ線図（開ループ力学）で示す。

【0116】

[00125] 図１０において、灰色の線は、ダンピングなしでアクチュエータが取り付けられた状態のオブジェクトテーブルの周波数応答を示す。黒色の線は、アクチュエータが取り付けられた状態で、図８及び図９に記載のダンパが存在する場合の、オブジェクトテーブルの周波数応答を示す。いずれの場合も、入力はアクチュエータ力であり、出力は位置である。図１０において、周波数ｆはＨｚ単位で対数スケールのｘ軸に描画されている。やはり対数スケールのｙ軸には、マグニチュードがｄＢで、ｍ／Ｎ単位で描画されている。

【0117】

[00126] 図１０に見られるように、幾つかの振動モードの固有振動の振幅は、図８及び図９に記載のダンパが適用されると有意に低減される。

【0118】

[00127] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

【0119】

[00128] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

【0120】

[00129] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

【0121】

[00130] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。

【0122】

[00131] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。

【0123】

[00132] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】