(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、上記した特許文献1に記載された技術において厚みを検出しようとした場合、被加工物の上面、及び下面にて反射した反射光を分岐した後に、反射光を平行光とするコリメーションレンズ、回析格子により両反射光の干渉を回析し、さらに、各波長に対応する回析信号を集光レンズを介してラインイメージセンサーに送り、該ラインイメージセンサー等により検出した反射光の各波長における光強度を検出して分光干渉波形を求める必要がある。このことから、厚さを計測するために搭載される装置が多くなり、構成が複雑で装置全体が高額になるという問題がある。
【0006】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、構成が単純で安価な厚み計測装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物の厚みを計測する厚み計測装置であって、板状物に対して透過性を有する波長域の光をパルス光で発するパルスブロードバンド光源と、該パルスブロードバンド光源が発したパルス光を伝達し伝達距離に応じて異なる波長に
該1つのパルス光を分光して逆行させるファイバーブラッググレーティング(FBG:Fiber Bragg Grating)と、該ファイバーブラッググレーティングに配設され逆行したパルス光を分岐し光ファイバーに伝達する光ファイバー伝達手段と、該光ファイバーの端面に配設されパルス光を板状物に集光する対物レンズを備えた測定端子と、該板状物の上面で反射したパルス光と該板状物を透過し下面で反射したパルス光とが干渉し該光ファイバーを逆行した戻り光を分岐する光分岐手段と、該光分岐手段で分岐した
該1つのパルス光に含まれる波長毎の戻り光における時間差から波長を求め各波長の光の強度を検出して分光干渉波形を生成する分光干渉波形生成手段と、該分光干渉波形生成手段が生成した分光干渉波形を波形解析して板状物の厚みを算出する厚み算出手段と、から少なくとも構成される厚み計測装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明による厚み計測装置は、上述したように構成され、特に、板状物に対して透過性を有する波長域の光をパルス光で発するパルスブロードバンド光源と、該パルスブロードバンド光源が発したパルス光を伝達し伝達距離に応じて異なる波長に
該1つのパルス光を分光して逆行させるファイバーブラッググレーティング(FBG:Fiber Bragg Grating)と、該ファイバーブラッググレーティングに配設され逆行したパルス光を分岐し光ファイバーに伝達する光ファイバー伝達手段と、該光ファイバーの端面に配設されパルス光を板状物に集光する対物レンズを備えた測定端子と、該板状物の上面で反射したパルス光と該板状物を透過し下面で反射したパルス光とが干渉し該光ファイバーを逆行した戻り光を分岐する光分岐手段と、
該1つのパルス光に含まれる波長毎の戻り光における時間差から波長を求め各波長の光の強度を検出して分光干渉波形を生成する分光干渉波形生成手段と、該分光干渉波形生成手段が生成した分光干渉波形を波形解析して板状物の厚みを算出する厚み算出手段と、から構成されていることにより、単純な構成で厚みばらつきを計測することができ、安価な厚み計測装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明による厚み計測装置について添付図面を参照して、詳細に説明する。
【0011】
図1には、本発明の厚み計測装置を備えた研削装置1の全体斜視図、及び本発明の厚み計測装置により厚みが計測される板状物としてのウエーハ10が示されている。図に示す研削装置1は、全体を番号2で示す装置ハウジングを備えている。この装置ハウジング2は、略直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(
図1において右上端)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
【0012】
研削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット4を備えている。移動基台31は、直立壁22に配設された一対の案内レールと摺動可能に係合するように構成されている。このように直立壁22に設けられた一対の該案内レールに摺動可能に装着された移動基台31の前面には、前方に突出した支持部を介して研削手段としてのスピンドルユニット4が取り付けられる。
【0013】
該スピンドルユニット4は、スピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に配設された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ43とを備えている。スピンドルハウジング41に回転可能に支持された回転スピンドル42は、一端部(
図1において下端部)がスピンドルハウジング41の下端から突出して配設されており、下端部にはホイールマウント44が設けられている。そして、このホイールマウント44の下面に研削ホイール5が取り付けられる。この研削ホイール5の下面には複数のセグメントから構成された研削砥石51が配設されている。
【0014】
図示の研削装置1は、研削ユニット3を該一対の案内レールに沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動させる研削ユニット送り機構6を備えている。この研削ユニット送り機構6は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド61、該雄ねじロッド61を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ62を備え、該移動基台31の背面に備えられた図示しない雄ねじロッド61の軸受部材等から構成される。このパルスモータ62が正転すると移動基台31即ち研磨ユニット3が下降即ち前進させられ、パルスモータ62が逆転すると移動基台31即ち研削ユニット3が上昇即ち後退させられる。
【0015】
上記ハウジング2の主部21に被加工物としての板状物(ウエーハ10)を保持する保持手段としてのチャックテーブル機構7が配設されている。チャックテーブル機構7は、チャックテーブル71と、該チャックテーブル71の周囲を覆うカバー部材72と、該カバー部材72の前後に配設された蛇腹手段73および74を備えている。チャックテーブル71は、その上面(保持面)にウエーハ10を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。さらに、チャックテーブル71は、図示しない回転駆動手段によって回転可能に構成されると共に、図示しないチャックテーブル移動手段によって
図1に示す被加工物載置域70aと研削ホイール5と対向する研削域70bとの間(矢印Xで示すX軸方向)で移動させられる。
【0016】
なお、上述したサーボモータ43、パルスモータ62、図示しないチャックテーブル移動手段等は、後述する制御手段20により制御される。また、ウエーハ10は、図示の実施形態においては外周部に結晶方位を表すノッチが形成されており、その表面に保護部材としての保護テープ12が貼着され、この保護テープ12側がチャックテーブル71の上面(保持面)に保持される。
【0017】
図示の研削装置1は、チャックテーブル71に保持されるウエーハ10の厚みを計測する厚み計測装置8を備えている。この厚み計測装置8は、計測ハウジング80を備えており、図に示すように装置ハウジング2を構成する直方体形状の主部21の上面において、チャックテーブル71が被加工物載置領域70aから研削域70b間を移動させられる経路途中の側方に配設され、チャックテーブル71が被加工物載置領域70aと研削域70b間を移動する際に、チャックテーブル71上に保持されるウエーハ10を上方から計測可能に配置されている。該計測ハウジング80の下面には、直下に位置付けられるチャックテーブル71を望むように測定端子81が備えられており、図中矢印Yで示す方向(Y軸方向)に往復動可能に構成されている。該厚み計測装置8については、
図2を参照しながら更に詳細に説明する。
【0018】
図示の実施形態における厚み計測装置8は、被加工物としてのウエーハ10に対して透過性を有する所定の波長(例えば、波長1100nm〜1900nm)を含むパルス光を発振するブロードバンド光源(以下「パルスブロードバンド光源82」という。)と、該パルスブロードバンド光源82からのパルス光LB1が入射される光ファイバー伝達手段83aと、光ファイバー伝達手段83aを介してパルス光LB1が入射されるファイバーブラッググレーティング83と、該ファイバーブラッググレーティング83で反射し逆行した光が光ファイバー伝達手段83aで分岐され伝達される光ファイバーf2と、該光ファイバーf2に接続される光ファイバーf3と、該光ファイバーf3の端面に配設され、該光ファイバーf3に伝達された光をウエーハ10に集光する対物レンズ81aを備えた測定端子81と、該対物レンズ81aから照射された光LB2を該ウエーハ10の上面で反射した反射光と該ウエーハ10を透過しウエーハ10の下面で反射した反射光とで干渉させて該光ファイバーf3を逆行させた戻り光を分岐する光分岐手段84と、該光分岐手段84で分岐した戻り光の光強度を検出する受光素子85と、1パルスにおける時間差から受光素子85において受光した戻り光の波長を特定することで、各波長毎の光の強度を検出し、受光素子85により検出された波長毎の該光強度が入力され記憶される制御手段20と、を備え、該制御手段20は、該検出した光強度と時間差に基づき1パルスにおける分光干渉波形を生成する分光干渉波形生成手段と、該分光干渉波形生成手段が生成した分光干渉波形を波形解析してウエーハ10の厚みを算出する厚み算出手段と、を備えている。該制御手段20は、コンピュータにより構成されており、該分光干渉波形生成手段と、厚み算出手段とは、制御手段20内に記憶された演算プログラムにより実現される。なお、該パルスブロードバンド光源82は、LED、LD、SLD(Super Luminescent Diode)、ASE(Amplified Spontaneous Emission)、SC(Super Continuum)、ハロゲン光源等を選択することができ、例えば、繰り返し周波数10kHz(パルス間隔=100μs)、パルス幅10nsで照射する。
【0019】
ファイバーブラッググレーティング83で反射した光を分岐させる機能を奏する光ファイバー伝達手段83a、ウエーハ10で反射した戻り光を分岐する光分岐手段84は、例えば、偏波保持ファイバーカプラ、偏波保持ファイバーサーキュレータ、シングルモードファイバーカプラ等のいずれかから適宜選択される。また、光強度を検出する受光素子85としては、一般的に知られているホトデテクタ、ラインイメージセンサー等を使用することができる。
【0020】
ファイバーブラッググレーティング83は、ファイバーブラッググレーティング83を構成する光ファイバーf1に、広帯域のスペクトルを持った光が入射すると、入射された光の特定の波長成分のみを反射し、それ以外の波長をすべて透過させる回析格子k1〜k17が形成されている。本実施形態においては、該光ファイバーf1の長さを約8kmで構成し、入射位置から500m毎に、順に該回析格子k1〜k17が配置されている。図に示すように、入射位置に最も近い回析格子k1は波長が1100nmの光のみを反射し、その他の波長成分の光は透過する。さらに、次の回析格子k2は、波長1150nmの波長成分の光のみを反射し、その他の波長成分の光を透過する。このようにして残りの回析格子k3〜k17は50nm毎の1200nm、1250nm、・・・1900nmに設定された波長成分の光を順に反射する。
【0021】
該制御手段20は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置(CPU)と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている(詳細についての図示は省略)。本実施形態における制御手段20は、研削装置1の各駆動部分を制御すると共に、上述したように分光干渉波形を生成する分光干渉波形生成手段と、該分光干渉波形生成手段が生成した分光干渉波形を波形解析してウエーハ10の厚みを算出する厚み算出手段を実行するプログラムをリードオンリメモリ(ROM)に記憶しており、パルスブロードバンド光源82を駆動し、受光素子85の検出値をランダムアクセスメモリ(RAM)に記憶することで、ウエーハ10の厚さを算出する機能を有する。本実施形態の研削装置1、厚み計測装置8は概略以上のように構成されており、その作用について、
図2、3を参照しながら以下に説明する。
【0022】
本発明の厚み計測装置8によるウエーハ10の厚さの計測は、例えば、チャックテーブル71に載置されたウエーハ10を研削装置1によって研削した後、研削域70bから被加工物載置域70aの方向に移動させることにより測定端子81の直下を通過させる際に行う。上述したように、パルスブロードバンド光源82からは、ウエーハ10に対して透過性を有する所定の波長(1100nm〜1900nm)成分を含むパルス幅10nsのパルス光が、繰り返し周波数10kHz(照射する間隔=100μs)で照射される。パルスブロードバンド光源82から照射されたパルス光LB1は、ファイバーブラッググレーティング83に配設された光ファイバー伝達手段83を介して光ファイバーf1に入射される。
【0023】
光ファイバーf1に入射されたパルス光は1100〜1900nmの波長成分を有する光であり、該光ファイバーf1の入射位置に最も近い回析格子k1において1100nmの波長成分の光のみが図中矢印で示すように反射して光ファイバーf1を逆行し、その他の波長成分の光は透過する。回析格子k1にて反射し光ファイバーf1を逆行した光は、光ファイバー伝達手段83aにて光ファイバーf2に分岐される。光ファイバーf2に分岐された光は、光分岐手段84を経由して光ファイバーf3に伝達され、測定端子81の対物レンズ81aを介して直下に位置付けられたウエーハ10の測定位置に照射される。ウエーハ10の所定の測定位置に照射された1100nm波長の光は、ウエーハ10の上面及び下面で反射し、両反射光が干渉しながら光ファイバーf3を逆行する戻り光を形成する。該戻り光は、光分岐手段84で分岐され、光ファイバーf4を進行して受光素子85に到達し、その結果、光ファイバーf1に対して1つのパルス光が入射した時間t1における1100nmの波長の戻り光の光強度が検出される。この光強度は、時間t1と、照射されたウエーハ10のX軸方向のX座標、Y軸方向のY座標の位置と関連付けられて制御手段20のランダムアクセスメモリ(RAM)の任意の記憶領域に記憶される。
【0024】
図2に基づき説明を続けると、時間t1で光ファイバー伝達手段83aを介してパルス光LB1が光ファイバーf1に入射した後、回析格子k1を透過したパルス光が時間差をもって次の回析格子k2に達する。回析格子k2は、1150nmの波長成分の光のみを反射し、その他の波長成分の光は透過する。回析格子k2にて矢印で示すように反射し光ファイバーf1を逆行した1150nmの光は、上述した1100nmの光と同様に、光分岐手段84を経由して光ファイバーf3に伝達され、測定端子81の対物レンズ81aを介して直下に位置付けられたウエーハ10の測定位置に照射される。ウエーハ10に到達した1150nmの波長成分の光は、該測定端子81aの直下に位置付けられているウエーハ10の上面及び下面で反射して両反射光が干渉しながら光ファイバーf3を逆行する戻り光を形成し、光分岐手段84で分岐され、光ファイバーf4を進行して受光素子85に到達する。該1150nmの波長の戻り光は、該回析格子k1から光ファイバーf1を500m進行した位置に配設された次の回析格子k2にて反射しているため、光ファイバーf1に対し光が入射した時間t1から所定の時間差をもって受光素子85に到達する(時間t2)。このようにしてウエーハ10の上面及び下面で反射した1150nmの波長の戻り光の光強度が特定される。この光強度は、時間t2と、照射されたウエーハ10のX軸方向のX座標、Y軸方向のY座標の位置と関連付けられて制御手段20のランダムアクセスメモリ(RAM)の任意の記憶領域に記憶される。
【0025】
以下、同様に、ファイバーブラッググレーティング83の光ファイバーf1上の回析格子k3〜k17にて、所定の時間差をもって各回析格子毎に設定された異なる波長成分(1200nm、1250nm・・・1900nm)の光が順次反射してウエーハ10に照射され、ウエーハ10の上面と下面で反射した反射光が干渉しながら戻り光を形成し順次受光素子85にて光強度が検出される。そして、当該光強度と、当該時間t3〜t17と、照射されたウエーハ10のX軸方向のX座標、Y軸方向のY座標の位置とが関連付けられて制御手段20のランダムアクセスメモリ(RAM)の任意の記憶領域に記憶される。なお、ファイバーブラッググレーティング83によって生じさせられる各波長成分の光の反射時間差は、パルス間隔と比して極めて短い時間であり、1つのパルス光が照射され、次のパルス光が照射される前に、全ての波長成分(1100〜1900nm)の戻り光についての光強度の検出が終了する。
【0026】
上述したように、制御手段20には、パルスブロードバンド光源82から1つのパルス光が照射開始されてからの時間差によって特定される経過時間(t1〜t17)と、受光素子85によって検出される光強度とが関連付けられて記憶されており、ウエーハ10の所定座標位置毎に
図3(a)に示すような分光干渉波形を生成することができる。
図3(a)は、横軸は戻り光の波長(λ)、縦軸は受光素子85により検出される該波長毎の光強度を示している。
以下、制御手段20が上述した分光干渉波形に基づいて実行する波形解析に基づき、ウエーハ10の厚みを算出する例について説明する。
【0027】
該測定端子81に位置付けられる光ファイバーf3の上端部からチャックテーブル71に保持されたウエーハ10の下面までの光路長を(L1)とし、光ファイバーf3の上端部からチャックテーブル71に保持されたウエーハ10の上面までの光路長を(L2)とし、光路長(L1)と光路長(L2)との差を第1の光路長差(d1=L1−L2)とする。
【0028】
次に、制御手段20は、上述した
図3(a)に示すようなウエーハ10の所定位置毎に対して生成された分光干渉波形に基づいて波形解析を実行する。この波形解析は、例えばフーリエ変換理論やウエーブレット変換理論に基づいて実行することができるが、以下に述べる実施形態においては下記数式1、数式2、数式3に示すフーリエ変換式を用いた例について説明する。
【0032】
上記数式において、λは波長、dは上記第1の光路長差(d1=L1−L2)、W(λn)は窓関数である。上記数式1は、cosの理論波形と上記分光干渉波形(I(λn))との比較で最も波の周期が近い(相関性が高い)、即ち分光干渉波形と理論上の波形関数との相関係数が高い光路長差(d)を求める。また、上記数式2は、sinの理論波形と上記分光干渉波形(I(λn))との比較で最も波の周期が近い(相関性が高い)、即ち分光干渉波形と理論上の波形関数との相関係数が高い光路長差(d)を求める。そして、上記数式3は、数式1の結果と数式2の結果の平均値を求める。
【0033】
制御手段20は、上記数式1、数式2、数式3に基づく演算を実行することにより、戻り光の光路長差に起因する分光の干渉に基づき、
図3(b)に示す信号強度の波形を得ることができる。
図3(b)において横軸は光路長差(d)を示し、縦軸は信号強度を示している。
図3(b)に示す例においては、光路長差(d)が180μmの位置で信号強度が高く表されている。即ち、光路長差(d)が180μmの位置の信号強度は光路長差(d1=L1−L2)であり、ウエーハ10の厚み(T)を表している。そして、該測定端子81に対する該チャックテーブル71の相対的なX軸方向、Y軸方向の位置により特定される計測位置の座標(X座標、Y座標)に関連付けてウエーハ10の厚み(T)を記憶する。
【0034】
本実施形態では、測定端子81が保持された駆動機構81bの作動により、矢印Y1で示す方向に往復動可能に構成されており、厚み計測装置8の直下に位置付けられたウエーハ10に対して、測定端子81をY軸方向に移動させると共に、チャックテーブル71をX軸方向に移動させながら、上述した厚み計測をウエーハ10全面に対して実行する。
【0035】
図示の実施形態における厚み計測装置8によれば、ウエーハ10の厚みを単純な構成で容易に求めることができ、反射する反射光の光路長差に起因して得られる分光干渉波形に基づきウエーハ10の加工時におけるウエーハ10の厚み(T)を検出するので、ウエーハ10の表面に貼着された保護テープ12の厚みの変化に影響されることなくウエーハ11の厚み(T)を正確に計測することができる。
【0036】
厚み計測装置8は以上のように構成されており、以下、該厚み計測装置8を備えた研削装置1を用いてウエーハ10を所定の厚みに研削する手順について説明する。
【0037】
表面に保護テープ12が貼着されたウエーハ10は、
図1に示す研削装置1における被加工物載置域70aに位置付けられているチャックテーブル71上に保護テープ12側が載置され、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル71上に吸引保持される。従って、チャックテーブル71上に吸引保持されたウエーハ10は、裏面10bが上側となる。
【0038】
次に、制御手段20は、ウエーハ10を保持したチャックテーブル71の図示しない移動手段を作動し、チャックテーブル71を移動して研削域70bに位置付け、研削ホイール5の複数の研削砥石51の外周縁がチャックテーブル71の回転中心を通過するように位置付ける。
【0039】
このように研削ホイール5とチャックテーブル71に保持されたウエーハ10が所定の位置関係にセットされ、制御手段20は図示しない回転駆動手段を駆動してチャックテーブル71を例えば300rpmの回転速度で回転するとともに、上記したサーボモータ43を駆動して研削ホイール5を例えば6000rpmの回転速度で回転する。そして、ウエーハ10に対して研削水を供給しつつ、研削ユニット送り機構6のパルスモータ62を正転駆動し研削ホイール5を下降(研削送り)して複数の研削砥石51をウエーハ10の上面(裏面10b)である被研削面に所定の圧力で押圧する。この結果、ウエーハ10のである被研削面が研削される(研削工程)。
【0040】
該研削工程を終えたならば、研削されたウエーハ10を保持したチャックテーブル71をX軸方向の前方に位置する被加工物載置域70a側に移動させることにより、ウエーハ10を厚み計測装置8の測定端子87の直下に位置付けると共に、上述したように厚み計測装置8を作動させてウエーハ10上の各座標位置に対応する分光干渉波形を得ると共に波形解析して、ウエーハ10の厚みを計測し記憶する。このような計測をウエーハ10のX軸方向における所定間隔毎に実行し、ウエーハ10の表面の厚み(T)を記憶し、研削後のウエーハ10全面の厚みを確認することで、研削工程の良否を判定すると共に、必要に応じて再研削を実施し、所定の厚みになるまで研削工程を実施する。
【0041】
また、上述した実施形態では、該厚み計測装置8による計測を、研削工程を終えたウエーハの全面に対して行うように説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、該厚み計測装置8の計測ハウジング80の設置位置を
図1に示す研削域70bの近傍に設定することもできる。そのように構成することで、研削装置1のチャックテーブル機構7に保持されたウエーハ10が研削ホイール5の作用を受けて研削されている際に、露出したウエーハ10に対面して測定端子85を移動させながら研削時に供給される研削水に水没させて位置付け、研削中のウエーハ10の厚みを計測することも可能であり、研削中のウエーハ10の厚みを制御手段20にフィードバックすることで効率よく所望の厚みに研削することが可能である。また、本発明に基づき構成される厚み計測装置8は、本実施形態のように研削装置1に配設される必要はなく、研削装置1とは独立した一つの装置として構成したり、あるいは研削装置1とは異なる他の加工装置に併設したりしてもよい。