特許 6803755 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6803755

(24)【登録日】2020年12月3日

(45)【発行日】2020年12月23日

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20201214BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20201214BHJP

   B05D 3/10 20060101ALI20201214BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 562

   H01L21/304 648L

   B05D3/10 Z

【請求項の数】11

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2017-6845(P2017-6845)

(22)【出願日】2017年1月18日

(65)【公開番号】特開2018-117045(P2018-117045A)

(43)【公開日】2018年7月26日

【審査請求日】2019年10月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】大村 和久

(72)【発明者】

【氏名】中村 泰之

【審査官】 山口 敦司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２２２１５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−０４５９２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−３５９２２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１７−０５６３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００９／００２３２９７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 韓国公開特許第１０−２００６−０００４３０８（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｂ０５Ｄ ３／１０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送された前記基板に処理を行う処理部と、
前記搬送部を含む第一空間を加湿する調湿部と、
前記第一空間に気体を導入する給気口と、
前記第一空間から気体を排出する排気口と、を備え、
前記調湿部は、前記給気口から前記排気口に至る気体の流路の上流側に蒸気を供給する第一加湿部を有する基板処理装置。

【請求項2】

前記搬送部は、前記基板を支持する支持部と、前記支持部を移動させる駆動部とを有し、
前記調湿部は、前記第一空間内における前記駆動部の近傍に蒸気を供給する第二加湿部を有する、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記駆動部内に開口し、前記第一空間から気体を排出する第二排気口を更に備える、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項4】

基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送された前記基板に処理を行う処理部と、
前記搬送部を含む第一空間を加湿する調湿部と、を備え、
前記処理部は、前記基板を受け入れる受入開口を有し、
前記調湿部は、前記第一空間内における前記受入開口の近傍に蒸気を供給する第三加湿部を有する基板処理装置。

【請求項5】

前記処理部内に開口し、前記第一空間から気体を排出する排気口を更に備える、請求項４記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記搬送部の動作状態に応じて前記第一空間の加湿の強さを調節するように前記調湿部を制御するように構成された制御部を更に備える、請求項１〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記搬送部が動作する期間の少なくとも一部にて、前記第一空間を加湿するように前記調湿部を制御し、前記搬送部が停止する期間の少なくとも一部にて、前記第一空間の加湿を弱めるように前記調湿部を制御するように構成されている、請求項６記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記駆動部により前記支持部を移動させるように前記搬送部を制御することと、移動中の前記支持部の通過に応じて、当該支持部が通過した箇所への蒸気の供給量を増やすように前記調湿部を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備える、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項9】

基板を搬送するように搬送部を制御することと、
前記搬送部により搬送された前記基板に処理を行うように処理部を制御することと、
給気口を通して、前記搬送部を含む第一空間に気体を導入することと、
排気口を通して前記第一空間から気体を排出することと、
前記基板を搬送するように前記搬送部が動作する期間の少なくとも一部にて、前記給気口から前記排気口に至る気体の流路の上流側に蒸気を供給して前記第一空間を加湿することと、
前記搬送部が停止する期間の少なくとも一部にて、前記第一空間の加湿を弱めることと、を含む基板処理方法。

【請求項10】

基板を搬送するように搬送部を制御することと、
前記基板を受け入れる受入開口を有する処理部を、前記搬送部により搬送された前記基板に処理を行うように制御することと、
前記基板を搬送するように前記搬送部が動作する期間の少なくとも一部にて、前記搬送部を含む第一空間内における前記受入開口の近傍に蒸気を供給して前記第一空間を加湿することと、
前記搬送部が停止する期間の少なくとも一部にて、前記第一空間の加湿を弱めることと、を含む基板処理方法。

【請求項11】

請求項９又は１０記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の塗布ユニットと、複数の熱処理ユニットと、これらのユニットに基板を搬送する搬送アームとを備える基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５−２２０４２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

塗布ユニット及び熱処理ユニット等の処理部の間で搬送アーム（搬送部）が基板を搬送する際に、微小なパーティクルが舞い上がる場合がある。舞い上がった微小パーティクルは、搬送部を含む空間内を長期間漂い、基板に付着する可能性がある。

【0005】

そこで本開示は、搬送部を含む空間内を長期間漂う微小パーティクルを削減できる基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を搬送する搬送部と、搬送部により搬送された基板に処理を行う処理部と、搬送部を含む第一空間を加湿する調湿部と、を備える。

【0007】

この基板処理装置によれば、第一空間を加湿することで、パーティクルに水分子を付着させることができる。水分子の付着により質量が増加すると、パーティクルは落下し易くなるのに加え、装置内を通る気流に乗って排出され易くなる。従って、搬送部の動作によって舞い上がった微小パーティクルを削減できる。

【0008】

第一空間に気体を導入する給気口と、第一空間から気体を排出する排気口と、を更に備えてもよく、調湿部は、給気口から排気口に至る気体の流路の上流側に蒸気を供給する第一加湿部を有してもよい。この場合、第一加湿部が供給した蒸気が、給気口から排気口への気流に乗って第一空間内に広がる。このため、第一空間内の広範囲に亘って微小パーティクルを削減できる。

【0009】

搬送部は、基板を支持する支持部と、支持部を移動させる駆動部とを有し、調湿部は、第一空間内における駆動部の近傍に蒸気を供給する第二加湿部を有してもよい。この場合、微小パーティクルの発生源となりやすい駆動部の近傍に集中して蒸気を供給することにより、駆動部からの微小パーティクルの拡散を効率よく抑制できる。

【0010】

駆動部内に開口し、第一空間から気体を排出する排気口を更に備えてもよい。この場合、第一空間の気体が駆動部内を通って排気されることとなる。従って、第二加湿部からの蒸気の供給により質量が増加した微小パーティクルの多くを駆動部内に導き、第一空間内への微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる。

【0011】

処理部は、基板を受け入れる受入開口を有し、調湿部は、第一空間内における受入開口の近傍に蒸気を供給する第三加湿部を有してもよい。この場合、処理部外から処理部内に微小パーティクルが拡散すること、及び処理部内から処理部外に微小パーティクルが拡散することを抑制できる。

【0012】

処理部内に開口し、第一空間から気体を排出する排気口を更に備えてもよい。この場合、第一空間の気体が処理部内を通って排気されることとなる。従って、第三加湿部からの蒸気の供給により質量が増加した微小パーティクルの多くを処理部内に導き、処理部外への微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる。

【0013】

搬送部の動作状態に応じて第一空間の加湿の強さを調節するように調湿部を制御するように構成された制御部を更に備えてもよい。第一空間の加湿を常時強めると、微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる一方で、第一空間内に結露が生じ易くなる。微小パーティクルの拡散し易さは、搬送部の動作状態に応じて変化するので、搬送部の動作状態に応じて第一空間の加湿の強さを調節することで、微小パーティクルの拡散抑制と、第一空間内の結露抑制との両立を図ることができる。

【0014】

制御部は、搬送部が動作する期間の少なくとも一部にて、第一空間を加湿するように調湿部を制御し、搬送部が停止する期間の少なくとも一部にて、第一空間の加湿を弱めるように調湿部を制御するように構成されていてもよい。この構成によれば、搬送部の動作開始時又は動作中に微小パーティクルが拡散し易い場合に、微小パーティクルの拡散抑制と、第一空間内の結露抑制との両立を図ることができる。

【0015】

駆動部により支持部を移動させるように搬送部を制御することと、移動中の支持部の通過に応じて、当該支持部が通過した箇所への蒸気の供給量を増やすように調湿部を制御することと、を実行するように構成された制御部を更に備えてもよい。この場合、支持部に支持された基板への結露を抑制しつつ、支持部の通過に伴い発生した微小パーティクルに直ちに水分子を付着させ、微小パーティクルの拡散を効率よく抑制できる。

【0016】

本開示の他の側面に係る基板処理方法は、基板を搬送するように搬送部を制御することと、搬送部により搬送された基板に処理を行うように処理部を制御することと、基板を搬送するように搬送部が動作する期間の少なくとも一部にて、当該搬送部を含む第一空間を加湿することと、搬送部が停止する期間の少なくとも一部にて、第一空間の加湿を弱めることと、を含む。

【0017】

本開示の他の側面に係る記憶媒体は、蒸気基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

【発明の効果】

【0018】

本開示によれば、搬送部を含む空間内を長期間漂う微小パーティクルを削減できる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。

【図2】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。

【図4】第一加湿部及び第一除湿部の概略構成を示す模式図である。

【図5】第二加湿部及び第二除湿部の概略構成を示す模式図である。

【図6】加湿ノズルの概略構成を示す模式図である。

【図7】第三加湿部及び第三除湿部の概略構成を示す模式図である。

【図8】第三加湿部及び第三除湿部の概略構成を示す模式図である。

【図9】加湿ノズルの概略構成を示す模式図である。

【図10】制御部のハードウェア構成を例示するブロック図である。

【図11】第一加湿部及び第一除湿部の制御手順を示すフローチャートである。

【図12】第二加湿部及び第二除湿部の制御手順を示すフローチャートである。

【図13】第三加湿部及び第三除湿部の制御手順を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【0021】

〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

【0022】

〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、搬送部Ａと、制御部１００とを備える。

【0023】

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能である。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。キャリアブロック４は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

【0024】

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、ウェハＷに処理を行う処理部の一例として、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２とを内蔵している。液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、後述の搬送部Ａにより搬送されたウェハＷに処理を行う。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。

【0025】

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0026】

処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0027】

処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0028】

処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

【0029】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0030】

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0031】

搬送部Ａは、塗布・現像装置２内においてウェハＷを搬送する。例えば搬送部Ａは、受け渡しアームＡ１と、搬送アームＡ３と、直接搬送アームＡ６と、昇降アームＡ７と、受け渡しアームＡ８とを有する。受け渡しアームＡ１は、キャリアブロック４に内蔵されており、キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

【0032】

搬送アームＡ３は、処理モジュール１４，１５，１６，１７のそれぞれに内蔵されており、液処理ユニットＵ１と熱処理ユニットＵ２とにウェハＷを搬送する。直接搬送アームＡ６は、処理モジュール１７に内蔵されており、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずに棚ユニットＵ１０から棚ユニットＵ１１にウェハＷを搬送する。

【0033】

昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０の近傍に設けられており、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。受け渡しアームＡ８は、インタフェースブロック６に内蔵されており、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0034】

制御部１００は、ウェハＷを搬送するように搬送部Ａを制御することと、搬送部Ａにより搬送されたウェハＷに処理を行うように液処理ユニットＵ１又は熱処理ユニットＵ２を制御することと、を実行する。例えば制御部１００は、以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

【0035】

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

【0036】

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

【0037】

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

【0038】

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。

【0039】

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

【0040】

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像処理用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

【0041】

〔調湿部〕
塗布・現像装置２は、搬送部Ａを含む第一空間２ａを加湿する調湿部ＨＣを更に備える。以下、調湿部ＨＣの構成を具体的に例示する。

【0042】

（第一加湿部）
図２に示すように、塗布・現像装置２は、第一空間２ａに気体を導入する給気口ＩＰと、第一空間２ａから気体を排出する排気口ＥＰとを備える。調湿部ＨＣは、給気口ＩＰから排気口ＥＰに至る気体の流路の上流側に蒸気を供給する加湿部２０（第一加湿部）と、加湿部２０からの蒸気の供給により上昇した湿度を低減させる除湿部３０（第一除湿部）と、を有する。

【0043】

給気口ＩＰは、塗布・現像装置２の上部（例えばキャリアステーション１２の上部）に設けられた給気口２ｂを含み、排気口ＥＰは、塗布・現像装置２の下部（例えばキャリアステーション１２の下部）に設けられた排気口２ｃを含み、加湿部２０及び除湿部３０は、給気口２ｂの近傍（例えば給気口２ｂの外側）に設けられている。

【0044】

図４に示すように、除湿部３０は送風機３１を含む。送風機３１は、給気口２ｂを通し、第一空間２ａ外から第一空間２ａ内に気体を吹き込む。これにより、給気口２ｂから排気口２ｃへ向かう気流（ダウンフロー）が第一空間２ａ内に発生する。

【0045】

加湿部２０は、送風機３１により第一空間２ａ外から第一空間２ａ内に送られる気体に蒸気を供給する。これにより、給気口２ｂから排気口２ｃに至る気体の流路の上流側に蒸気が供給される。

【0046】

加湿部２０は、加湿ノズル２１と、給水タンク２２と、加湿用送風機２３とを有する。加湿ノズル２１は、蒸気を発生させて吐出する。加湿ノズル２１は、送風機３１内に開口している。給水タンク２２は、蒸気を発生させるための液体（例えば水）を加湿ノズル２１に供給し、加湿用送風機２３は、蒸気を発生させるための気体を加湿ノズル２１に供給する。

【0047】

加湿ノズル２１は、ヒータ２４と加湿フィルタ２５とを有する。加湿フィルタ２５は、吸水性及び通気性を有する素材により構成されており、加湿用送風機２３から供給された気体の流路を遮るように設けられている。加湿フィルタ２５は、給水タンク２２から供給された水によって濡れた状態に保たれる。ヒータ２４は、加湿用送風機２３から加湿フィルタ２５に向かう気体を加熱する。ヒータ２４により加熱された気体が加湿フィルタ２５を通過することにより蒸気が発生し、当該蒸気が送風機３１内に吐出される。

【0048】

加湿用送風機２３が停止すると、加湿部２０における蒸気の発生が実質的に停止する。この状態で、送風機３１の運転を継続すると、加湿部２０からの蒸気を含まない気体が第一空間２ａ内に供給されるので、第一空間２ａが除湿される。

【0049】

なお、塗布・現像装置２は、図２に示すように、湿度計２６を更に備えてもよい。湿度計２６は、給気口ＩＰから排気口ＥＰに至る気体の流路の下流側（すなわち排気口ＥＰの近傍）に設けられていてもよい。湿度は排気口ＥＰの近傍において高くなり易い傾向があるので、湿度計２６を排気口ＥＰの近傍に設けることで、結露の生じ易い環境を早期に検知できる。

【0050】

（第二加湿部）
搬送部Ａは、ウェハＷを支持する支持部と、支持部を移動させる駆動部とを有してもよい。例えば図５に示すように、搬送アームＡ３は、ウェハＷを支持する支持部８１と、支持部８１を移動させる駆動部８２とを有する。例えば駆動部８２は、支持部８１を案内するガイドレール８３と、動力源８４と、動力源８４の動力によりガイドレール８３に沿って支持部８１を移動させる動力伝達機構８５とを含む。

【0051】

調湿部ＨＣは、第一空間２ａ内における駆動部８２の近傍に蒸気を供給する加湿部４０（第二加湿部）と、加湿部４０からの蒸気の供給により上昇した湿度を低減させる除湿部５０（第二除湿部）と、を更に有してもよい。

【0052】

加湿部４０は、複数の加湿ノズル４１と、給水タンク４２と、バルブ４３と、送風機４４とを有する。加湿ノズル４１は、蒸気を発生させて吐出する。加湿ノズル４１は、第一空間２ａ内において駆動部８２の近傍に設けられ、駆動部８２側に開口している。複数の加湿ノズル４１は、例えばガイドレール８３に沿って並んでいる。給水タンク４２は、蒸気を発生させるための液体（例えば水）を加湿ノズル４１に供給し、送風機４４は、蒸気を発生させるための気体を加湿ノズル４１に供給する。バルブ４３は、送風機４４から加湿ノズル４１への気体の流路を開閉する。

【0053】

図６に示すように、加湿ノズル４１は、ヒータ４５と加湿フィルタ４６とを有する。加湿フィルタ４６は、吸水性及び通気性を有する素材により構成されており、送風機４４から供給された気体の流路を遮るように設けられている。加湿フィルタ４６は、給水タンク４２から供給された水によって濡れた状態に保たれる。ヒータ４５は、送風機４４から加湿フィルタ４６に向かう気体を加熱する。ヒータ４５により加熱された気体が加湿フィルタ４６を通過することにより蒸気が発生し、当該蒸気が駆動部８２側に吐出される。

【0054】

図５に戻り、除湿部５０は、複数の除湿ノズル５１と、バルブ５２とを有する。除湿ノズル５１は、除湿用の気体を吐出する。例えば除湿ノズル５１は、加湿部４０の送風機４４に接続されており、送風機４４から供給された気体を加湿せずに吐出する。除湿ノズル５１は、第一空間２ａ内において駆動部８２の近傍に設けられ、駆動部８２側に開口している。複数の除湿ノズル５１は、例えば複数の加湿ノズル４１と交互に並んでいる。バルブ５２は、送風機４４から除湿ノズル５１への気体の流路を開閉する。

【0055】

塗布・現像装置２は、駆動部８２内に開口し、第一空間２ａの気体を排出する排気口８６を更に備えてもよい。排気口８６は、ダクトＤ１を介して第一空間２ａ外に接続されている。

【0056】

（第三加湿部）
図７及び図８に示すように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、個別筐体９１を有する。個別筐体９１は、処理液の供給部又は熱板等を収容する。個別筐体９１は、ウェハＷを受け入れる受入開口９２を有する。受入開口９２は、例えば側方に開口している。

【0057】

調湿部ＨＣは、第一空間２ａ内における受入開口９２の近傍に蒸気を供給する加湿部６０（第三加湿部）と、加湿部６０からの蒸気の供給により上昇した湿度を低減させる除湿部７０（第三除湿部）と、を更に有してもよい。

【0058】

加湿部６０は、複数の加湿ノズル６１と、給水タンク６２と、バルブ６３と、送風機６４とを有する。加湿ノズル６１は、蒸気を発生させて吐出する。加湿ノズル６１は、第一空間２ａ内において受入開口９２の周囲に設けられ、受入開口９２を横切る方向に開口している。複数の加湿ノズル６１は、例えば受入開口９２の周縁に沿って並んでいる。なお、図示においては、複数の加湿ノズル６１が受入開口９２の上部に設けられているが、複数の加湿ノズル６１は受入開口９２の側部に設けられていてもよい。給水タンク６２は、蒸気を発生させるための液体（例えば水）を加湿ノズル６１に供給し、送風機６４は、蒸気を発生させるための気体を加湿ノズル６１に供給する。バルブ６３は、送風機６４から加湿ノズル６１への気体の流路を開閉する。

【0059】

図９に示すように、加湿ノズル６１は、ヒータ６５と加湿フィルタ６６とを有する。加湿フィルタ６６は、吸水性及び通気性を有する素材により構成されており、送風機６４から供給された気体の流路を遮るように設けられている。加湿フィルタ６６は、給水タンク６２から供給された水によって濡れた状態に保たれる。ヒータ６５は、送風機６４から加湿フィルタ６６に向かう気体を加熱する。ヒータ６５により加熱された気体が加湿フィルタ６６を通過することにより蒸気が発生し、当該蒸気が受入開口９２を横切るように吐出される。

【0060】

図８に戻り、除湿部７０は、複数の除湿ノズル７１と、バルブ７２とを有する。除湿ノズル７１は、除湿用の気体を吐出する。例えば除湿ノズル７１は、加湿部６０の送風機６４に接続されており、送風機６４から供給された気体を加湿せずに吐出する。除湿ノズル７１は、第一空間２ａ内において受入開口９２の周囲に設けられ、受入開口９２を横切る方向に開口している。複数の除湿ノズル７１は、例えば複数の加湿ノズル６１と交互に並んでいる。バルブ７２は、送風機６４から除湿ノズル７１への気体の流路を開閉する。

【0061】

塗布・現像装置２は、個別筐体９１内に開口し、第一空間２ａの気体を排出する排気口９３を更に備えてもよい。複数の排気口９３は、ダクトＤ２を介して第一空間２ａ外に接続されている。

【0062】

〔制御部〕
以上のように構成された調湿部ＨＣは、制御部１００により制御される。制御部１００は、搬送部Ａの動作状態に応じて第一空間２ａの加湿の強さを調節するように調湿部ＨＣを制御するように構成されている。一例として、制御部１００は、搬送部Ａが動作する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａを加湿するように調湿部ＨＣを制御し、搬送部Ａが停止する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａの加湿を弱めるように調湿部ＨＣを制御するように構成されている。制御部１００は、湿度計２６による湿度の検出値が所定の上限値よりも高くなるのに応じて第一空間２ａの加湿を弱めるように調湿部ＨＣを制御するように構成されていてもよい。なお、加湿を弱めることは、加湿を停止することを含む。

【0063】

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図１０に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５と、ユーザインタフェース１２６とを有する。

【0064】

入出力ポート１２４は、加湿部２０，４０，６０、除湿部３０，５０，７０及び湿度計２６との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。ユーザインタフェース１２６は、例えばモニタ等の表示部と、キーパッド等の入力部とを含み、オペレータ用の情報を表示部に表示し、オペレータによる指示入力を入力部から取得する。

【0065】

ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の制御手順を処理ブロック５に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行する。

【0066】

なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムに基づいて後述の制御手順を実行するものに限られない。例えば制御部１００は、後述の制御手順の少なくとも一部に特化した論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を有していてもよい。

【0067】

以下、基板処理方法の一例として、制御部１００による調湿部ＨＣの制御手順を説明する。制御部１００による調湿部ＨＣの制御手順は、加湿部２０及び除湿部３０の制御手順と、加湿部４０及び除湿部５０の制御手順と、加湿部６０及び除湿部７０の制御手順とを含む。

【0068】

（加湿部２０及び除湿部３０の制御手順）
図１１に示すように、制御部１００は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１は、第一空間２ａ外から第一空間２ａ内への気体の吹き込みを開始するように送風機３１を制御することを含む。

【0069】

次に、制御部１００はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２は、受け渡しアームＡ１の動作が開始したか否かを確認することを含む。

【0070】

ステップＳ０２において、受け渡しアームＡ１の動作が開始していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３は、ユーザインタフェース１２６に加湿の指令が入力されたか否かを確認することを含む。加湿の指令は、例えばメンテナンスのために塗布・現像装置２内に作業者が立ち入った後などに、オペレータにより入力される。

【0071】

ステップＳ０３において、加湿の指令は入力されていないと判定した場合、制御部１００は手順をステップＳ０２に戻す。以後、受け渡しアームＡ１の動作が開始するか、加湿の指令が入力されるまでは、ステップＳ０２，Ｓ０３が繰り返される。

【0072】

ステップＳ０２において、受け渡しアームＡ１の動作が開始したと判定した場合、制御部１００はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４は、送風機３１により第一空間２ａ外から第一空間２ａ内に送られる気体に蒸気を供給するように加湿部２０を制御することを含む。例えば制御部１００は、加湿用送風機２３から加湿ノズル２１への気体の供給を開始するように加湿部２０を制御する。これにより、給気口２ｂから排気口２ｃに至る気体の流路の上流側に蒸気が供給される。

【0073】

次に、制御部１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５は、受け渡しアームＡ１の動作が停止したか否かを確認することを含む。ステップＳ０５において、受け渡しアームＡ１の動作が停止していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６は、湿度計２６による湿度の検出値を取得し、当該検出値が所定の上限値を超えているか否かを確認することを含む。所定の上限値は、塗布・現像装置２内における結露を抑制する観点にて、条件出し用の運転又はシミュレーションによって予め設定されている。

【0074】

湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えていないと判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ０５に戻す。以後、受け渡しアームＡ１の動作が停止するか、湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えるまで、制御部１００はステップＳ０５，Ｓ０６を繰り返す。

【0075】

ステップＳ０５において受け渡しアームＡ１の動作が停止していると判定した場合、又はステップＳ０６において湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えていると判定した場合、制御部１００はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７は、第一空間２ａの加湿を停止するように調湿部ＨＣを制御することを含む。例えば制御部１００は、蒸気の供給を停止するように加湿部２０を制御する。より具体的に、制御部１００は、加湿用送風機２３から加湿ノズル２１への気体の供給を停止するように加湿部２０を制御する。加湿部２０による蒸気の供給が停止した後には、加湿部２０からの蒸気を含まない気体が送風機３１により第一空間２ａ内に供給されるので、第一空間２ａが除湿される。

【0076】

ステップＳ０３において、ユーザインタフェース１２６に加湿の指令が入力されたと判定した場合、制御部１００はステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８は、送風機３１により第一空間２ａ外から第一空間２ａ内に送られる気体に蒸気を供給するように加湿部２０を制御することを含む。例えば制御部１００は、加湿用送風機２３から加湿ノズル２１への気体の供給を開始するように加湿部２０を制御する。これにより、給気口２ｂから排気口２ｃに至る気体の流路の上流側に蒸気が供給される。

【0077】

次に、制御部１００はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９は、ステップＳ０８の実行後、所定時間が経過したか否かを確認することを含む。所定時間は、所望のレベルでパーティクルを除去できるように、条件出し用の運転又はシミュレーションによって予め設定されている。

【0078】

ステップＳ０８の実行後所定時間が経過していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０は、湿度計２６による湿度の検出値を取得し、当該検出値が所定の上限値を超えているか否かを確認することを含む。所定の上限値は、塗布・現像装置２内における結露を抑制する観点にて、条件出し用の運転又はシミュレーションによって予め設定されている。

【0079】

湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えていないと判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ０９に戻す。以後、所定時間が経過するか、湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えるまで、制御部１００はステップＳ０９，Ｓ１０を繰り返す。

【0080】

ステップＳ０９において所定時間が経過したと判定した場合、又はステップＳ１０において湿度計２６による湿度検出値が上限値を超えていると判定した場合、制御部１００はステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１は、第一空間２ａの加湿を停止するように調湿部ＨＣを制御することを含む。例えば制御部１００は、蒸気の供給を停止するように加湿部２０を制御する。より具体的に、制御部１００は、加湿用送風機２３から加湿ノズル２１への気体の供給を停止するように加湿部２０を制御する。加湿部２０による蒸気の供給が停止した後には、加湿部２０からの蒸気を含まない気体が送風機３１により第一空間２ａ内に供給されるので、第一空間２ａが除湿される。

【0081】

ステップＳ０７，Ｓ１１のいずれかを実行した後、制御部１００はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２は、処理対象の全てのウェハＷに対する処理が完了したか否かを確認することを含む。

【0082】

ステップＳ１２において、全てのウェハＷに対する処理は完了していないと判定した場合、制御部１００は手順をステップＳ０２に戻す。以後、全てのウェハＷに対する処理が完了するまでは、受け渡しアームＡ１の動作に応じて蒸気を供給し、受け渡しアームＡ１の停止に応じて蒸気の供給を停止することと、加湿の指令の入力に応じて蒸気を供給し、所定時間の経過に応じて蒸気の供給を停止することとが繰り返される。

【0083】

ステップＳ１２において、全てのウェハＷに対する処理が完了したと判定した場合、制御部１００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３は、第一空間２ａ外から第一空間２ａ内への気体の吹き込みを停止するように送風機３１を制御することを含む。以上で加湿部２０及び除湿部３０の制御手順が完了する。

【0084】

（加湿部４０及び除湿部５０の制御手順）
図１２に示すように、制御部１００は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１は、搬送アームＡ３の動作の開始を待機することを含む。

【0085】

次に、制御部１００はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２は、バルブ４３を開いて加湿ノズル４１からの蒸気の吐出を開始するように加湿部４０を制御することを含む。

【0086】

次に、制御部１００はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３は、搬送アームＡ３の動作の停止を待機することを含む。

【0087】

次に、制御部１００はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４は、バルブ４３を閉じて加湿ノズル４１からの蒸気の吐出を停止するように加湿部４０を制御することを含む。

【0088】

次に、制御部１００はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５は、バルブ５２を開いて除湿ノズル５１からの気体の吐出を開始するように除湿部５０を制御することを含む。

【0089】

次に、制御部１００はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６は、所定時間の経過を待機することを含む。所定時間は、搬送アームＡ３における結露を十分に抑制できるように、条件出し用の運転又はシミュレーションによって予め設定されている。

【0090】

次に、制御部１００はステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７は、バルブ５２を閉じて除湿ノズル５１からの気体の吐出を停止するように除湿部５０を制御することを含む。

【0091】

次に、制御部１００はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８は、処理対象の全てのウェハＷに対する処理が完了したか否かを確認することを含む。

【0092】

ステップＳ２８において、全てのウェハＷに対する処理は完了していないと判定した場合、制御部１００は手順をステップＳ２１に戻す。以後、全てのウェハＷに対する処理が完了するまでは、搬送アームＡ３の動作に応じて蒸気を供給することと、搬入・搬出部１３の停止に応じて蒸気の供給を停止し、除湿用の気体を供給することとが繰り返される。

【0093】

ステップＳ２８において、全てのウェハＷに対する処理が完了したと判定した場合、制御部１００は加湿部４０及び除湿部５０の制御手順を完了する。

【0094】

なお、制御部１００は、移動中の支持部８１の通過に応じて、当該支持部８１が通過した箇所への蒸気の供給量を増やすように加湿部４０を制御してもよい。

【0095】

例えば制御部１００は、支持部８１が加湿ノズル４１を通過する度に、当該加湿ノズル４１からの蒸気の吐出を開始するように加湿部４０を制御してもよい。このような制御を可能とするために、加湿部４０は、バルブ４３を加湿ノズル４１ごとに有していてもよい。

【0096】

制御部１００は、一つの加湿ノズル４１から継続的に蒸気を吐出している状態で、当該加湿ノズル４１を支持部８１の通過箇所に向けながら支持部８１に追従して移動させるように加湿部４０を制御してもよい。このような制御を可能とするために、加湿部４０は、支持部８１の移動経路に沿って加湿ノズル４１を移動させる機構を更に有してもよい。

【0097】

制御部１００は、移動中の支持部８１の通過に応じて、当該支持部８１が通過した箇所への除湿用の気体の供給量を増やすように除湿部５０を制御してもよい。この場合、制御部１００は、支持部８１が通過した箇所への蒸気の供給量を増やすタイミングと、当該箇所への除湿用の気体の供給量を増やすタイミングとをずらすように、加湿部４０及び除湿部５０を制御してもよい。

【0098】

例えば制御部１００は、支持部８１が除湿ノズル５１を通過する度に、当該除湿ノズル５１からの気体の吐出を開始するように除湿部５０を制御してもよい。このような制御を可能とするために、除湿部５０はバルブ５２を除湿ノズル５１ごとに有してもよい。また、制御部１００は、支持部８１が通過した除湿ノズル５１からの気体の吐出を開始するのに同期して、支持部８１が通過した加湿ノズル４１からの蒸気の供給を停止するように加湿部４０を制御し、支持部８１が通過した加湿ノズル４１からの蒸気の吐出を開始するのに同期して、支持部８１が通過した除湿ノズル５１からの除湿用の気体の吐出を停止するように除湿部５０を制御してもよい。なお、「同期」は、タイミングを一致させることの他、所定の時間差で先行させること、及び所定の時間差で後続させることをも含む。

【0099】

制御部１００は、一つの除湿ノズル５１から継続的に除湿用の気体を吐出している状態で、当該除湿ノズル５１を支持部８１の通過箇所に向けながら支持部８１に追従して移動させるように除湿部５０を制御してもよい。このような制御を可能とするために、除湿部５０は、支持部８１の移動経路に沿って除湿ノズル５１を移動させる機構を更に有してもよい。制御部１００は、一つの加湿ノズル４１から継続的に蒸気を吐出し、一つの除湿ノズル５１から継続的に除湿用の気体を吐出している状態で、当該加湿ノズル４１を支持部８１の通過箇所に向けながら支持部８１に追従して移動させ、当該除湿ノズル５１を当該加湿ノズル４１が通過した箇所に向けながら当該加湿ノズル４１に追従して移動させるように加湿部４０及び除湿部５０を制御してもよい。

【0100】

（加湿部６０及び除湿部７０の制御手順）
図１３に示すように、制御部１００は、まずステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１は、搬送アームＡ３による処理部（液処理ユニットＵ１又は熱処理ユニットＵ２）へのウェハＷの搬入、又は搬送アームＡ３による処理部（液処理ユニットＵ１又は熱処理ユニットＵ２）からのウェハＷの搬出の開始を待機することを含む。

【0101】

次に、制御部１００はステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２は、バルブ６３を開いて加湿ノズル６１からの蒸気の吐出を開始するように加湿部６０を制御することを含む。

【0102】

次に、制御部１００はステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３は、搬送アームＡ３よる処理部へのウェハＷの搬入、又は搬送アームＡ３による処理部からのウェハＷの搬出の完了を待機することを含む。

【0103】

次に、制御部１００はステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４は、バルブ６３を閉じて加湿ノズル６１からの蒸気の吐出を停止するように加湿部６０を制御することを含む。

【0104】

次に、制御部１００はステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５は、バルブ７２を開いて除湿ノズル７１からの気体の吐出を開始するように除湿部７０を制御することを含む。

【0105】

次に、制御部１００はステップＳ３６を実行する。ステップＳ３６は、所定時間の経過を待機することを含む。所定時間は、液処理ユニットＵ１又は熱処理ユニットＵ２における結露を十分に抑制できるように、条件出し用の運転又はシミュレーションによって予め設定されている。

【0106】

次に、制御部１００はステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７は、バルブ７２を閉じて除湿ノズル７１からの気体の吐出を停止するように除湿部７０を制御することを含む。

【0107】

次に、制御部１００はステップＳ３８を実行する。ステップＳ３８は、処理対象の全てのウェハＷに対する処理が完了したか否かを確認することを含む。

【0108】

ステップＳ３８において、全てのウェハＷに対する処理は完了していないと判定した場合、制御部１００は手順をステップＳ３１に戻す。以後、全てのウェハＷに対する処理が完了するまでは、処理部へのウェハＷの搬入又は処理部からのウェハＷの搬出に応じて蒸気を供給することと、処理部へのウェハＷの搬入又は処理部からのウェハＷの搬出の完了に応じて蒸気の供給を停止し、除湿用の気体を供給することとが繰り返される。

【0109】

ステップＳ３８において、全てのウェハＷに対する処理が完了したと判定した場合、制御部１００は加湿部４０及び除湿部５０の制御手順を完了する。

【0110】

〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、ウェハＷを搬送する搬送部Ａと、搬送部Ａにより搬送されたウェハＷに処理を行う処理部（例えば液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２）と、搬送部Ａを含む第一空間２ａを加湿する調湿部ＨＣと、を備える。

【0111】

塗布・現像装置２によれば、第一空間２ａを加湿することで、パーティクルに水分子を付着させることができる。水分子の付着により質量が増加すると、パーティクルは落下し易くなるのに加え、装置内を通る気流に乗って排出され易くなる。従って、搬送部Ａの動作によって舞い上がった微小パーティクルを削減できる。

【0112】

塗布・現像装置２は、第一空間２ａに気体を導入する給気口ＩＰと、第一空間２ａから気体を排出する排気口ＥＰと、を更に備え、調湿部ＨＣは、給気口ＩＰから排気口ＥＰに至る気体の流路の上流側に蒸気を供給する加湿部２０を有してもよい。この場合、加湿部２０が供給した蒸気が、給気口ＩＰから排気口ＥＰへの気流に乗って第一空間２ａ内に広がる。このため、第一空間２ａ内の広範囲に亘って微小パーティクルを削減できる。

【0113】

搬送部Ａは、ウェハＷを支持する支持部８１と、支持部８１を移動させる駆動部８２とを有し、調湿部ＨＣは、第一空間２ａ内における駆動部８２の近傍に蒸気を供給する加湿部４０を有してもよい。この場合、微小パーティクルの発生源となりやすい駆動部８２の近傍に集中して蒸気を供給することにより、駆動部８２からの微小パーティクルの拡散を効率よく抑制できる。

【0114】

塗布・現像装置２は、駆動部８２内に開口し、第一空間２ａから気体を排出する排気口８６を更に備えてもよい。この場合、第一空間２ａの気体が駆動部８２内を通って排気されることとなる。従って、加湿部４０からの蒸気の供給により質量が増加した微小パーティクルの多くを駆動部８２内に導き、第一空間２ａ内への微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる。

【0115】

液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、ウェハＷを受け入れる受入開口９２を有し、調湿部ＨＣは、第一空間２ａ内における受入開口９２の近傍に蒸気を供給する加湿部６０を有してもよい。この場合、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２外から液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内に微小パーティクルが拡散すること、及び液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内から液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２外に微小パーティクルが拡散することを抑制できる。

【0116】

塗布・現像装置２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内に開口し、第一空間２ａから気体を排出する排気口９３を更に備えてもよい。この場合、第一空間２ａの気体が液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内を通って排気されることとなる。従って、加湿部６０からの蒸気の供給により質量が増加した微小パーティクルの多くを液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２内に導き、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２外への微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる。

【0117】

塗布・現像装置２は、搬送部Ａの動作状態に応じて第一空間２ａの加湿の強さを調節するように調湿部ＨＣを制御するように構成された制御部１００を更に備えてもよい。第一空間２ａの加湿を常時強めると、微小パーティクルの拡散をより効果的に抑制できる一方で、第一空間２ａ内に結露が生じ易くなる。微小パーティクルの拡散し易さは、搬送部Ａの動作状態に応じて変化するので、搬送部Ａの動作状態に応じて第一空間２ａの加湿の強さを調節することで、微小パーティクルの拡散抑制と、第一空間２ａ内の結露抑制との両立を図ることができる。

【0118】

例えば、搬送部Ａの動作開始時又は動作中に微小パーティクルが拡散し易い場合には、搬送部Ａが動作する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａを加湿するように調湿部ＨＣを制御し、搬送部Ａが停止する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａの加湿を停止するように調湿部ＨＣを制御することで、微小パーティクルの拡散抑制と、第一空間２ａ内の結露抑制との両立を図ることができる。

【0119】

一方、搬送部Ａの停止時に微小パーティクルが拡散し易い場合には、搬送部Ａが停止する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａを加湿するように調湿部ＨＣを制御し、搬送部Ａが動作する期間の少なくとも一部にて、第一空間２ａの加湿を弱めるように調湿部ＨＣを制御することで、微小パーティクルの拡散抑制と、第一空間２ａ内の結露抑制との両立を図ることができる。

【0120】

なお、制御部１００は、第一空間２ａの加湿を停止するように調湿部ＨＣを制御するのに代えて、第一空間２ａの加湿を継続しつつ、第一空間２ａへの加湿を弱めるように調湿部ＨＣを制御してもよい。加湿を弱めるとは、加湿による湿度の上昇速度を低減させることを意味する。例えば蒸気の供給量を減らすことによって加湿を弱めることが可能である。調湿部ＨＣによる加湿を弱めつつ継続することで、微小パーティクルが拡散し難い雰囲気を維持することができる。

【0121】

制御部１００は、駆動部８２により支持部８１を移動させるように搬送部Ａを制御することと、移動中の支持部８１の通過に応じて、当該支持部８１が通過した箇所への蒸気の供給量を増やすように調湿部ＨＣを制御することと、を実行するように構成されていてもよい。この場合、吐出直後の密度の高い蒸気が支持部８１に過度に吹き付けられることを回避し、支持部８１に支持されたウェハＷへの結露を抑制しつつ、支持部８１の通過に伴い発生した微小パーティクルに直ちに水分子を付着させ、微小パーティクルの拡散を効率よく抑制できる。

【0122】

制御部１００は、移動中の支持部８１の通過に応じて、当該支持部８１が通過した箇所への除湿用の気体の供給量を増やすように調湿部ＨＣを制御するように除湿部５０を制御してもよい。この場合、除湿用の気体が支持部８１に過度に吹き付けられることを回避し、支持部８１に支持されたウェハＷの過乾燥を抑制しつつ、蒸気の供給に伴う結露を抑制できる。

【0123】

以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。調湿部ＨＣは、少なくとも第一空間２ａを加湿するものであればよく、必ずしも上述の構成に限定されない。例えば調湿部ＨＣは、加湿部２０，４０，６０の全てを有するものに限られず、加湿部２０，４０，６０のいずれか一つを有していてもよいし、加湿部２０，４０，６０のいずれか二つを有していてもよい。

【0124】

加湿部２０，４０，６０の加湿方式は、加熱した気体を濡れたフィルタに通す方式に限られない。加湿部２０，４０，６０の加湿方式は、水を沸騰させるスチーム方式であってもよく、水に超音波を加えてミストを発生させる超音波方式であってもよく、非加熱の気体を濡れたフィルタに通す気化方式であってもよい。

【0125】

処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。

【符号の説明】

【0126】

Ｗ…ウェハ（基板）、２…塗布・現像装置（基板処理装置）、Ａ…搬送部、１００…制御部、Ｕ１…液処理ユニット（処理部）、Ｕ２…熱処理ユニット（処理部）、２ａ…第一空間、ＨＣ…調湿部、ＩＰ，２ａ…給気口、ＥＰ，２ｂ，８６，９３…排気口、２０…加湿部（第一加湿部）、８１…支持部、８２…駆動部、４０…加湿部（第二加湿部）、９２…受入開口、６０…加湿部（第三加湿部）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】