特許 6809957 フラットケーブル、該フラットケーブルを備える回転コネクタ装置、及びフラットケーブルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6809957

(24)【登録日】2020年12月14日

(45)【発行日】2021年1月6日

(54)【発明の名称】フラットケーブル、該フラットケーブルを備える回転コネクタ装置、及びフラットケーブルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01B 7/08 20060101AFI20201221BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20201221BHJP

   C22F 1/08 20060101ALI20201221BHJP

   C22F 1/00 20060101ALN20201221BHJP

【ＦＩ】

   H01B7/08

   H01B13/00 525D

   C22F1/08 B

   !C22F1/00 622

   !C22F1/00 691B

   !C22F1/00 691C

   !C22F1/00 683

   !C22F1/00 685Z

   !C22F1/00 694A

   !C22F1/00 661A

【請求項の数】9

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2017-65527(P2017-65527)

(22)【出願日】2017年3月29日

(65)【公開番号】特開2018-170124(P2018-170124A)

(43)【公開日】2018年11月1日

【審査請求日】2019年11月22日

(73)【特許権者】

【識別番号】000005290

【氏名又は名称】古河電気工業株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】391045897

【氏名又は名称】古河ＡＳ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100114890

【弁理士】

【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス＝ラインハルト

(74)【代理人】

【識別番号】100116403

【弁理士】

【氏名又は名称】前川 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100135633

【弁理士】

【氏名又は名称】二宮 浩康

(74)【代理人】

【識別番号】100162880

【弁理士】

【氏名又は名称】上島 類

(74)【代理人】

【識別番号】100114292

【弁理士】

【氏名又は名称】来間 清志

(72)【発明者】

【氏名】松尾 亮佑

(72)【発明者】

【氏名】水戸瀬 賢悟

【審査官】 中嶋 久雄

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１６／１５８５８９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−２５４７０３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｂ ７／０８

Ｃ２２Ｆ １／０８

Ｈ０１Ｂ １３／００

Ｃ２２Ｆ １／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなり、且つ｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有する所定数の導体を備え、
５０℃以上、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、前記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有することを特徴とする、フラットケーブル。

【請求項2】

前記導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値が３μｍ以下であり、且つ、前記導体の幅方向における前記結晶粒の寸法を前記導体の厚み方向における前記結晶粒の寸法で除した値の平均値が３以上であることを特徴とする、請求項１記載のフラットケーブル。

【請求項3】

前記導体の０．２％耐力が４００ＭＰａ以上であり、且つ１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓでの加熱処理後の前記導体の０．２％耐力が３００ＭＰａ以上であることを特徴とする、請求項１又は２記載のフラットケーブル。

【請求項4】

１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な材料からなる接着層と、前記加熱条件で融解しない材料からなる一対の絶縁シートとを更に備え、
前記導体は、前記接着層を介して前記一対の絶縁シートに挟み込まれるように配置されてラミネート構造を構成していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のフラットケーブル。

【請求項5】

前記絶縁シートが、ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする、請求項４記載のフラットケーブル。

【請求項6】

請求項１〜５のいずれか１項に記載のフラットケーブルを備える回転コネクタ装置。

【請求項7】

タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなり、且つ｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有する所定数の導体を備え、５０℃以上、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、前記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有するフラットケーブルの製造方法であって、
タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる材料の鋳造工程、熱間圧延工程及び冷間圧延工程の後、熱処理工程と、最終圧延工程とを有し、
前記熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記最終圧延工程における圧延率が７５％以上である、
ことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。

【請求項8】

タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなり、且つ｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有する所定数の導体を備え、５０℃以上、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、前記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有するフラットケーブルの製造方法であって、
タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる材料の鋳造工程、熱間圧延工程及び冷間圧延工程の後、第１熱処理工程と、第１圧延工程と、第２熱処理工程と、最終圧延工程とを有し、
前記第１熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記第１圧延工程における圧延率が、７５％以下であり、
前記第２熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記最終圧延工程における圧延率が７５％以上である、
ことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。

【請求項9】

前記最終圧延工程の後、当該最終圧延工程で得られた所定数の導体を、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な接着剤を介して、前記加熱条件で融解しない２枚の絶縁シートで挟み込んでラミネート構造を形成するラミネート処理工程を更に有し、
前記ラミネート処理工程における加熱条件が、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓであることを特徴とする、請求項７又は８記載のフラットケーブルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フラットケーブル、フラットケーブルを備える回転コネクタ装置、及びフラットケーブルの製造方法に関し、特に車両用の回転コネクタ装置内に配置される屈曲特性及び製造性に優れるフレキシブルフラットケーブルに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、四輪自動車などの車両において、操舵用のステアリングホイールとステアリングシャフトの連結部に、エアバッグ装置等に電力を供給するための回転コネクタ装置（ＳＲＣ）が装着されている。回転コネクタ装置は、ステータと、該ステータに回転自在に組み付けられたロテータと、ステータとロテータとによって形成される環状の内部空間に巻かれて収容されたフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）とを備えており、ＦＦＣの端部には、当該ＦＦＣと外部とを電気的に接続する接続構造体を備えている。

【0003】

ＦＦＣは、並列配置された複数本の導体と、該複数本の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁シートと、該一対の絶縁シート間に設けられた接着剤層とを備え、上記複数の導体、一対の絶縁シート及び接着剤層で構成されるラミネート構造を有している。導体は、例えば、タフピッチ銅、無酸素銅等からなる。また、絶縁シートは、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系、ポリスチレン系の樹脂からなる接着剤層を有し、複数の導体が挟み込まれた状態で、上記一対の絶縁シートを、接着剤層を介して接着することにより、導体同士、或いは導体と外部とが絶縁される。

【0004】

上記導体としては、例えば、無酸素銅に、０．３ｗｔ％以下のＳｎと０．３ｗｔ％以下のＩｎ或いはＭｇを添加した銅合金、又は、無酸素銅に１０ｗｔ％以下のＡｇを添加した銅合金を母材とし、その表面にＳｎをめっきした平板状の導体に熱処理を行い、引張り強さ３５０ＭＰａ以上、伸び５％以上、導電率７０％ＩＡＣＳ以上である平角導体が提案されている（特許文献１）。また、タフピッチ銅や無酸素銅といった純銅において、圧延面の（２００）面のＸ線回折強度を高めること、この場合においては同義であるＣｕｂｅ方位を高発達させることにより、屈曲特性を改善させることが提案されている(特許文献２)。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特許第４７３４６９５号公報

【特許文献2】特許第３００９３８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献２のような無酸素銅、或いはタフピッチ銅などのＣｕ純度の高い銅材料を用い、Ｃｕｂｅ方位の結晶粒を高集積制御した高屈曲性導体並びにその製造方法は既に知られている。しかしながら、このような製造方法では、ＦＦＣ全体の製造時、すなわちラミネート処理中、もしくはラミネート処理後の熱処理によって導体が再結晶し方位制御（再結晶集合組織）が完了するものであり、導体の製造が完了した段階、すなわちラミネート処理前には加工集合組織を有している。この段階では導体は十分な屈曲性を有してはいない。

【0007】

回転コネクタ装置は小型化のニーズがあり、内部のフレキシブルフラットケーブルはより小さい屈曲半径で耐久性を有することを求められる。タフピッチ銅を代表とする純銅の一般製法にて製造された硬銅、軟銅は、現在回転コネクタ装置のケーブル導体として使用されているが、装置の小型化のニーズに伴い、より屈曲耐性の高い導体が求められている。
また、小型化と同時に多チャンネル化のニーズに応えるためにフレキシブルフラットケーブルに用いられる導体の幅は減少傾向にある。そのため、フレキシブルフラットケーブルの製造難度は上がってきており、製造性の改善に寄与する導体が求められている。銅合金製の導体を用いれば製造性の改善に対しては有効であるが、銅合金製の導体は純銅製よりも電気抵抗が高いという問題がある。
また、タフピッチ銅の中で最も屈曲性に優れるのはＣｕｂｅ方位が高集積した再結晶材（軟銅）であり、今後の小型化のニーズに対応できる導体の素材として有望である。しかしながら軟銅の機械的強度は集合組織の形成に伴って一般的な軟銅よりも下がることが知られており、狭幅化に伴う断面積の減少も伴い材料強度が著しく低下するためフラットケーブルの製造性への悪影響が顕著化することが想定される。

【0008】

また、従来、ＦＦＣの絶縁シートの材料にはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びその内側により融点の低い接着層が設けられた樹脂が用いられることが多く、このＰＥＴを例えばポリイミド（ＰＩ）に変更し、先述したＣｕｂｅ方位を高発達させることが出来る程度のラミネートの高温熱処理が可能となるが、コスト競争力が大きく低下し、製品競争力が劣る。一方、ＰＥＴは再結晶処理に相当する高温処理をすると接着層において流動を伴うような溶融を引き起こしてしまうため、ラミネート時に再結晶処理を施すのであればＰＥＴ製絶縁シートを用いるのは困難である。また、ラミネート処理の加熱時にＣｕｂｅ方位が高配向する再結晶が起きると導体の強度が極端に低下するため、ラミネート処理制御の困難化をもたらすと共に、その後のＦＦＣ−コネクタ接合時や回転コネクタ装置へのＦＦＣ収容時の形状変化および破導体断の原因にもなり、生産性を低下させる。

【0009】

本発明の目的は、製造性、生産性及び導電性を損なうこと無く、従来よりも屈曲特性に優れ、長寿命化を実現することができるフラットケーブル、該フラットケーブルを備える回転コネクタ装置、及びフラットケーブルの製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、硬銅の集合組織における結晶粒の適切な組織制御を行うことで、屈曲中に長寿命を示すＣｕｂｅ方位高集積化が可能な硬銅を導体の材料として用い、フラットケーブルや回転コネクタの製造時に硬銅強度を維持して生産性を担保すると共に、フラットケーブル屈曲時には導体におけるＣｕｂｅ方位粒が優先成長することで、従来よりも高屈曲性を付与し、長寿命化を実現できることを見出した。

【0011】

すなわち、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなり、且つ｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有する所定数の導体を備えることを特徴とする、フラットケーブル。
（２）前記導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値が３μｍ以下であり、且つ、前記導体の幅方向における前記結晶粒の寸法を前記導体の厚み方向における前記結晶粒の寸法で除した値の平均値が３以上であることを特徴とする、上記（１）記載のフラットケーブル。
（３）前記導体の０．２％耐力が４００ＭＰａ以上であり、且つ１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓでの加熱処理後の前記導体の０．２％耐力が３００ＭＰａ以上であることを特徴とする、上記（１）又は（２）記載のフラットケーブル。
（４）１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な材料からなる接着層と、前記加熱条件で融解しない材料からなる一対の絶縁シートとを更に備え、
前記導体は、前記接着層を介して前記一対の絶縁シートに挟み込まれるように配置されてラミネート構造を構成していることを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれかに記載のフラットケーブル。
（５）前記ベース層が、ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のフラットケーブル。
（６）５０℃以上、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、前記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有することを特徴とする、上記（１）〜（４）のいずれかに記載のフラットケーブル。
（７）上記（１）〜（５）のいずれかに記載のフラットケーブルを備える回転コネクタ装置。
（８）タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる所定数の導体を備えるフラットケーブルの製造方法であって、
タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる材料の鋳造工程、熱間圧延工程及び冷間圧延工程の後、熱処理工程と、最終圧延工程とを有し、
前記熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記最終圧延工程における圧延率が７５％以上である、
ことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。
（９）タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる所定数の導体を備えるフラットケーブルの製造方法であって、
タフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなる材料の鋳造工程、熱間圧延工程及び冷間圧延工程の後、第１熱処理工程と、第１圧延工程と、第２熱処理工程と、最終圧延工程とを有し、
前記第１熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記第１圧延工程における圧延率が、７５％以下であり、
前記第２熱処理工程における熱処理条件が、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、
前記最終圧延工程における圧延率が７５％以上である、
ことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。
（１０）前記最終圧延工程の後、当該最終圧延工程で得られた所定数の導体を、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な接着剤を介して、前記加熱条件で融解しない２枚の絶縁シートで挟み込んでラミネート構造を形成するラミネート処理工程を更に有し、
前記ラミネート処理工程における加熱条件が、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓであることを特徴とする、上記（８）又は（９）記載のフラットケーブルの製造方法。

【発明の効果】

【0012】

本発明のフラットケーブルによれば、導体がタフピッチ銅及び無酸素銅のいずれかからなり、｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有するので、硬銅の強度を有しており、フラットケーブルや回転コネクタ装置の製造時に導体に外力が付与される場合に導体の変形及び破断を防止することができる。また、回転コネクタ装置の車両への組み付け後、車両においてステアリングホイールの操舵がなされ、時計回り或いは反時計回りの回転に伴って回転コネクタ装置内のフラットケーブルが繰り返して屈曲運動する場合に、屈曲を与えられる比較的早い段階でＣｕｂｅ方位の結晶粒が優先的に成長することによりフラットケーブルの屈曲特性を向上することができ、耐久性、ひいては信頼性、安全性を向上したフラットケーブルを提供することが可能となる。

【0013】

また、本発明のフラットケーブルの製造方法によれば、導体の組織制御を行うべく、鋳造工程、熱間圧延工程及び冷間圧延工程を従来の導体の製造工程と共通とし、その後の熱処理工程における熱処理条件及び最終圧延工程における圧延率を規定しているので、従来の導体の製造工程の一部を変更するだけで本発明のフラットケーブルを得ることができ、コスト増大を抑制することが可能となる。また、屈曲特性向上によって設計の自由度が増大するため、屈曲半径を小径化させることによる回転コネクタ装置の小径化、導体の狭幅化による多チャンネル化若しくは同一チャンネルによるコネクタ薄型化、又は多チャンネル化によるフラットケーブル枚数の削減を実現することができる。また、本発明のフラットケーブルの導体がタフピッチ銅又は無酸素銅であることから、純銅の優れた導電性を有しており、特許文献１のような合金化による導電率の低下を伴うことはなく、設計の自由度を制限することなく導体の断面積を減らすことができる。

【0014】

また、本発明のフラットケーブルは、ステアリング・ローリング・コネクタ（ＳＲＣ）と称される回転コネクタ装置のみならず、例えばルーフハーネス、ドアハーネス、フロアハーネス等の自動車用部品、折り畳み式携帯電話の折り曲げ部、デジタルカメラやプリンターヘッドなどの可動部、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ、ＣＤ（Compact Disc）の駆動部などの配線体として有用である。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の実施形態に係るフラットケーブルの構成を示す幅方向断面図である。

【図2】図１のフラットケーブルの好適な例を示す部分拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

【0017】

［フラットケーブルの構成］
本実施形態のフラットケーブル１は、図１に示すように、例えば複数の導体１１−１，１１−２，１１−３，１１−４，１１−５，１１−６（所要数の導体）と、該複数の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁シート１２，１３と、一対の絶縁シート１２，１３間に設けられた接着層１４とを備える。本実施形態のフラットケーブル１は、例えばフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）である。

【0018】

導体１１−１〜１１−６は、接着層１４を介して一対の絶縁シート１２，１３に挟み込まれるように配置されてラミネート構造を構成している。この導体１１−１〜１１−６は、圧延面の面内方向がほぼ同一となるように並べて配置されており、これら導体の一方の圧延面側に絶縁シート１２が設けられ、他方の圧延面側に絶縁シート１３が設けられている。導体１１−１〜１１−６は、幅０．３ｍｍ〜１５ｍｍ、厚さ０．０２ｍｍ〜０．０６５ｍｍである。導体は、６〜３０枚（６〜３０チャンネル）であり、用途に応じて４〜６枚（４〜６チャンネル）であり、特に大電流用途の場合、１枚（１チャンネル）である。

【0019】

一対の絶縁シート１２，１３は、接着層１４及び／又は複数の導体１１−１〜１１−６との良好な密着性を発現することができる樹脂からなる。絶縁シート１２，１３は、例えば幅６ｍｍ〜１５ｍｍ、厚さ０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍである。絶縁シート１２，１３は、接着層を融解する際の後述する所定の加熱条件で融解しない材料からなり、例えば融点が２００℃〜３００℃であるポリエチレンテレフタレートからなるのが好ましい。

【0020】

接着層１４は、複数の導体１１−１〜１１−６を埋設するのに十分な厚みを有しており、絶縁シート１２，１３によって挟持されている。接着層１４は、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な材料からなり、例えばポリエステル系樹脂からなる。

【0021】

好適な例として、絶縁シート２２が、後述する加熱条件で融解可能な層状の接着部２２ａと、同加熱条件で融解しない層状のベース部２２ｂとを有し、絶縁シート２３が、所定の加熱条件で融解可能な層状の接着部２３ａと、該加熱条件で融解しない層状のベース部２３ｂとをそれぞれ有していてもよい。この場合、接着部２２ａ，２３ａが融解して一体化することにより、ベース部２２ｂ，２３ｂ間に接着層が形成される。

【0022】

上記のように構成されるフラットケーブル１は、好ましくは回転コネクタ装置に適用される。回転コネクタ装置は、不図示のステータとロテータとによって形成される環状の内部空間に巻かれて収容されたフラットケーブル１を備える。例えばこの回転コネクタ装置において、フラットケーブル１の長手方向の中間部分に、湾曲して折り返された不図示の折り返し部が設けられ、フラットケーブル１は、折り返し部にて屈曲を維持した状態で巻き締め又は巻き戻しされる。そして、上記折り返し部は、所定の屈曲半径、例えば４ｍｍ〜８ｍｍを維持した状態で、折り返しを伴って巻き締め又は巻き戻しされる。

【0023】

［導体の化学組成及び構造］
本発明で使用される導体の材料は、純銅であり、タフピッチ銅（ＴＰＣ：Ｔｏｕｇｈ Ｐｉｔｃｈ Ｃｏｐｐｅｒ）及び無酸素銅（ＯＦＣ：Ｏｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ Ｃｏｐｐｅｒ）のいずれかからなる。タフピッチ銅は、Ｃｕ≧９９．９０ｍａｓｓ％、Ｏ（酸素）がＪＩＳ規定はないが一般的に０．０１〜０．０３ｍａｓｓ％、及び残部を不可避不純物からなる。無酸素銅は、Ｃｕ≧９９．９６ｍａｓｓ％、及び残部を不可避不純物からなる。

【0024】

また、上記導体は、｛１２３｝＜６３４＞の方位（Ｓ方位ともいう）に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織を有している。許容ずれ角０°〜１２．５°で｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒とは、｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒、及び｛１２３｝＜６３４＞の方位に対して１２．５°以内の許容ずれ角で配向する結晶粒の双方を示す。該集合組織において｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が上記範囲内の値であると、フラットケーブルの屈曲時に導体におけるＣｕｂｅ方位粒を優先的に成長させることができ、その成長が望めない導体よりも高屈曲性を付与することができる。

【0025】

また、上記導体の幅方向をＴＤとしたとき、上記導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値は３μｍ以下であり、且つ、導体の幅方向における結晶粒の寸法を導体の厚み方向における当該結晶粒の寸法で除した値の平均値が３以上である。導体の厚み方向における結晶粒寸法の平均値が３μｍ以下であると耐力を更に向上することができる。また、導体の幅方向における結晶粒の寸法を導体の厚み方向における当該結晶粒の寸法で除した値の平均値が３未満であると、耐力が低下し、好ましくない。よって本発明では、導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値、及び上記導体の幅方向における当該結晶粒の寸法を上記導体の厚み方向における前記結晶粒の寸法で除した値の平均値を、それぞれ上記範囲内の値とする。

【0026】

［導体の製造方法］
上述の導体の製造方法では、先ず、［１］溶解及び鋳造、［２］熱間圧延、［３］冷間圧延、［４］熱処理、［５］最終圧延、の各工程を経て導体を製造し、所望幅のスリット切断を実施して断面積が０．０３ｍｍ^２以下、好ましくは０．０１０ｍｍ^２〜０．０１９５ｍｍ^２である導体を複数個準備する。この所望断面積は信号系導体においてであり、大電流用途はこの限りでない。最終圧延後の導体幅は、例えば０．３ｍｍ〜０．８ｍｍであり、導体厚さは、例えば０．０２ｍｍ〜０．０６５ｍｍである。尚、後述するプロセス１〜６では、［１］溶解及び鋳造、［２］熱間圧延、［３］冷間圧延、［４］熱処理、及び［５］最終圧延の５工程を共通条件とし、プロセス３〜６では［４］熱処理の後であって［５ ］最終圧延の前に、他の熱処理及び他の圧延の２工程を更に追加している。

【0027】

［１］溶解及び鋳造
溶解及び鋳造は、上述した同合金組成になるように各成分の分量を調整して溶製し、厚さ１００ｍｍ〜２００ｍｍの鋳塊を製造する。

【0028】

［２］熱間圧延
次いで、上記で製造された鋳塊を６００〜１０００℃で熱間圧延して、厚さ１０ｍｍ〜２０ｍｍの板材を作製する。

【0029】

［３］冷間圧延
更に、熱間圧延処理後の板材を冷間圧延して、厚さ０．０４ｍｍ〜１．２ｍｍの導体を作製する。本冷間圧延工程後、後述する熱処理前に、切削加工などの任意の加工処理を行うことができるが、値熱処理は行わない。

【0030】

［４］熱処理
次に、熱処理条件２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈで、導体に熱処理を施す。２０μｍ以下の再結晶粒径に制御にする熱処理が好ましい。

【0031】

［５］最終圧延
その後、熱処理後の導体に最終の冷間圧延を施して、厚さ０．０２ｍｍ〜０．０６５ｍｍの導体を作製する。最終圧延の圧延率（板圧減少率）は、７５％以上、好ましくは７５〜９９％である。これにより、導体に｛１２３｝＜６３４＞の方位に許容ずれ角０°〜１２．５°で配向する結晶粒の面積率が２５％以上である圧延加工集合組織が形成される。また、上記［４］にて再結晶させた材料は本最終圧延によりその結晶粒が扁平し、導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値は３μｍ以下となる。更に、導体の幅方向における結晶粒の寸法を導体の厚み方向における当該結晶粒の寸法で除した値の平均値が３以上となる。

【0032】

［６］その他
上記［４］熱処理の後であって上記［５］最終圧延の前に、他の圧延及び他の熱処理の２工程を追加してもよい。具体的には、［１］溶解及び鋳造、［２］熱間圧延及び［３］冷間圧延を行った後、［４］熱処理（１回目熱処理）、上記他の圧延（１回目圧延）、上記他の熱処理（２回目熱処理）及び［５］最終圧延（２回目熱処理）の各工程をこの順に経て、導体が製造される。

【0033】

この場合、［４］熱処理（１回目熱処理）の熱処理条件は、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、上記他の圧延（１回目圧延）の圧延率は７５％以下である。１回目圧延の圧延率が７５％を超えると、その後の２回目熱処理時に｛００１｝＜１００＞（Ｃｕｂｅ方位）に配向する結晶粒が成長する。一度熱処理にて｛００１｝＜１００＞が配向してしまうと次の熱処理においては｛００１｝＜１００＞の発達は望めないため、本発明で規定する範囲内の組織制御は不可能となる。よって、１回目圧延の圧延率を上記範囲内の値とする。

【0034】

また、上記他の熱処理（２回目熱処理）の熱処理条件は、２００〜７００℃、１５ｓ〜５ｈであり、最終圧延（２回目圧延）の圧延率は７５％以上である。２回目圧延の圧延率が７５％以下であると、２回目圧延後の導体における｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が低下し、フラットケーブルの屈曲時に長寿命を示すＣｕｂｅ方位集積を十分に発生させることができず、好ましくない。よって、２回目圧延の圧延率を上記範囲内の値とする。

【0035】

［フラットケーブルの製造方法］
本実施形態に係るフラットケーブルの製造方法では、導体が上記のような条形成工程で製造された場合、スリット切断を施し、幅０．３ｍｍ〜１５ｍｍ、幅方向断面積が０．０２ｍｍ^２以下である導体を所要数準備する。この所望断面積は信号系導体(幅０．３〜２ｍｍ)においてであり、大電流用途（幅≧２ｍｍ）はこの限りでない。そして、所要数の導体の主面の両側に絶縁シートを配置し、これら所要数の導体一本あたりに所定の張力を付与しながら、上記所要数の導体を接着剤を介して一対の絶縁シートで挟み込む。そして、所要数の導体、接着剤及び一対の絶縁シートからなる積層体をプレスしてラミネート処理する。

【0036】

具体的には、上記ラミネート処理では、上記最終圧延工程の後、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能な接着剤を介して、上記加熱条件で融解しない２つの絶縁シートで上記最終圧延工程で得られた所定数の導体を挟み込んでラミネート構造を形成する。本ラミネート処理では、例えば一対のロール間で積層体を挟持し、ラミネート処理時の加熱条件（ロール温度）は、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓであるのが好ましく、１６０〜２００℃、０．５ｓ〜５ｓであるのがより好ましい。ラミネート処理時の加熱条件が上記範囲内の値であると、ＰＥＴなどの融点が低い樹脂からなる絶縁シートを用いても、絶縁シートがラミネート処理時に融解することが無く、コストの増大を抑えつつ生産性を向上することができる。

【0037】

本ラミネート処理時において導体に熱が付与されるとき、上記加熱条件を上記範囲内の値とすることで、導体における｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が低下せず、上記２回目圧延後の導体における｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率を維持した状態でラミネート処理が行われる。

【0038】

また、上記加熱条件により、ラミネート処理の加熱時にＣｕｂｅ方位が高発達する再結晶が起きることが無く、導体の強度が低下しないので、ラミネート処理時はもとより、その後のフラットケーブルとコネクタとの接合或いは回転コネクタ装置へのフラットケーブルの収納時に導体の変形及び破断が生じ難く、生産性の低下を防止することができる。

【0039】

また、本実施形態に係る導体の場合、一本あたり所定の張力を付与しながら一対の絶縁シートで当該複数の導体を挟み込んでも、導体の塑性変形が起きずにラミネート作製が可能となる。また、ラミネート処理条件が定められた所定のガイドラインに沿ってフラットケーブルを製造する場合にも、同ガイドライン通りに安全性、信頼性の高いフラットケーブルを提供することができる。

【0040】

上記ラミネート処理において、上記加熱条件で融解可能な層状の接着部と同加熱条件で融解しない層状のベース部とからなる一対の絶縁シートで所定数の導体を挟み込み、所要数の導体、一対の接着部及び一対のベース部からなる積層体をプレスしてラミネート処理してもよい。

【0041】

［フラットケーブルにおける導体の特性］
上記方法によって製造されたフラットケーブルにおいて、導体の０．２％耐力は４００ＭＰａ以上であり、且つ１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓでの加熱処理後の導体の０．２％耐力が、３００ＭＰａ以上である。ラミネート処理前の導体の０．２％耐力を上記範囲内の値とすることにより、ラミネート処理時に導体の破断を生じ難くすることができ、また、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓでの加熱処理後の導体の０．２％耐力を上記範囲内の値とすることにより、適度な耐力を保持しつつ、ラミネート処理後の曲げ性や耐座屈性を配慮し、良好な屈曲特性を得ることが可能となる。

【0042】

また、５０℃以上、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、上記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有している。更に、５０〜１５０℃、屈曲半径４．５ｍｍ〜６．５ｍｍ、ストローク長さ１０ｍｍ〜１５ｍｍ、屈曲速度１０〜５００回転／分の試験条件下にてＩＰＣ屈曲試験を行った結果、上記導体は、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が７５％以上である集合組織を有するのが好ましい。上記のような屈曲により、導体における上記圧延加工集合組織の少なくとも一部が変化して加工集合組織が形成される。またラミネート処理後の導体における許容ずれ角１２．５°以内で｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が上記範囲内の値であると、屈曲試験前は成長していない｛００１｝＜１００＞方位粒が｛１２３｝＜６３４＞方位粒に隣接した場合、他の方位粒よりも低エネルギーで粒界移動が可能であるため、その結果Ｃｕｂｅ粒を優先的に成長させることができる。したがって、１０万回屈曲試験後の被屈曲部の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が上記範囲内の値であれば、フラットケーブルが回転コネクタ装置などの機器に組み付けられて実際に使用された際、長寿命化を実現することができる。

【実施例】

【0043】

以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

【0044】

先ず、鋳造機を用いて、タフピッチ銅からなる厚さ１００ｍｍ〜２００ｍｍの鋳塊を作製した。次いで、６００〜１０００℃の熱間圧延により厚さ１０〜２０ｍｍの板材を作製し、その後冷間圧延を施した。

【0045】

上記共通工程を経た後、表１に示すように、発明例１のプロセス１では、処理温度３００℃、処理時間２時間で板材に熱処理を施した後、圧下率９７％で最終圧延を施し、厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。
また、発明例２のプロセス２では、処理温度１７０℃、処理時間２時間で、板材に熱処理を施した後、圧下率９７％で圧延処理を施し、厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。

【0046】

発明例３のプロセス３では、処理温度２００℃、処理時間２時間で、板材に１回目熱処理を施した後、１回目熱処理後の板材に圧下率６７％で１回目圧延を施して厚さ０．４ｍｍの導体を得、その後処理温度３００℃、処理温度２時間で、導体に２回目熱処理を施し、更に２回目熱処理後の板材に圧下率９１％で２回目圧延を施して厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。

【0047】

比較例１のプロセス４では、１回目圧延の圧下率を８３％、２回目圧延の圧下率を８３％としたこと以外は、プロセス３と同様にして厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。

【0048】

比較例２のプロセス５では、１回目圧延の圧下率を９２％、２回目圧延の圧下率を６５％としたこと以外は、プロセス３と同様にして厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。

【0049】

比較例３のプロセス６では、１回目圧延の圧下率を９６％、２回目圧延の圧下率を３０％としたこと以外は、プロセス３と同様にして厚さ０．０３５ｍｍの導体を得た。

【0050】

そして、作製された発明例１〜３、比較例１〜３の各導体について、｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率、導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値、及び導体の幅方向における結晶粒の寸法を導体の厚み方向における当該結晶粒の寸法で除した値の平均値を、それぞれ下記（Ａ）〜（Ｃ）の方法で測定し、また０．２％耐力を下記（Ｄ）の方法で測定した。

【0051】

（Ａ）｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率
前加工処理としてクロスセクションポリッシャ加工を導体断面に施して銅表面を露出させた後、２００μｍ×３５μｍの範囲をステップ０．１μｍ〜０．３μｍにて電子線後方散乱解析（ＥＢＳＤ：Electron Back Scatter Diffraction）を実施し、解析ソフトを用いて許容ずれ角１２．５°以内として、｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率を解析した。

【0052】

（Ｂ）導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値
上記ＥＢＳＤにて測定解析されたＩＰＦ ＭＡＰから、導体の厚み方向に沿って結晶粒の数をカウントし、導体厚みで除して、結晶粒の寸法の平均値を求めた。

【0053】

（Ｃ）導体の幅方向における結晶粒の寸法を導体の厚み方向における当該結晶粒の寸法で除した値の平均値
導体の幅方向をＴＤ方向(圧延方向に垂直な方向)とし、厚み方向の結晶粒の寸法と同様の方法にて幅方向の１００μｍ長における結晶粒の寸法を求め、上記厚み方向の結晶粒の寸法で除して、（幅方向結晶粒寸法）／（厚み方向結晶粒寸法）の平均値を算出した。

【0054】

（Ｄ）０．２％耐力
０．０３５ｍｍ厚、０．８ｍｍ幅、１６０ｍｍ長の短冊材をスリット切断にて作製し、該短冊材について、試験片サイズ以外はＪＩＳ Ｚ ２２４１に準拠し、試験数３本の平均値を算出した。０．２％耐力が４００ＭＰａ以上である場合を良好、４００ＭＰａ未満である場合を不良とした。上記の方法にて測定した結果を表１に示す。

【0055】

【表1】

【0056】

表１の結果より、発明例１では、導体の材料及び｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、０．２％耐力が４４０ＭＰａであった。
また、発明例２では、導体の材料及び｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、更に、導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値が２μｍであり、且つ、（幅方向結晶粒寸法）／（厚み方向結晶粒寸法）の平均値が５であり、０．２％耐力が４５５ＭＰａであった。
発明例３では、導体の材料及び｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、０．２％耐力が４３０ＭＰａであった。

【0057】

一方、比較例１〜３ではいずれも、１回目圧延で高圧延率であったため、２回目熱処理時に｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒が成長し、最終圧延後における｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲外であり、０．２％耐力が３１０ＭＰａと劣った。

【0058】

次に、発明例４として、表１のプロセス１で得られた導体を、１本当り０．３ｋｇｆの張力を付与しながら、２枚の接着層付ＰＥＴ絶縁シート(リケンテクノス社製、エアバッグ用フレキシブルフラットケーブル（絶縁フィルム）、ベース層厚２５μｍ、接着層厚２０μｍ)で挟み込み、両面からプレスしてラミネート処理を施し、フラットケーブルを作製した。接着層として、１６０〜２００℃、０．１ｓ〜５ｓの加熱条件で融解可能なポリエステル系樹脂を選定し、ベース層として、上記加熱条件で融解しないＰＥＴ樹脂を選定した。ラミネート処理条件は、ロール温度１７０℃、加熱時間（プレス時間）５ｓ、プレス圧力０．５ＭＰａとした。

【0059】

発明例５として、プロセス２で得られた導体を用いたこと以外は、発明例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、発明例６として、プロセス３で得られた導体を用いたこと以外は、発明例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0060】

次に、比較例４として、表１のプロセス１で得られた導体を、０．３ｋｇｆの張力を付与しながら、ＰＩ絶縁シート(東レデュポン社製、製品名「カプトンＦタイプ」、もしくは宇部興業社製、製品名「ユーピレックス（登録商標）−ＶＴ／ＮＶＴ」、厚さ１０〜５０μｍ)で挟み込み、両面からプレスしてラミネート処理を施し、フラットケーブルを作製した。ラミネート処理条件は、ロール温度３００℃、加熱時間（プレス時間）１８０ｓ、プレス圧力０．５ＭＰａとした。

【0061】

比較例５として、ラミネート処理時のロール温度を１７０℃に変えたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例６として、接着層付ＰＥＴ絶縁シートを用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0062】

比較例７として、プロセス２で得られた導体を用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例８として、プロセス２で得られた導体を用いたこと以外は、比較例５と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例９として、プロセス２で得られた導体を用いたこと以外は、比較例６と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0063】

比較例１０として、プロセス３で得られた導体を用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0064】

比較例１１として、プロセス４で得られた導体を用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例１２として、プロセス４で得られた導体を用いたこと以外は、比較例５と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0065】

比較例１３として、プロセス５で得られた導体を用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例１４として、プロセス５で得られた導体を用いたこと以外は、比較例５と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0066】

比較例１５として、プロセス６で得られた導体を用いたこと以外は、比較例４と同様にして、フラットケーブルを作製した。また、比較例１６として、プロセス６で得られた導体を用いたこと以外は、比較例５と同様にして、フラットケーブルを作製した。

【0067】

そして、作製された発明例４〜６、比較例４〜１６の各フラットケーブルについて、ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率、ラミネート処理後の導体の０．２％耐力、ラミネート性、コネクタ接合性、室温試験寿命、高温試験寿命、及び高温時１０万回屈曲試験後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率を、それぞれ下記（Ｅ）〜（Ｊ）の方法で測定、評価した。

【0068】

（Ｅ）ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率
ラミネート処理後の導体について、上記（Ａ）と同様の方法にて、ＥＢＳＤにより｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率を求めた。

【0069】

（Ｆ）ラミネート処理後の０．２％耐力
フラットケーブルにおいて所定の溶剤にて樹脂を溶解し、取り出した導体について、上記（Ｄ）と同様の方法にて、試験数３本の平均値を算出した。

【0070】

（Ｇ）ラミネート性
ラミネート処理時に導体間が設計上の距離の１／１０以上縮まったり離れたり、もしくは導体に１％以上の永久伸びが生じた場合、ラミネート性を不良「×」とし、導体間が設計上の距離の１／１０以上縮まったり離れたりせず且つ導体に１％以上の永久伸びが生じなかった場合、ラミネート性を良好「〇」とした。

【0071】

（Ｈ）コネクタ接合性
コネクタ接合時に導体が破断した場合を不良「×」とし、導体に破断が生じなかった場合を良好「〇」とした。

【0072】

（Ｉ）室温屈曲寿命及び高温屈曲寿命
ＦＰＣ屈曲試験機（上島製作所製、装置名「ＦＴ−２１３０」）を用い、試験サンプルとして、導体を４〜６本配列し、樹脂でラミネートしたフラットケーブルを作製し、該フラットケーブルの幅方向両端に配列された導体のいずれかが破断したときに寿命と判断した。試験条件は、ストローク±１３ｍｍ、試験速度１８０ｒｐｍ、屈曲半径５．５ｍｍ、室温は２３℃、高温は８５℃とした。寿命と判断したときの屈曲回数が３０万回以上である場合を、回転コネクタが要求される疲労特性を満足するとして極めて良好「Ａ」、１５万回以上３０万回未満である場合を良好「Ｂ」、１５万回未満を不良「Ｃ」とした。

【0073】

（Ｊ）１０万回高温屈曲試験後の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率
上記（Ｉ）と同様の方法にて高温（８５℃）における１０万回屈曲試験を行った後、上記（Ｅ）と同様の方法にて、｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率を求めた。上記の方法にて測定、評価した結果を表２に示す。

【0074】

【表2】

【0075】

表２に示すように、発明例４では、プロセス１で製造された導体を用い、ラミネート材が上記接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が良好であった。また、ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、ラミネート処理後の０．２％耐力が４２０ＭＰａであり、室温屈曲寿命が良好であると共に高温屈曲寿命が極めて良好であった。更に、１０万回高温屈曲試験後の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が９７％であり、屈曲によりＣｕｂｅ方位の結晶粒が成長していることが分かった。

【0076】

発明例５では、プロセス２で製造された導体を用い、ラミネート材が上記接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が良好であった。また、ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、ラミネート処理後の０．２％耐力が４２０ＭＰａであり、更に、導体の厚み方向における結晶粒の寸法の平均値が２μｍであり、且つ、（幅方向結晶粒寸法）／（厚み方向結晶粒寸法）の平均値が５であり、高温屈曲寿命のみならず室温屈曲寿命も極めて良好であった。更に、１０万回高温屈曲試験後の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が９５％であり、屈曲によりＣｕｂｅ方位の結晶粒が十分に成長していることが分かった。

【0077】

発明例６では、プロセス３で製造された導体を用い、ラミネート材が上記接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が良好であった。また、ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲内であり、ラミネート処理後の０．２％耐力が４３０ＭＰａであり、室温屈曲寿命が良好であると共に高温屈曲寿命が極めて良好であった。更に、１０万回高温屈曲試験後の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が８０％であり、屈曲によりＣｕｂｅ方位の結晶粒が成長していることが分かった。

【0078】

一方、比較例４では、プロセス１で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0079】

比較例５では、プロセス１で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート処理時にＰＩ絶縁シートが融解せず、フラットケーブルを作製することができなかった。

【0080】

比較例６では、プロセス１で製造された導体を用い、ラミネート材が接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、ラミネート処理時に接着層のみならずベース層が融解し、制御不能となってフラットケーブルを成形することができなかった。

【0081】

比較例７では、プロセス２で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例４と同様、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0082】

比較例８では、プロセス２で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、比較例５と同様、ラミネート処理時にＰＩ絶縁シートが融解せず、フラットケーブルを作製することができなかった。

【0083】

比較例９では、プロセス２で製造された導体を用い、ラミネート材が接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例６と同様、ラミネート処理時に接着層のみならずベース層が融解し、制御不能となってフラットケーブルを成形することができなかった。

【0084】

比較例１０では、プロセス３で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例４と同様、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0085】

比較例１１では、プロセス４で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例４と同様、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0086】

比較例１２では、プロセス４で製造された導体を用い、ラミネート材が接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が良好であったものの、ラミネート処理後の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲外であり、ラミネート処理後の０．２％耐力が３１０ＭＰａであり、室温屈曲寿命及び高温屈曲寿命の双方が不良であった。また、１０万回高温屈曲試験後の｛００１｝＜１００＞の方位に配向する結晶粒の面積率が１５％であり、屈曲によってＣｕｂｅ方位の結晶粒がほとんど成長していないことが分かった。

【0087】

比較例１３では、プロセス５で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例４と同様、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0088】

比較例１４では、プロセス５で製造された導体を用い、ラミネート材が接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート処理前の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲外であり、ラミネート処理前の導体の０．２％耐力が２５０ＭＰａであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0089】

比較例１５では、プロセス６で製造された導体を用い、ラミネート材がＰＩ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が３００℃、３ｓであるので、比較例４と同様、ラミネート処理時に導体が軟化し、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【0090】

比較例１６では、プロセス６で製造された導体を用い、ラミネート材が接着層付きＰＥＴ絶縁シートであり、ラミネート処理における加熱条件が１７０℃、３ｓであるので、ラミネート処理前の｛１２３｝＜６３４＞の方位に配向する結晶粒の面積率が本発明の範囲外であり、ラミネート処理前の０．２％耐力が２３０ＭＰａであるので、ラミネート性及びコネクタ接合性の双方が不良であった。

【符号の説明】

【0091】

１ フレキシブルフラットケーブル
１１−１，１１−２，１１−３ 導体
１１−４，１１−５，１１−６ 導体
１２，１３ 一対の絶縁シート
１４ 接着層
２２ 絶縁シート
２２ａ ベース層
２２ｂ 接着層
２３ 絶縁シート
２３ａ ベース層
２３ｂ 接着層

【図1】

【図2】