特許6812961エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体エピタキシャルウェーハの製造方法

発明の名称　エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体エピタキシャルウェーハの製造方法

出願人　株式会社ＳＵＭＣＯ　（識別番号 302006854）

　　　　特許公開件数ランキング 673 位（35件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 357 位（70件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6812961

公報発行日　2021年1月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6812961

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