特許 6831246 ウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6831246

(24)【登録日】2021年2月1日

(45)【発行日】2021年2月17日

(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20210208BHJP

   B23K 26/38 20140101ALI20210208BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20210208BHJP

   C09J 7/00 20180101ALI20210208BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/78 B

   H01L21/78 M

   B23K26/38 Z

   B23K26/00 N

   B23K26/00 P

   C09J7/00

【請求項の数】3

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2017-2340(P2017-2340)

(22)【出願日】2017年1月11日

(65)【公開番号】特開2018-113317(P2018-113317A)

(43)【公開日】2018年7月19日

【審査請求日】2019年11月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075177

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 尚純

(74)【代理人】

【識別番号】100113217

【弁理士】

【氏名又は名称】奥貫 佐知子

(74)【代理人】

【識別番号】100202496

【弁理士】

【氏名又は名称】鹿角 剛二

(74)【代理人】

【識別番号】100202692

【弁理士】

【氏名又は名称】金子 吉文

(72)【発明者】

【氏名】関家 一馬

【審査官】 鈴木 孝章

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−１７３１６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１８８３０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１２５７５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１６３１９０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／００

Ｂ２３Ｋ ２６／３８

Ｃ０９Ｊ ７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、
レーザー光線の照射によってウエーハが発するプラズマ光と異なるプラズマ光を発する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
チャックテーブルに該粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、
該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、
該分割工程の際に発生するプラズマ光を検出するプラズマ光検出工程と、
を少なくとも含み、
該プラズマ光検出工程において、該粘着テープに該レーザー光線が照射されることにより発生するプラズマ光の検出によってウエーハの完全分割を確認すると共に、
該プラズマ光検出工程において、該粘着テープのプラズマ光の検出ができない場合、レーザー光線の出力を上昇させるウエーハの加工方法。

【請求項2】

該粘着テープは、ウエーハにレーザー光線が照射された場合に発生するプラズマ光とは異なるプラズマ光が発生する微粉末を含み形成されたものである請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【請求項3】

該粘着テープは、糊層とシートとから構成され、ウエーハが、２５１．６１ｎｍ波長のプラズマ光を発生するＳｉウエーハの場合、粘着テープの糊層、又はシートにＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、のいずれかの微粉末が混入されている請求項２に記載されたウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウエーハにレーザー光線を照射して個々のチップに分割するウエーハの加工方法、及び粘着テープに関する。

【0002】

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイス（チップ）に分割され、携帯電話、パソコン、テレビ等の電気機器に利用される。

【背景技術】

【0003】

ダイシング装置は、チャックテーブルに保持されたウエーハの分割予定ラインに対して切削ブレードを位置付けて切込み、個々のチップに分割する構成であることから、切削ブレードの切込み深さを調整することで、ウエーハを支持する粘着テープを僅かに切削して残しウエーハを完全切断することができる（例えば、特許文献１を参照。）。

【0004】

また、切削ブレードを用いずに、レーザー光線の集光点をウエーハの分割予定ラインに位置付けて照射してウエーハを相対移動させることでウエーハを個々のチップに分割する構成も知られており、分割予定ラインを狭くすることができ、１枚のウエーハから取り出せるチップの数を増やし生産効率を向上させることを実現している（例えば、特許文献２を参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平０８−０８８２０２号公報

【特許文献2】特開２００４−１８８４７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載されたウエーハの加工方法では、切削ブレードの下方先端部の高さ位置を調整することでウエーハを個々のチップに分割することが容易に実現できるものの、特許文献２に記載されたレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割する構成では、加工深さの設定が容易に成し得ず、加工中にウエーハが完全切断されたか否かを容易に判定することが困難であり、加工が終了した後に加工が不完全であったことが判明した場合には、レーザー光線の出力を調整した上で再びレーザー加工を施さねばならず、生産性が悪いという問題があった。また、ウエーハのみを完全切断しつつ、該ウエーハを支持する粘着テープを僅かに加工して残す場合には、レーザー光線の出力を微調整することが望まれるが、レーザー光線の照射により完全分割されているか否かをリアルタイムで判定することは困難であり、やはり加工終了後に分割が不完全であることが判明するため、再加工を余儀なくされていた。

【0007】

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線を照射してウエーハを加工する最中に、完全切断されているか否かを確認できるウエーハの加工方法、及び粘着テープを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、レーザー光線の照射によってウエーハが発するプラズマ光と異なるプラズマ光を発する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、チャックテーブルに該粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、該分割工程の際に発生するプラズマ光を検出するプラズマ光検出工程と、を少なくとも含み、該プラズマ光検出工程において、該粘着テープに該レーザー光線が照射されることにより発生するプラズマ光の検出によってウエーハの完全分割を確認すると共に、該プラズマ光検出工程において、該粘着テープのプラズマ光の検出ができない場合、レーザー光線の出力を上昇させるウエーハの加工方法が提供される。

【0009】

該粘着テープは、ウエーハにレーザー光線が照射された場合に発生するプラズマ光とは異なるプラズマ光が発生する微粉末を含み形成されたものとすることができ、また、ウエーハが２５１．６１ｎｍ波長のプラズマ光を発生するＳｉウエーハの場合、粘着テープの糊層、又はシートにＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、のいずれかの微粉末が混入されるように構成することが好ましい。

【発明の効果】

【0011】

本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法は、レーザー光線の照射によってウエーハが発するプラズマ光と異なるプラズマ光を発する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、チャックテーブルに該粘着テープ側を保持しウエーハを露出させる保持工程と、該チャックテーブルとレーザー光線とを相対的に移動しながらウエーハを分割する分割工程と、該分割工程の際に発生するプラズマ光を検出するプラズマ光検出工程と、を少なくとも含み、該プラズマ光検出工程において、該粘着テープに該レーザー光線が照射されることにより発生するプラズマ光の検出によってウエーハの完全分割を確認すると共に、該プラズマ光検出工程において、該粘着テープのプラズマ光の検出ができない場合、レーザー光線の出力を上昇させるように構成されていることから、ウエーハがレーザー光線により完全切断されたか否かをプラズマ光によって常時監視することができ、切断が不完全である場合にレーザー光線の出力を上昇させて効率よくウエーハを完全切断することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法を実現すべく構成されたレーザー加工装置、及び粘着テープを介してフレームに保持されたウエーハの斜視図である。

【図2】図１に記載されたレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の概略を説明するためのブロック図である。

【図3】図２に記載されたレーザー光線照射手段においてＡで示す一部拡大断面図を示す図である。

【図4】本発明のウエーハの加工方法を実施する制御プログラムのフローチャートを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明に基づき構成されたウエーハの加工方法、及び粘着テープについて添付図面を参照ながら詳細に説明する。図１には、本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法を実現するレーザー加工装置２の全体斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段２２と、静止基台２ａ上に配設され該保持手段２２を移動させる移動手段２３と、該保持手段２２に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２４と、該静止基台２ａ上の移動手段２３の側方に立設される垂直壁部５１、及び該垂直壁部５１の上端部から水平方向に延びる水平壁部５２からなる枠体５０とを備えている。枠体５０の水平壁部５２内部には、本発明のレーザー加工装置２の主要部を構成するレーザー光線照射手段２４の光学系が内蔵されており、その構成についてはおって詳述する。なお、保持手段２２は、図中左上方に拡大して示す粘着テープＴを介して環状のフレームＦに保持された被加工物（ウエーハ１０）を保持する。

【0015】

該保持手段２２は、図中に矢印Ｘで示すＸ方向において移動自在に基台２ａに搭載された矩形状のＸ方向可動板３０と、図中に矢印Ｙで示すＹ方向において移動自在にＸ方向可動板３０に搭載された矩形状のＹ方向可動板３１と、Ｙ方向可動板３１の上面に固定された円筒状の支柱３２と、支柱３２の上端に固定された矩形状のカバー板３３とを含む。カバー板３３には該カバー板３３上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されたチャックテーブル３４が配設されている。チャックテーブル３４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック３５が配置されている。吸着チャック３５は、支柱３２を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。

【0016】

移動手段２３は、Ｘ方向移動手段４０と、Ｙ方向移動手段４２と、を含む。Ｘ方向移動手段４０は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してＸ方向可動板３０に伝達し、基台２ａ上の案内レールに沿ってＸ方向可動板３０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段４２は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Ｙ方向可動板３１に伝達し、Ｘ方向可動板３０上の案内レールに沿ってＹ方向可動板３１をＹ方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル３４のＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、後述する制御手段から指示される信号に基づいてＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル３４を正確に位置付けることが可能になっている。

【0017】

図１に示すように、ウエーハ１０は複数のデバイス１４が分割予定ライン１２によって区画され表面に形成されており、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに支持された状態でチャックテーブル３４に保持される。そして、レーザー光線照射手段２４を作動させて集光器２４ａからＳｉからなるウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射しながら、上記したＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２を作動させることにより、該分割予定ライン１２に対してアブレーション加工を実施し分割起点１００を形成する。

【0018】

図２に基づいて、本発明のウエーハの加工方法を実現すべく構成されたレーザー光線照射手段２４をより具体的に説明する。レーザー光線照射手段２４は、Ｓｉからなるウエーハ１０に対して吸収性を有する３５５ｎｍ波長のレーザー光線を発振し、集光器２４ａから照射するためのレーザー発振器２４ｂを備えている。レーザー発振器２４ｂから発振されたレーザー光線は、透過率を調整することによりレーザー光線の出力を調整するアッテネータ２４ｃに入射される。アッテネータ２４ｃにて所望の出力に調整されたレーザー光線は、ウエーハ１０側に方向を変換する反射ミラー２４ｄにて方向が変換される。反射ミラー２４ｄにて方向が変換されたレーザー光線は、３５０〜３６０ｎｍの波長のみを透過するダイクロイックミラー２４ｅを透過して集光器２４ａの集光レンズＬを介してチャックテーブル３４上に保持されたウエーハ１０の所定の位置に照射される。なお、集光レンズＬは、複数のレンズを適宜組み合わせた集合体から構成することができる。

【0019】

チャックテーブル３４側から発せられた光は集光器２４ａを介して逆行し上記したダイクロイックミラー２４ｅにて３５０〜３６０ｎｍ以外の波長の光が反射される。ダイクロイックミラー２４ｅにて反射された光路上には、所定の波長領域（例えば、３９０〜４００ｎｍ）のみを透過させるバンドパスフィルター２４ｆ、該バンドパスフィルター２４ｆを透過した光の光量値を計測するホトデテクタ２４ｇが配設される。そして、該ホトデテクタ２４ｇで計測された光量値は、レーザー加工装置２の各手段を制御するために配設された制御手段２０に出力される。

【0020】

制御手段２０は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。該制御手段２０は、レーザー加工装置に配設された各種手段を制御するものであり、レーザー光線照射手段２４のレーザー発振器２４ｂ、アッテネータ２４ｃの制御等も行う。

【0021】

図３に基づいて、上記したウエーハ１０を支持する粘着テープＴについて、詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態の図２の点線Ａで示す部位の一部拡大断面図を示している。粘着テープＴは、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル等から形成されたシートｔａと、シートｔａ上に形成されたゴム系やアクリル系の糊層（粘着層）ｔｂとから構成され、糊層ｔｂ上にウエーハ１０が貼着され支持される。該糊層ｔｂを形成する材料には、例えばＡｌの微粉末が混練されて均等に分散され、シートｔａが形成される。該糊層ｔａに対して該３５５ｎｍ波長のレーザー光線が照射されると、Ａｌの微粉末が混練されていることで３９６．１５ｎｍ波長のプラズマ光が発生する。

【0022】

なお、上述したレーザー加工装置によるレーザー加工時の加工条件は、例えば以下のように設定される。
ウエーハ ：Ｓｉウエーハ
レーザー波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：３．０Ｗ
繰り返し周波数 ：３０ｋＨｚ
集光スポット径 ：φ１０μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒

【0023】

本実施形態のレーザー加工装置２は、概ね以上のような構成を備えており、該レーザー加工装置２によって実施される本発明のウエーハの加工方法の作用について以下に説明する。

【0024】

本発明に基づき構成されるウエーハの加工方法を実施するに際し、先ずレーザー光線の照射によってウエーハ１０が発するプラズマ光とは異なるプラズマ光を発する粘着テープＴに該ウエーハ１０を貼着する粘着テープ貼着工程を実施する。本実施形態のウエーハ１０はＳｉ（シリコン）から構成されており、Ｓｉに対して吸収性を有する波長（３５５ｎｍ）のレーザー光線を該ウエーハ１０に照射すると、２５１．６１ｎｍの波長のプラズマ光を発し、粘着テープＴに該レーザー光線が照射されると３９６．１５ｎｍ波長のプラズマ光が発生する。

【0025】

上記したように、粘着テープ貼着工程が実施されたならば、ウエーハ１０をチャックテーブル３４に保持する保持工程を実施する。より具体的には、図１に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３４に粘着テープＴ側を下にして載置し、図示しない吸引手段を作動させて吸着チャック３５を介して吸引保持し、ウエーハ１０を上方に露出させてクランプ等により環状フレームＦをクランプして固定する。

【0026】

上記した保持工程を実施したならば、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。分割工程を実施するに際し、先ずウエーハ１０の加工領域を撮像する撮像手段２６を用いて、ウエーハ１０の加工領域（分割予定ライン１２）と、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａの照射位置との位置合わせを行うアライメントを実施する。

【0027】

アライメント実施後、チャックテーブル２４を移動して分割予定ライン１２の一端にレーザー光線の照射位置を位置付ける。そして、上記したレーザー加工条件、すなわち、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａによりウエーハ１０に対して吸収性を有する波長（３５５ｎｍ）のレーザー光線をウエーハ１０の表面位置に集光して照射しつつ、移動手段２３を作動してチャックテーブル３４を矢印Ｘで示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。この時、本発明では、レーザー光線を照射しながら、ウエーハ１０が完全分割しているか否かを判定すべく、プラズマ光検出工程を実施する。図４を参照しながら、プラズマ光検出工程についてより具体的に説明する。

【0028】

プラズマ光検出工程は、制御手段２０に記憶されている制御プログラムによって実行される。該制御プログラムのフローチャートを図４に示す。図４のフローチャートで示す制御プログラムは、所定時間（数ミリ秒）毎に繰り返し実行されるものであり、該分割工程が実行される際には継続して実行される。

【0029】

上述したように、分割工程が開始されると、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａからレーザー光線がウエーハ１０に照射される。レーザー光線照射手段２４のレーザー発振器２４ｂから照射されるレーザー光線の出力は、予めウエーハ１０を完全分割し、且つ該ウエーハ１０を支持する粘着テープＴを僅かに加工する程度に設定されているが、レーザー発振器２４ｂにて発振されるレーザー光線の出力の微小な変化や、種々の外乱により、必ずしも一定の出力で照射されるとは限らない。よって、レーザー加工を開始する際のレーザー光線の出力は、過剰な出力でレーザー光線が照射されないように、ウエーハが完全分割される出力に対し、僅かに小さい値に設定されることが好ましい。

【0030】

図４のフローチャートのステップＳ１では、制御手段２０を介してホトデテクタ２４ｇからの出力を参照し、プラズマ光が検出されたと判定（Ｙｅｓ）されたならば、ステップＳ２へ進む。ウエーハ１０を構成するＳｉに３５５ｎｍ波長のレーザー光線が照射されている間は、２５１．６１ｎｍ波長のプラズマ光が発生する。よって、ダイクロイックミラー２４ｅで反射された該プラズマ光は、３９０〜４００ｎｍ波長の領域の光のみを透過するバンドパスフィルター２４ｆを透過せず、ホトデテクタ２４ｇでプラズマ光が計測されない。よって、該ステップＳ１ではＮｏと判定され、ステップＳ３に進み、不完全切断が生じていると判定されてステップＳ４に進み、所定幅だけレーザー光線の出力が上昇するように、アッテネータ２４ｃに出力上昇の指示が送られる。ステップＳ２〜Ｓ４が実施されたならば、フローチャートの終端（ＲＥＴＵＲＮ）から始端（ＳＴＡＲＴ）に戻り、繰り返し該制御プログラムが実施される。

【0031】

レーザー光線が必要な出力に調整され、ウエーハ１０が完全切断されたならば、粘着テープＴにレーザー光線が達し、粘着テープＴのウエーハ１０側に位置する糊層ｔａに混練されたＡｌと反応して３９６．１５ｎｍ波長のプラズマ光が発生する。該プラズマ光は、バンドパスフィルター２４ｆを透過してホトデテクタ２４ｇにて検出される。よって、ステップＳ１にてプラズマ光が検出されてＹｅｓとなり、ステップＳ２に進み、完全分割されていると判断され、照射されるレーザー光線の出力が十分な値に調整されているとしてアッテネータ２４ｃの出力制御が維持される。該レーザー加工中はこの制御プログラムが繰り返し実行され、外乱等により再び不完全切断が判定されたならば、出力上昇させる制御を実施する。なお、ウエーハを支持する粘着テープＴを僅かに切削して残余の部分を残しウエーハを完全切断するような制御を実現すべく、所定時間、ステップＳ１においてＮｏの判定がなされない場合に、アッテネータ２４ｃを制御してレーザー光線の出力を微小幅だけ徐々に低下させるようにしてもよい。その場合、レーザー光線の出力がウエーハ１０を完全切断する出力に対し小さくなった時点、すなわちステップＳ１でプラズマ光が検出されなくなり、再びレーザー光線の出力が上昇させられ、所望の完全切断が常に維持される。

【0032】

上述したように、プラズマ光検出工程を実施しながら分割工程を実施して、分割予定ライン１２の他端が集光器２４ａの照射位置に達したならば、レーザー光線の照射を停止すると共にチャックテーブル３４の移動を停止する。この結果、ウエーハ１０の所定の分割予定ライン１２に沿って分割溝１００が形成される。

【0033】

上述したレーザー加工により、所定の分割予定ライン１２の一端から他端に渡り分割溝１００が形成されたならば、保持手段２２、移動手段２３、及び図示しない回転駆動手段を作動してチャックテーブル３４を移動させて、集光器２４ａに対するウエーハ１０の位置を変更しながらその余の分割予定ライン１２に対し同様の加工を施すことにより、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１２に沿って分割溝１００を形成する。

【0034】

本発明は、上記のような構成を備えていることにより、常にウエーハ１０の分割予定ライン１２に沿って完全分割が実現されているか否かを確認することができ、所望の分割溝１００が得られる様に、適宜の対策を施すことができる。

【0035】

本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる限り種々の変形例を想定することができる。上記の実施形態では、ウエーハ１０が貼着される粘着テープＴを、図３（ａ）に示したように糊層ｔａと、シートｔｂから構成し、レーザー光線が照射されることによりウエーハ１０と異なるプラズマ光を発生させるための微粉末を糊層ｔａに混練して形成した例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、図３（ｂ）に示すように、粘着テープＴを構成するポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル等に対してウエーハ１０とは異なるプラズマ光を発生するための微粉末を混練して形成してもよい。

【0036】

上記実施形態では、ウエーハ１０と異なるプラズマ光を発生させるための微粉末としてＡｌを選択して粘着テープＴの糊層ｔａに混練したが、本発明はこれに限定されない。ウエーハ１０を構成する素材がＳｉである場合、Ｓｉから発せられる２５１．６１ｎｍ波長、２８８．１６ｎｍ波長のプラズマ光とは異なるプラズマ光を発生させるため、例えば、以下の材料からなる微粉末のいずれかから選択して混練することもできる。なお、下記の材料を選択し３５５ｎｍ波長のレーザー光線が粘着テープＴに照射された場合の発生プラズマ光の波長を右側に示す。粘着テープＴに混練する微粉末の素材としては、以下の素材に限定されるものではなく、以下の素材と異なる素材を選択することを除外するものではない。
＜微粉末材質＞ ＜プラズマ光の波長＞
Ａｕ ４００ｎｍ、２５０ｎｍ
Ｃｕ ２８２ｎｍ、３２４．７５ｎｍ
Ｆｅ ２５９．９６ｎｍ、２９６．６９ｎｍ、３７１．９９ｎｍ
４０４．４８ｎｍ
Ｔｉ ３６５．３５ｎｍ

【0037】

粘着テープＴに混練する微粉末としてＡｕを選択した場合は、レーザー光線が粘着テープＴに照射された際に２５０ｎｍ波長のプラズマ光が発生するため、バンドパスフィルター２４ｆを透過させて検出する波長を２５０ｎｍ付近に設定してしまうと、Ｓｉから発生されるプラズマ光も透過して完全切断がなされているのか否か区別がつかない可能性があるため、その場合は、バンドパスフィルター２４ｆを透過させる波長を４００ｎｍ付近に設定するとよい。また、上記した実施形態では、ウエーハ１０の素材としてＳｉである場合を例にして説明したが、ウエーハ１０を構成する素材として別の素材を選択し、他の波長のプラズマ光が発生する場合は、ウエーハ１０から発せられるプラズマ光の波長を考慮して粘着テープＴに混練する微粉末の素材を選択する。なお、レーザー光線が照射されてプラズマ光が発生する微粉末としては、Ｎａ（波長５８９ｎｍ）、Ｋ（４０４．４１ｎｍ）も候補となり得るが、レーザー光線が照射された時に、ウエーハ１０に形成されたデバイスを汚損する虞があり好ましくない。

【0038】

上記実施形態では、プラズマ光検出工程においてプラズマ光を検出しつつ、制御手段２０に記憶された制御プログラムに従い、ウエーハ１０に照射されるレーザー光線の出力調整が実施されるように構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザー加工を実施している最中に完全分割できていないことが確認された時にアラート（警告）を表示画面（図示しない）に表示する等してオペレータに知らせ、オペレータ自身が適宜出力調整作業を行うようにしてもよい。

【符号の説明】

【0039】

２：レーザー加工装置
２ａ：静止基台
１０：ウエーハ
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
２０：制御手段
２２：保持手段
２３：移動手段
２４：レーザー光線照射手段
２４ａ：集光器
２４ｂ：レーザー発振器
２４ｃ：アッテネータ
２４ｄ：反射ミラー
２４ｅ：ダイクロイックミラー
２４ｆ：バンドパスフィルター
２４ｇ：ホトデテクタ
３０：Ｘ方向可動板
３１：Ｙ方向可動板
３２：支柱
３３：カバー板
３４：チャックテーブル
３５：吸着チャック
４２：Ｘ方向移動手段
４３：Ｙ方向移動手段
５０：枠体
１００：分割溝
Ｔ：粘着テープ
Ｆ：フレーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】