特許 6843554 ウェハの表面処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6843554

(24)【登録日】2021年2月26日

(45)【発行日】2021年3月17日

(54)【発明の名称】ウェハの表面処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20210308BHJP

   B24B 37/00 20120101ALI20210308BHJP

   B24B 37/24 20120101ALI20210308BHJP

   H01L 21/322 20060101ALI20210308BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 621D

   H01L21/304 622F

   B24B37/00 H

   B24B37/24 Z

   H01L21/322 M

【請求項の数】5

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2016-166281(P2016-166281)

(22)【出願日】2016年8月26日

(65)【公開番号】特開2018-32833(P2018-32833A)

(43)【公開日】2018年3月1日

【審査請求日】2019年5月28日

【審判番号】不服2020-12540(P2020-12540/J1)

【審判請求日】2020年9月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】100169960

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 貴光

(72)【発明者】

【氏名】石川 一政

【合議体】

【審判長】 辻本 泰隆

【審判官】 加藤 浩一

【審判官】 ▲吉▼澤 雅博

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１５／００２１９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−１３０９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２７７３０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０８２４７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２４２９０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２７７３０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L21/304-463

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面にデバイス領域が形成されたウェハの裏面を鏡面状に仕上げ研磨すると共にゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置であって、
前記ウェハを保持して回転させる基板保持機構と、
該基板保持機構に対向して配置され、砥粒を混入した樹脂材をパッド基材に含浸させて成るＥＧパッドを有する表面処理パッドと、
前記基板保持機構と前記ＥＧパッドとの間にアルカリ性の研磨助剤を供給する研磨助剤供給機構と、
を備え、
前記研磨助剤が前記樹脂材を加水分解させて前記砥粒の少なくとも一部を前記表面処理パッドから遊離させて、前記ＥＧパッドに含まれる固定砥粒が前記ウェハを押圧された状態で前記基板保持機構及び前記ＥＧパッドを回転させて前記ＥＧパッドから遊離した遊離砥粒が前記ウェハ上を転動することにより、前記ウェハを研磨するとともに前記ウェハに前記ゲッタリング層を生成することを特徴とするウェハの表面処理装置。

【請求項2】

前記樹脂材は、ポリウレタン樹脂であることを特徴とする請求項１記載のウェハの表面処理装置。

【請求項3】

前記基板保持機構及び前記表面処理パッドは、相対的に逆回転することを特徴とする請求項１又は２記載のウェハの表面処理装置。

【請求項4】

前記表面処理パッドは、前記基板保持機構の上方に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のウェハの表面処理装置。

【請求項5】

前記表面処理パッドは、
前記ＥＧパッドを支持するパッド支持体と、
前記ＥＧパッドと前記パッド支持体との間に介装され、前記ＥＧパッドより軟らかいサブパッドと、
を備えていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のウェハの表面処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はウェハの表面処理装置に関するものであり、特に、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という）にゲッタリング層を形成するためのウェハの表面処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

シリコンからなる薄厚の半導体デバイスは、シリコン単結晶からスライスしたウェハ、すなわちシリコンウェハ上に回路を形成することにより製造される。

【0003】

半導体プロセスにおける問題点の一つとして、シリコンウェハ中に不純物である重金属が混入することが挙げられる。シリコンウェハの表面側に形成されるデバイス領域へ重金属が拡散した場合、デバイス特性に著しい悪影響をもたらす。そこで、シリコンウェハに混入した重金属がデバイス領域に拡散するのを抑制するため、ゲッタリング法を採用するのが一般的である。

【0004】

ゲッタリング法は、表面側に半導体素子が形成されたウェハに対して、多数の極微小なスクラッチから成るエクストリンシック・ゲッタリング（Ｅｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）層（以下、単に「ゲッタリング層」又は「ＥＧ層」と称す）を形成するものである。ＥＧ層によるゲッタリング効果によって、ウェハ内に混入した重金属がデバイス領域に拡散することを防止する。

【0005】

このようなＥＧ層を形成するものとして、研磨液を供給しながら研磨パッドでウェハの裏面を鏡面状に研磨した後に、純水を供給しながら研磨パッドをウェハに押し当ててウェハに極微細なスクラッチを形成してＥＧ層を生成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１３−２４７１３２号公報。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、特許文献１に記載の加工方法では、ＥＧ層を構成するスクラッチが、研磨パッドに含まれる砥粒の周回軌道に応じて形成されるため、スクラッチの密度にバラつきがあったりスクラッチの向きが揃う等して、ＥＧ層内でスクラッチが局所的に疎らで重金属がＥＧ層を通過する虞があるという問題があった。

【0008】

そこで、重金属を精度良く捕捉可能なＥＧ層を生成するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、表面にデバイス領域が形成されたウェハの裏面を鏡面状に仕上げ研磨すると共にゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置であって、前記ウェハを保持して回転させる基板保持機構と、該基板保持機構に対向して配置され、砥粒を混入した樹脂材をパッド基材に含浸させて成るＥＧパッドを有する表面処理パッドと、前記基板保持機構と前記ＥＧパッドとの間にアルカリ性の研磨助剤を供給する研磨助剤供給機構と、を備え、前記研磨助剤が前記樹脂材を加水分解させて前記砥粒の少なくとも一部を前記表面処理パッドから遊離させて、前記ＥＧパッドに含まれる固定砥粒が前記ウェハを押圧された状態で前記基板保持機構及び前記ＥＧパッドを回転させて前記ＥＧパッドから遊離した遊離砥粒が前記ウェハ上を転動することにより、前記ウェハを研磨するとともに前記ウェハに前記ゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置を提供する。

【0010】

この構成によれば、ＥＧパッドに含まれる砥粒（固定砥粒）がウェハの裏面に押し当てられると共に、ＥＧパッドから遊離した砥粒（遊離砥粒）がＥＧパッド上をランダムに転動することにより、ゲッタリング層内に様々な向きのスクラッチがランダムに形成されるため、ゲッタリング層内でスクラッチが局所的に疎らになることを抑制して、重金属を高精度で捕捉可能なゲッタリング層を形成することができる。

【0011】

請求項２記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記樹脂材は、ポリウレタン樹脂であるウェハの表面処理装置を提供する。

【0012】

この構成によれば、研磨助剤がポリウレタン樹脂から成る樹脂材を加水分解させることにより、ＥＧパッドに含まれる砥粒の一部が遊離砥粒として遊離し、ゲッタリング層内に様々な向きのスクラッチがランダムに形成されるため、ゲッタリング層内でスクラッチが局所的に疎らになることを抑制して、重金属を高精度で捕捉可能なゲッタリング層を形成することができる。

【0013】

請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の構成において、前記基板保持機構及び前記表面処理パッドは、相対的に逆回転するウェハの表面処理装置を提供する。

【0014】

この構成によれば、ウェハとＥＧパッドとが相対的に逆向きに回転することでウェハとＥＧパッドとの間に介在する研磨助剤中に複雑な水流が形成されることにより、この水流によって遊離砥粒がＥＧパッド及びウェハの間をランダムに転動し易くなり、ゲッタリング層内に様々な向きのスクラッチがランダムに形成されるため、ゲッタリング層内でスクラッチが局所的に疎らになることを抑制して、重金属を高精度で捕捉可能なゲッタリング層を形成することができる。

【0015】

請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の何れか１項に記載の構成において、前記表面処理パッドは、前記基板保持機構の上方に配置されているウェハの表面処理装置を提供することができる。

【0016】

この構成によれば、遊離砥粒を含む研磨助剤がウェハ上に残存して、遊離砥粒が表面処理パッド及びウェハの間で長期に亘って転動することにより、ゲッタリング層内にスクラッチが効率的に形成されるため、高密度のスクラッチから成るゲッタリング層を形成することができる。

【0017】

請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の何れか１項記載の構成において、前記表面処理パッドは、前記ＥＧパッドを支持するパッド支持体と、前記ＥＧパッドと前記パッド支持体との間に介装され、前記ＥＧパッドより軟らかいサブパッドと、を備えているウェハの表面処理装置を提供する。

【0018】

この構成によれば、ウェハのうねりや反りに応じてサブパッドが変形することにより、ＥＧパッドがウェハの表面形状に追従してウェハにゲッタリング層を生成するため、ウェハの表面形状にかかわらず、重金属を高精度で捕捉可能なゲッタリング層を形成することができる。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、ＥＧパッドに含まれる砥粒（固定砥粒）がウェハの裏面に押し当てられると共に、ＥＧパッドから遊離した砥粒（遊離砥粒）がＥＧパッド上をランダムに転動することにより、ゲッタリング層内に様々な向きのスクラッチがランダムに形成されるため、ゲッタリング層内でスクラッチが局所的に疎らになることを抑制して、重金属を高精度で捕捉可能なゲッタリング層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】本発明を適用したウェハの表面処理装置を示す概略平面図である。

【図2】図１に示した同上ウェハの表面処理装置における研磨・テクスチャリングユニットの部分側面図で、（ａ）は表面処理パッドを説明する図、（ｂ）はパットドレッサを説明する図である。

【図3】ウェハの加工処理手順を説明する模式図で、（ａ）は研削工程の説明図、（ｂ）は研磨、テクスチャリング工程の説明図、（ｃ）はクリーニング工程の説明図、（ｄ）はリンス工程の説明図である。

【図4】ウェハにＥＧ層を生成する様子を模式的に示す図である。

【図5】ＥＧ層が生成されたウェハの一例を示し、（ａ）はその全体図、（ｂ）はその部分拡大断面図、（ｃ）はその部分拡大斜視図である。

【図6】表面処理パッドとウェハとのオフセット量を示す平面模式図である。

【図7】表面処理パッドに含まれる砥石の回転軌道を示す図である。

【図8】ウェハ周縁に形成されたスクラッチの向きを示す画像である。

【図9】チルト機構を備えた表面処理パッドを示す模式図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0021】

本発明は、重金属を精度良く捕捉可能なＥＧ層を生成するという目的を達成するために、表面にデバイス領域が形成されたウェハの裏面を鏡面状に仕上げ研磨すると共にゲッタリング層を生成するウェハの表面処理装置であって、ウェハを保持して回転させる基板保持機構と、基板保持機構に対向して配置され、砥粒を混入した樹脂材をパッド基材に含浸させて成るＥＧパッドを有する表面処理パッドと、基板保持機構とＥＧパッドとの間にアルカリ性の研磨助剤を供給する研磨助剤供給機構と、を備え、研磨助剤が樹脂材を加水分解させて砥粒の少なくとも一部を表面処理パッドから遊離させて、ＥＧパッドでウェハを押圧すると共に基板保持機構及びＥＧパッドを回転させることにより、ウェハにゲッタリング層を生成する構成としたことにより実現した。

【0022】

以下、本発明の一実施例に係るウェハの表面処理装置１０について図面を参照しながら説明する。

【実施例】

【0023】

図１はウェハの表面処理装置１０を示す概略平面図である。図１に示されるウェハの表面処理装置１０は、複数のウェハＷ（例えばシリコン・ウェハ）を格納するカセット１１ａ、１１ｂと、４つの基板保持機構としてのチャック部１２ａ〜１２ｄを備えていてインデックス回転するターンテーブル１３と、４つのチャック部１２ａ〜１２ｄを洗浄する洗浄ユニット１４と、ウェハＷを搬送する搬送ロボット１５とを含んでいる。

【0024】

さらに、図１に示されるように、ウェハの表面処理装置１０においては、粗研削ユニット１６、仕上げ研削ユニット１７、研磨・テクスチャリングユニット１８がターンテーブル１３の外周に沿って順番に配置されている。なお、粗研削ユニット１６は、粗研削砥石（図示しない）によりウェハＷの裏面Ｗａを粗研削し、仕上げ研削ユニット１７は仕上げ研削砥石（図示しない）により裏面Ｗａを仕上げ研削する。

【0025】

図２は、ウェハＷの裏面を鏡面状に仕上げ研磨をすると共にウェハＷにＥＧ層を生成する研磨・テクスチャリングユニット１８の部分側面図である。研磨・テクスチャリングユニット１８は、図２（ａ）に示されるＥＧパッドユニット２０と、図２（ｂ）に示されるパットドレスユニット３０とを備えている。

【0026】

図２（ａ）に示されるＥＧパッドユニット２０は、アーム２１の先端にモータ２２が懸架されている。そのモータ２２の出力軸２２ａには、円板状をしたパッド支持体２３が水平回転可能に取り付けられている。また、パッド支持体２３の下面には同じく円板状をしたサブパッド２４が樹脂性接着剤２５を介して接着固定され、更にサブパッド２４の下面には同じく円板状をした表面処理パッドとしてのＥＧパッド２６が樹脂性接着剤２７を介して接着固定され、これらパッド支持体２３、サブパッド２４、ＥＧパッド２６が一体化されている。したがって、これらパッド支持体２３、サブパッド２４、ＥＧパッド２６は、アーム２１と一体にウェハＷの厚さ方向に下降可能であり、また水平方向に回動可能である。

【0027】

ＥＧパッド２６は、厚みが４．８ｍｍ程の円板状に形成されたポリウレタン樹脂製のパッド基材に、０．６μｍ程度の微細なＳｉＣ（シリコン珪素）や、タングステン、アルミナ等の砥粒を樹脂材内に混合させ、その樹脂をパッド基材に含浸させてなる。パッド基材に樹脂材と共に含浸された砥粒は、ウェハＷの裏面Ｗａに極微細なスクラッチを与えてＥＧ層を形成するのに寄与する。一方、サブパッド２４は、厚みが０．９ｍｍ程の円板状に形成され、ＥＧパッド２３よりも硬さの低いものを用い、加工時におけるウェハＷの表面形状に追従し易くなるように設けられている。なお、砥粒を混同させる樹脂材は、ポリウレタンに限定されるものではないことは云うまでもない。

【0028】

ＥＧパッドユニット２０には、ウェハＷとＥＧパッド２３との間に水（純水）及び研磨助剤としての研磨助剤を供給する供給源に接続された供給ライン２８が設けられている。なお、研磨助剤とは、例えばアミン系（ピペラジン等）を含む溶液（５〜１０％）を希釈したものである。

【0029】

図２（ｂ）に示されるパットドレスユニット３０は、図示しないモータの出力軸に接続された支持部材３１に、ドレッサヘッド３２が水平回転可能に取り付けられている。なお、ドレッサヘッド３２は、本例ではＥＧパッド２６の下面（加工面）と対向する円板状に形成された不織布の上面にダイヤモンド砥粒を樹脂材内に含浸させた研磨層３３を設けてなる。

【0030】

そして、ウェハの表面処理装置１０では、研磨・テクスチャリングユニット１８において、ウェハＷの裏面Ｗａ側に極微細なダメージを与えて、ゲッタリング能を有するＥＧ層を生成すると共に鏡面状に仕上げる加工を行うことができるようになっている。

【0031】

以下、本発明のウェハの表面処理装置１０の動作について説明する。まず、搬送ロボット１５によって、カセット１１ａから一つのウェハＷが取り出されて、ウェハＷを保持して回転させる基板保持機構としてのチャック部１２ａまで搬送される。

【0032】

ウェハＷは、裏面Ｗａが上方を向いた状態でチャック部１２ａに吸引保持される。チャック部１２ａは、洗浄ユニット１４により予め洗浄されている。その後、ターンテーブル１３がインデックス回転し、チャック部１２ａは、粗研削ユニット１６まで移動される。このとき、別のチャック部１２ｄには、別のウェハＷが搬送ロボットにより搬送され、同様な処理が行われる。

【0033】

粗研削ユニット１６においては、ウェハＷの裏面Ｗａが粗研削砥石（図示しない）により公知の手法で粗研削される。次いで、ターンテーブル１３がインデックス回転して、チャック部１２ａは、粗研削ユニット１６から仕上げ研削ユニット１７まで移動される。仕上げ研削ユニット１７においては、ウェハＷの裏面Ｗａは仕上げ研削砥石（図示しない）により仕上げ研削される。

【0034】

ターンテーブル１３は再びインデックス回転して、チャック部１２ａは、仕上げ研削ユニット１７から研磨・テクスチャリングユニット１８まで移動される。

【0035】

研削工程後のウェハＷの裏面Ｗａには、図３（ａ）に示すような研削痕が存在する。そこで、研磨・テクスチャリングユニット１８では、図３（ｂ）に示すように、ＥＧパッド２６がアーム２１と共に水平回動して、チャック部１２ａの上方に移動する。その後、ＥＧパッド２６とウェハＷをそれぞれ回転させながら、ＥＧパッド２６を下降させて、ＥＧパッド２６をウェハＷに押圧させる。また、ＥＧパッド２６とウェハＷとの間には、研磨助剤が供給される。このようにして、ウェハＷの裏面Ｗａの研削痕を除去して裏面Ｗａを鏡面状に研磨するウェットポリッシュとウェハＷにＥＧ層を生成するテクスチャリング処理とを並行して行う研磨・テクスチャリング工程（表面処理工程）が実行される。

【0036】

具体的には、ＥＧパッド２６に含まれる砥粒（以下、「固定砥粒」と称す）Ａ１とＥＧパッド２６から遊離した砥粒（以下、「遊離砥粒」と称す）Ａ２とが協働して、研磨加工とテクスチャリング処理を行う。固定砥粒Ａ１がウェハＷの裏面Ｗａに押圧された状態でＥＧパッド２とウェハＷとが回転し、遊離砥粒Ａ２がウェハＷ上を転動する。遊離砥粒Ａ２は、樹脂性接着剤２７が研磨助剤によって膨潤し加水分解することにより、図４に示すようにＥＧパッド２６に含まれる固定砥粒Ａ１の一部がＥＧパッド２６から遊離したものである。

【0037】

また、ウェハＷの裏面Ｗａの表層側が研磨助剤に触れて酸化膜（ＳｉＯ２）がＳｉＯＨに改質することで軟化し、ウェハＷの裏面Ｗａが研磨し易くなっている。さらに、ＥＧパッド２６とウェハＷとの間を遊離砥粒Ａ２が転動することにより、ウェハＷに遊離砥粒Ａ２が食い込む等の外力で強制的に行う研磨ではなく、自然な力でウェハＷに極微細なスクラッチを形成することにより、ウェハＷ内にＥＧ層を生成する。

【0038】

図５は、研磨・テクスチャリング工程を経たウェハＷの一例を示すものであり、同図（ａ）はウェハＷを裏面側から見た全体斜視図、同図（ｂ）はウェハＷの部分拡大断面図、同図（ｃ）はその部分拡大斜視図である。図５に示すウェハＷは、表面Ｗｂ側に無欠陥層４０が形成され、その無欠陥層４０の表面に複数個の半導体素子４１が設けられている。また、これら半導体素子４１を保護するために、裏面研削時には、保護フィルム４２がウェハＷの表面Ｗｂに貼り付けられている。一方、裏面Ｗａ側には、ＥＧ層４３が形成されている。ＥＧ層４３は、多数のスクラッチから成り、面粗さ（Ｒａ）１．０ｎｍ〜１．７ｎｍで形成される。

【0039】

研磨・テクスチャリング工程の後に、図３（ｃ）に示すように、ＥＧパッド２６の加工面２６ａに対してクリーニング工程を行う。この工程では、ＥＧパッド２６がアーム２１と共に水平回動され、ＥＧパッド２６がドレッサヘッド３２の上方に移動される。その後、モータ２２の駆動によりＥＧパッド２６を回転させながら、そのＥＧパッド２６をアーム２１と一体にウェハＷの厚さ方向に下降させ、同じく図示せぬモータにより回転しているドレッサヘッド３２上にＥＧパッド２６を軽く押し付け、ＥＧパッド２６の加工面２６ａから厚み方向の所定範囲を払拭し、ＥＧパッド２６の加工面２６ａに残存する研磨助剤を取り除く。これにより、後述するリンス工程において、加工面２６ａに残留した研磨助剤がウェハＷに移ることを回避できる。

【0040】

クリーニング工程の後に、図３（ｄ）に示すように、ウェハＷの裏面Ｗａに対してリンス工程を行う。この工程では、ＥＧパッド２６がアーム２１と共に水平回動して、チャック部１２ａの上方に移動する。その後、ＥＧパッド２６を下降させてウェハＷに接近させる。そして、回転しているチャック部１２ａ上のウェハＷの裏面ＷａとＥＧパッド２６の加工面との間に純水を供給しながら、ウェハＷとＥＧパッド２６を互いに逆向きに回転させる。ＥＧパッド２６は、ウェハＷに非接触状態で近接して配置されており、この状態でウェハＷとＥＧパッド２６を互いに逆向きに回転させることにより、ウェハＷの裏面Ｗａ上に水流を形成することができる。このようにして、供給された水でリンス処理をし、ウェハＷの裏面Ｗａに残存する研磨助剤を洗い流して除去する。

【0041】

次に、ＥＧ層を構成するスクラッチについて、図面に基づいて説明する。図６は、ＥＧパッド２６とウェハＷとのオフセット量を示す平面模式図である。図７は、ＥＧパッド２６に含まれる砥石の回転軌道を示す図である。図８は、ウェハＷ周縁に形成されたスクラッチの向きを示す画像である。

【0042】

図６に示すように、ＥＧパッド２６の回転軸ａ１とチャック部１２ａの回転軸ａ２とは、任意の距離（以下、「オフセット量」という）だけ離間している。図７に示すように、オフセット量に応じてＥＧパッド２６に含まれる固定砥粒Ａ１の回転軌道、すなわちスクラッチの密度・方向性は異なるため、ウェハＷに付与したいＥＧ層４３のゲッタリング能に応じて、オフセット量は任意に調整される。すなわち、図７（ａ）に示すオフセット量ゼロの固定砥粒Ａ１の回転軌道は、チャック部１２ａの回転軸ａ２と一致するウェハＷの中心０から周方向に僅かに湾曲しながら外周に向かうのに対して、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、オフセット量が大きくなるにしたがって、固定砥粒Ａ１の回転軌道は、ＥＧパッド２６の周方向に大きく湾曲する。また、ウェハＷに形成されるスクラッチは、ウェハＷの外側に向かるほど疎らになる。さらに、図８に示すように、ウェハＷの周縁では、スクラッチの向きが揃うように規則的に形成されがちである。

【0043】

このような固定砥粒Ａ１が付与するスクラッチに加えて、ＥＧパッド２６は、ＥＧパッド２６上を転動する遊離砥粒Ａ２がスクラッチを形成する。遊離砥粒Ａ２は、上述した固定砥粒Ａ１のように規則的には動かず、ＥＧパッド２６とウェハＷとの間をランダムに動く。したがって、規則的に動く固定砥粒Ａ１とランダムに動く遊離砥粒Ａ２とが協働してウェハＷにスクラッチを付与することにより、ＥＧ層４３内のスクラッチが局所的に疎らになることを抑制できる。

【0044】

なお、ＥＧ層４３内のスクラッチの密度のバラつきを軽減するために、図９に示すように、ＥＧパッド２６がチルト機構５０を備えるものであっても構わない。

【0045】

チルト機構５０は、ＥＧパッド２６の先端側に配置された１つの固定支持部５１と、ＥＧパッド２６の基端側に配置された２つの可動支持部５２と、を備えている。固定支持部５１と可動支持部５２とは、図示しないモータを収容するスピンドル等の固定部材に対して相対的に傾斜可能なチルトテーブル５３に取り付けられている。

【0046】

固定支持部５１は、チルトテーブル５３を固定部材に締結するボルト等である。

【0047】

可動支持部５２は、チルトテーブル５３と固定部材との間に介装されており、例えば、ボールネジを螺進させることによってチルトテーブル５３と固定部材とを離間させる公知のボールネジ機構等である。

【0048】

２つの可動支持部５２、５２がそれぞれ独立してチルトテーブル５３を固定部材に対して遠近移動させることにより、固定支持部５１を支点としてチルトテーブル５３が任意の角度で傾斜する。これにより、ＥＧパッド２６がウェハＷの裏面Ｗａに一様でなく局所的に押圧されることにより、ＥＧ層４３内のスクラッチの密度を部分的に変更することができる。

【0049】

以上説明したように、本発明によるウェハの表面処理装置１０によれば、ＥＧパッド２６に含まれる固定砥粒Ａ１がウェハＷの裏面Ｗａに押し当てられると共に、ＥＧパッド２６から遊離した遊離砥粒Ａ２がＥＧパッド２６上をランダムに転動することにより、ＥＧ層４３内に様々な向きのスクラッチがランダムに形成されるため、ＥＧ層４３内でスクラッチが局所的に疎らになることを抑制して、重金属を高精度で捕捉可能なＥＧ層４３を形成することができる。

【0050】

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。

【産業上の利用可能性】

【0051】

以上説明したように、ウェハＷの裏面２０ｂを加工処理する以外にも、各種の板状表面を処理する装置にも応用できる。

【符号の説明】

【0052】

１０ ウェハの表面処理装置
１１ａ、１１ｂ カセット
１２ａ〜１２ｄ チャック部（基板保持機構）
１３ ターンテーブル
１４ 洗浄ユニット
１５ 搬送ロボット
１６ 粗研削ユニット
１７ 仕上げ研削ユニット
１８ 研磨・テクスチャリングユニット
２０ ＥＧパッドユニット
２１ アーム
２２ モータ
２２ａ 出力軸
２３ パッド支持体
２４ サブパッド
２５ 樹脂性接着剤
２６ ＥＧパッド（表面処理パッド）
２６ａ 加工面
２７ 樹脂性接着剤
２８ 供給ライン
３０ パットドレスユニット
３１ 支持部材
３２ ドレッサヘッド
３３ 研磨層
４３ ＥＧ層
５０ チルト機構
５１ 固定支持部
５２ 可動支持部
５３ チルトテーブル
Ａ１ 固定砥粒
Ａ２ 遊離砥粒

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】