特許 6848944 配線基板の製造方法および配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6848944

(24)【登録日】2021年3月8日

(45)【発行日】2021年3月24日

(54)【発明の名称】配線基板の製造方法および配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/10 20060101AFI20210315BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 3/12 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 3/26 20060101ALI20210315BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20210315BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/10 E

   H05K3/00 N

   H05K3/12 610C

   H05K3/12 610D

   H05K1/11 N

   H05K3/40 K

   H05K3/12 610H

   H05K3/12 610J

   H05K1/03 610Z

   H05K3/26 F

   H05K3/38 A

【請求項の数】24

【全頁数】37

(21)【出願番号】特願2018-161244(P2018-161244)

(22)【出願日】2018年8月30日

(65)【公開番号】特開2020-35896(P2020-35896A)

(43)【公開日】2020年3月5日

【審査請求日】2019年10月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101683

【弁理士】

【氏名又は名称】奥田 誠司

(74)【代理人】

【識別番号】100155000

【弁理士】

【氏名又は名称】喜多 修市

(74)【代理人】

【識別番号】100180529

【弁理士】

【氏名又は名称】梶谷 美道

(74)【代理人】

【識別番号】100125922

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 章子

(74)【代理人】

【識別番号】100184985

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 悠

(72)【発明者】

【氏名】前田 利恵

(72)【発明者】

【氏名】勝又 雅昭

【審査官】 黒田 久美子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−０８０９４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０８２７４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０６０１５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２４４６０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２４１１４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ３／１０−３／１２

Ｈ０５Ｋ １／０３

Ｈ０５Ｋ １／１１

Ｈ０５Ｋ ３／００

Ｈ０５Ｋ ３／２６

Ｈ０５Ｋ ３／３８

Ｈ０５Ｋ ３／４０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１主面を有する基台の前記第１主面に、レーザ光の走査によって第１の幅を有する第１溝構造を形成する第１溝構造形成工程と、
前記第１溝構造形成工程における照射パターンとは異なる照射パターンで前記第１溝構造の内部をレーザ光でさらに照射することにより、前記第１溝構造の内部にドット状の複数の第１凹部を含む凹凸を形成する第１照射工程と、
前記第１溝構造の内部および前記複数の第１凹部の内部を第１導電材料で充填して前記第１溝構造の平面視形状に整合した第１配線パターンを前記第１導電材料から形成する第１配線パターン形成工程と、
を含み、
前記第１溝構造形成工程は、それぞれが前記第１の幅よりも小さな第２の幅を有する複数の第１溝を形成することによって前記第１溝構造を形成する第１溝形成工程を含み、
前記第１照射工程は、それぞれが前記第１の幅よりも小さな第３の幅を有し、かつ前記複数の第１溝に交差する複数の第２溝を前記第１溝構造の内部に形成する第２溝形成工程を含み、
前記複数の第１凹部は、前記複数の第１溝と前記複数の第２溝との交点に位置する、配線基板の製造方法。

【請求項2】

前記第１凹部の直径は、前記第２の幅よりも大きい、請求項１に記載の配線基板の製造方法。

【請求項3】

前記複数の第１溝のピッチは、前記第１凹部の中心間距離の１０％以上１００％以下の範囲である、請求項１に記載の配線基板の製造方法。

【請求項4】

前記第１溝形成工程は、第１方向へのレーザ光の走査により、それぞれが第１方向に沿って延びる前記複数の第１溝を形成する工程を含み、
前記第２溝形成工程は、前記第１方向とは異なる第２方向へのレーザ光の走査により、それぞれが第２方向に沿って延びる前記複数の第２溝を形成する工程を含む、
請求項１から３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

【請求項5】

前記第１配線パターン形成工程は、
前記第１導電材料としての導電性ペーストを印刷により前記第１溝構造の内部および前記複数の第１凹部の内部に配置する印刷工程と、
前記導電性ペーストを硬化させる硬化工程と、
を含む、請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

【請求項6】

前記第１配線パターン形成工程は、
前記硬化工程の後に、硬化後の前記導電性ペーストの表面の研磨により、研磨面を前記基台の前記第１主面に整合させる研磨工程
をさらに含む、請求項５に記載の配線基板の製造方法。

【請求項7】

前記導電性ペーストは、
Ａｕ、ＡｇおよびＣｕからなる群から選択された少なくとも１種と、
樹脂と、
を含有する、請求項５または６に記載の配線基板の製造方法。

【請求項8】

前記基台は、前記第１主面とは反対側に位置する第２主面を有し、
前記基台の前記第２主面に、レーザ光の走査によって第４の幅を有する第２溝構造を形成する第２溝構造形成工程と、
前記第２溝構造形成工程における照射パターンとは異なる照射パターンで前記第２溝構造の内部をレーザ光でさらに照射することにより、前記第２溝構造の内部に凹凸を形成する第２照射工程と、
前記第２溝構造を第２導電材料で充填して前記第２溝構造の平面視形状に整合した第２配線パターンを前記第２導電材料から形成する第２配線パターン形成工程と、
を含む、請求項１から７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

【請求項9】

前記第２照射工程は、ドット状の複数の第２凹部を前記第２溝構造の内部に形成する第２凹部形成工程を含み、
前記第２配線パターン形成工程は、前記複数の第２凹部の内部を前記第２導電材料で充填する第２充填工程を含む、
請求項８に記載の配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記第２溝構造形成工程は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第５の幅を有する複数の第３溝を形成することによって前記第２溝構造を形成する第３溝形成工程を含み、
前記第２凹部の直径は、前記第５の幅よりも大きい、請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項11】

前記第２溝構造形成工程は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第５の幅を有する複数の第３溝を形成することによって前記第２溝構造を形成する第３溝形成工程を含み、
前記複数の第３溝のピッチは、前記第２凹部の中心間距離の１０％以上１００％以下の範囲である、請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【請求項12】

前記第２溝構造形成工程は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第５の幅を有する複数の第３溝を形成することによって前記第２溝構造を形成する第３溝形成工程を含み、
前記第２照射工程は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第６の幅を有する複数の第４溝を前記第２溝構造の内部に形成する第４溝形成工程を含む、
請求項８に記載の配線基板の製造方法。

【請求項13】

前記第２溝構造形成工程と前記第２照射工程との間に、レーザ光の照射により、前記第２主面側の前記第２溝構造と前記第１主面側の前記第１溝構造とを結ぶ貫通孔を形成する貫通孔形成工程をさらに含み、
前記第２配線パターン形成工程は、
前記第２導電材料としての導電性ペーストを前記貫通孔の内部に配置する第２導電材料配置工程と、
前記貫通孔の内部に配置された前記導電性ペーストを硬化させることにより、前記第１主面側の前記第１配線パターンを前記第２主面側の前記第２配線パターンに接続するビアを形成するビア形成工程と、
を含む、請求項８から１２のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

【請求項14】

前記基台は、前記レーザ光を吸収する材料を含有する、樹脂基板またはセラミック基板である、請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

【請求項15】

第１の幅を有する第１溝構造が設けられた第１主面を有する基台と、
前記第１溝構造内に配置された第１配線パターンと、
を備え、
前記第１溝構造は、それぞれが前記第１の幅よりも小さな第２の幅を有する複数の第１溝の集合によって構成された第１底面を含み、
前記第１底面は、
それぞれが前記第１の幅よりも小さな第３の幅を有し、かつ、それぞれが前記複数の第１溝の延びる方向とは異なる方向に延びる複数の第２溝と、
ドット状の複数の第１凹部と、
をさらに有し、
前記複数の第１凹部は、前記複数の第１溝と前記複数の第２溝との交点に位置し、
前記複数の第１凹部の底は、前記複数の第１溝の底および前記複数の第２溝の底よりも深い位置にある、配線基板。

【請求項16】

前記第１凹部の直径は、前記第２の幅よりも大きい、請求項１５に記載の配線基板。

【請求項17】

前記複数の第１溝のピッチは、前記第１凹部の中心間距離の１０％以上１００％以下の範囲である、請求項１５に記載の配線基板。

【請求項18】

前記第１配線パターンは、樹脂を含有し、
前記第１配線パターンの表面は、前記基台の前記第１主面に概ね整合している、請求項１５から１７のいずれかに記載の配線基板。

【請求項19】

前記基台は、前記第１主面とは反対側に、第４の幅を有する第２溝構造が設けられた第２主面を有し、
前記第２溝構造内に配置された第２配線パターンをさらに備え、
前記第２溝構造は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第５の幅を有する複数の第３溝の集合によって構成された第２底面を含み、
前記第２底面は、ドット状の複数の第２凹部をさらに有する、請求項１５から１８のいずれかに記載の配線基板。

【請求項20】

前記第２凹部の直径は、前記第５の幅よりも大きい、請求項１９に記載の配線基板。

【請求項21】

前記複数の第３溝のピッチは、前記第２凹部の中心間距離の１０％以上１００％以下の範囲である、請求項１９に記載の配線基板。

【請求項22】

前記基台は、前記第１主面とは反対側に、第４の幅を有する第２溝構造が設けられた第２主面を有し、
前記第２溝構造内に配置された第２配線パターンをさらに備え、
前記第２溝構造は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第５の幅を有する複数の第３溝の集合によって構成された第２底面を含み、
前記第２底面は、それぞれが前記第４の幅よりも小さな第６の幅を有し、かつ、それぞれが前記複数の第３溝の延びる方向とは異なる方向に延びる複数の第４溝をさらに有する、請求項１５から１８のいずれかに記載の配線基板。

【請求項23】

前記基台は、前記第１主面側の前記第１配線パターンを前記第２主面側の前記第２配線パターンに接続するビアを前記基台の内部に有する、請求項１９から２２のいずれかに記載の配線基板。

【請求項24】

前記基台は、レーザ光を吸収する材料を含有する、樹脂基板またはセラミック基板である、請求項１５から２３のいずれかに記載の配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、配線基板の製造方法および配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

所望の電子回路を得るための、電子部品の支持体としてプリント配線板（printed wiring board）が広く用いられている。プリント配線板は、絶縁基板と、絶縁基板上の配線パターンとを有する。この配線パターンは、一般に、絶縁基板上に堆積された導電膜のエッチングによるパターニングによって形成される。

【0003】

他方、下記の特許文献１は、支持基板としてのガラス基板の表面に、紫外線レーザの照射によって凹部を形成した後、凹部に導電性インクを付与して硬化させることによって凹部の内部に配線を形成する技術を開示している。下記の特許文献２は、レーザを用いて絶縁体シートに溝および貫通孔を形成してこれらの構造の内部に導電ペーストを配置することにより、支持基板を貫通するビアを有する配線基板を得る技術を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５−０２９０３１号公報

【特許文献2】特開２００６−０６０１５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

簡易な工程で作製でき、信頼性の向上された配線基板を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の配線基板の製造方法は、第１主面を有する基台の前記第１主面に、レーザ光の走査によって第１の幅を有する第１溝構造を形成する第１溝構造形成工程と、前記第１溝構造形成工程における照射パターンとは異なる照射パターンで前記第１溝構造の内部をレーザ光でさらに照射する第１照射工程と、前記第１溝構造を第１導電材料で充填して前記第１溝構造の平面視形状に整合した第１配線パターンを前記第１導電材料から形成する第１配線パターン形成工程とを含む。

【発明の効果】

【0007】

例えば支持体からの配線パターンの剥離が抑制されることにより、配線基板の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示のある実施形態による、配線基板の例示的な製造方法を示すフローチャートである。

【図2】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法を説明するための斜視図である。

【図3】第１溝構造１１０の形成後の基台１００Ｓの一例を示す模式的な平面図である。

【図4】図３に示す状態から第１溝構造１１０の内部をレーザ光でさらに照射した後の状態を示す模式的な平面図である。

【図5】図４に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して示す模式的な断面図である。

【図6】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。

【図7】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法を説明するための模式的な平面図である。

【図8】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法における付加的な研磨工程を説明するため模式図である。

【図9】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法の変形例を説明するための図であり、第１溝構造１１０の形成時とは異なる照射パターンで第１溝構造１１０の内部をレーザ光のビームＬＢで照射した後の状態を示す模式的な平面図である。

【図10】図９に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して示す模式的な断面図である。

【図11】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。

【図12】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式的な平面図である。

【図13】本開示のある実施形態による配線基板の製造方法のさらなる変形例を説明するための模式的な平面図である。

【図14】本開示の他のある実施形態による、配線基板の例示的な製造方法の一部を示すフローチャートである。

【図15】本開示の他のある実施形態による配線基板の製造方法を説明するための斜視図である。

【図16】第２溝構造１２０の形成後の基台１００Ｓの一例を示す模式的な平面図である。

【図17】図１６に示す状態から第２溝構造１２０の内部をレーザ光でさらに照射した後の状態を示す模式的な平面図である。

【図18】本開示の他のある実施形態による配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。

【図19】本開示の他のある実施形態による配線基板の製造方法を説明するための模式的な平面図である。

【図20】図１９に示す平面図に対応する模式的な断面図である。

【図21】本開示の他のある実施形態による配線基板の製造方法の変形例を説明するための図であり、第２溝構造１２０を形成した後、第２溝構造１２０の形成時とは異なる照射パターンで第２溝構造１２０の内部をレーザ光のビームＬＢで照射した後の状態を示す模式的な平面図である。

【図22】図２１に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して示す模式的な断面図である。

【図23】図２２に示す状態から第２配線パターンを形成した状態を示す模式的な断面図である。

【図24】本開示の実施形態２による配線基板のさらなる変形例を示す模式的な断面図である。

【図25】図２４に示す配線基板１００Ｅの例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。

【図26】図２４に示す配線基板１００Ｅの例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。

【図27】図２４に示す配線基板１００Ｅの例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。

【図28】図２４に示す配線基板１００Ｅの例示的な製造方法を説明するための模式的な断面図である。

【図29】貫通孔１５０ｐの内側面に選択的に導電ペースト１３０ｒを付与した変形例を示す模式的な断面図である。

【図30】第２溝構造１２０の形成の前に基台１００Ｓに貫通孔１５０ｑを形成した変形例を示す模式的な断面図である。

【図31】実施例１−１のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図32】実施例１−１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図33】実施例１−２のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図34】実施例１−２のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図35】実施例１−３のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図36】実施例１−３のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図37】実施例１−４のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図38】実施例１−４のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図39】参考例１−１のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示すである。

【図40】参考例１−１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図41】導電ペーストの充填前の第２部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図42】第２部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図43】導電ペーストの充填前の第３部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図44】第３部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図45】導電ペーストの充填前の第４部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図46】第４部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図47】実施例２−１のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図48】実施例２−１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図49】実施例２−２のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図50】実施例２−２のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図51】実施例２−３のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図52】実施例２−３のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図53】実施例２−４のサンプルの第１底面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図54】実施例２−４のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図55】参考例２−１のサンプルに関する断面プロファイルを示す図である。

【図56】導電ペーストの充填前の第６部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図57】第６部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図58】導電ペーストの充填前の第８部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図59】第８部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図60】導電ペーストの充填前の第９部分の顕微鏡画像を示す図である。

【図61】第９部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する顕微鏡画像を示す図である。

【図62】実施例３−３のサンプルに関する、導電ペースト充填前の第１底面の顕微鏡画像を示す図である。

【図63】実施例３−３のサンプルに関する、テープ剥離後の第１配線パターンの外観を示す平面図である。

【図64】比較例３−１のサンプルに関する、導電ペースト充填前の第１底面の顕微鏡画像を示す図である。

【図65】比較例３−２のサンプルに関する、テープ剥離後の第１配線パターンの外観を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による配線基板およびその製造方法は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。

【0010】

図面が示す構成要素の寸法、形状等は、わかり易さのために誇張されている場合があり、実際の透光性部材、発光装置、および、製造装置における、寸法、形状および構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。

【0011】

以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等が０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。また、本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等が９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。

【0012】

（配線基板の製造方法の実施形態１）
図１は、本開示のある実施形態による、配線基板の例示的な製造方法を示す。図１に示す配線基板の製造方法は、概略的には、レーザ光の走査によって基台の主面に溝構造を形成する工程（ステップＳ１）と、溝構造形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで溝構造の内部をレーザ光でさらに照射する工程（ステップＳ２）と、溝構造を第１導電材料で充填して第１配線パターンを第１導電材料から形成する工程（ステップＳ３）とを含む。以下、それぞれの工程の詳細を説明する。

【0013】

（第１溝構造形成工程（Ａ））
まず、主面を有する基台を準備する。ここでは、図２に示すような、第１主面としての上面１００ａを有する基台１００Ｓを例示する。なお、図２には、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印があわせて図示されている。本開示の他の図面においてもこれらの方向を示す矢印を図示することがある。

【0014】

この例では、上面１００ａに垂直に基台１００Ｓを見たときの基台１００Ｓの外形は、矩形状であり、矩形状の辺は、図中に示すＸ方向およびＹ方向に一致している。しかしながら、基台１００Ｓの外形が矩形状であることは必須ではなく、基台１００Ｓは、任意の形状を有していてよい。以下では、基台１００Ｓとして、上面１００ａの反対側に位置する第２主面としての下面１００ｂを有する板状の部材を用いる例を説明する。基台１００Ｓの上面１００ａおよび下面１００ｂは、典型的には平坦面である。しかしながら、基台１００Ｓの上面１００ａおよび下面１００ｂは、平坦面に限定されず、上面１００ａおよび下面１００ｂの一方または両方が、少なくとも一部に曲面を含んでいたり、段差を有していたりしていてもかまわない。

【0015】

基台１００Ｓとしては、例えば、ＡＮＳＩ・ＮＥＭＡ規格において規定されている各種の基板を適用し得る。特に、ガラス繊維強化樹脂基板（ガラスエポキシ基板）等の樹脂基板、および、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シリコーン等の樹脂フィルムで構成されたフレキシブル基板、ならびに、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等のセラミック基板を基台１００Ｓとして好適に用いることができるが、基台１００Ｓは、これらの例に限定されない。基台１００Ｓは、購入によって準備されてもよいし、グリーンシートの焼成等によって準備されてもよい。

【0016】

次に、基台の主面をレーザ光で照射し、レーザ光の走査によって基台の主面に溝構造を形成する（図１のステップＳ１）。レーザ光の照射には、公知のレーザアブレーション装置を適用できる。図２では、レーザ光源３１０およびガルバノミラー３２０を含むレーザアブレーション装置３００を適用した例を模式的に示している。レーザアブレーション装置３００中のガルバノミラーの個数は、２以上であり得る。レーザ光源３１０の例は、ＣＯ_２レーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４レーザ等である。あるいは、５３２ｎｍの波長を有するレーザを出力する、グリーンレーザと呼ばれるレーザ光源をレーザ光源３１０として用いることも可能である。

【0017】

この工程において、基台１００Ｓの上面１００ａをレーザ光のビームＬＢで走査する。レーザ光のビームＬＢの走査により、基台１００Ｓの上面１００ａ側の一部が除去され、図２に模式的に示すように、第１の幅Ｗ１を有する第１溝構造１１０が上面１００ａに形成される。このとき、レーザ光を吸収する材料が基台１００Ｓ中に分散されていると、レーザ光を効率的に基台１００Ｓに吸収させて基台１００Ｓの表面の部分的な除去を効率的に行い得るので有益である。レーザ光を吸収する材料の典型例は、着色材である。例えば、レーザ光源３１０として、中心波長が紫外域にあるＵＶレーザを用いる場合、二酸化チタン、カーボン、硫酸バリウム、酸化亜鉛等のフィラーを、レーザ光を吸収する材料として基台１００Ｓ中に分散させ得る。レーザ光源３１０にグリーンレーザを適用した場合には、カーボン、酸化ニッケル、酸化鉄（III）等をフィラーに用いることができ、中心波長が赤外域にあるＩＲレーザを適用した場合には、カーボン、硫酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化アルミニウム、タングステン複合酸化物等をフィラーに用い得る。

【0018】

ここでは、ビームＬＢをある方向（第１方向）に走査することにより、基台１００Ｓの上面１００ａ側に、それぞれが第１方向に沿って延びる複数の第１溝１１１を形成することにより、上述の第１溝構造１１０を形成する。なお、図２は、第１溝構造１１０の形成の途中の状態を模式的に示している。ビームＬＢの走査には、図２の例のようにガルバノミラーを利用してもよいし、石英ガラス等のステージ上に基台１００Ｓを配置して、ステージをＸＹ面内で移動させながらレーザ光の照射を実行してもよい。図２に示す例では、第１方向は、図中のＸ方向およびＹ方向のいずれとも異なる。しかしながら、ビームＬＢの走査方向は、任意であり、第１方向がＸ方向またはＹ方向に一致していてもよい。

【0019】

適当なピッチで複数の第１溝１１１を形成することにより、図２に模式的に示すように、基台１００Ｓの上面１００ａに、複数の第１溝１１１の集合によって規定される底部を有する第１溝構造１１０を形成することができる。図２に示す例では、第１溝構造１１０は、第１方向とは異なる方向に延び、かつ、第１の幅Ｗ１を有する部分を含む。ここで、第１の幅Ｗ１は、第１溝構造１１０のうち、着目した部分が延びる方向に直交する方向に測った長さである。第１溝構造１１０の形成の上記の原理から理解されるように、第１の幅Ｗ１は、複数の第１溝１１１のそれぞれの幅である第２の幅よりも大きい。

【0020】

図３は、第１溝構造１１０の形成後の基台１００Ｓの一例を示す。図３に示す例では、第１溝構造１１０は、３つの分枝を有する第１の部分１１０Ａと、Ｙ字形の第２の部分１１０Ｂとを含む形で基台１００Ｓの上面１００ａに形成されている。基台１００Ｓの上面１００ａの法線方向から見たときの第１溝構造１１０の形状は、任意である。第１溝構造１１０は、図３に示す例えば第１の部分１１０Ａのように、分岐、屈曲等を含んでいてもよいし、第１溝構造１１０の延びる方向に沿って幅の異なる領域を含んでいてもよい。図３に示す例のように、第１溝構造１１０が複数の部分を含む場合には、各部分の形状、配置、および、それら複数の部分の数も任意である。図３に例示する第１溝構造１１０の形状は、あくまで説明のための例示に過ぎず、第１溝構造１１０の形状が、図示された形状に限定されないことは、言うまでもない。

【0021】

上述したように、第１溝構造１１０の底部を構成する複数の第１溝１１１の各々は、第１方向に沿って延びる。図３では、この第１方向を両矢印ｄ１で示している。第１溝１１１の各々は、典型的には、レーザスポットの一部を重ねるようにしてレーザ光を第１方向に沿ってパルス照射することによって形成される。したがって、第１溝構造１１０の延びる方向は、第１方向、すなわち、第１溝１１１の延びる方向による制約を受けない。なお、隣接する２つの第１溝１１１の間で、これらの形成時におけるレーザスポットの移動の方向は、共通であってもよいし、反平行（すなわち、往復動）であってもよい。

【0022】

（第１照射工程（Ｂ））
次に、第１溝構造形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで第１溝構造の内部をレーザ光でさらに照射する（図１のステップＳ２）。例えば、第１溝構造１１０の底部にレーザ光のビームＬＢをパルス照射することにより、第１溝構造１１０の底部に複数の凹部を形成する。

【0023】

図４は、図３に示す状態から第１溝構造１１０の内部をレーザ光でさらに照射した後の状態を模式的に示す。この例では、第１溝構造１１０の底部に対するレーザ光の照射により、第１溝構造１１０の底部にドット状の複数の凹部を形成している。以下では、これらの複数の凹部を「第１凹部１１１ｄ」と呼ぶ。

【0024】

このように、第１溝構造１１０の底部を構成する複数の第１溝１１１の集合に重ねてレーザ光のビームＬＢをパルス照射することにより、第１溝構造１１０の内部に例えば複数の第１凹部１１１ｄを形成することができる。図４に模式的に示すように、第１凹部１１１ｄは、各第１溝１１１の幅（第２の幅）よりも大きい直径を有し得る。なお、図４では、説明の便宜のために第１凹部１１１ｄを誇張して大きく描いている。以降の図においても第１凹部１１１ｄ等を誇張して図示することがある。

【0025】

ここでは、複数の第１凹部１１１ｄを三角格子状に配置している。もちろん、複数の第１凹部１１１ｄの配置は、任意である。典型的には、第１凹部１１１ｄは、均一な密度となるように第１溝構造１１０の底部に形成される。２つの第１凹部１１１ｄの中心間距離に対して、上述の複数の第１溝１１１は、例えば１０％以上１００％以下の範囲のピッチを有し得る。

【0026】

第１溝構造１１０の底部へのさらなるレーザ光の照射の工程における照射パターンは、第１溝構造１１０の形成の際の照射パターンとは異なる。例えば、上述の第１方向に交差する第２方向（図４中に両矢印ｄ２で示す）に沿って第１溝構造１１０の底部をレーザ光で間欠的に照射することにより、第２方向に並ぶ複数の第１凹部１１１ｄを第１溝構造１１０の底部に形成することができる。この走査を繰り返すことにより、第１溝構造１１０の底部に例えば三角格子状に複数の第１凹部１１１ｄを形成できる。第２方向としては例えば第１方向に直交する方向を選ぶことができる。ただし、第２方向が第１方向に直交していることは必須ではない。

【0027】

なお、この工程におけるレーザ光の走査の方向は、上述の第１方向とは異なる方向に限定されない。すなわち、複数の第１凹部１１１ｄの形成におけるレーザ光の走査の方向は、第１方向に一致していてもよい。本明細書における「照射パターンが異なる」とは、レーザスポットの移動の軌跡が異なるような動作に限定されず、１回目のレーザ光照射の工程と２回目のレーザ光照射の工程との間でレーザスポットの移動の軌跡（あるいはステージに対するレーザヘッドの相対的な移動の軌跡）を共通としながら、レーザの出力、パルス間隔等を互いに異ならせるような動作をも包含するように広く解釈される。

【0028】

図５は、図４に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して模式的に示す。図４に示す断面は、複数の第１溝１１１の延びる第１方向に垂直な平面で基台１００Ｓを切断したときの断面に相当する。図５に模式的に示すように、第１溝構造１１０は、複数の第１溝１１１の集合によって形成される第１底面１１０ｂを含む。複数の第１溝１１１の各々は、第２の幅Ｗ２を有する。ここで、第２の幅Ｗ２は、第１溝構造１１０の第１の幅Ｗ１よりも小さい。

【0029】

第１溝構造１１０の第１底面１１０ｂの位置は、互いに隣接する２つの第１溝１１１の間に形成される複数の頂部の位置に概ね一致する。第１溝構造１１０の第１底面１１０ｂから基台１１０Ｓの上面１００ａまでの距離、換言すれば、第１溝構造１１０の深さＤｐ１は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲であり得る。

【0030】

例えば１以上の第１溝１１１に重ねてレーザ光を照射することにより、第１底面１１０ｂの一部をさらに除去でき、より深い部分として複数の第１凹部１１１ｄを第１底面１１０ｂに形成し得る。なお、複数の第１凹部１１１ｄ形成の工程におけるレーザの出力は、第１溝構造１１０形成の工程におけるレーザの出力に一致していてもよいし、より高くてもよい。

【0031】

複数の第１凹部１１１ｄに、深さの異なる凹部を混在させてもよい。例えば、深さの異なるドット状の凹部を交互に二次元に形成することにより、後述する導電材料に対してより強力なアンカー効果を発揮させ得る。

【0032】

（第１配線パターン形成工程（Ｃ））
次に、第１溝構造を第１導電材料で充填して第１配線パターンを第１導電材料から形成する（図１のステップＳ３）。ここでは、図６に模式的に示すように、第１溝構造１１０を第１導電材料としての導電ペースト１３０ｒで充填する。図６では、スキージ１９０を用いた印刷によって第１溝構造１１０の内部に導電ペースト１３０ｒを配置する例を示している。導電ペースト１３０ｒとしては、エポキシ樹脂等の母材にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の粒子を分散させた材料を用いることができる。例えば、公知のＡｕペースト、ＡｇペーストまたはＣｕペーストを導電ペースト１３０ｒとして用い得る。導電ペースト１３０ｒは、溶剤を含んでいてもかまわない。導電ペースト１３０ｒに代えて、導電ペースト１３０ｒに代えて、例えば、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだに銅粉が含有された合金材料を第１導電材料として用いてもよい。

【0033】

まず、第１溝構造１１０の内部あるいは基台１１０Ｓの上面１００ａ上に導電ペースト１３０ｒを付与し、図６に太い矢印ＭＶで示すようにスキージ１９０を上面１００ａ上で移動させる。このとき、導電ペースト１３０ｒの一部が第１溝１１１の内部および第１凹部１１１ｄの内部に入り込む。すなわち、第１溝１１１の内部および第１凹部１１１ｄの内部が導電ペースト１３０ｒで充填される。

【0034】

スキージ１９０の移動により、基台１００Ｓ上に付与された導電ペースト１３０ｒのうち基台１００Ｓの上面１００ａよりも盛り上がった部分が除去される。導電ペースト１３０ｒのうち不要な部分を除去することにより、導電ペースト１３０ｒの表面１３０ｒａを基台１００Ｓの上面１００ａに概ね揃えることができる。

【0035】

基台１００Ｓへの導電ペースト１３０ｒの付与の方法は、スキージを用いた方法に限定されない。導電ペースト１３０ｒの付与には、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、エアロゾルジェット法等の各種の印刷法を適用し得る。もちろん、印刷法以外の方法により、基台１００Ｓに導電ペースト１３０ｒを付与してもよい。

【0036】

その後、第１溝構造１１０の内部に配置された導電ペースト１３０ｒを加熱または光の照射によって硬化させる。導電ペースト１３０ｒの硬化により、図７に模式的に示すように、基台１００Ｓの上面１００ａの法線方向から見たときの第１溝構造１１０の形状に整合した形状を有する第１配線パターン１３１を導電ペースト１３０ｒから形成することができる。以上の工程により、第１配線パターン１３１を上面１００ａ側に有する配線基板１００Ａが得られる。

【0037】

導電ペースト１３０ｒを硬化させた状態で導電ペースト１３０ｒの表面が基台１００Ｓの上面１００ａから盛り上がっている場合等には、必要に応じて、導電ペースト１３０ｒの硬化後に付加的に研磨工程を実施してもよい。図８に示す例では、グラインダ装置等に取り付けられた研削砥石２００を用いて、硬化後の導電ペースト１３０ｒの表面および基台１００Ｓの上面１００ａを研磨している。研磨により、研磨面である第１配線パターン１３１の上面１３１ａを基台１００Ｓの上面１００ａに整合させ得る。また、基台１００Ｓの上面１００ａに付着した導電ペースト１３０ｒの残渣を除去することができる。必要に応じて、硬化後の導電ペースト１３０ｒ上に銅めっきの層またはニッケル−金めっきの層を形成してもよい。

【0038】

本実施形態によれば、任意の形状を有する配線パターンが形成された配線基板を比較的簡易な工程によって得ることができる。上記から明らかなように、第１配線パターン１３１の形状は、第１溝構造１１０の形状によって決定される。第１溝構造１１０は、レーザ光の照射によって形成されるので、第１配線パターン１３１の形状に関して高い自由度が得られる。５μｍ以上５０μｍ以下程度の比較的深い第１溝構造を形成することもできるので、エッチングを伴うパターニングと比較して、配線パターンの厚さに関する制御が容易であり、特に、高アスペクト比を有する配線を形成することができる。アスペクト比の増大は、配線抵抗の低減に有利である。本実施形態の手法によれば、高精度の細線の形での配線の形成も比較的容易である。また、第１導電材料としての導電ペーストの硬化によって第１配線パターン１３１を形成できるので、エッチングの工程を不要とできる。したがって、廃液の処理に関するコストが生じない。

【0039】

さらに、上記の例では、第１溝構造１１０の形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで第１溝構造１１０の内部をレーザ光でさらに照射している。２回目のレーザ光の照射により、複数の第１溝１１１を含む第１底面１１０ｂに複数の第１凹部１１１ｄ等の凹凸をさらに形成することができる。上述したように、典型的には、複数の第１凹部１１１ｄの内部に第１導電材料が配置されるので、第１配線パターン１３１も、一般に、その一部が複数の第１凹部１１１ｄの内部に位置するような断面形状を有する。第１底面１１０ｂよりも深い複数の第１凹部１１１ｄの内部に第１配線パターン１３１の一部が位置することにより、第１配線パターン１３１および基台１００Ｓの界面の面積が増大する。第１配線パターン１３１および基台１００Ｓの界面面積の増大によって、より強力なアンカー効果が得られる。これにより、基台１００Ｓからの第１配線パターン１３１の剥離を抑制できる。すなわち、より信頼性が向上された配線基板を提供することが可能になる。なお、第１導電材料の配置の前に第１溝構造１１０の内部にシランカップリング剤を付与することにより、第１配線パターン１３１の剥離を抑制する効果をさらに向上させることができる。

【0040】

図８を参照しながら説明したように、導電性ペーストの硬化後に付加的に研磨工程を実施することにより、第１配線パターン１３１の上面１３１ａを基台１００Ｓの上面１００ａに整合させ得る。したがって、基台１００Ｓの上面１００ａからの配線の盛り上がりが回避された、より薄い配線基板を提供することができる。導体膜のエッチングにより形成される従来のプリント配線板の配線が、配線を支持する基板の表面から突出していることに対し、本開示の典型的な実施形態では、配線パターンの表面は、基台の表面と同じか、さらに低い位置にある。すなわち、高アスペクトかつ微細な配線を有する薄型の配線基板を有利に提供し得る。第１配線パターン１３１の上面１３１ａおよび基台１００Ｓの上面１００ａをほぼ同一平面内とすることも容易であり、実装性に優れた配線基板を提供することができる。

【0041】

（変形例）
図４等を参照しながら説明した前述の例では、第１溝構造１１０の第１底面１１０ｂへのさらなるレーザ光の照射により、第１底面１１０ｂにドット状の複数の第１凹部１１１ｄを形成している。しかしながら、第１底面１１０ｂへのさらなるレーザ光の照射の工程における照射パターンは、前述の例に限定されず、例えば、第２方向に沿った走査により、第１底面１１０ｂに複数の第２溝を形成してもよい。

【0042】

図９は、前述の実施形態１の変形例を示す図であり、第１溝構造１１０を形成した後、第１溝構造１１０の形成時とは異なる照射パターンで第１溝構造１１０の内部をレーザ光のビームＬＢで照射した後の状態を模式的に示す。図９に示す例では、第１底面１１０ｂ上でレーザ光のビームＬＢを第２方向に走査することにより、それぞれが第２方向に延びる、前述の第１溝１１１と同様の複数の第２溝１１２を第１溝構造１１０の内部にさらに形成している。

【0043】

ここで、第２方向は、第１方向とは異なる方向であり、典型的には、第１方向に直交する方向である。ただし、第２方向は、第１方向に直交する方向に限定されず、第２方向としては第１方向以外の任意の方向を選択し得る。複数の第１溝１１１に重ねて複数の第２溝１１２を形成することにより、結果として、第１溝１１１と第２溝１１２とが交差する位置に、より深い部分を形成することができる。これら相対的に深い部分は、複数の第１凹部１１１ｄに似たドット状の凹部であり得る。

【0044】

図１０は、図９に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して示す図であり、複数の第２溝１１２の延びる第２方向に垂直な平面で基台１００Ｓを切断したときの断面を模式的に示している。第１溝構造１１０が、複数の第１溝１１１の集合によって形成される第１底面１１０ｂを含む点は、前述の例と同様であるが、ここでは、レーザ光の走査を利用した基台１００Ｓの部分的な除去により、第１底面１１０ｂに複数の第２溝１１２がさらに形成されている。この例では、複数の第１溝１１１に重ねて複数の第２溝１１２を形成することにより、第１溝１１１と第２溝１１２とが交差する位置に、より深い部分が形成されている。以下では、これらのより深い部分を、便宜的に「第１凹部１１２ｄ」と呼ぶことがある。

【0045】

複数の第２溝１１２の各々は、第３の幅Ｗ３を有する。第３の幅Ｗ３は、第１溝構造１１０の第１の幅Ｗ１よりも小さい。複数の第２溝１１２形成の工程におけるレーザの出力、パルスの間隔等の設定値は、複数の第１溝１１１形成の工程における設定値と共通であってもよいし、異なっていてもよい。第２溝１１２の配置ピッチも、第１溝１１１の配置ピッチと同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0046】

第２方向に沿って間隔をあけてレーザ光のビームＬＢを照射することによって複数の第１凹部１１１ｄを形成することに代えて、この例のように、さらなるレーザ光の照射により、複数の第１溝１１１の延びる方向（すなわち、第１方向）とは異なる方向に延びる複数の第２溝１１２を形成してもよい。本実施形態によれば、照射パターンを変えたレーザ光の照射により、第１溝構造１１０の底部に任意のパターンを比較的容易に形成することができる。この例のように、それぞれが第１の幅Ｗ１よりも小さな幅を有する複数の第２溝１１２を第１底面１１０ｂに形成して、底部にグリッド状の凹凸を有する第１溝構造１１０を得ることにより、アンカー効果の向上が期待できる。すなわち、基台１００Ｓからの第１配線パターン１３１の剥離を抑制して、配線基板の信頼性を向上させ得る。

【0047】

特に、図１０に示すように、複数の第１溝１１１に重ねて、これらに交差する複数の第２溝１１２を第１底面１１０ｂに形成することにより、第１溝１１１および第２溝１１２の交差する部分に、これらの溝よりも深い第１凹部１１２ｄを形成可能である。このような第１凹部１１２ｄの形成により、ドット状の複数の第１凹部１１１ｄを形成した場合と同様に、アンカー効果をより向上させ得る。また、この例でも第１導電材料の配置の前に第１溝構造１１０の内部にシランカップリング剤を付与しておくことにより、第１配線パターン１３１の剥離を抑制するの効果を向上させることができる。

【0048】

複数の第２溝１１２の形成後の工程は、図６および図７を参照しながら説明した前述の例と同様であり得る。すなわち、複数の第２溝１１２の形成後、図１１に模式的に示すように、第１溝構造１１０の内部を第１導電材料、例えば導電ペースト１３０ｒで充填する。このとき、第１凹部１１２ｄの内部が導電ペースト１３０ｒで充填される。

【0049】

基台１００Ｓへの導電ペースト１３０ｒの付与後、導電ペースト１３０ｒを硬化させることにより、図７の例と同様に、第１溝構造１１０に整合した形状を有する第１配線パターン１３１を含む配線基板１００Ｂを得ることができる（図１２参照）。配線基板１００Ｂにおいて、第１溝構造１１０の第１底面１１０ｂは、複数の第１溝１１１に加えて、それぞれが複数の第１溝１１１の延びる方向とは異なる方向に延びる複数の第２溝１１２を含む。図８を参照して説明した例と同様に、必要に応じて、硬化後の導電ペースト１３０ｒの表面および基台１００Ｓの上面１００ａを研磨してもよい。

【0050】

なお、上述の各例では、第１方向に沿ったレーザ光の走査により、複数の第１溝１１１を形成している。しかしながら、第１溝構造１１０の形成におけるレーザスポットの移動の軌跡は、単一の方向に沿った直線的な移動の繰り返しに限定されない。例えば、図１３に破線の円および実線の矢印で模式的に示すように、レーザスポットがジグザグに移動するようにレーザ光を走査することによって基台１００Ｓの表面の部分的な除去を実行し、第１溝構造１１０を形成してもよい。また、第１溝１１１は、互いに平行な直線状の複数の溝の形に限定されず、平面視において同心円状、同心の多重の多角形状、渦巻き状等の溝の形であってもよい。

【0051】

（配線基板の製造方法の実施形態２）
基台１００Ｓの上面１００ａ側に第１配線パターン１３１を形成した後、上記と同様の方法により、基台１００Ｓの下面１００ｂ側にさらに配線パターンを形成してもよい。基台１００Ｓの下面１００ｂ側にさらに配線パターンを形成することにより、例えば、両面基板を得ることができる。

【0052】

図１４は、本開示の他のある実施形態による、配線基板の例示的な製造方法の一部を示す。図１４に例示する配線基板の製造方法は、レーザ光の走査によって基台の他方の主面に第２溝構造を形成する工程（ステップＳ４）と、第２溝構造形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで第２溝構造の内部をレーザ光でさらに照射する工程（ステップＳ５）と、第２溝構造を第２導電材料で充填して第２配線パターンを第２導電材料から形成する工程（ステップＳ６）とを含む。以下、それぞれの工程の詳細を説明する。

【0053】

（第２溝構造形成工程（Ｄ））
図１４に示す各ステップは、図１を参照して説明したステップＳ１〜Ｓ３の実行後に実行され得る。例えば、上述の手順に従い作製された配線基板１００Ａを準備する。配線基板１００Ａに代えて、図１２に示す配線基板１００Ｂを用いてもよい。

【0054】

次に、図２を参照して説明した例と同様にして、基台１００Ｓの他方の主面である下面１００ｂ（第２主面）をレーザ光で照射し、レーザ光の走査によって下面１００ｂに第２溝構造を形成する（図１４のステップＳ４）。例えば、図２を参照して説明した例と同様にレーザアブレーション装置３００を用い、基台１００Ｓの下面１００ｂをレーザ光のビームＬＢで走査する。レーザ光のビームＬＢの走査により、基台１００Ｓの下面１００ｂ側の一部が除去され、図１５に模式的に示すように、第４の幅Ｗ４を有する第２溝構造１２０が下面１００ｂに形成される。ここで、第２溝構造１２０に関する第４の幅Ｗ４は、第２溝構造１２０のうち、着目した部分が延びる方向に直交する方向に測った長さを意味する。

【0055】

基台１００Ｓの下面１００ｂ上でビームＬＢをある方向、例えば、第３方向に走査することにより、図１５に模式的に示すように、それぞれが第３方向に沿って延びる複数の第３溝１２３を基台１００Ｓの下面１００ｂ側に形成することができる。図１５は、第２溝構造１２０の形成の途中の状態を模式的に示している。複数の第３溝１２３の形成の工程におけるビームＬＢの走査の方向である第３方向は、上述の第１方向または第２方向と平行であってもよいし、これらのいずれとも異なる方向であってもよい。

【0056】

ここでは、基台１００Ｓの上面１００ａ側への第１溝構造１１０の形成と同様に、レーザ光のビームＬＢの走査によって複数の第３溝１２３を形成する。それぞれが第３方向に沿って延びる複数の第３溝１２３を適当なピッチで形成することにより、複数の第３溝１２３の集合によって規定される底部を有する第２溝構造１２０を形成することができる。

【0057】

図１５に示す例では、第２溝構造１２０は、第３方向とは異なる方向に延び、かつ、第４の幅Ｗ４を有する部分を含む。第２溝構造１２０の形成の原理から容易に理解されるように、各第３溝１２３が第５の幅Ｗ５を有するとすれば（後述の図１８を参照）、第５の幅Ｗ５は、第２溝構造１２０の第４の幅Ｗ４よりも小さい。

【0058】

図１６は、第２溝構造１２０の形成後の基台１００Ｓの一例を示す。図１６では、複数の第３溝１２３の延びる第３方向を両矢印ｄ３で模式的に示す。図１６に例示する構成において、第２溝構造１２０は、上述の第３方向とは異なる方向に延びる概ね直線状の形状を有する。図１６に模式的に示すように、この例では、基台１００Ｓの下面１００ｂ側の第２溝構造１２０の一部は、基台１００Ｓの上面１００ａ側に位置する第１溝構造１１０に重なっている。もちろん、第２溝構造１２０の平面視における形状は、上述の第１溝構造１１０と同様に任意である。第２溝構造１２０が複数の部分を含む場合には、各部分の形状および配置、ならびに、それら複数の部分の数も任意である。

【0059】

本実施形態では、レーザ光を用いて複数の第３溝１２３を形成することによって第２溝構造１２０を形成するので、第２溝構造１２０の形状に関しても高い自由度が得られる。第２溝構造１２０の形成の工程におけるレーザ光の照射条件は、第１溝構造１１０の形成の工程におけるレーザ光の照射条件と共通であってもよいし、異なっていてもよい。

【0060】

（第２照射工程（Ｅ））
次に、第２溝構造形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで第２溝構造の内部をレーザ光でさらに照射する（図１４のステップＳ５）。例えば、第２溝構造１２０の底部にレーザ光のビームＬＢをパルス照射することにより、第１溝構造１１０の底部に複数の第１凹部１１１ｄを形成したことと同様にして、第２溝構造１２０の底部に複数の凹部を形成することができる。

【0061】

図１７は、図１６に示す状態から第２溝構造１２０の内部をレーザ光でさらに照射した後の状態を模式的に示す。この例では、第２溝構造１２０の底部に対するレーザ光の照射により、第２溝構造１２０の底部にドット状の複数の第２凹部１２３ｄを形成している。図１７に模式的に示すように、第２凹部１２３ｄの直径は、典型的には、各第３溝１２３の幅（第５の幅）よりも大きい。

【0062】

第２溝構造１２０の底部へのさらなるレーザ光の照射の工程における照射パターンは、第２溝構造１２０の形成の際の照射パターンとは異なる。この例では、上述の第３方向に交差する第４方向（図１７中に両矢印ｄ４で示す）に沿って第２溝構造１２０の底部をレーザ光で間欠的に照射することにより、第４方向に並ぶ複数の第２凹部１２３ｄを第２溝構造１２０の底部に形成している。第４方向は、上述の第１方向、第２方向および第３方向のいずれかと平行な方向であってもかまわない。あるいは、第４方向が、第１方向、第２方向および第３方向のいずれとも異なる方向であってもかまわない。

【0063】

ここで、第２凹部１２３ｄの形成の工程における、レーザの出力等の照射条件は、基台１００Ｓの上面１００ａ側への第１凹部１１１ｄの形成時のレーザ光の照射条件と同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、ここでは、基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１凹部１１１ｄと同様に、複数の第２凹部１２３ｄを第２溝構造１２０の底部に三角格子状に配置しているが、複数の第２凹部１２３ｄの数および配置は、もちろん任意である。なお、上述の複数の第３溝１２３のピッチは、２つの第２凹部１２３ｄの中心間距離に対して例えば１０％以上１００％以下の範囲であり得る。複数の第２凹部１２３ｄに、深さの異なる複数の凹部を混在させてもよい。

【0064】

（第２配線パターン形成工程（Ｆ））
次に、第２溝構造を第２導電材料で充填して第２配線パターンを第２導電材料から形成する（図１４のステップＳ６）。図１８に模式的に示すように、例えば、スキージ１９０を用いた印刷によって第２溝構造１２０を第２導電材料で充填する。なお、図１８は、基台１００Ｓの一部の断面を拡大して模式的に示す図であり、図１８では、わかり易さのために、基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１溝構造１１０と、下面１００ｂ側の第２溝構造１２０とが重なる位置で基台１００Ｓを切断したときの断面の一例を示している。

【0065】

第２導電材料は、上述の第１導電材料と共通であってもよいし、第１導電材料と異なっていてもよい。ここでは、上述の導電ペースト１３０ｒを第２導電材料として用いている。基台１００Ｓの下面１００ｂ上でスキージ１９０を移動させることにより、導電ペースト１３０ｒの、基台１００Ｓの下面１００ｂ側の表面１３０ｒｂの位置を基台１００Ｓの下面１００ｂに概ね揃えることができる。第２溝構造１２０内への導電ペースト１３０ｒの配置の際、第３溝１２３の内部および第２凹部１２３ｄの内部は、導電ペースト１３０ｒで充填される。もちろん、基台１００Ｓへの導電ペースト１３０ｒの付与の方法は、印刷法に限定されない。

【0066】

図１８から理解されるように、第２溝構造１２０は、複数の第３溝１２３の集合によって形成される第２底面１２０ｂを含む。１以上の第３溝１２３に重ねてレーザ光を照射することにより、第２底面１２０ｂの一部をさらに除去でき、より深い部分として複数の第２凹部１２３ｄを第２底面１２０ｂに形成し得る。ここで、第２溝構造１２０は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲の深さを有し得る。第２溝構造１２０の深さＤｐ２は、互いに隣接する２つの第３溝１２３の間に形成される複数の頂部の位置から基台１１０Ｓの下面１００ｂまでの距離として定義される。

【0067】

次に、第２溝構造１２０の内部に配置された第２導電材料を加熱または光の照射によって硬化させる。ここでは、第２導電材料としての導電ペースト１３０ｒを硬化させることにより、図１９に模式的に示すように、基台１００Ｓの下面１００ｂの法線方向から見たときの第２溝構造１２０の形状に整合した形状を有する第２配線パターン１３２を導電ペースト１３０ｒから形成することができる。

【0068】

導電ペースト１３０ｒの硬化後、必要に応じて、図８に示す例と同様にして、硬化後の導電ペースト１３０ｒの表面および基台１００Ｓの下面１００ｂを研磨する研磨工程を付加的に実施してもよい。研磨により、図２０に模式的に示すように、第２配線パターン１３２の表面１３２ｂを基台１００Ｓの下面１００ｂに整合させ得る。

【0069】

以上の工程により、第１配線パターン１３１を上面１００ａ側に有し、かつ、第２配線パターン１３２を下面１００ｂ側に有する配線基板１００Ｃが得られる。

【0070】

本実施形態によれば、基台１００Ｓの下面１００ｂ側にも任意の形状を有する第２配線パターン１３２を比較的簡易な工程によって形成することができる。第１溝構造１１０と同様に第２溝構造１２０をレーザ光の照射によって形成するので、第２配線パターン１３２の形状に関しても高い自由度が得られ、高精度の細線の形での配線の形成も比較的容易である。また、高アスペクト比の配線を実現し得る。すなわち、本実施形態によれば、比較的簡易な工程により、基台１００Ｓの両面に高アスペクト比のファインな配線パターンを有する配線基板を提供可能である。

【0071】

図２０に示す例では、第１配線パターン１３１の表面（上面１３１ａ）は、基台１００Ｓの上面１００ａに整合しており、第２配線パターン１３２の表面１３２ｂも、基台１００Ｓの下面１００ｂに整合している。このように、本実施形態によれば、基台１００Ｓの表面からの配線の盛り上がりが回避された、より薄い両面基板が提供される。

【0072】

さらに、本実施形態では、基台１００Ｓの上面１００ａ側における第１配線パターン１３１の形成と同様に基台１００Ｓの下面１００ｂ側についても、第２溝構造１２０の形成後に、第２溝構造１２０の形成の工程における照射パターンとは異なる照射パターンで第２溝構造１２０の内部をレーザ光でさらに照射している。これにより、複数の第３溝１２３を含む第２底面１２０ｂにさらなる凹凸形状を付与することができる。例えば、図１７を参照して説明したように、ドット状の複数の第２凹部１２３ｄを第２底面１２０ｂに形成し得る。例えば複数の第２凹部１２３ｄの形でより深い部分を第２底面１２０ｂに形成することにより、第２配線パターン１３２および基台１００Ｓの界面の面積が増大し、より強力なアンカー効果が得られる。すなわち、基台１００Ｓからの第２配線パターン１３２の剥離が抑制され、配線基板の信頼性がより向上し得る。

【0073】

（変形例）
第１配線パターン１３１の形成に関して図９〜図１２を参照しながら説明した例と同様に、第２溝構造１２０の第２底面１２０ｂへのさらなるレーザ光の照射によって第２底面１２０ｂにドット状の複数の第２凹部１２３ｄを形成することに代えて、以下に説明するように、複数の第４溝を形成してもよい。

【0074】

図２１は、第２溝構造１２０を形成した後、第２溝構造１２０の形成時とは異なる照射パターンで第２溝構造１２０の内部をレーザ光のビームＬＢで照射した後の状態を模式的に示す。図２１に示す例では、例えば、上述の第４方向に沿った走査により、それぞれが第４方向に延びる、第３溝１２３と同様の複数の第４溝１２４を第２溝構造１２０の内部にさらに形成している。ここでは、第４方向としては、第３方向と異なる方向が選ばれる。すなわち、複数の第４溝１２４のそれぞれは、複数の第３溝１２３とは異なる方向に延びる。

【0075】

図２２は、図２１に示す基台１００Ｓの一部の断面を拡大して示す。第２溝構造１２０の第２底面１２０ｂへのレーザ光のビームＬＢの走査の方向である照射における第４方向は、複数の第３溝１２３が延びる第３方向とは異なる方向である。この例では、第２溝構造１２０の第２底面１２０ｂに対するさらなるレーザ光の照射によって第２底面１２０ｂが部分的に除去され、その結果、第２底面１２０ｂに複数の第４溝１２４が形成されている。

【0076】

図２２に模式的に示すように、複数の第４溝１２４の各々は、第６の幅Ｗ６を有する。第６の幅Ｗ６は、第２溝構造１２０の第４の幅Ｗ４（図１５参照）よりも小さい。複数の第４溝１２４形成の工程におけるレーザの出力、パルスの間隔等の設定値は、複数の第３溝１２３形成の工程における設定値と共通であってもよいし、異なっていてもよい。第４溝１２４の配置ピッチも、第３溝１２３の配置ピッチと同じであってもよいし、異なっていてもよい。

【0077】

複数の第３溝１２３に重ねて複数の第４溝１２４を形成することにより、第３溝１２３と第４溝１２４とが交差する位置に、より深い部分が形成される。これら相対的に深い部分は、複数の第２凹部１２３ｄに似たドット状の凹部であり得る。以下では、これらのより深い部分を、便宜的に「第２凹部１２４ｄ」と呼ぶことがある。

【0078】

図２３は、図２２に示す状態から第２配線パターンを形成した状態を模式的に示す。図１８を参照しながら説明した例と同様にして第２溝構造１２０の内部を第２導電材料で充填することにより、第２溝構造１２０の形状に整合した形状を有する第２配線パターン１３２を形成することができる。

【0079】

図２３に示す配線基板１００Ｄは、上述の配線基板１００Ｃと同様に、基台１００Ｓの下面１００ｂ側の第２溝構造１２０内に配置された第２配線パターン１３２を有する。この例のように、複数の第３溝１２３の形成時とは照射パターンを変えたレーザ光の照射によって、複数の第３溝１２３と交差する複数の第４溝１２４を形成することにより、第２溝構造１２０の内部に複数の第２凹部１２４ｄをさらに形成してもよい。ドット状の複数の第２凹部１２３ｄの形成に代えて、複数の第３溝１２３に重ねて複数の第４溝１２４を形成することによっても、基台１００Ｓの両面に高アスペクト比のファインな配線パターンを有する、信頼性の向上された配線基板を提供可能である。

【0080】

複数の第２凹部１２４ｄの形成により、第２配線パターン１３２の一部を、複数の第３溝１２３および第４溝１２４の内部だけでなく第２凹部１２４ｄの内部にも位置させ得る。したがって、第２溝構造１２０の第２底面１２０ｂに第２溝構造１２０よりも細い複数の第４溝１２４をさらに形成することにより、第２配線パターン１３２および基台１００Ｓの界面の面積が増大し、アンカー効果がより向上する。これにより、基台１００Ｓからの第２配線パターン１３２の剥離を抑制して、配線基板の信頼性を向上させる効果が期待できる。

【0081】

図２４は、本開示の実施形態２による配線基板のさらなる変形例を示す。図２４に示す配線基板１００Ｅは、上面１００ａ側および下面１００ｂ側に第１溝構造１１０および第２溝構造１２０をそれぞれ有する基台１００Ｓと、第１溝構造１１０の内部に配置された第１配線パターン１３１と、第２溝構造１２０の内部に配置された第２配線パターン１３２と、基台１００Ｓの内部に形成された少なくとも１つのビア１５０とを含む。

【0082】

図２４に例示する構成において、第１溝構造１１０は、複数の第１溝１１１の集合によって構成された第１底面１１０ｂを有し、第１底面１１０ｂには、図８等に示す配線基板１００Ａの例と同様に複数の第１凹部１１１ｄが形成されている。また、第２溝構造１２０は、複数の第３溝１２３の集合によって構成された第２底面１２０ｂを有し、第２底面１２０ｂには、図２０等に示す配線基板１００Ｃの例と同様に複数の第２凹部１２３ｄが形成されている。

【0083】

図２４に模式的に示すように、ビア１５０の一端は、基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１配線パターン１３１に接続されており、ビア１５０の他端は、下面１００ｂ側の第２配線パターン１３２に接続されている。すなわち、基台１００Ｓを貫通するビア１５０は、第１配線パターン１３１と第２配線パターン１３２とを互いに電気的に接続している。なお、図２４では、図面が過度に複雑となることを避けるために、ビア１５０を１つだけ図示しているが、ビア１５０の数およびその配置は、任意である。上面１００ａまたは下面１００ｂに平行に配線基板を切断したときのビア１５０の断面形状は、特定の形状に限定されない。

【0084】

既に説明したように、本開示の実施形態では、第１溝構造１１０および第２溝構造１２０は、レーザ光のビームＬＢの走査によって形成され、平面視における形状に高い自由度を有している。また、第１溝構造１１０内に形成される第１配線パターン１３１および第２溝構造１２０内に形成される第２配線パターン１３２は、それぞれ、第１溝構造１１０および第２溝構造１２０に応じた平面視形状に形成される。つまり、レーザ光の照射パターンを適切に決定することにより、任意の平面視形状を有する第１配線パターン１３１および第２配線パターン１３２を容易に得ることができる。したがって、本実施形態によれば、工程の複雑化を回避しながら、基台の両面に任意の形状の配線パターンを有し、かつ、基台の内部にこれらの配線パターンを結ぶ導電経路を有するインターポーザを提供することが可能である。

【0085】

以下、図２４に示す配線基板１００Ｅの例示的な製造方法の概略を説明する。まず、図２〜図７を参照して説明した例と同様にして、基台１００Ｓの上面１００ａ側に第１配線パターン１３１を形成する。次に、例えば、図１５および図１６を参照して説明した例と同様にして、基台１００Ｓの下面１００ｂ側に第２溝構造１２０を形成する。図２５は、第２溝構造１２０が設けられた状態の基台１００Ｓを模式的に示す。

【0086】

（貫通孔形成工程（Ｇ））
次に、レーザ光の照射により、基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１溝構造１１０と、下面１００ｂ側の第２溝構造１２０とを結ぶ貫通孔を形成する。例えばＣＯ_２レーザを用いる場合であれば、複数の第３溝１２３の形成時と比較してレーザの出力を上げて第２底面１２０ｂをレーザ光のビームＬＢで照射することにより、図２６に模式的に示すように、第２底面１２０ｂから第１溝構造１１０に達する貫通孔１５０ｐを基台１００Ｓの内部に形成することができる。あるいは、ＹＡＧレーザを用いる場合には、第２底面１２０ｂのうち、貫通孔１５０ｐを形成すべき領域の中心の周りに円を描くようにレーザスポットを移動させるような加工により、貫通孔１５０ｐを形成し得る。貫通孔１５０ｐを設ける位置は、上面視において第１溝構造１１０と第２溝構造１２０とが重なる位置であれば任意であり、貫通孔１５０ｐの数も任意に決定してよい。

【0087】

次に、上述の第２照射工程（Ｅ）を実行する。つまり、図１７を参照して説明した例と同様にして、第２溝構造１２０の内部をレーザ光でさらに照射することにより、第２底面１２０ｂに例えばドット状の複数の第２凹部１２３ｄを形成する。図２７は、第２底面１２０ｂに複数の第２凹部１２３ｄが設けられた状態の基台１００Ｓを模式的に示す。なお、複数の第２凹部１２３ｄに代えて、図２１および図２２を参照しながら説明した例のように、複数の第３溝１２３に交差する複数の第４溝１２４を第２底面１２０ｂに形成することにより、第３溝１２３と第４溝１２４との交点の位置に複数の第２凹部１２４ｄを形成してもよい。また、ここでは、第１溝構造１１０の底部に複数の第１凹部１１１ｄが設けられた例を示しているが、複数の第１凹部１１１ｄに代えて、複数の第２溝１１２を第１底面１１０ｂに形成することにより、第１溝１１１と第２溝１１２との交点の位置に複数の第１凹部１１２ｄを形成してもよい。このように、本明細書に示す種々の構成は、技術的に矛盾が生じない限りにおいて任意に組み合わせることが可能である。

【0088】

次に、上述の第２配線パターン形成工程（Ｆ）を実行する。ただし、ここでは、第２溝構造１２０の内部だけでなく、貫通孔１５０ｐの内部にも第２導電材料を配置する。図２８に示す例では、スキージ１９０を用いた印刷によって第２溝構造１２０および貫通孔１５０ｐを第２導電材料としての導電ペースト１３０ｒで充填している。真空印刷工法と呼ばれる、真空引きを行いながら充填を実行する手法によれば、気泡の混入を抑制しながら貫通孔１５０ｐに導電ペースト１３０ｒを充填できる。この工程において、導電ペースト１３０ｒは、典型的には、図２８に示すように、貫通孔１５０ｐの内側面によって規定される空間の全体を占める。ただし、この例に限定されず、図２９に模式的に示すように、貫通孔１５０ｐの内側面に選択的に導電ペースト１３０ｒを付与してもよい。この場合、貫通孔１５０ｐ内に筒状に形成された導電ペースト１３０ｒの膜の内側の空間は、樹脂等によって埋められ得る。

【0089】

次に、第２溝構造１２０の内部および貫通孔１５０ｐの内部に配置された、第２導電材料としての導電ペースト１３０ｒを硬化させる。導電ペースト１３０ｒの硬化により、導電ペースト１３０ｒのうち貫通孔１５０ｐの内部に位置する部分からビア１５０を形成して、基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１配線パターン１３１を下面１００ｂ側の第２配線パターン１３２にビア１５０によって接続することができる。以上の工程により、図２４に示す配線基板１００Ｅが得られる。

【0090】

ここで説明した例によれば、基台１００Ｓの上面１００ａ側と下面１００ｂ側との間の導電経路を比較的容易に形成できる。基台１００Ｓの上面１００ａ側の第１配線パターン１３１と、下面１００ｂ側の第２配線パターン１３２とは、ビア１５０によって電気的に接続されるだけでなく、物理的にも結合されるので、ビア１５０の形成により、基台からの配線パターンの剥離をより効果的に抑制可能である。すなわち、工程の複雑化を回避しながら、基台からの配線パターンの剥離が抑制された両面基板を提供することが可能になる。

【0091】

ここで説明した例では、上述の第２溝構造形成工程（Ｄ）と、第２照射工程（Ｅ）との間に、貫通孔１５０ｐの形成の工程を実行している。しかしながら、貫通孔の形成の工程を実行するタイミングは、この例に限定されない。貫通孔の形成の工程は、例えば、第２溝構造１２０の第２底面１２０ｂを構成する複数の第３溝１２３の形成のための第２溝構造形成工程（Ｄ）と同時に実行されてもよいし、複数の第２凹部１２３ｄまたは複数の第４溝１２４の形成の後に実行されてもよい。あるいは、図３０に示すように、第２溝構造１２０の形成の前に、レーザ加工、パンチング、ＮＣ旋盤を用いた加工等により基台１００Ｓに予め貫通孔を形成してもかまわない。貫通孔形成に適用する加工方法は、基台１００Ｓの材料に応じて適宜選択されればよい。

【0092】

図３０に示す例では、第１溝構造１１０の第１底面１１０ｂから基台１００Ｓの下面１００ｂに向かって延びる貫通孔１５０ｑの一方の開口は、基台１００Ｓの下面１００ｂに位置している。貫通孔１５０ｑの内部への導電材料の配置は、第１溝構造１１０の内部への第１導電材料の充填の段階で実行されてもよいし、第２溝構造１２０の内部への第２導電材料の充填の段階で実行されてもよい。

【0093】

基台１００Ｓとしてセラミック基板を適用する場合、焼成前のグリーンシートの状態でパンチング等によってグリーンシートの表面および裏面を結ぶ貫通孔を設けておいてもよい。内部に予めビアが形成された基台を準備してこの基台に対して第１溝構造１１０を形成してもよいし、第１溝構造１１０の形成の前に基台１００Ｓに予めビアを形成しておいてもよい。この場合、ビアの一部は、レーザ光の照射によって除去され得る。

【実施例】

【0094】

以下、実施例により、本開示の実施形態による配線基板をより詳細に説明する。もちろん、本開示の実施形態は、以下の実施例によって特定される形態に限定されない。

【0095】

（溝構造の底部の形状に関する評価１）
白色の樹脂板に対するレーザ光のビームの走査により樹脂板の一方の主面に溝構造を形成し、照射パターンを変えて溝構造の底部をレーザ光でさらに照射した複数のサンプルを作製し、これらのサンプルについて溝構造の底部の形状に関する評価を行った。

【0096】

（実施例１−１）
まず、母材としてのシリコーン樹脂に二酸化チタンの粒子が分散された樹脂板を準備した。次に、この樹脂板の一方の主面上でレーザ光のビームをある方向（第１方向）に走査することにより、それぞれが第１方向に沿って延びる複数の第１溝を樹脂板に形成した（上述の第１溝構造形成工程に相当）。ここでは、樹脂板の主面上の相異なる５つの領域に対してレーザ光のビームの走査を実行することにより、それぞれが複数の第１溝の集合によって規定される第１底面を有する５つの部分を含む第１溝構造を樹脂板に形成した。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１溝のピッチ：１５μｍまたは３０μｍ

【0097】

次に、第１溝構造に含まれる５つの部分のうちから、第１溝のピッチが１５μｍとされた１つを無作為に選び、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、ここで選び出された部分（以下、第１部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した（上述の第１照射工程に相当）。これにより、第１部分の底部に、図４および図５に示す例と同様にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１−１のサンプルとした。なお、ここでは、第２方向として第１方向に直交する方向を選んだ。上面視において各第１凹部は、およそ０．１ｍｍの直径を有していた。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１凹部の中心間距離：１５μｍ

【0098】

図３１は、実施例１−１のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図３２は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１−１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図３１のXXXII−XXXII断面図に相当する。図３２中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図３１に示すように、ここでは、第１部分の底部に、紙面の水平方向に並ぶ３つの第１凹部が形成されている。図３２に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ１２０μｍであった。

【0099】

（実施例１−２）
第１溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが１５μｍとされた他の１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．２Ｗとし、第１凹部の中心間距離が６０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１−１と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第２部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第２部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１−２のサンプルとした。

【0100】

図３３は、実施例１−２のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図３４は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１−２のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図３３のXXXIV−XXXIV断面図に相当する。図３２と同様に、図３４中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図３３からは確認しにくいが、ここでは、図３１に示す例と同様に、XXXIV−XXXIV線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図３４に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

【0101】

（実施例１−３）
第１溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが３０μｍとされた１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうち第１凹部の中心間距離が３０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１−２と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第３部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第３部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１−３のサンプルとした。

【0102】

図３５は、実施例１−３のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図３６は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１−３のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図３５のXXXVI−XXXVI断面図に相当する。図３６中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図３５からは確認しにくいが、図３１および図３３に示す例と同様に、この例においても、XXXVI−XXXVI線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図３６に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ４０μｍであった。

【0103】

（実施例１−４）
第１溝構造に含まれる５つの部分のうち、第１溝のピッチが３０μｍとされた他の１つを無作為に選び、レーザ光の照射条件のうち第１凹部の中心間距離が６０μｍとなるように周波数を変更したこと以外は実施例１−３と同様にして、ここで選び出された部分（以下、第４部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第４部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、実施例１−４のサンプルとした。

【0104】

図３７は、実施例１−４のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図３８は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例１−４のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図３７のXXXVIII−XXXVIII断面図に相当する。図３８中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図３７からは確認しにくいが、図３１、図３３および図３５に示す例と同様に、この例においても、XXXVIII−XXXVIII線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図３８に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３８μｍであった。

【0105】

（参考例１−１）
レーザ光の照射条件のうち送り速度を５００ｍｍ／ｓに変更したこと以外は実施例１−２と同様にして、第１溝構造に含まれる５つの部分のうち、残りの１つ（以下、第５部分と呼ぶ）の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、第５部分の底部にドット状の複数の第１凹部を形成し、参考例１−１のサンプルとした。

【0106】

図３９は、参考例１−１のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４０は、レーザー顕微鏡によって得られた、参考例１−１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図３９のXL−XL断面図に相当する。図４０中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図３９からは確認しにくいが、図３１、図３３、図３５および図３７に示す例と同様に、この例においても、XL−XL線に沿って３つの第１凹部が形成されている。図４０に示す断面プロファイル中の３つの第１凹部の深さの平均値は、およそ２２μｍであった。

【0107】

実施例１−１〜実施例１−４の各サンプルに関する断面プロファイル（図３２、図３４、図３６および図３８）および参考例１−１のサンプルに関する断面プロファイル（図４０）から、互いに隣接する２つの第１溝の間に形成される複数の頂部は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い位置にあることがわかった。すなわち、これらのサンプルでは、第１底面の位置は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い。そのため、第１溝構造の内部に第１導電材料を配置した場合、第１導電材料が第１溝構造の底部だけでなく、底部と樹脂板の表面との間に位置する第１溝構造の側面にも接触することになり、第１溝構造の側面と第１導電材料との界面でのアンカー効果の発揮が期待される。

【0108】

実施例１−１〜実施例１−４の各サンプルに関する断面プロファイルと、参考例１−１のサンプルに関する断面プロファイルとを比較すればわかるように、参考例１−１のサンプルでは、レーザ光を照射した領域にあまり大きな凹凸は形成されていない。すなわち、第１照射工程において第１底面にドット状の複数の第１凹部を形成する場合、第１底面に適当な深さの第１凹部を形成する観点からは、送り速度を極端に大きくしないことが有益であるとわかった。また、実施例１−１のサンプルに関する断面プロファイルと、実施例１−２〜実施例１−４の各サンプルに関する断面プロファイルとの比較から、同じ送り速度であれば、レーザ出力をある程度の範囲に抑える方が、より細かい形状の凹凸を得やすいことがわかった。

【0109】

（第１配線パターンの形状の評価１）
次に、第１溝構造を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させることによって第１溝構造内に第１配線パターンを形成し（上述の第１配線パターン形成工程に相当）、断面観察により、第１配線パターンが第１溝構造の底部の形状に追従した形状を有しているかどうかを調べた。

【0110】

（実施例１−５）
以下の手順により、実施例１−２のサンプルの第２部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させ、実施例１−５のサンプルを作製した。ここでは、まず、スキージを用いた印刷法により、第２部分を導電ペーストで充填し、その後、導電ペーストが充填された樹脂板を１３０℃の温度下に３０分置くことにより、導電ペーストを硬化させて第２部分の内部に第１配線パターンを形成した。

【0111】

図４１は、導電ペーストの充填前の第２部分を示す顕微鏡画像である。紙面において斜め方向に走る複数の第１溝と、複数の第１凹部とを確認できる。図４２は、第２部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。以降の説明において、導電ペーストを硬化させた後の断面に関する図は、およそ４ｍｍ□の範囲を切断したときの断面を示している。

【0112】

（実施例１−６）
実施例１−３のサンプルの第３部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例１−５のサンプルと同様にして、実施例１−６のサンプルを作製した。図４３は、導電ペーストの充填前の第３部分を示す顕微鏡画像である。図４４は、第３部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

【0113】

（実施例１−７）
実施例１−４のサンプルの第４部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例１−５のサンプルと同様にして、実施例１−７のサンプルを作製した。図４５は、導電ペーストの充填前の第４部分を示す顕微鏡画像である。図４６は、第４部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。

【0114】

実施例１−５〜実施例１−７の各サンプルに関する断面画像（図４２、図４４および図４６）から、いずれのサンプルについても、第１配線パターンの一部が第１溝および第１凹部の内部に入り込んでいることがわかった。すなわち、第１配線パターンは、第１溝構造の底部の形状に良く追従しており、第１配線パターンと第１溝構造の底部との間にボイド等は生じていなかった。

【0115】

（溝構造の底部の形状に関する評価２）
第１照射工程においてドット状の複数の第１凹部を形成することに代えて、第１方向とは異なる第２方向にレーザ光のビームを走査して第１溝構造の底部をレーザ光で照射することにより、第１溝構造の底部に、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を有する複数のサンプルを作製した。これらのサンプルについて、第１溝構造の底部の形状に関する評価を行った。

【0116】

（実施例２−１）
まず、上述の実施例１−１のサンプルの作製時と同様にして、それぞれが複数の第１溝の集合によって規定される第１底面を有する５つの部分を含む第１溝構造を樹脂板に形成した。ただし、ここでは、第１溝のピッチが５０μｍとなるようにレーザ光の照射条件を適宜に変更している。以下、これらの５つの部分を第６部分〜第１０部分と呼ぶ。

【0117】

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、第１溝構造のうち第６部分の底部をレーザ光のビームで照射した（上述の第１照射工程に相当）。これにより、図９に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第６部分の底部に形成し、実施例２−１のサンプルとした。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：２．４Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第２溝のピッチ：５０μｍ

【0118】

図４７は、実施例２−１のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図４８は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２−１のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４７のXLVIII−XLVIII断面図に相当する。図４８中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４８に示すように、ここでは、第６部分の底部に、紙面の水平方向に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図４８に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

【0119】

（実施例２−２）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．２Ｗとしたこと以外は実施例２−１と同様にして、第１溝構造のうち第７部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第７部分の底部に形成し、実施例２−２のサンプルとした。

【0120】

図４９は、実施例２−２のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図５０は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２−２のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図４９のL−L断面図に相当する。図４８と同様に、図５０中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。この例においても、図４８に示す例と同様に、L−L線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図５０に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３５μｍであった。

【0121】

（実施例２−３）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を１．６Ｗとしたこと以外は実施例２−１と同様にして、第１溝構造のうち第８部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第８部分の底部に形成し、実施例２−３のサンプルとした。

【0122】

図５１は、実施例２−３のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図５２は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２−３のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図５１のLII−LII断面図に相当する。図５２中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４８および図５０に示す例と同様に、この例においても、LII−LII線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図５２に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３７μｍであった。

【0123】

（実施例２−４）
レーザ光の照射条件のうちレーザ出力を２Ｗとしたこと以外は実施例２−１と同様にして、第１溝構造のうち第９部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第９部分の底部に形成し、実施例２−４のサンプルとした。

【0124】

図５３は、実施例２−４のサンプルの第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図５４は、レーザー顕微鏡によって得られた、実施例２−４のサンプルに関する断面プロファイルを示し、図５３のLIV−LIV断面図に相当する。図５４中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４８、図５０および図５２に示す例と同様に、この例においても、LIV−LIV線に沿って８つの第１凹部が形成されていた。図５４に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ４２μｍであった。

【0125】

（参考例２−１）
レーザ光の照射条件のうち送り速度を５００ｍｍ／ｓとしたこと以外は実施例２−１と同様にして、第１溝構造のうち第１０部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１０部分の底部に形成し、参考例２−１のサンプルとした。

【0126】

図５５は、レーザー顕微鏡によって得られた、参考例２−１のサンプルに関する断面プロファイルを示す。図５５中の水平の白い一点鎖線は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置を示している。図４８、図５０、図５２および図５４に示す例と同様に、この例においても、断面視において８つの第１凹部の形成が確認された。図５５に示す断面プロファイル中の８つの第１凹部の深さの平均値は、およそ３０μｍであった。

【0127】

実施例２−１〜実施例２−４の各サンプルに関する断面プロファイル（図４８、図５０、図５２および図５４）から、実施例１−１〜実施例１−４および参考例１−１のサンプルと同様に、これらのサンプルにおいても、互いに隣接する２つの第１溝の間に形成される複数の頂部は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面よりも低い位置にあることがわかった。したがって、これらのサンプルについても、第１溝構造の側面と第１導電材料との界面でのアンカー効果の発揮が期待される。

【0128】

これに対し、参考例２−１のサンプルに関する断面プロファイル（図５５）を参照すると、参考例２−１のサンプルでは、第１底面の位置は、第１溝構造の形成前における樹脂板の表面の位置に概ね一致している。これは、アスペクト比の大きな第１配線パターンの形成が比較的難しいことを意味する。このことから、第１溝構造の内部に第１導電材料を配置して第１導電材料から第１配線パターンを形成する観点からは、送り速度を極端に大きくしないことが有益であるといえる。

【0129】

（第１配線パターンの形状の評価２）
次に、第１溝構造の底部に複数の第１溝および第２溝を設けた構成に関しても、第１配線パターンが第１溝構造の底部の形状に追従した形状を有するかどうかを調べた。

【0130】

（実施例２−５）
実施例１−５のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第６部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第６部分の内部に有する実施例２−５のサンプルを得た。

【0131】

図５６は、導電ペーストの充填前の第６部分を示す顕微鏡画像である。図５６では、第１溝構造の底部にジグザグ状の複数の溝を形成したように見えるが、実際には、第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行している。図５６中の両矢印ｄ１および両矢印ｄ２は、第１方向および第２方向をそれぞれ表している。図５７は、第６部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図５７中の白い点線は、第１溝構造の第１底面のおおよその位置を示している。

【0132】

（実施例２−６）
実施例２−３のサンプルの第８部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例２−５のサンプルと同様にして、実施例２−６のサンプルを作製した。図５８は、導電ペーストの充填前の第８部分を示す顕微鏡画像である。第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行した点は、実施例２−５のサンプルと同様である。図５９は、第８部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図５７と同様に、図５９中の白い点線は、第１溝構造の第１底面のおおよその位置を示している。

【0133】

（実施例２−７）
実施例２−４のサンプルの第９部分を導電ペーストで充填したこと以外は実施例２−５のサンプルと同様にして、実施例２−７のサンプルを作製した。図６０は、導電ペーストの充填前の第９部分を示す顕微鏡画像である。実施例２−５のサンプルおよび実施例２−６のサンプルと同様に、この例においても、第１方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第１溝の形成と、第２方向に沿ったレーザ光のビームの走査による複数の第２溝の形成とを順次に実行した。図６１は、第９部分に導電ペーストを充填し、導電ペーストを硬化させた後の断面を示す。図６１中の白い点線は、第１溝構造の第１底面のおおよその位置を示している。

【0134】

実施例２−５〜実施例２−７の各サンプルに関する断面画像（図５７、図５９および図６１）から、いずれのサンプルについても、第１配線パターンの一部が第１溝および第２溝の内部に入り込んでいることがわかった。すなわち、第１配線パターンは、第１溝構造の底部の形状に良く追従しており、第１配線パターンと第１溝構造の底部との間にボイド等は生じていなかった。

【0135】

（第１配線パターンの密着性に関する評価）
次に、ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−６（１９９９）に規定されるクロスカット試験に準じた方法で塗膜の機械的性質の評価と同様にして、第１配線パターンの密着性に関する簡易な評価を行った。

【0136】

（実施例３−１）
まず、複数の第１溝の集合によって規定される第１底面を有する７つの矩形状の部分を含む第１溝構造を樹脂板に形成した。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：０．３Ｗ〜２．８Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第１溝のピッチ：１５μｍ

【0137】

以下では、ここで形成された７つの部分を第１１部分〜第１７部分と呼ぶ。ここでは、第１１部分〜第１７部分の間で第１溝の深さが互いに異なるようにレーザ出力を調整した。第１１部分の形成時におけるレーザ出力は、０．３Ｗであった。第１１部分〜第１７部分の上面視における寸法は、およそ３００μｍ□〜５００μｍ□の範囲であった。

【0138】

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、第１溝構造のうち第１１部分の底部をレーザ光のビームで照射した。これにより、図９に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１１部分の底部に形成した。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件を以下に示す。
レーザ光のピーク波長：５３２ｎｍ
レーザ出力：０．３Ｗ
パルス幅：１００ナノ秒
周波数：５０ｋＨｚ
送り速度：２００ｍｍ／ｓ
デフォーカス：０μm
第２溝のピッチ：２０μｍ
なお、レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ５μｍであった。

【0139】

次に、実施例１−５のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１１部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１１部分の内部に有する実施例３−１のサンプルを得た。

【0140】

（実施例３−２）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を０．６Ｗに変更したこと以外は実施例３−１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１２部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ１０μｍであった。

【0141】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１２部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１２部分の内部に有する実施例３−２のサンプルを得た。

【0142】

（実施例３−３）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を１．２Ｗに変更したこと以外は実施例３−１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１３部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ２５μｍであった。

【0143】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１３部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１３部分の内部に有する実施例３−３のサンプルを得た。

【0144】

（実施例３−４）
第１溝および第２溝の深さがより大きくなるように、レーザ光の照射の条件のうちレーザ出力を２．４Ｗに変更したこと以外は実施例３−１のサンプルと同様にして、それぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を第１溝に重ねて第１４部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、形成された第２溝の深さの平均値は、およそ５０μｍであった。

【0145】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１４部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１４部分の内部に有する実施例３−４のサンプルを得た。

【0146】

（比較例３−１）
第１溝の形成において、第１溝の深さがより小さくなるようにレーザ光の照射の条件を変更したこと以外は実施例３−１のサンプルと同様にして、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１５部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、０．２Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。なお、ここでは複数の第２溝の形成は行っていない。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第１溝の深さの平均値は、およそ１．５μｍであった。

【0147】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１５部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１５部分の内部に有する比較例３−１のサンプルを得た。

【0148】

（比較例３−２）
比較例３−１のサンプルと同様に、実施例３−１のサンプルと比較して第１溝の深さがより小さくなるようにレーザ光の照射の条件を変更して、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１６部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、０．２Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。

【0149】

次に、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、第１溝構造のうち第１６部分の底部をレーザ光のビームで照射することにより、図９に示す例と同様にそれぞれが第２方向に延びる複数の第２溝を、第１溝に重ねて第１６部分の底部に形成した。なお、ここでも、第２方向として第１方向に直交する方向を選んでいる。このときのレーザ光の照射条件は、レーザ出力を０．２Ｗとし、第２溝のピッチが２０μｍとなるようにしたこと以外は、第１溝の形成時と共通である。なお、レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ３μｍであった。

【0150】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１６部分を導電ペーストで充填して導電ペーストを硬化させた。これにより、導電ペーストから形成された第１配線パターンを第１６部分の内部に有する比較例３−２のサンプルを得た。

【0151】

（比較例３−３）
第１溝の形成において、第１溝の深さがより大きくなるようにレーザ光の照射の条件を変更したこと以外は実施例３−１のサンプルと同様にして、それぞれが第１方向に延びる複数の第１溝を有する第１７部分を形成した。複数の第１溝の形成に際し、ここでは、２．８Ｗに変更して複数の第１溝の形成を実行した。

【0152】

次に、レーザ出力を２．８Ｗとしたこと以外は比較例３−２のサンプルと同様にして、第１方向と交差する第２方向にレーザ光のビームを走査して、第１溝構造のうち第１７部分の底部をレーザ光のビームで照射することにより、複数の第２溝を第１溝に重ねて第１７部分の底部に形成した。レーザ顕微鏡による断面撮影を利用した測定によると、第２溝の深さの平均値は、およそ６０μｍであった。

【0153】

次に、実施例３−１のサンプルと同様にして、第１溝構造のうちの第１７部分の内部への導電ペーストの充填を試みた。しかしながら、第１７部分の内部に十分に導電ペーストが充填されず、導電ペーストを硬化させたものの、所期の形状の配線パターンが得られなかった。

【0154】

次に、実施例３−１〜実施例３−４、比較例３−１および比較例３−２の各サンプルについて、カッターを利用して、第１底面に達する溝をグリッド状に第１配線パターンに形成することにより、合計２５個の矩形状の区画を形成した。このとき、およそ１ｍｍのピッチで第１配線パターンに溝を形成した。

【0155】

次に、第１配線パターンに形成された複数の区画を覆うようにセロハンテープを第１配線パターンの表面に貼り付け、テープを貼付してから５分が経過する前に、第１配線パターンの表面の法線方向にテープを剥離した。このとき、第１配線パターンに形成された２５個の区画のうち、テープ側に付着することにより樹脂板から剥離した部分の生じた区画の割合を調べることにより、第１配線パターンの密着性を評価した。

【0156】

実施例３−１のサンプルにおいては、２５個の区画のうち剥離が確認された区画は、１つのみであり、実施例３−２〜実施例３−４の各サンプルについては、２５個の区画のいずれも剥離が確認されなかった。他方、比較例３−１のサンプルおよび比較例３−２のサンプルでは、２５個の区画のうち剥離が確認された区画は、それぞれ、１２．５個および５個であった。

【0157】

図６２は、実施例３−３のサンプルに関する、導電ペースト充填前の第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図６３は、実施例３−３のサンプルに関する、テープ剥離後の第１配線パターンの外観を示す。図６４は、比較例３−１のサンプルに関する、導電ペースト充填前の第１底面を拡大して示す顕微鏡画像である。図６５は、比較例３−２のサンプルに関する、テープ剥離後の第１配線パターンの外観を示す。

【0158】

テープ剥離後の結果から、第２溝の形成によりアンカー効果による第１配線パターンの脱落防止の効果が得られ、特に、第２溝の深さが５μｍ以上であると、第１配線パターンの脱落防止により有利であることがわかった。また、第２溝が深くなるほど、より大きなアンカー効果が得られる傾向が得られるものの、第２溝の深さが６０μｍを超えない程度とすることが、所望の形状の第１配線パターンの形成に有利であることもわかった。

【産業上の利用可能性】

【0159】

本開示の実施形態による配線基板は、プリント配線板が用いられる場面に有用である。本開示の実施形態は、低抵抗の配線の形成が比較的に容易であり、また、基板の両面に任意の形状の配線パターンを形成することも容易であるから、特に、電子部品の高密度の実装に有利である。本開示の実施形態は、電子部品と配線基板との間に介在されるインターポーザの製造にも適用可能である。

【符号の説明】

【0160】

１００Ａ〜１００Ｅ 配線基板
１００Ｓ 基台
１００ａ 基台の上面
１００ｂ 基台の下面
１１０ 第１溝構造
１１０ｂ 第１底面
１１１ 第１溝
１１１ｄ、１１２ｄ 第１凹部
１１２ 第２溝
１２０ 第２溝構造
１２０ｂ 第２底面
１２３ 第３溝
１２３ｄ、１２４ｄ 第２凹部
１２４ 第４溝
１３０ｒ 導電ペースト
１３１ 第１配線パターン
１３２ 第２配線パターン
１５０ ビア
１５０ｐ、１５０ｑ 貫通孔
１９０ スキージ
２００ 研削砥石
３００ レーザアブレーション装置
３１０ レーザ光源
３２０ ガルバノミラー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】

【図50】

【図51】

【図52】

【図53】

【図54】

【図55】

【図56】

【図57】

【図58】

【図59】

【図60】

【図61】

【図62】

【図63】

【図64】

【図65】