特許 6869242 リソグラフィ装置のためのＥＵＶソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6869242

(24)【登録日】2021年4月15日

(45)【発行日】2021年5月12日

(54)【発明の名称】リソグラフィ装置のためのＥＵＶソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20210426BHJP

   H05G 2/00 20060101ALI20210426BHJP

【ＦＩ】

   G03F7/20 503

   G03F7/20 521

   H05G2/00 K

【請求項の数】8

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2018-526515(P2018-526515)

(86)(22)【出願日】2016年11月1日

(65)【公表番号】特表2018-536199(P2018-536199A)

(43)【公表日】2018年12月6日

(86)【国際出願番号】EP2016076287

(87)【国際公開番号】WO2017084872

(87)【国際公開日】20170526

【審査請求日】2019年10月31日

(31)【優先権主張番号】15195362.7

(32)【優先日】2015年11月19日

(33)【優先権主張国】EP

(31)【優先権主張番号】15199803.6

(32)【優先日】2015年12月14日

(33)【優先権主張国】EP

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100105924

【弁理士】

【氏名又は名称】森下 賢樹

(74)【代理人】

【識別番号】100134256

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 武司

(72)【発明者】

【氏名】ヤクニン、アンドレイ、ミハイロヴィチ

(72)【発明者】

【氏名】アスタホフ、ドミトリー、イーゴレヴィチ

(72)【発明者】

【氏名】ベレンゼン、クリスチアヌス、ヴィルヘルムス、ヨハネス

(72)【発明者】

【氏名】クロイン、クリスチアヌ、ヘラルドゥス、ノルベルトゥス、ヘンドリクス、マリー

(72)【発明者】

【氏名】グルスコフ、デニス、アレクサンドロヴィチ

(72)【発明者】

【氏名】ラベツキ、ドミトリー

(72)【発明者】

【氏名】ムルダー、ハイネ、メレ

(72)【発明者】

【氏名】ティシュコフ、アンドレイ、セルギービッチ

(72)【発明者】

【氏名】ファン シャイク、ウィレム

【審査官】 長谷 潮

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１６／０２３８４０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１４／０３０６１１５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００６／０２１６９１２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特表２０１１−５１０４８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２１６６３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１６−５０９２７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１６−５１４２７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１３−５２６０２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１６−５２２４３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１３８３００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１３−５０３４６３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０５Ｇ ２／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

放射を生成するプラズマを、プラズマ形成場所にて燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記放射ソースモジュールは、前記放射を収集して集束するための放射コレクタを備え、
前記放射コレクタは、前記放射を反射するように構成されたコーティングを有し、
前記放射コレクタは、前記プラズマを生成すべく前記燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口を有し、
前記コーティングは、前記放射コレクタの表面から前記コーティング内へと延びる複数の非貫通の穴を有し、
前記複数の非貫通の穴は、仮想的な二次元グリッドに従って前記表面に設けられ、
一組の隣接する非貫通の穴の間隔は、前記表面にわたって前記間隔の平均値の多くとも１０％変化する放射ソースモジュール。

【請求項2】

放射を生成するプラズマを、プラズマ形成場所にて燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記放射ソースモジュールは、前記放射を収集して集束するための放射コレクタを備え、
前記放射コレクタは、前記放射を反射するように構成されたコーティングを有し、
前記放射コレクタは、前記プラズマを生成すべく前記燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口を有し、
前記コーティングは、前記放射コレクタの表面から前記コーティング内へと延びる複数の非貫通の穴を有し、
前記複数の非貫通の穴は、仮想的な二次元グリッドに従って前記表面に設けられ、
前記複数の非貫通の穴の各々は、０．０５ｍｍから０．２ｍｍの間にある直径を有する放射ソースモジュール。

【請求項3】

放射を生成するプラズマを、プラズマ形成場所にて燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記放射ソースモジュールは、前記放射を収集して集束するための放射コレクタを備え、
前記放射コレクタは、前記放射を反射するように構成されたコーティングを有し、
前記放射コレクタは、前記プラズマを生成すべく前記燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口を有し、
前記コーティングは、前記放射コレクタの表面から前記コーティング内へと延びる複数の非貫通の穴を有し、
前記複数の非貫通の穴は、仮想的な二次元グリッドに従って前記表面に設けられ、
一組の隣接する非貫通の穴の間隔は、５ｍｍから５０ｍｍの間の大きさである放射ソースモジュール。

【請求項4】

放射を生成するプラズマを、プラズマ形成場所にて燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記放射ソースモジュールは、前記放射を収集して集束するための放射コレクタを備え、
前記放射コレクタは、前記放射を反射するように構成されたコーティングを有し、
前記放射コレクタは、前記プラズマを生成すべく前記燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口を有し、
前記コーティングは、前記放射コレクタの表面から前記コーティング内へと延びる複数の非貫通の穴を有し、
前記複数の非貫通の穴は、仮想的な二次元グリッドに従って前記表面に設けられ、
前記複数の非貫通の穴の各々は、１００μｍから５００μｍの間にある深さを有する放射ソースモジュール。

【請求項5】

放射を生成するプラズマを、プラズマ形成場所にて燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記放射ソースモジュールは、前記放射を収集して集束するための放射コレクタを備え、
前記放射コレクタは、前記放射を反射するように構成されたコーティングを有し、
前記放射コレクタは、前記プラズマを生成すべく前記燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口を有し、
前記コーティングは、前記放射コレクタの表面から前記コーティング内へと延びる複数の非貫通の穴を有し、
前記複数の非貫通の穴は、仮想的な二次元グリッドに従って前記表面に設けられ、
前記開口は、バッファガス出口として働く放射ソースモジュール。

【請求項6】

前記コーティングは、多数の層を備える請求項１から５のいずれかに記載の放射ソースモジュール。

【請求項7】

請求項１から６のいずれかに記載の放射ソースモジュールにおける使用のために構成された放射コレクタ。

【請求項8】

請求項１から６のいずれかに記載の放射ソースモジュールを備え、基板にパターンを結像するために前記放射を使用するように動作可能なリソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０１５年１１月１９日に出願された欧州出願１５１９５３６２．７号および２０１５年１２月１４日に出願された欧州出願１５１９９８０３．６号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。

【0002】

本発明は、リソグラフィ装置に関し、とくに、リソグラフィ装置内のＥＵＶソースチャンバーおよびそうしたソースチャンバーに使用可能な多層ミラーに関する。

【背景技術】

【0003】

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通例は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスク又はレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、１つのダイ、又はいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。パターンの転写は典型的には基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。

【0004】

リソグラフィはＩＣや他のデバイス及び／又は構造の製造における主要な工程のひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイス及び／又は構造を製造可能とするためのよりクリティカルな要因となってきている。
パターン印刷の限界の理論推定値は、解像度に関するレイリー基準によって以下に示される式（１）で与えられる。

【数1】

ここでλは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターン印刷に使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はプロセスに依存する調整係数でありレイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）から導かれるのは、印刷可能なフィーチャサイズの最小値を小さくすることができる３つの方法があるということである。それはすなわち、露光波長λを短くすることによって、又は開口数ＮＡを大きくすることによって、又はｋ１の値を小さくすることによって、である。

【0005】

露光波長を短くしそれによって印刷可能な最小サイズを小さくするために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍから２０ｎｍの範囲内、例えば１３ｎｍから１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、１０ｎｍ未満の波長、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５ｎｍから１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射も使用されうることが提案されている。こうした放射は極紫外放射または軟Ｘ線放射と称される。実現可能な光源は例えばレーザ生成プラズマソース、放電プラズマソース、又は電子蓄積リングから供給されるシンクロトロン放射に基づくソースを含む。

【0006】

ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成されてもよい。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを供給する燃料を励起するためのレーザと、プラズマを収容するためのソースコレクタ装置とを含んでもよい。プラズマは例えば、適切な材料（例えばスズ）の粒子、又は、適切な気体又は蒸気（例えばＸｅガスやＬｉ蒸気など）の流れ等の燃料にレーザビームを向けることにより生成されてもよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、その出力放射は放射コレクタを用いて集束される。放射コレクタは、放射を受けてその放射をビームへと集束する鏡面垂直入射放射コレクタであってもよい。ソースコレクタ装置は、プラズマを保持するための真空環境を提供するよう構成された包囲構造またはチャンバーを含んでもよい。そのような放射システムは、典型的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ソースと呼ばれる。

【0007】

プラズマ形成場所から放出される燃料デブリ粒子による汚染からソースコレクタを保護するために、ソースチャンバーにガス流れ様式を構築することが知られている。ガス流れ様式は、ソースコレクタから離れるように出口に向かうガス流れを構築し、それによりコレクタを避けて出口を通じてデブリが運び出される。

【発明の概要】

【0008】

ソースチャンバー内の改良されたガス流れ様式を提供することが望まれる。また、コレクタ表面でのブリスタの形成を緩和することも望まれる。

【0009】

本発明の第１の態様によると、放射を生成するプラズマをプラズマ形成場所に燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、ソースチャンバーと、前記ソースチャンバー内にあり、前記放射を収集して集束するための放射コレクタと、前記ソースチャンバーへの基本バッファガスの進入を許容するための基本バッファガス入口と、前記放射コレクタの近傍にあり、前記基本バッファガスを前記ソースチャンバーから排気するためのバッファガス出口と、を備える放射ソースモジュールが提供される。

【0010】

本発明の第２の態様によると、燃料の励起によってプラズマ形成場所にプラズマを生成して放射を生成する間に放射ソースのソースチャンバーから燃料デブリを運び出す方法であって、前記ソースチャンバーへの基本バッファガスの進入を許容することと、前記放射を収集して集束するための前記ソースチャンバー内の放射コレクタの近傍において前記ソースチャンバーから前記基本バッファガスを排気し、それにより前記燃料デブリを前記ソースチャンバーから運び出す基本バッファガス流れを前記ソースチャンバー内に生成することと、を備える方法が提供される。

【0011】

本発明の第３の態様によると、少なくとも１つの反射層で被覆された基板を備え、前記少なくとも１つの反射層は、複数の穿孔を備える多層ミラーが提供される。

【0012】

本発明の更なる特徴及び利点は、本発明の種々の実施の形態の構造及び動作とともに付属の図面を参照して以下に詳述される。本書に説明される特定の実施の形態に本発明は限定されないことに留意すべきである。こうした実施の形態は例示の目的で本書に提示されるにすぎない。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づき当業者に明らかであろう。
付属の図面は、本明細書に組み込まれてその一部をなし、本説明とともに本発明を示し、本発明の原理を説明し、当業者に本発明を作成し使用することを可能にする。本発明の実施の形態が付属の図面を参照して説明されるがそれらは例示に過ぎない。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】反射投影光学系を有するリソグラフィ装置を概略的に示す。

【図2】図１の装置をより詳細に示す図である。

【図3】バッファガス流れ様式が示されたソースモジュールを概略的に示す。

【図4】本発明のある実施の形態に係り、バッファガス流れ様式が示されたソースモジュールを概略的に示す。

【図5】本発明のある実施の形態に係る放射コレクタを概略的に示す。

【図6】本発明のある実施の形態に係る放射コレクタ上の穿孔のグリッド配列を概略的に示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明の特徴及び利点は以下に示される詳細な説明を図面と併せて解することでより明らかとなるであろう。図面において同様の参照符号は全体を通じて対応する要素を特定する。図面において同様の参照番号は概して同一の、機能的に類似の、及び／又は構造的に類似の要素を指し示す。

【0015】

図１は、本発明の１つの実施の形態に係るソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。本装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴであって、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決め部ＰＭに接続された支持構造ＭＴと、
− 基板（例えば、レジストで覆われたウェーハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴであって、基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決め部ＰＷに接続された基板テーブルＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影するように構成された投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳと、を備える。

【0016】

照明システムは、放射の方向や形状の調整、又は放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、又はその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

【0017】

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、又はパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。支持構造は例えばフレーム又はテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。

【0018】

「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するよう放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用可能な何らかのデバイスを指し示すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。

【0019】

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクといったマスク形式が含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。

【0020】

照明システムと同様に、投影システムは、使用される露光放射に関して又は真空の使用等その他の要因に関して適切とされる各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、又はその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。他のガスは放射を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶ放射については真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプによってビーム経路の全体に真空環境が提供されてもよい。

【0021】

図示されるように、本装置は、（例えば反射型マスクを採用する）反射型である。

【0022】

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれより多数の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する形式のものであってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的なテーブルが並行して使用されてもよく、あるいは１つ以上のテーブルが露光に使用されている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。

【0023】

図１を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法は、必ずしもそれに限定されるわけではないものの、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくともひとつの元素を有するプラズマ状態に物質を変換することを含む。こうしたひとつの方法（これは多くの場合レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称される）においては、要求される輝線を放出する元素を有する物質の滴、流、又はクラスタなどの燃料にレーザビームを照射することによって、要求されるプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１に図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出する。この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に設けられる放射コレクタを使用して収集される。例えば燃料励起のためのレーザビームを提供するのにＣＯ_２レーザが使用される場合には、レーザとソースコレクタモジュールとは別体であってもよい。

【0024】

こうした場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、放射ビームはレーザからビーム搬送システムを介してソースコレクタモジュールへと通過していく。ビーム搬送システムは例えば適切な方向変更用ミラー及び／又はビームエキスパンダを備える。他の場合においては、ソースは、例えばＤＰＰソースとも称される放電生成プラズマＥＵＶ生成器のように、ソースコレクタモジュールの一体部分であってもよい。

【0025】

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側半径範囲及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整されうる。加えてイルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの種々の他の構成要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。

【0026】

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決め部ＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め部ＰＭと別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。

【0027】

図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳＯの囲み構造またはソースチャンバー２２０に真空環境が維持されることができるように構築され構成される。システムＩＬおよびＰＳについても同様にそれら自身の真空環境内に収容される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２がレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ソースによって形成されうる。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、プラズマ２からＥＵＶ放射ビーム２０を仮想ソース点に集束させるように送出することにある。仮想ソース点は多くの場合中間焦点（ＩＦ）と称され、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦがソースチャンバー２２０の開口２２１又はその近くに配置されるように、構成される。仮想ソース点ＩＦは放射放出プラズマ２の像である。

【0028】

中間焦点ＩＦがある開口２２１から、放射は照明システムＩＬを横断する。本例では照明システムＩＬはファセットフィールドミラーデバイス２２とファセット瞳ミラーデバイス２４とを含む。これらのデバイスは、いわゆる「フライアイ」イルミネータを形成し、パターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１に所望の角度分布を提供するとともに、パターニングデバイスＭＡにて所望の放射強度の一様性を提供するよう構成される。支持構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにてビーム２１が反射されると、パターンが付与されたビーム２６が形成され、そのパターンが付与されたビーム２６は、投影システムＰＳによって反射性要素２８、３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。基板Ｗの目標部分Ｃを露光するために、放射のパルスが生成され基板テーブルＷＴとマスクテーブルＭＴがパターニングデバイスＭＡのパターンを照明のスリットを通じて走査するように同期された移動２６６、２６８を実行する。

【0029】

各システムＩＬおよびＰＳは、ソースチャンバー２２０と同様の囲み構造によって定められるそれら自身の真空または近真空環境内に配置されている。図示されるよりも多くの要素が一般に照明システムＩＬおよび投影システムＰＳに存在しうる。さらに、図面に示すよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば、照明システムＩＬ及び／または投影システムＰＳには、図２に示すものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

【0030】

ソースコレクタモジュールＳＯをより詳しく考察すると、レーザエネルギーソースは、レーザエネルギー２２４をキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｉ）、リチウム（Ｌｉ）などの燃料に与えて数十ｅＶの電子温度をもつ高度にイオン化されたプラズマ２を生成するように構成されたレーザ２２３を備える。より高いエネルギーのＥＵＶ放射は、例えばＴｂ、Ｇｄなどの他の燃料材料を用いることで生成されうる。これらのイオンの脱励起及び再結合の間に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、近垂直入射コレクタ３によって収集され開口２２１に集束される。プラズマ２および開口２２１はそれぞれ、コレクタＣＯの第１焦点および第２焦点に位置する。

【0031】

図２に示されるコレクタ３は単一の湾曲ミラーであるが、コレクタは他の形式をとってもよい。例えば、コレクタは、２つの放射集光面を有するシュワルツシルト型コレクタであってもよい。ある実施の形態においては、コレクタは、互いに入れ子とされた複数の実質的に円筒のリフレクタを備えるかすめ入射コレクタであってもよい。

【0032】

燃料たとえば液体スズを送出するために、滴生成器２２６がソースチャンバー２２０内に設けられ、高周波数の滴流れ２２８をプラズマ２の所望の場所に向けて発するように構成されている。動作中、レーザエネルギー２２４が滴生成器２２６の動作と同期して送出され、燃料滴をプラズマ２へと変化させる放射のインパルスが送出される。滴の送出の周波数は数十キロヘルツ例えば５０ｋＨｚであってもよい。実際には、レーザエネルギー２２４は、少なくとも２つのパルスとして送出される。すなわち、制限されたエネルギーを有するプレパルスが燃料材料を微小な雲へと気化させるために滴がプラズマ位置に到達する前に送出される。その次に、レーザエネルギー２２４のメインパルスが所望の位置にある雲へとプラズマ２を生成すべく送出される。トラップ２３０が何らかの理由でプラズマに変化していない燃料を捕捉するためにソースチャンバー２２０の反対側に設けられている。オブスキュレーション２３５は、レーザ放射が中間焦点ＩＦを通過するのを防止するように働く。もし通過すれば、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内のミラーおよびその他の光学構成要素を不所望に加熱し及び／または損傷させうるからである。レーザ放射をプラズマ生成場所に集束する光学構成要素は、プラズマ生成場所から例えば０．５メートルまたはそれより長い距離だけ離れていてもよい。

【0033】

当業者には理解されるように、基準軸Ｘ、Ｙ、およびＺが本装置および種々の構成要素並びに放射ビーム２０、２１、２６の形状および挙動を測定し記述するために定義されうる。本装置の各部分においてＸ、Ｙ、Ｚの局所的な基準フレームが定められてもよい。Ｚ軸は、システムの所与の位置で光軸Ｏ方向に広義に一致し、一般にパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの平面に垂直でありかつ基板Ｗの平面に垂直である。ソースコレクタモジュールにおいて、Ｘ軸は、燃料流れ２２８の方向に広義に一致し、Ｙ軸は、これと直交しており、図２に示されるように紙面外を指している。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近くでは、Ｘ軸は一般に走査方向を横断し、Ｙ軸は走査方向に一致している。便宜のため、図２の概略図においてこの領域では表記されるようにＸ軸が紙面外を指す。このように指定するのは本分野で従来からであり、本書でも便利のためにそのようにしている。原理的には、本装置およびその挙動を説明するのにいかなる基準フレームを選択することも可能である。

【0034】

ソースコレクタモジュールおよびリソグラフィ装置全体の動作に重要な多数の追加の構成要素が典型的な装置には存在するが、ここでは図示していない。これには、包囲された真空内での汚染作用を低減しまたは緩和する構成、例えばコレクタ３および他の光学系の性能を損なわせる燃料材料の堆積を防止する構成が含まれる。存在するが詳述しない他の特徴には、リソグラフィ装置の各種構成要素およびサブシステムの制御に関与するすべてのセンサ、コントローラ、およびアクチュエータがある。

【0035】

燃料滴がレーザ放射によって励起されるとき、ひとつの望まれない副作用は、イオンや中性の燃料デブリが作られることである。高エネルギーのイオンデブリは、コレクタ表面を損傷させうる。低エネルギーのイオンデブリおよび中性デブリは、コレクタ表面に堆積しうる。これらの作用の両方がコレクタ反射効率の低下、ひいてはコレクタ寿命の低下につながる。

【0036】

燃料デブリのコレクタへの影響を緩和するために、保護バッファガス流れがコレクタ内部でコレクタから離れた距離にある出口へとコレクタから離れる方向に構築されてもよい。このガス流れは、ソースチャンバー内部に構築されたバッファガス密度とともに、燃料デブリを阻止するように働き、燃料デブリを熱運動化し、燃料デブリをコレクタからソースチャンバーの外に運び出す。使用される保護ガスは水素ガス（Ｈ_２）であってもよい。

【0037】

図３は、図２に示されるようなソースコレクタモジュールＳＯ内部のバッファガス流れ様式を概略的に示す。既に説明したソースチャンバー２２０、コレクタ３、滴生成器２２６、トラップ２３０、プラズマ２、オブスキュレーション２３５、および中間焦点ＩＦが示されている。加えて示されているのは、コレクタ３にある開口３００であり、これは主要バッファガス入口として機能し、これを通じてバッファガス流れ３１０、３１５がソースチャンバー２２０に生成される。また、開口３００は、プラズマ２を発生させるべく燃料を励起するようにソースチャンバー２２０へとレーザ放射が導入される進入場所であってもよい。このバッファガス流れ３１０、３１５は、いかなる燃料デブリもコレクタ３から離れ出口３２０に向かうように運ぶ。出口３２０はソースチャンバー２２０の壁に配置され、バッファガス流れ３１０、３１５の排気口として働く。このようにして、燃料デブリは、コレクタ３から出口３２０を通じてソースチャンバー２２０の外に運び出される。追加のバッファガス入口３３０が設けられてもよく、これらを周縁ガス入口３３０と称する。これは追加のガス流れ３４０をコレクタ３の表面を横断する方向に提供し、それによりプラズマ２とコレクタ３との間の追加の障壁として働く。

【0038】

上述のガス流れ様式にはいろいろな問題がある。主な問題は、プラズマ２によって生成された圧力が開口３００を通じて導入されるバッファガス流れ３１０に抗するように働くことである。このプラズマ圧力は、プラズマ２（イオンデブリ）によりコレクタ３の方向に生成されたイオンの運動量の結果である。生成された高エネルギーのイオンの大半はプラズマ２からコレクタ３へと方向付けられる傾向があることが実証されている。とくに、高エネルギーのイオンデブリは、コレクタ３および開口３００に向かうように方向付けられる傾向がある。これが意味するのは、このプラズマ圧力を克服するために非常に高いバッファ圧力が必要となるということである。たとえ非常に高いバッファ圧力だったとしても、プラズマ圧力は依然として出口３２０に向かうガス流れ経路を妨げる原因となりうる。もうひとつの問題は、顕著な量の燃料デブリが実際には出口３２０を通じて輸送されるのではなく、むしろ出口３２０の周囲または近傍のソース壁に堆積することである。この燃料デブリは、重力の影響により合体してコレクタ表面に落下しうる。様々な汚染メカニズム（例えば翼構造）がこれを解決することを目指して設計されているが、そのようにしてもコレクタ３の汚染防止に完全に有効となるものは無い。

【0039】

バッファガスのもつ阻止力に関するもうひとつの問題は、とくにＥＵＶパワー（およびイオン燃料デブリのパワー）の増加に伴う。このイオン燃料デブリは、プラズマ２とコレクタ３の間のバッファガスを加熱し、その密度を減少させ、従って阻止力を減少させる。また、プラズマからの熱放出は、指定されたガス流れパターンに影響し、コレクタ３の保護の有効性を低下させる。こうしたバッファガス様式を高ＥＵＶパワーに対し見積もると、プラズマ２とコレクタ３の間の領域での高温バッファガスの形成のためにますます困難となる。そうすると、イオン燃料デブリがバッファガスをコレクタへと直接貫通することでコレクタ表面へのイオン打ち込みまたはスパッタリングがもたらされ、あるいは、コレクタに非常に近接した位置でイオン燃料デブリを阻止することとなりコレクタ表面に汚染がもたらされる。

【0040】

図４は、図３に比べて改良されたバッファガス流れ様式を有するソースモジュールＳＯを概略的に示す。主な相違は、ガス流れの方向が概ね反転しており、コレクタ４００に向かうことである。こうして、バッファガス流れ４１５、４３０をソースチャンバー４３５へと導入する主要ガス入口４１０がプラズマ２に対してコレクタ４００とは反対側に設けられている。コレクタ４００の中心にある開口４２０が今度はバッファガス出口として働く（上述のようにレーザ放射はプラズマ２を生成すべく燃料を励起するためにこの開口４２０を通じて導入される）。こうして、コレクタ中心にある開口４２０を通じてソースチャンバー４３５から出る基本バッファガス流れ４１５、４３０が存在している。

【0041】

ある実施の形態においては、この主要ガス入口４１０は、オブスキュレ−ション４３７の影の中に配置されていてもよい。このようにすれば、主要ガス入口４１０は生成されたＥＵＶ放射と干渉しない。主要ガス入口４１０は、ソースモジュールＳＯの光軸Ｏ上またはその近傍にあってもよい。
結果として生じるガス流れ様式では、バッファガス流れ４１５、４３０がもはやプラズマ圧力に抗するように作用せず、プラズマ圧力によって実際にくみ上げられ（すなわち、押され）、それによりコレクタ４００の中心に向かうガス流れが強化されている。基本バッファガス入口とバッファガス出口は、好ましくは、基本バッファガス流れがプラズマ圧力によって放射コレクタに向けて押されるように配置されている。

【0042】

これは、より小さいガス圧力が主要ガス入口４１０に必要となることを意味する。加えて、燃料デブリが今度は開口４２０とプラズマ２の間にある容積の内部に大きく収容されている。こうして、ソースチャンバー４４０の壁に接触したり、プラズマ２と中間焦点ＩＦの間のソースチャンバー４４０の容積に進入したりする燃料デブリはほぼ皆無となる。これはソースチャンバー４４０の壁に汚染構造を設ける必要がほとんど無いか全く無いことを意味する。これによる望ましい結果として、ソースモジュールＳＯは、コレクタを下方に向けて鉛直に方向付けられる。現在はこれが可能ではなく、こうした姿勢はソースチャンバー４４０の壁で集められた燃料デブリを汚染構造が収容するのを妨げるので、それらはコレクタ４００の表面に落下し汚染してしまうことになる。

【0043】

コレクタ表面の汚染を防ぐために、開口４２０は、図３の構成の開口３００よりも大きくする必要があるかもしれない。この場合、小さい開口と比較してＥＵＶ放射の損失がもたらされるが、こうした構成が提供する他の利点によってこれは相殺されうる。

【0044】

図示される構成のもうひとつの顕著な利点は、アルゴンのようなより重いガスをバッファガスとして（とくに、従来と比べて大きい比率及び／または大きい密度で）使用可能にすることである。アルゴンは水素に比べて粒子を阻止する力が大きく、また安価である。また、水素とアルゴンのガス混合物は、純粋な水素よりも取り扱いが安全である。図示される構成によれば、プラズマ２と中間焦点ＩＦの間のソース容積にはバッファガスがほぼ皆無となる（これに対し前述のものはこの領域にバッファガス出口が配置されていた）。アルゴンはＥＵＶ放射を吸収するから、ソース容積における存在は最小に維持されるべきである。バッファガスをコレクタ４００の近傍に閉じ込めるためにさらに、周縁ガス入口４５０が設けられ、これを通じて周縁ガス流れ４５５が導入されてもよい。もし周縁流れがアルゴンを備える場合には、アルゴンがプラズマとコレクタの間、すなわちＥＵＶ放射の経路に存在する。しかし、バッファガスは（図３の構成に比べて）小さい容積に主に閉じ込められているから、結果として生じるＥＵＶの吸収はプラズマ２と中間焦点ＩＦとの距離に対して短い距離のみ（例えば、ＥＵＶ放射の経路の距離の約１０％のみ）で生じることになる。したがって、ＥＵＶ出力への全体的な影響は最小限である。あるいは、ある他の実施の形態においては、周縁流れ４５５のバッファガスは、ＥＵＶ放射に透明なガスのみ（例えば、水素のみ）を備え、バッファガスに含まれるより重いガスはすべて基本バッファガス流れ４１５、４３０のみに閉じ込められる。ある他の代案においては、基本ガス流れ４１５、４３０と周縁ガス４５５の両方がより重いガスを含み、周縁ガス流れ４５５がより重いガスを基本ガス流れ４１５、４３０に比べて小さい比率で含む。

【0045】

前述のように、開口４２０は、プラズマを生成すべく燃料を励起するためにレーザ放射の進入を許容する開口であってもよい。バッファガスはレーザ放射を吸収しないので、バッファガスの密度増加及び／または水素以外のバッファガスの使用はレーザ放射の燃料への伝搬に悪影響を及ぼさない。実際、これの利点は、イオン燃料デブリを阻止するための距離を既存の設計に比べて非常に大きくできることにある。現在は、こうしたイオン燃料デブリは出口（例えば出口３２０）を通じて輸送される前にソースチャンバ内部で阻止されなければならない。図４の構成においては、レーザ光学系とプラズマとの間に大きな距離（例えば、０．５ｍより大きく、または１ｍ程度）あり、高エネルギーのイオン燃料デブリ（例えば５０ｋｅＶを超える）を阻止することができる長い距離が提供される。こうして、イオン燃料デブリはもはやソースチャンバー４３５の内部で阻止される必要が無く、開口４２０を通じてソースチャンバー４３５を出てから阻止されてもよい。

【0046】

また、この阻止距離に沿う壁のスパッタリングは、問題を引き起こすべきではなく、イオン燃料デブリがレーザの集束光学系を損傷しないのであれば許容されてもよい。よって、バッファガス流れ（及び／または他の要素）は、いかなるスパッタリング生成物もミラー（例えばレーザビーム搬送システム）を備えるシステムの部分に入射することを防止すべきである。開口４２０に方向付けられたイオン燃料デブリは、内壁に衝突して顕著に運動量を低下させうる。図４に示されるバッファガス流れは、最小量のスパッタリング生成物を除いてプラズマの背後（中間焦点ＩＦに向かう側）のソースチャンバー容積に進入することを防止するので、この領域におけるソースチャンバー壁のスパッタリングは効果的に防止される。こうしたスパッタリングは、ソースチャンバー内部での他の汚染物質の解放をもたらしうる。

【0047】

提案される構成によれば、高速のイオン燃料デブリは、コレクタ４００に向かってレーザ軸から±３０度の角度以内の領域に閉じ込められることが実証されることができる。開口４２０を十分に大きくすることによって、この領域は、前述のような、高速のイオン燃料デブリが、主要ガス入口と開口４２０との間にあり開口４２０の直径により定まる直径を有する実質的に円柱状の容積内に閉じ込められるというものになりうる。低速のイオン燃料デブリおよび中性の燃料デブリは基本的に、コレクタ４００から離れて主要ガス入口４１０へと向かうように方向付けられる。ある実施の形態においては、この低速のイオン燃料デブリおよび中性の燃料デブリを捕集するために、加熱された燃料捕集器４６０が主要ガス入口４１０に設けられてもよい。加熱された燃料捕集器は、燃料を気化するのに十分な温度に維持され、それがガス流れ４１５、４３０によって開口４２０から運び出されるのを許容してもよい。これに代えてまたはこれとともに、主要ガス入口４１０の中心壁は、いかなる燃料デブリもこの中心壁に付着するように加熱されてもよい。これにより、追加の閉じ込めアセンブリ（例えば翼）の必要性が無くなりうる。

【0048】

プラズマ２と中間焦点ＩＦの間にあるいかなる（水素）バッファガスも、高エネルギーのイオン燃料デブリは大半がプラズマ２とコレクタ４００の間に閉じ込められているので、高エネルギーのイオン燃料デブリによって加熱されない。これは、毎回の爆発初期の過渡的なＥＵＶ放射の低減をもたらす。

【0049】

ある実施の形態においては、主要ガス入口４１０及び／または周縁ガス入口４５０は、バッファガスを超音速で放出してもよい。ある実施の形態においては、入口４１０、４５０は、環状のバッファガスプロファイルを放出する超音速噴射器を備えてもよい。

【0050】

提案した構成は、滴の軌道を本質的に、より安定化しうる。ある実施の形態においては、燃料滴は主要ガス入口４１０の領域内からバッファガス流れ４１５とともに供給されてもよい。こうして、滴の経路はバッファガス流れの経路とほとんど平行となりうる（例えば、経路間に定まる角度は、３０度より小さく、２０度より小さく、または１０度より小さい）。これは、牽引力を低減する効果がある。これは図４に示されており、滴生成器４７０が主要ガス入口４１０の近傍に示されている。

【0051】

上記説明におけるコレクタ３またはコレクタ４００のような放射コレクタは、反射性コーティング（１つ又は複数の材料層）、例えばＥＵＶ放射の反射に最適化されたコーティングにより被覆された基板材料を備える。しかしながら、コレクタは反射性コーティングのブリスタリングに悩まされることが知られている。このブリスタリングは、バッファガスとくに水素に（少なくとも部分的に）起因しうる。水素原子は大きさが小さいのでコレクタのコーティング内で数層の深さまで拡散しうるものと理解される。原子の水素がコレクタの本体に一度進入すると、基板に接合し、層の境界および界面に捕捉され、またはその両方となりうる。これはとりわけ、基板構造に欠陥がある場合に起こりうる。影響の大きさはこの領域での水素の照射量および濃度に依存する。もし水素濃度があるしきい値を上回ると、Ｈ_２分子への再結合またはおそらくはＳｉＨ_４の形成により、気体水素の化合物の気泡が形成されうる。気泡が形成されると、追加的な水素の存在のもとで成長する可能性が高い。こうした気泡が形成されればその内部ガス圧力が気泡の上方の層を変形させ、時間経過とともにブリスタ（膨らみ）を形成することになる。

【0052】

ブリスタが生じたコーティングにはいくつかの問題が発生する。ブリスタはＥＵＶ放射を中間焦点へと反射することにより収集するのではなくＥＵＶ放射を散乱する傾向がある。ブリスタが生じたコーティングは表面積が大きくなり、酸化や他の汚染および目標材料の堆積による劣化が起こりやすくなる。吸着性が高まり、これは一般にはＥＵＶ反射率の低下をもたらす。

【0053】

ブリスタを生じたコレクタを修理するために、ブリスタは検出され破裂されてもよい。これは特別な道具を用いてブリスタに穴（例えば直径が０．１ｍｍで深さが３００μｍの穴）を開けることによって行われうる。この穴開けを現場で行うには特別な困難があり、適する道具を開発しなければならない。

【0054】

図５は、ある実施の形態に係り、ブリスタリング問題を緩和することを指向する放射コレクタ５００を概略的に示す。放射コレクタ５００は、（上述の）中心開口５２０を有し、さらに、コーティング層の内部に複数の予め穿設された穴または穿孔５１０を備える。穿孔５１０間の間隔は、例えば、５０ｍｍより小さく、３０ｍｍより小さく、２０ｍｍより小さく、１５ｍｍより小さく、または１０ｍｍより小さくてもよい。ある具体例においては、この間隔は、１０ｍｍ程度であってもよい。穿孔５１０の直径は、例えば、０．０５ｍｍから０．２ｍｍの間であってもよく、具体例として０．１ｍｍ程度であってもよい。

【0055】

穿孔５１０は、積極的な介入（ブリスタの穴開け）の必要なくブリスタの形成を防止し及び／またはブリスタを収縮させるように働く。ブリスタは穿孔５１０の上には作られず、また穿孔間に作られたブリスタは最終的に１つの穿孔５１０に達するまで膨らみ、その穿孔によって収縮される。こうしてブリスタの最大サイズは穿孔の間隔距離に制限される。反射面積の損失に関する犠牲は無視できると考えられるほどに小さい。１０ｍｍの穿孔間隔で０．１ｍｍの穿孔直径という例を用いた場合、面積の損失は０．０８％程度である。

【0056】

「穴」または「穿孔」との用語は、コレクタの基板厚さ全体を貫通する穴開けを意味するものではないと理解すべきである。必要な穴開けの深さは反射性コーティングを構成する１つ又は複数の層のみに穴を開ける程度で十分である。例えば、穿孔５１０の深さは、１００μｍから５００μｍの間、２００μｍから４００μｍの間、またはおよそ３００μｍであってもよい。

【0057】

図５における穿孔５１０は、規則的な二次元グリッドを形成するように規則的な間隔で示されている。しかしながら、システム内の光学系の均質性に小さな一様性擾乱を意図せずに付加することのないように周期性を壊すことが望ましいかもしれない。また、周期性を壊すことによって、周波数のうなり及び干渉作用を防止することができる。したがって、（例えば、ランダムまたは擬似ランダムに）変化する摂動を穿孔５１０の配列に付加することが提案される。変化する摂動は、穿孔が実質的に規則的なグリッドを基準として（図２のソースＳＯの軸を基準として（すなわち光軸Ｏに垂直な平面において）Ｘ及びＹ方向に）配列されるが、各穿孔が規則的なパターンの対応する位置から（例えばランダムまたは擬似ランダムに）可変の間隔で（Ｘ及びＹ方向に）配置されるというものであってもよい。この配列は、可変の間隔が規則的なグリッドの間隔の１／１０以内に制限されるというものであってもよい。こうした実施の形態においては、上述の例で挙げたグリッド間隔は、基準グリッドのグリッド間隔または穿孔配列の平均間隔を表してもよい。

【0058】

図６は、このような配列を示す。規則的なグリッド位置６００（点）と穿孔５１０（星）が示されている。各穿孔５１０は、対応する規則的なグリッド位置６００から（ある制限以内で）ランダムの距離にある。

【0059】

上記の原理はＥＵＶ放射コレクタに関して説明されているが、同様の環境にさらされブリスタリングが問題となりうる任意の多層ミラーに適用することができる。この実施の形態の放射コレクタは、本書に説明したいずれかの他の実施の形態のコレクタに適用されてもよい。

【0060】

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、ここに説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有しうるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／又はインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらの又は他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は、処理された多数の層を既に含む基板をも意味し得る。

【0061】

「レンズ」という用語は、文脈が許す場合、屈折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品を含む各種の光学部品のうちいずれか１つ、又はこれらの組み合わせを指し示してもよい。
下記の番号付けられた節によっても実施の形態が与えられる。
１．放射を生成するプラズマをプラズマ形成場所に燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
ソースチャンバーと、
前記ソースチャンバー内にあり、前記放射を収集して集束するための放射コレクタと、
前記ソースチャンバーへの基本バッファガスの進入を許容するための基本バッファガス入口と、
前記放射コレクタの近傍にあり、前記基本バッファガスを前記ソースチャンバーから排気するためのバッファガス出口と、を備える放射ソースモジュール。
２．前記バッファガス出口は、前記放射コレクタの表面にある開口に配置されている項１に記載の放射ソースモジュール。
３．前記バッファガス出口は、前記放射コレクタの中心にある開口に配置されている項１または２に記載の放射ソースモジュール。
４．前記燃料デブリの一部が高速イオンを備え、前記放射ソースモジュールは、前記高速イオンが主要ガス入口と前記開口との間の実質的に円柱状の容積内に実質的に閉じ込められるように動作可能であり、前記円柱状の容積は前記開口の直径に等しくまたはそれより小さい直径を有する項３に記載の放射ソースモジュール。
５．前記基本バッファガス入口と前記バッファガス出口は、前記基本バッファガスが前記プラズマによって生成される圧力によって前記放射コレクタに向けて押されるように配置されている項１から４のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
６．前記基本バッファガス入口と前記バッファガス出口は、前記プラズマ形成場所のそれぞれ反対側に配置されている項１から５のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
７．前記基本バッファガス入口は、オブスキュレーションの影の中に配置され、前記オブスキュレーションは、前記放射コレクタと前記放射コレクタの中間焦点との間に配置され、前記中間焦点で前記ソースチャンバーを出るレーザ放射を遮るように動作可能である項１から６のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
８．前記基本バッファガス入口と前記バッファガス出口は、前記基本バッファガス入口から前記バッファガス出口への基本バッファガス流れを定めるように動作可能であり、前記基本バッファガス流れは、前記燃料の励起の結果として生成された燃料デブリを前記基本バッファガスとともに前記バッファガス出口を通じて運び出すように動作可能である項１から７のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
９．前記基本バッファガス流れは、前記基本バッファガス入口と前記放射コレクタとの間にある前記ソースチャンバー内の容積の中に実質的に閉じ込められている項８に記載の放射ソースモジュール。
１０．前記プラズマによって生成されたイオンの運動量が、燃料デブリを前記バッファガスとともに前記バッファガス出口を通じて運び出すのを支援する項８または９に記載の放射ソースモジュール。
１１．前記基本バッファガス流れは、前記燃料デブリを阻止する前に前記燃料デブリを前記ソースチャンバーから運び出すように動作可能である項８から１０のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
１２．前記ソースは、前記プラズマ生成場所に向けて前記基本バッファガス流れに実質的に平行な方向に前記燃料の滴を生成するように構成された滴生成器を備える項８から１１のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
１３．前記コレクタの周縁に配置され、前記バッファガス出口に向けて周縁バッファガス流れを生成するように構成された少なくとも１つの周縁ガス入口を備える項１から１２のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
１４．前記周縁バッファガス流れは、ＥＵＶ放射に実質的に透明な周縁バッファガスのみを備える項１３に記載の放射ソースモジュール。
１５．前記基本バッファガス入口及び／またはいずれかの周縁ガス入口は、超音速バッファガス噴射器を備える項１から１４のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
１６．前記基本バッファガス入口に近接して燃料捕集器が設けられている項１から１５のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
１７．前記燃料捕集器は、その表面に捕集された燃料を気化させるのに十分な温度に加熱されている項１６に記載の放射ソースモジュール。
１８．前記基本バッファガス入口の内壁は、前記内壁に到達するいかなる燃料デブリも前記中心壁に付着するように加熱されている項１７に記載の放射ソースモジュール。
１９．前記基本バッファガスは少なくとも一部に、水素より重いガスを備える項１から１８のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２０．前記基本バッファガスは、水素とアルゴンの混合物を備える項１から１９のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２１．前記放射ソースは、極紫外放射を生成するように構成されている項１から２０のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２２．前記放射コレクタは、少なくとも１つの反射層で被覆された基板を備え、前記少なくとも１つの反射層は、複数の穿孔を備える項１から２１のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２３．前記穿孔は、実質的に等間隔である項２２に記載の放射ソースモジュール。
２４．前記穿孔は、不規則なグリッドに配置され、前記不規則なグリッドは、実質的に規則的なグリッドを基準として前記不規則なグリッドの穿孔の位置がそれぞれ前記規則的なグリッドの対応する位置から可変距離だけ離れるように定められている項２２に記載の放射ソースモジュール。
２５．前記可変距離は、前記規則的なグリッドの間隔距離の１０％以内に制限されている項２４に記載の放射ソースモジュール。
２６．前記可変距離は、ランダムに、または擬似ランダムに変化する項２４または２５に記載の放射ソースモジュール。
２７．穿孔間の平均間隔は、５０ｍｍより小さい項２２から２６のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２８．穿孔間の平均間隔は、３０ｍｍより小さい項２２から２６のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
２９．穿孔間の平均間隔は、１５ｍｍより小さい項２２から２６のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
３０．穿孔間の平均間隔は、５ｍｍから１５ｍｍの間にある項２２から２６のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
３１．前記穿孔の各々の直径は、０．０５ｍｍから０．２ｍｍの間にある項２２から３０のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
３２．前記穿孔の各々は、２００μｍから４００μｍの間の深さを有する項２２から３１のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
３３．前記穿孔の合計面積は、前記放射コレクタの反射表面の合計面積の０．１％未満である項２２から３２のいずれかに記載の放射ソースモジュール。
３４．ＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された項１から３３のいずれかに記載の放射ソースを備えるリソグラフィ装置。
３５．前記ＥＵＶ放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記ＥＵＶ放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、を備える項３４に記載のリソグラフィ装置。
３６．前記放射ソースは、前記プラズマ生成場所の下方で前記放射コレクタに実質的に垂直に方向付けられている項３４または３５に記載のリソグラフィ装置。
３７．燃料の励起によってプラズマ形成場所にプラズマを生成して放射を生成する間に放射ソースのソースチャンバーから燃料デブリを運び出す方法であって、
前記ソースチャンバーへの基本バッファガスの進入を許容することと、
前記放射を収集して集束するための前記ソースチャンバー内の放射コレクタの近傍において前記ソースチャンバーから前記基本バッファガスを排気し、それにより前記燃料デブリを前記ソースチャンバーから運び出す基本バッファガス流れを前記ソースチャンバー内に生成することと、を備える方法。
３８．前記基本バッファガスは、前記放射コレクタの表面にある開口を通じて前記ソースチャンバーから排気される項３７に記載の方法。
３９．前記基本バッファガスは、前記放射コレクタの中心にある開口を通じて排気される項３７に記載の方法。
４０．前記基本バッファガスが進入を許容された場所と前記開口との間の実質的に円柱状の容積内に前記燃料デブリ内の高速イオンを閉じ込めることを備え、前記円柱状の容積は前記開口の直径に等しい直径を有する項３９に記載の方法。
４１．前記基本バッファガスは、前記プラズマ形成場所に対し前記放射コレクタとは反対側にある場所から進入を許容されている項３７から３９のいずれかに記載の方法。
４２．前記基本バッファガスは、オブスキュレーションの影の中から進入を許容され、前記オブスキュレーションは、前記放射コレクタと前記放射コレクタの中間焦点との間に配置され、前記中間焦点で前記ソースチャンバーを出るレーザ放射を遮るように動作可能である項３７から４１のいずれかに記載の方法。
４３．前記基本バッファガス流れは、前記燃料の励起の結果として生成された燃料デブリを前記ソースチャンバーから運び出す項３７から４２のいずれかに記載の方法。
４４．前記基本バッファガス流れは、前記バッファガスが進入を許容された場所と前記放射コレクタとの間にある前記ソースチャンバー内の容積の中に実質的に閉じ込められている項３７から４３のいずれかに記載の方法。
４５．前記プラズマによって生成されたイオンの運動量が、燃料デブリを前記基本バッファガスとともに前記バッファガス出口を通じて運び出すのを支援する項３７から４４のいずれかに記載の方法。
４６．前記放射コレクタの中心に向けて周縁バッファガス流れを生成するように前記コレクタの周縁にも周縁バッファガスの進入を許容することを備える項３７から４５のいずれかに記載の方法。
４７．前記周縁バッファガスは、ＥＵＶ放射に実質的に透明である項４６に記載の方法。
４８．前記プラズマ生成場所に向けて前記基本バッファガス流れに実質的に平行な方向に前記燃料の滴を生成することを備える項３７から４６のいずれかに記載の方法。
４９．前記基本バッファガス及び／または周縁バッファガスは、超音速での進入を許容されている項３７から４８のいずれかに記載の方法。
５０．前記燃料デブリを阻止する前に前記燃料デブリを前記ソースチャンバーから運び出すことを備える項３７から４９のいずれかに記載の方法。
５１．前記基本バッファガスは少なくとも一部に、水素より重いガスを備える項３７から５０のいずれかに記載の方法。
５２．前記基本バッファガスは、水素とアルゴンの混合物を備える項５１に記載の方法。
５３．少なくとも１つの反射層で被覆された基板を備え、前記少なくとも１つの反射層は、複数の穿孔を備える多層ミラー。
５４．前記穿孔は、実質的に等間隔である項５３に記載の多層ミラー。
５５．前記穿孔は、不規則なグリッドに配置され、前記不規則なグリッドは、実質的に規則的なグリッドを基準として前記不規則なグリッドの穿孔の位置がそれぞれ前記規則的なグリッドの対応する位置から可変距離だけ離れるように定められている項５３に記載の多層ミラー。
５６．前記可変距離は、前記規則的なグリッドの間隔距離の１０％以内に制限されている項５５に記載の多層ミラー。
５７．前記可変距離は、ランダムに、または擬似ランダムに変化する項５５または５６に記載の多層ミラー。
５８．穿孔間の平均間隔は、５０ｍｍより小さい項５３から５７のいずれかに記載の多層ミラー。
５９．穿孔間の平均間隔は、３０ｍｍより小さい項５３から５７のいずれかに記載の多層ミラー。
６０．穿孔間の平均間隔は、１５ｍｍより小さい項５３から５７のいずれかに記載の多層ミラー。
６１．穿孔間の平均間隔は、５ｍｍから１５ｍｍの間にある項５３から５７のいずれかに記載の多層ミラー。
６２．前記穿孔の各々の直径は、０．０５ｍｍから０．２ｍｍの間にある項５３から６１のいずれかに記載の多層ミラー。
６３．前記穿孔の各々は、２００μｍから４００μｍの間の深さを有する項５３から６２のいずれかに記載の多層ミラー。
６４．前記穿孔の合計面積は、前記多層ミラーの反射表面の合計面積の０．１％未満である項５３から６３のいずれかに記載の多層ミラー。
６５．放射コレクタとして構成されている項５３から６４のいずれかに記載の多層ミラー。
６６．放射を生成するプラズマをプラズマ形成場所に燃料を励起することによって生成するように動作可能な放射ソースモジュールであって、
前記プラズマにより発せられる放射を収集するための項６５に記載の放射コレクタとして構成された多層ミラーを備える放射ソースモジュール。

【0062】

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】