発明の名称 シリコン単結晶の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
出願人 株式会社SUMCO (識別番号 302006854)
特許公開件数ランキング 673 位(35件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 357 位(70件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-6870587
公報発行日 2021年5月12
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6870587
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