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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6876417
(24)【登録日】2021年4月28日
(45)【発行日】2021年5月26日
(54)【発明の名称】基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20210517BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651Z
H01L21/304 648G
【請求項の数】8
【全頁数】27
(21)【出願番号】特願2016-235342(P2016-235342)
(22)【出願日】2016年12月2日
(65)【公開番号】特開2018-93063(P2018-93063A)
(43)【公開日】2018年6月14日
【審査請求日】2019年9月27日
(73)【特許権者】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】北山 将太郎
(72)【発明者】
【氏名】五師 源太郎
(72)【発明者】
【氏名】大野 広基
(72)【発明者】
【氏名】江頭 佳祐
(72)【発明者】
【氏名】川渕 洋介
(72)【発明者】
【氏名】丸本 洋
(72)【発明者】
【氏名】増住 拓朗
(72)【発明者】
【氏名】束野 憲人
(72)【発明者】
【氏名】清瀬 浩巳
【審査官】
今井 聖和
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１１−２４９４５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００２−２４６３６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開平０９−２８９１８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−１０９３０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２０１６−５０３５８８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、前記基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置の洗浄方法であって、
前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入し、前記液体を前記超臨界流体に置き換えた後、前記基板を乾燥させる乾燥処理を行った後に、前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入させない状態で、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に充填する洗浄用気体充填工程と、
前記洗浄用気体充填工程の後に、前記基板処理装置の内部から前記洗浄用気体を排気する排気工程と
を含む基板処理装置の洗浄方法。
前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入し、前記液体を前記超臨界流体に置き換えた後、前記基板を乾燥させる乾燥処理を行った後に、前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入させない状態で、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に充填する洗浄用気体充填工程と、
前記洗浄用気体充填工程の後に、前記基板処理装置の内部から前記洗浄用気体を排気する排気工程と
を含む基板処理装置の洗浄方法。
【請求項2】
前記液体は、
イソプロピルアルコールを含有する
請求項１に記載の基板処理装置の洗浄方法。
イソプロピルアルコールを含有する
請求項１に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項3】
前記洗浄用気体充填工程は、
イソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体が液盛りされた治具を前記基板処理装置の内部に搬入する洗浄用液体搬入工程と、
前記洗浄用液体搬入工程の後に、前記基板処理装置の内部で前記洗浄用液体を気化させる洗浄用液体気化工程と
を含む請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
イソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体が液盛りされた治具を前記基板処理装置の内部に搬入する洗浄用液体搬入工程と、
前記洗浄用液体搬入工程の後に、前記基板処理装置の内部で前記洗浄用液体を気化させる洗浄用液体気化工程と
を含む請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項4】
前記治具は、
前記基板と略同一の径および厚さを有する円板部と、
前記円板部の主面から輪形状に突出する輪形部と
を含む請求項３に記載の基板処理装置の洗浄方法。
前記基板と略同一の径および厚さを有する円板部と、
前記円板部の主面から輪形状に突出する輪形部と
を含む請求項３に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項5】
前記洗浄用気体充填工程は、
所定の注入経路を介して前記洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に注入する洗浄用気体注入工程を含む
請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
所定の注入経路を介して前記洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に注入する洗浄用気体注入工程を含む
請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項6】
前記洗浄用気体充填工程は、
所定の注入経路を介してイソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体を前記基板処理装置の内部に注入する洗浄用液体注入工程と、
前記洗浄用液体注入工程の後に、前記基板処理装置の内部で前記洗浄用液体を気化させる洗浄用液体気化工程と
を含む請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
所定の注入経路を介してイソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体を前記基板処理装置の内部に注入する洗浄用液体注入工程と、
前記洗浄用液体注入工程の後に、前記基板処理装置の内部で前記洗浄用液体を気化させる洗浄用液体気化工程と
を含む請求項１または２に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項7】
前記超臨界流体は、
二酸化炭素を含有する超臨界流体である
請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置の洗浄方法。
二酸化炭素を含有する超臨界流体である
請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項8】
液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、前記基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置の洗浄システムであって、
前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入し、前記液体を前記超臨界流体に置き換えた後、前記基板を乾燥させる乾燥処理を行った後に、前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入させない状態で、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に充填する洗浄用気体充填部と、
前記基板処理装置の内部から前記洗浄用気体を排気する排気部と
を含む基板処理装置の洗浄システム。
前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入し、前記液体を前記超臨界流体に置き換えた後、前記基板を乾燥させる乾燥処理を行った後に、前記基板処理装置の内部に前記超臨界流体を導入させない状態で、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に充填する洗浄用気体充填部と、
前記基板処理装置の内部から前記洗浄用気体を排気する排気部と
を含む基板処理装置の洗浄システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
開示の実施形態は、基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システムに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの表面を液体で処理した後の乾燥工程において、液体により表面が濡れた状態のウェハを超臨界流体と接触させることにより、ウェハを乾燥させる方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３−１２５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来の超臨界流体を用いた乾燥方法では、複数のウェハをくり返し乾燥させる際に、ウェハに多数のパーティクルが付着する場合がある。そして、付着した多数のパーティクルにより、ウェハの歩留まりが低下してしまう恐れがある。
【0005】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、超臨界流体を用いてウェハを乾燥させる場合に、ウェハに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態の一態様に係る基板処理装置の洗浄方法は、液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界流体と接触させて、前記基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置の洗浄方法であって、洗浄用気体充填工程と、排気工程とを含む。前記洗浄用気体充填工程は、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体を前記基板処理装置の内部に充填する。前記排気工程は、前記洗浄用気体充填工程の後に、前記基板処理装置の内部から前記洗浄用気体を排気する。
【発明の効果】
【0007】
実施形態の一態様によれば、超臨界流体を用いてウェハを乾燥させる場合に、ウェハに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【0010】
＜基板処理システムの洗浄処理の概要＞最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理の概要について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理の概要を示す図である。
【0011】
実施形態に係る基板処理システム１（図２参照）では、乾燥処理ユニット１７（図２参照）において、図１に示すように、複数のウェハに対して超臨界流体を用いた乾燥処理（Ｓ１）がくり返し行われる。かかる乾燥処理（Ｓ１）の詳細については後述する。
【0012】
ここで、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理では、基板処理システム１の乾燥処理ユニット１７において、くり返し行われる乾燥処理（Ｓ１）の合間に洗浄処理（Ｓ２）を行う。かかる洗浄処理（Ｓ２）は、洗浄用気体充填処理（Ｓ３）と、排気処理（Ｓ４）とを含む。
【0013】
洗浄用気体充填処理（Ｓ３）では、イソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol：以下、ＩＰＡと呼称する。）を乾燥処理ユニット１７内に供給することにより、乾燥処理ユニット１７内に気体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ気体」と呼称する。）を充填する。そして、充填されたＩＰＡ気体は、乾燥処理ユニット１７内に充満し、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0014】
つづいて行われる排気処理（Ｓ４）では、パーティクルを吸着したＩＰＡ気体を、ポンプなどを用いて乾燥処理ユニット１７内から排気する。これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルが、ＩＰＡ気体とともに乾燥処理ユニット１７の外部に排出される。
【0015】
すなわち、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルの数を、洗浄用気体充填処理（Ｓ３）と排気処理（Ｓ４）とにより低減することができる。したがって、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理（Ｓ２）によれば、超臨界流体を用いた乾燥処理（Ｓ１）が行われる乾燥処理ユニット１７内で、ウェハに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる。
【0016】
＜基板処理システムの概要＞つづいて、図２を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図２は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【0017】
図２に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【0018】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【0019】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４と、治具載置部２１とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【0020】
治具載置部２１には、治具２２が載置されている。ここで、上述の基板搬送装置１３におけるウェハ保持機構は、治具２２を保持する機能も備える。そして、基板搬送装置１３は、ウェハ保持機構を用いて治具載置部２１と受渡部１４との間で治具２２の搬送を行う。
【0021】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の洗浄処理ユニット１６と、複数の乾燥処理ユニット１７とを備える。複数の洗浄処理ユニット１６と複数の乾燥処理ユニット１７とは、搬送部１５の両側に並べて設けられる。なお、図２に示した洗浄処理ユニット１６および乾燥処理ユニット１７の配置や個数は一例であり、図示のものに限定されない。
【0022】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１８を備える。基板搬送装置１８は、ウェハＷや治具２２を保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１８は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と、洗浄処理ユニット１６と、乾燥処理ユニット１７との間でウェハＷまたは治具２２の搬送を行う。
【0023】
洗浄処理ユニット１６は、基板搬送装置１８によって搬送されるウェハＷに対して所定の洗浄処理を行う。洗浄処理ユニット１６の構成例については後述する。
【0024】
乾燥処理ユニット１７は、洗浄処理ユニット１６によって洗浄処理されたウェハＷに対し、上述した乾燥処理を行う。乾燥処理ユニット１７の構成例については後述する。
【0025】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１９と記憶部２０とを備える。
【0026】
制御部１９は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。
【0027】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４の記憶部２０にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【0028】
記憶部２０は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
【0029】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１８によって受渡部１４から取り出されて、洗浄処理ユニット１６へ搬入される。
【0030】
洗浄処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、洗浄処理ユニット１６によって洗浄処理が施された後、基板搬送装置１８によって洗浄処理ユニット１６から搬出される。洗浄処理ユニット１６から搬出されたウェハＷは、基板搬送装置１８によって乾燥処理ユニット１７へ搬入され、乾燥処理ユニット１７によって乾燥処理が施される。
【0031】
乾燥処理ユニット１７によって乾燥処理されたウェハＷは、基板搬送装置１８によって乾燥処理ユニット１７から搬出され、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【0032】
＜洗浄処理ユニットの概要＞次に、図３を参照しながら、洗浄処理ユニット１６の概略構成について説明する。図３は、洗浄処理ユニット１６の構成を示す断面図である。洗浄処理ユニット１６は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄処理ユニットとして構成される。
【0033】
図３に示すように、洗浄処理ユニット１６は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、洗浄処理ユニット１６は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられた薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの表面の洗浄処理を行う。
【0034】
また、洗浄処理ユニット１６には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの裏面洗浄が行われる。
【0035】
上述のウェハＷの洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、ＤＩＷと呼称する。）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、ＤＨＦと呼称する。）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
【0036】
上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
【0037】
上述のウェハＷのリンス処理の後には、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの表面および裏面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」と呼称する。）を供給し、ウェハＷの両面に残存しているＤＩＷと置換する。その後、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
【0038】
こうして洗浄処理を終えたウェハＷは、その表面にＩＰＡ液体７１（図７参照）が液盛りされた状態（ウェハＷ表面にＩＰＡ液体７１の液膜が形成された状態）のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により基板搬送装置１８に受け渡され、洗浄処理ユニット１６より搬出される。
【0039】
ここで、ウェハＷの表面に液盛りされたＩＰＡ液体７１は、洗浄処理ユニット１６から乾燥処理ユニット１７へのウェハＷの搬送中や、乾燥処理ユニット１７への搬入動作中に、ウェハＷ表面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防ぐ、乾燥防止用の液体として機能する。
【0040】
洗浄処理ユニット１６での洗浄処理を終え、表面にＩＰＡ液体７１が液盛りされたウェハＷは、乾燥処理ユニット１７に搬送される。そして、乾燥処理ユニット１７内においてウェハＷ表面のＩＰＡ液体７１にＣＯ２の超臨界流体７０（図７参照）を接触させることにより、かかるＩＰＡ液体７１をＣＯ２の超臨界流体７０に溶解させて除去し、ウェハＷを乾燥する処理が行われる。
【0041】
＜乾燥処理ユニットの概要＞以下においては、まず、乾燥処理ユニット１７の構成について説明し、その後、乾燥処理ユニット１７におけるシステム全体の構成について説明する。図４は、乾燥処理ユニット１７の構成を示す外観斜視図である。
【0042】
乾燥処理ユニット１７は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。
【0043】
本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５Ａ、３５Ｂと排出ポート３６とが設けられる。供給ポート３５Ａ、３５Ｂと排出ポート３６とは、それぞれ、乾燥処理ユニット１７の上流側と下流側とに設けられる超臨界流体７０（図７参照）を流通させるための供給ラインに接続されている。かかる供給ラインの構成例については後述する。
【0044】
供給ポート３５Ａは、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３５Ｂは、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３６は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３５Ａ、３５Ｂと１つの排出ポート３６が図示されているが、供給ポート３５Ａ、３５Ｂや排出ポート３６の数は特に限定されない。
【0045】
また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂと、流体排出ヘッダー３８とが設けられる。流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂと流体排出ヘッダー３８とは、いずれも多数の開孔が形成されている。
【0046】
流体供給ヘッダー３７Ａは、供給ポート３５Ａに接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３７Ａに形成される多数の開孔は、開口部３４側を向いている。
【0047】
流体供給ヘッダー３７Ｂは、供給ポート３５Ｂに接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３７Ｂに形成される多数の開孔は、上方を向いている。
【0048】
流体排出ヘッダー３８は、排出ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４よりも下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー３８に形成される多数の開孔は、流体供給ヘッダー３７Ａ側を向いている。
【0049】
流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂは、超臨界流体７０を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー３８は、本体３１内の超臨界流体７０を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー３８を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体７０には、ウェハＷの表面から超臨界流体７０に溶け込んだＩＰＡ液体７１（図７参照）が含まれる。
【0050】
上述のように配置される流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂの開孔から本体３１内に超臨界流体７０が供給され、また流体排出ヘッダー３８の開孔を介して超臨界流体７０が本体３１内から排出されることによって、本体３１の内部には、ウェハＷの周囲で所定の向きに流動する超臨界流体７０の層流が形成される。
【0051】
かかる超臨界流体７０の層流は、たとえば、流体供給ヘッダー３７Ａから、ウェハＷの上方をウェハＷの表面に沿って、開口部３４の上部に向かって流れる。さらに、超臨界流体７０の層流は、開口部３４の上方で下方側に向きを変え、開口部３４の近傍を通り、流体排出ヘッダー３８に向かって流れる。
【0052】
かかる層流の例では、乾燥処理ユニット１７の内部において、保持板３２におけるウェハＷと蓋部材３３との間に不図示の開孔が形成され、かかる開孔を超臨界流体７０の層流が通過する。
【0053】
なお、本体３１内部への超臨界流体７０の供給時と、本体３１からの超臨界流体７０の排出時とにウェハＷに加えられうる負荷を軽減する観点からは、流体供給ヘッダーおよび流体排出ヘッダーは、それぞれ複数個設けられることが好ましい。
【0054】
乾燥処理ユニット１７は、さらに、不図示の押圧機構を備える。かかる押圧機構は、本体３１内部の処理空間内に供給された超臨界状態の超臨界流体７０によってもたらされる内圧に抗して、本体３１に向けて蓋部材３３を押し付け、処理空間を密閉する機能を有する。また、かかる処理空間内に供給された超臨界流体７０が所定の温度を保てるように、本体３１の表面には、断熱材やテープヒータなどが設けられていてもよい。
【0056】
かかるシステム全体において、乾燥処理ユニット１７よりも上流側には流体供給源５１が設けられており、乾燥処理ユニット１７において超臨界流体７０（図７参照）を流通させるための供給ラインには、流体供給源５１から超臨界流体７０が供給される。流体供給源５１には、たとえば、ＣＯ２の超臨界流体７０を発生させるための原料ＣＯ２が貯蔵される。
【0057】
また、流体供給源５１と乾燥処理ユニット１７との間には、上流側から下流側に向かって、バルブ５２ａと、オリフィス５５ａと、フィルタ５７と、バルブ５２ｂとが順次設けられる。なお、ここでいう上流側および下流側の用語は、供給ラインにおける超臨界流体７０の流れ方向を基準とする。
【0058】
バルブ５２ａは、流体供給源５１からの超臨界流体７０の供給のオンおよびオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインに超臨界流体７０を流し、閉状態では下流側の供給ラインに超臨界流体７０を流さない。たとえば、バルブ５２ａが開状態にある場合、１６〜２０ＭＰａ程度の高圧の超臨界流体７０が、流体供給源５１からバルブ５２ａを介して供給ラインに供給される。
【0059】
オリフィス５５ａは、流体供給源５１から供給される超臨界流体７０の圧力を調整する機能を有する。オリフィス５５ａは、たとえば、かかるオリフィス５５ａよりも下流側の供給ラインに、１６ＭＰａ程度に圧力が調整された超臨界流体７０を流通させることができる。
【0060】
フィルタ５７は、オリフィス５５ａから送られてくる超臨界流体７０に含まれる異物を取り除き、クリーンな超臨界流体７０を下流側に流す。
【0061】
バルブ５２ｂは、乾燥処理ユニット１７への超臨界流体７０の供給のオンおよびオフを調整するバルブである。バルブ５２ｂから乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインは、図４に示した供給ポート３５Ａに接続され、バルブ５２ｂを流れる超臨界流体７０は、供給ポート３５Ａと流体供給ヘッダー３７Ａとを介して、本体３１内部に供給される。
【0062】
なお、図５に示す乾燥処理ユニット１７のシステム全体では、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間で供給ラインが分岐している。具体的には、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間の供給ラインからは、バルブ５２ｃとオリフィス５５ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインと、バルブ５２ｄとチェックバルブ５８ａとを介してパージ装置６２に接続される供給ラインとが分岐して延在する。
【0063】
バルブ５２ｃとオリフィス５５ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に接続される供給ラインは、乾燥処理ユニット１７への超臨界流体７０の供給のための補助的な流路である。かかる供給ラインは、図４に示した供給ポート３５Ｂに接続され、バルブ５２ｃを流れる超臨界流体７０は、供給ポート３５Ｂと流体供給ヘッダー３７Ｂとを介して、本体３１内部に供給される。
【0064】
バルブ５２ｄとチェックバルブ５８ａとを介してパージ装置６２に接続される供給ラインは、窒素などの不活性ガスを乾燥処理ユニット１７に供給するための流路であり、たとえば、流体供給源５１から乾燥処理ユニット１７に対する超臨界流体７０の供給が停止している間に活用される。
【0065】
たとえば、乾燥処理ユニット１７を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、バルブ５２ｄとバルブ５２ｂとが開状態に制御され、パージ装置６２から供給ラインに送られた不活性ガスはチェックバルブ５８ａと、バルブ５２ｄと、バルブ５２ｂとを介して乾燥処理ユニット１７に供給される。
【0066】
乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、乾燥処理ユニット１７よりも下流側には、バルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆとが、上流側から下流側に向かって順次設けられる。
【0067】
バルブ５２ｅは、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体７０の排出のオンおよびオフを調整するバルブである。乾燥処理ユニット１７から超臨界流体７０を排出する場合にはバルブ５２ｅが開状態に制御され、乾燥処理ユニット１７から超臨界流体７０を排出しない場合にはバルブ５２ｅが閉状態に制御される。
【0068】
なお、乾燥処理ユニット１７とバルブ５２ｅとの間に延在する供給ラインは、排出ポート３６に接続され、乾燥処理ユニット１７の本体３１内部の超臨界流体７０は、図４に示した流体排出ヘッダー３８と排出ポート３６とを介して、バルブ５２ｅに向かって送られる。
【0069】
排気調整バルブ５９は、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体７０の排出量を調整するバルブであり、たとえば背圧弁によって構成することができる。排気調整バルブ５９の開度は、本体３１内部からの超臨界流体７０の所望の排出量に応じて、制御装置４の制御下で適応的に調整される。
【0070】
バルブ５２ｆは、乾燥処理ユニット１７からの超臨界流体７０の外部への排出のオンおよびオフを調整するバルブである。超臨界流体７０を外部に排出する場合にはバルブ５２ｆが開状態に制御され、超臨界流体７０を排出しない場合にはバルブ５２ｆが閉状態に制御される。なお、バルブ５２ｆの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ａとチェックバルブ５８ｂとが設けられる。
【0071】
排気調整ニードルバルブ６１ａは、バルブ５２ｆを介して送られてくる超臨界流体７０の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ６１ａの開度は超臨界流体７０の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ５８ｂは、排出される超臨界流体７０の逆流を防ぐ弁であり、超臨界流体７０を確実に外部に排出する機能を有する。
【0072】
なお、図５に示す乾燥処理ユニット１７では、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間で供給ラインが分岐している。具体的には、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間の供給ラインからは、バルブ５２ｇを介して外部に接続される供給ラインと、バルブ５２ｈを介して外部に接続される供給ラインとが分岐して延在する。
【0073】
バルブ５２ｇとバルブ５２ｈとは、バルブ５２ｆと同様に、超臨界流体７０の外部への排出のオンおよびオフを調整するバルブである。バルブ５２ｇの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ｂとチェックバルブ５８ｃとが設けられ、超臨界流体７０の排出量の調整と超臨界流体７０の逆流防止とが行われる。バルブ５２ｈの下流側にはチェックバルブ５８ｄが設けられ、超臨界流体７０の逆流防止が行われる。
【0074】
そして、乾燥処理ユニット１７から超臨界流体７０を排出する場合、バルブ５２ｆと、バルブ５２ｇと、バルブ５２ｈとのうちの１以上のバルブが開状態に制御される。ここで、乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、超臨界流体７０の外部への排出を複数のバルブ（バルブ５２ｆ、５２ｇ、５２ｈ）を介して行うことにより、超臨界流体７０の外部への排出量を細かく制御することができる。
【0075】
また、上述の供給ラインの様々な箇所には、超臨界流体７０の圧力を検出する圧力センサと、超臨界流体７０の温度を検出する温度センサとが設置される。図５に示す例では、バルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間には圧力センサ５３ａと温度センサ５４ａとが設けられ、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間には圧力センサ５３ｂと温度センサ５４ｂとが設けられる。
【0076】
また、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間には圧力センサ５３ｃが設けられ、バルブ５２ｂと乾燥処理ユニット１７との間には温度センサ５４ｃが設けられ、オリフィス５５ｂと乾燥処理ユニット１７との間には温度センサ５４ｄが設けられ、乾燥処理ユニット１７には温度センサ５４ｅが設けられる。
【0077】
さらに、乾燥処理ユニット１７とバルブ５２ｅとの間には圧力センサ５３ｄと温度センサ５４ｆとが設けられ、排気調整バルブ５９とバルブ５２ｆとの間には圧力センサ５３ｅと温度センサ５４ｇとが設けられる。
【0078】
また、乾燥処理ユニット１７において超臨界流体７０が流れる任意の箇所には、ヒータＨが設けられる。図５に示す例では、乾燥処理ユニット１７よりも上流側の供給ラインであるバルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間、フィルタ５７とバルブ５２ｂとの間、およびバルブ５２ｂと乾燥処理ユニット１７との間にヒータＨが設けられる。
【0079】
一方で、乾燥処理ユニット１７や、乾燥処理ユニット１７よりも下流側の供給ラインを含む他の箇所にヒータＨが設けられていてもよい。すなわち、流体供給源５１から供給される超臨界流体７０が外部に排出されるまでの全流路においてヒータＨが設けられていてもよい。
【0080】
実施形態では、乾燥処理ユニット１７に供給する超臨界流体７０の温度を調整する観点から、少なくとも乾燥処理ユニット１７よりも上流側を流れる超臨界流体７０の温度を調整することができる箇所にヒータＨが設けられていることが好ましい。
【0081】
図６は、制御装置４の機能構成を示すブロック図である。上述のように、制御装置４は、制御部１９と記憶部２０とを備える。制御装置４は、図５に示す各種要素から計測信号を受信するとともに、図５に示す各種要素に制御指示信号を送信する。
【0082】
制御装置４は、たとえば、圧力センサ５３ａ〜５３ｅと、温度センサ５４ａ〜５４ｇとの計測結果を受信するとともに、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとに制御指示信号を送信する。なお、制御装置４が送受信可能な信号は特に限定されない。
【0083】
＜超臨界流体を用いた乾燥処理の概要＞次に、超臨界流体７０を用いたＩＰＡ液体７１の乾燥処理の概要について説明する。図７は、ＩＰＡ液体７１の乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウェハＷが有するパターンＰを簡略的に示した拡大断面図である。
【0084】
乾燥処理ユニット１７においてＣＯ２の超臨界流体７０が乾燥処理ユニット１７の本体３１内部に導入された当初は、図７（ａ）に示すように、パターンＰの間にはＩＰＡ液体７１のみが充填されている。
【0085】
かかるパターンＰの間のＩＰＡ液体７１は、ＣＯ２の超臨界流体７０と接触することで、徐々にＣＯ２の超臨界流体７０に溶解し、図７（ｂ）に示すように徐々に超臨界流体７０と置き換わる。このとき、パターンＰの間には、ＩＰＡ液体７１とＣＯ２の超臨界流体７０とのほかに、ＩＰＡ液体７１とＣＯ２の超臨界流体７０とが混合した状態の混合流体７０ａが存在する。
【0086】
さらに、パターンＰの間でＩＰＡ液体７１からＣＯ２の超臨界流体７０への置換が進行するにしたがって、パターンＰの間からはＩＰＡ液体７１が除去され、最終的には図７（ｃ）に示すように、ＣＯ２の超臨界流体７０のみによってパターンＰの間が満たされる。
【0087】
パターンＰの間からＩＰＡ液体７１が除去された後に、本体３１内の圧力を大気圧まで下げることによって、図７（ｄ）に示すように、ＣＯ２の超臨界流体７０は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンＰの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンＰの間のＩＰＡ液体７１は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。
【0088】
ここで、超臨界流体７０は、液体（たとえばＩＰＡ液体７１）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体７０と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、上述の超臨界流体７０を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができることから、パターンＰのパターン倒れを抑制することができる。
【0089】
一方で、ここまで説明した基板処理システム１におけるＣＯ２の超臨界流体７０を用いた乾燥処理において、同じ乾燥処理ユニット１７内で複数のウェハＷをくり返し乾燥させた際に、ウェハＷに多数のパーティクルが付着する場合がある。
【0090】
かかるパーティクルは、図５に示した流体供給源５１に貯蔵される原料ＣＯ２の中に流体の状態で保持される水分や油分が、フィルタ５７を通過した後、何らかの理由により乾燥処理ユニット１７内でミスト化し、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着しているものと考えられる。そして、付着した多数のパーティクルにより、ウェハＷの歩留まりが低下してしまう恐れがある。
【0091】
そこで、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理によれば、乾燥処理ユニット１７に所定の洗浄処理を行うことにより、かかるパーティクルの数を低減することができる。
【0092】
＜基板処理システムの洗浄処理の詳細＞つづいて、図８Ａ〜図８Ｃを参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理の詳細について説明する。実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理では、最初に、洗浄用液体搬入処理が行われる。図８Ａは、実施形態に係る洗浄用液体搬入処理の概要を示す図である。
【0093】
なお、図８Ａ〜図８Ｃでは、図５に示した乾燥処理ユニット１７のシステム全体において、制御部１９により開状態と閉状態とが制御可能であるバルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとを記載するとともに、かかる各バルブが開状態の場合は「Ｏ」を、閉状態の場合は「Ｓ」を各バルブに隣接して記載する。
【0094】
また、もし仮に排気調整バルブ５９または排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂが、完全な閉状態にすることができないバルブである場合には、以降の説明で「Ｓ」と示す状態であったとしても、完全な閉状態にしなくともよい。
【0095】
図８Ａに示すように、洗浄用液体搬入処理では、ＩＰＡ液体７１を液盛りした治具２２を、乾燥処理ユニット１７の内部に搬入する。かかる洗浄用液体搬入処理までの具体的な処理は以下の通りである。
【0096】
まず、図２に示した搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、治具載置部２１に載置された治具２２を取り出し、取り出した治具２２を受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置された治具２２は、処理ステーション３の基板搬送装置１８によって受渡部１４から取り出されて、洗浄処理ユニット１６へ搬入される。
【0097】
洗浄処理ユニット１６へ搬入された治具２２は、洗浄処理ユニット１６によってＩＰＡ液体７１の液盛り処理が行われる。具体的には、洗浄処理ユニット１６は、図３に示したウェハ保持機構２５に保持された治具２２の上方にノズルアーム２６を進入させ、その先端部に設けられた薬液ノズル２６ａからＩＰＡ液体７１を所定の量供給することにより、治具２２への液盛り処理を行う。
【0098】
かかる液盛り処理を終えた治具２２は、その表面にＩＰＡ液体７１が液盛りされた状態のまま、図２に示した基板搬送装置１８に受け渡され、洗浄処理ユニット１６より搬出される。洗浄処理ユニット１６から搬出された治具２２は、基板搬送装置１８によって乾燥処理ユニット１７へ搬入される。かかる処理により、図８Ａに示すように、ＩＰＡ液体７１が液盛りされた治具２２が、乾燥処理ユニット１７の内部に搬入（すなわち、洗浄用液体搬入処理）される。
【0099】
なお、図８Ａに示すように、洗浄用液体搬入処理の際には、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとは、すべて閉状態に制御される。
【0100】
実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理では、洗浄用液体搬入処理につづいて、洗浄用液体気化処理が行われる。図８Ｂは、実施形態に係る洗浄用液体気化処理の概要を示す図である。
【0101】
図８Ｂに示すように、洗浄用液体気化処理では、治具２２に液盛りされたＩＰＡ液体７１を気化（蒸発）させる。そして、かかる気化により発生するＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の内部に充填する。これにより、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に充満させる。すなわち、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部で飽和させる。そして、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に充満させた状態で、所定の時間待機させる。
【0102】
かかる洗浄用液体気化処理により、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0103】
洗浄用液体気化処理は、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２が充満し、浮遊・付着したパーティクルを吸着するのに十分な程度の時間行われる。かかる洗浄用液体気化処理は、たとえば、超臨界流体７０を用いたウェハＷの乾燥処理における通常ランニングの時間よりも長い時間行われる。
【0104】
ここで、通常ランニングの時間とは、図７に示したように、ウェハＷの表面に液盛りされたＩＰＡ液体７１が乾燥処理ユニット１７内に搬送されてから、かかるＩＰＡ液体７１がＣＯ２の超臨界流体７０と接触するまでの時間（たとえば、１０（秒）程度）のことである。換言すると、通常ランニングの時間とは、ウェハＷの表面に液盛りされたＩＰＡ液体７１が、ウェハＷの表面において部分的にも乾燥しない時間のことである。
【0105】
洗浄用液体気化処理は、たとえば、１０（分）以上行うとよい。これにより、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを十分に吸着することができる。
【0106】
また、洗浄用液体気化処理において、治具２２に液盛りされたＩＰＡ液体７１を気化（蒸発）させる手法としては、たとえば、治具２２を１００（℃）程度に昇温すればよい。また、乾燥処理ユニット１７全体を１００（℃）程度に昇温してもよい。これらの手法により、沸点が８２．４（℃）であるＩＰＡ液体７１を効率的に気化（蒸発）させることができる。
【0107】
さらに、洗浄用液体気化処理において、治具２２や乾燥処理ユニット１７全体を１００（℃）以上に昇温してもよい。このように、さらに高い温度に昇温させることにより、乾燥処理ユニット１７内でＩＰＡ液体７１を短時間で飽和させることができることから、洗浄用液体気化処理を短時間で完了させることができる。
【0108】
なお、図８Ｂに示すように、洗浄用液体気化処理の際には、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとは、すべて閉状態に制御される。
【0109】
実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理では、洗浄用液体気化処理につづいて、排気処理が行われる。図８Ｃは、実施形態に係る排気処理の概要を示す図である。
【0110】
かかる排気処理では、制御装置４の制御部１９が、図８Ｃに示すように、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを、閉状態から開状態に変更する。これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着するパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。
【0111】
すなわち、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを、ＩＰＡ気体７２とともに除去することができる。したがって、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルの数を低減することができることから、乾燥処理ユニット１７内でウェハＷに超臨界流体７０を用いた乾燥処理を行う際に、ウェハＷに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる。
【0112】
実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理は、乾燥処理ユニット１７に追加の配管やバルブなどを設置することなく、基板処理システム１の内部に治具載置部２１と治具２２とを設置するだけで実現することができる。したがって、実施形態によれば、低コストで乾燥処理ユニット１７の洗浄処理を実施することができる。
【0113】
また、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理においては、超臨界流体７０によるウェハＷの乾燥処理において用いられる有機溶剤と同じ種類の有機溶剤（ＩＰＡ液体７１）を、洗浄処理にも用いている。
【0114】
ここで、もし仮に、ウェハＷの乾燥処理において用いられる有機溶剤と異なる種類の有機溶剤を洗浄処理に用いた場合、超臨界流体７０によるウェハＷの乾燥処理において、かかる異なる種類の有機溶剤が不純物として作用する恐れがある。したがって、洗浄処理と乾燥処理とで異なる種類の有機溶剤を用いた場合、ウェハＷの乾燥処理に悪影響を与える恐れがある。
【0115】
しかしながら、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理では、ウェハＷの乾燥処理に用いられる有機溶剤と同じ種類の有機溶剤を洗浄処理に用いていることから、ウェハＷの乾燥処理に悪影響を与える恐れがない。したがって、ウェハＷの乾燥処理に用いられる有機溶剤と同じ種類の有機溶剤を洗浄処理に用いることにより、ウェハＷの乾燥処理を安定して実施することができる。
【0116】
実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理は、たとえば、それぞれの乾燥処理ユニット１７において、パーティクルカウンタにより乾燥処理を行ったウェハＷでのパーティクルの数を随時計測し、計測されたパーティクルの数が所定の数以上になった際に実施すればよい。
【0117】
また、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理は、たとえば、それぞれの乾燥処理ユニット１７において、ウェハＷに乾燥処理を行った累計時間が所定の時間以上になった際に行ってもよいし、乾燥処理を行ったウェハＷの累計枚数が所定の枚数以上になった際に行ってもよい。
【0118】
なお、図８Ｃにおいては、バルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを、閉状態から開状態に変更した例について示したが、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｇ、５２ｈや排気調整ニードルバルブ６１ｂなどを開状態にして、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の外部に排気してもよい。
【0119】
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理で用いられる治具２２の一例について、図９Ａおよび図９Ｂを用いて説明する。図９Ａは、実施形態に係る治具２２の一例を示す斜視図であり、図９Ｂは、図９ＡのＡ−Ａ線断面図である。
【0121】
円板部２２ａは、ウェハＷと略同一の径および厚さを有する。これにより、基板処理システム１において、ウェハＷの搬送に用いられる基板搬送装置１３や受渡部１４、基板搬送装置１８を用いて治具２２を搬送することができるとともに、ウェハＷを処理する洗浄処理ユニット１６や乾燥処理ユニット１７に治具２２を搬入することができる。
【0122】
なお、基板処理システム１で複数種類の径や厚さを有するウェハＷを取り扱うことができる場合、円板部２２ａは、基板処理システム１で取り扱うことのできる複数種類のうち１種類のウェハＷと略同一の径および厚さを有していればよい。
【0123】
輪形部２２ｂは、円板部２２ａにおける表側の主面から、輪形状に突出する部位である。そして、円板部２２ａと輪形部２２ｂとにより、円板部２２ａの表側の主面に凹部２２ｃが形成される。かかる凹部２２ｃを円板部２２ａの表側の主面に形成することにより、凹部２２ｃを形成しない場合に比べ、治具２２の表面に液盛りできるＩＰＡ液体７１の量を増やすことができる。したがって、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させるのに十分な量のＩＰＡ液体７１を、乾燥処理ユニット１７内に搬入することができる。
【0124】
輪形部２２ｂは、円板部２２ａの縁２２ｄから所定の距離以上離して設けられる。これにより、基板処理システム１において、基板搬送装置１３や受渡部１４、基板搬送装置１８を用いて治具２２を搬送する際に、円板部２２ａの縁２２ｄを把持して搬送することができる。
【0126】
図９Ｃに示すように、治具２２Ａは、円板部２２ａにおける表側の主面のうち、輪形部２２ｂの内側の表面に曲面状の凹み２２ｅが形成されている。かかる凹み２２ｅを形成することにより、凹部２２ｃに液盛りできるＩＰＡ液体７１の量をさらに増やすことができる。
【0127】
したがって、治具２２Ａによれば、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させるのにさらに十分な量のＩＰＡ液体７１を、乾燥処理ユニット１７内に搬入することができる。
【0128】
なお、図９Ｃにおいては、曲面状の凹み２２ｅを形成する例について示しているが、凹み２２ｅの形状は曲面状に限られない。たとえば、円板部２２ａにおける表側の主面のうち、輪形部２２ｂの内側の表面を輪形部２２ｂの外側の表面よりも平坦状に全体的に低くしてもよい。
【0129】
また、図２では、治具２２を基板処理システム１に１つ設けた例について示したが、基板処理システム１に治具２２を複数設けてもよい。これにより、複数の乾燥処理ユニット１７において並行して洗浄処理を行うことができることから、乾燥処理ユニット１７を早期にウェハＷの乾燥処理に復帰させることができる。
【0130】
なお、上述のように治具２２を基板処理システム１に複数設ける場合、搬送部１２に治具載置部２１を複数設けてもよいし、治具２２を複数搭載できるキャリアを搬送部１２に設けてもよい。
【0131】
図１０は、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理における処理手順を示すフローチャートである。なお、図１０に示す基板処理システム１の洗浄処理は、制御装置４の記憶部２０に格納されているプログラムを制御部１９が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて制御部１９が洗浄処理ユニット１６や乾燥処理ユニット１７などを制御することにより実行される。
【0132】
図１０に示すように、まず、基板搬送装置１８（図２参照）は、洗浄処理ユニット１６に治具２２を搬入する。治具２２は、輪形部２２ｂを上方に向けた状態でウェハ保持機構２５（図３参照）に保持される。その後、制御部１９は、洗浄処理ユニット１６を制御して、治具２２に対しＩＰＡ液体７１の液盛り処理を行う（Ｓ１０１）。
【0133】
液盛り処理では、まず、ウェハ保持機構２５に保持された治具２２の上方にノズルアーム２６を進入させる。その後、ノズルアーム２６の先端部に設けられた薬液ノズル２６ａからＩＰＡ液体７１を所定の量供給する。かかる所定の量は、たとえば、ＩＰＡ液体７１から生じるＩＰＡ気体７２で、乾燥処理ユニット１７の内部を充満させるのに十分な量である。
【0134】
つづいて、基板搬送装置１８は、液盛り処理された治具２２を洗浄処理ユニット１６から搬出し、乾燥処理ユニット１７内に搬入する洗浄用液体搬入処理を行う（Ｓ１０２）。洗浄用液体搬入処理では、まず、液盛り処理された治具２２が保持板３２（図４参照）に保持される。その後、保持板３２と蓋部材３３とが、液盛り処理された治具２２とともに本体３１の内部に収容され、蓋部材３３により開口部３４が密閉される。
【0135】
つづいて、乾燥処理ユニット１７では、洗浄用液体気化処理が行われる（Ｓ１０３）。洗浄用液体気化処理では、まず、治具２２に液盛りされたＩＰＡ液体７１が気化される。かかる気化処理は、たとえば、治具２２や乾燥処理ユニット１７本体を１００（℃）程度に昇温することにより行う。
【0136】
その後、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させて、ＩＰＡ気体７２が充満された状態で所定の時間待機させる。ここで、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させ、その状態で待機させる時間の合計は、たとえば、３０（分）以上である。これにより、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0137】
つづいて、乾燥処理ユニット１７では、排気処理が行われる（Ｓ１０４）。排気処理では、制御部１９が、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを制御して、かかる各バルブを閉状態から開状態に変更する。これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。
【0138】
その後、乾燥処理ユニット１７では、治具搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。治具搬出処理では、まず、開状態であるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを閉状態に変更した後、パージ装置６２などを用いて、乾燥処理ユニット１７の内部を大気圧に解放する。
【0139】
その後、基板搬送装置１８を用いて治具２２を乾燥処理ユニット１７から搬出する。かかる治具搬出処理が完了すると、乾燥処理ユニット１７に対しての洗浄処理が完了する。
【0140】
なお、図１０に示した処理手順を、一度の洗浄処理において、くり返し実施してもよい。かかる処理手順を一度の洗浄処理においてくり返し実施することにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルの数をさらに低減することができる。
【0141】
ここまで示した実施形態では、治具２２に液盛り処理を行い、かかる治具２２を乾燥処理ユニット１７に搬入することにより洗浄処理を行っていたが、液盛りされる部材は治具２２に限られない。たとえば、ウェハＷの表面にＩＰＡ液体７１を液盛り処理して、液盛り処理されたウェハＷを乾燥処理ユニット１７に搬入することにより、乾燥処理ユニット１７の洗浄処理を行ってもよい。
【0142】
＜変形例＞以降においては、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理の各種変形例について説明する。まずは、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１２を参照しながら、洗浄処理の変形例１について説明する。
【0143】
図１１Ａは、実施形態の変形例１に係る洗浄用気体注入処理の概要を示す図である。図１１Ａに示すように、変形例１において、乾燥処理ユニット１７は、バルブ５２ｉを介してＩＰＡ気体供給源６３に接続されている。かかるＩＰＡ気体供給源６３には、ＩＰＡ気体７２が貯蔵される。また、バルブ５２ｉは、その他のバルブと同様に制御装置４の制御部１９により制御可能である。
【0144】
そして、変形例１では、洗浄用気体注入処理により、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する。具体的には、制御装置４の制御部１９が、図１１Ａに示すように、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとをすべて閉状態に制御する一方で、バルブ５２ｉを開状態に制御する。かかる制御により、ＩＰＡ気体供給源６３からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する。
【0145】
この洗浄用気体注入処理により、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に充填し、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に充満させる。かかる洗浄用気体注入処理により、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0146】
すなわち、変形例１における洗浄用気体注入処理は、実施形態における洗浄用液体気化処理に相当する処理である。したがって、洗浄用気体注入処理を行う時間などは、実施形態における洗浄用液体気化処理と同様の条件を用いることができる。
【0147】
変形例１では、洗浄用気体注入処理につづいて、排気処理が行われる。図１１Ｂは、実施形態の変形例１に係る排気処理の概要を示す図である。
【0148】
かかる排気処理では、制御装置４の制御部１９が、図１１Ｂに示すように、開状態のバルブ５２ｉを閉状態に変更するとともに、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを、閉状態から開状態に変更する。
【0149】
これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。したがって、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを、ＩＰＡ気体７２とともに除去することができる。
【0150】
すなわち、変形例１における排気処理は、実施形態における排気処理に相当する処理である。したがって、変形例１における排気処理の各種条件は、実施形態における排気処理と同様の条件を用いることができる。
【0151】
変形例１では、治具２２の液盛り処理や搬入処理を行うことなく、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７内部に充填することができる。すなわち、治具２２の液盛り処理や搬入処理を省略することができることから、乾燥処理ユニット１７の洗浄処理にかかる時間を短くすることができる。したがって、変形例１によれば、乾燥処理ユニット１７を早期にウェハＷの乾燥処理に復帰させることができる。
【0152】
図１２は、実施形態の変形例１に係る基板処理システム１の洗浄処理における処理手順を示すフローチャートである。
【0153】
図１２に示すように、まず、乾燥処理ユニット１７において、洗浄用気体注入処理が行われる（Ｓ２０１）。洗浄用気体注入処理では、まず、制御部１９が、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとをすべて閉状態に制御する。その後、制御部１９がバルブ５２ｉを開状態に制御して、ＩＰＡ気体供給源６３からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する。
【0154】
その後、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させて、ＩＰＡ気体７２が充満された状態で所定の時間待機させる。ここで、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させ、その状態で待機させる時間の合計は、たとえば、３０（分）以上である。これにより、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0155】
なお、この際、バルブ５２ｉは開状態を維持していてもよいし、所定の量のＩＰＡ気体７２を注入した後、バルブ５２ｉを閉状態に変更してもよい。
【0156】
なお、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する場合は、これに限ることはなく、例えば、最初の数秒の間バルブ５２ａ、５２ｆと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａを開状態に制御し、かつ、バルブ５２ｉを開状態に制御し、ＩＰＡ気体供給源６３からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入し、その後、バルブ５２ａ、５２ｆと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａを閉状態に制御し、ひきつづきＩＰＡ気体供給源６３からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入するようにしてもよい。これにより、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する時間を短縮することができる。
【0157】
つづいて、乾燥処理ユニット１７では、排気処理が行われる（Ｓ２０２）。排気処理では、制御部１９がバルブ５２ｉを閉状態に制御する。その後、制御部１９が、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを制御して、上述の各バルブを閉状態から開状態に変更する。これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。
【0158】
その後、開状態であるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを閉状態に変更すると、変形例１に係る洗浄処理が完了する。
【0160】
図１３Ａは、実施形態の変形例２に係る洗浄用液体注入処理の概要を示す図である。図１３Ａに示すように、変形例２において、乾燥処理ユニット１７は、バルブ５２ｉを介してＩＰＡ液体供給源６４に接続されている。かかるＩＰＡ液体供給源６４には、ＩＰＡ液体７１が貯蔵される。また、バルブ５２ｉは、その他のバルブと同様に制御装置４の制御部１９により制御可能である。
【0161】
そして、変形例２では、洗浄用液体注入処理により、ＩＰＡ液体７１を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する。具体的には、制御装置４の制御部１９が、図１３Ａに示すように、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとをすべて閉状態に制御する一方で、バルブ５２ｉを開状態に制御する。かかる制御により、ＩＰＡ液体供給源６４からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ液体７１を乾燥処理ユニット１７の内部に注入する。
【0162】
すなわち、変形例２における洗浄用液体注入処理は、実施形態における液盛り処理および洗浄用液体搬入処理に相当する処理である。したがって、洗浄用液体注入処理においてＩＰＡ液体７１を注入する量などは、実施形態における液盛り処理や洗浄用液体搬入処理と同様の条件を用いることができる。
【0163】
変形例２では、洗浄用液体注入処理につづいて、洗浄用液体気化処理が行われる。図１３Ｂは、実施形態の変形例２に係る洗浄用液体気化処理の概要を示す図である。
【0164】
図１３Ｂに示すように、洗浄用液体気化処理では、制御装置４の制御部１９が、開状態のバルブ５２ｉを閉状態に変更するとともに、乾燥処理ユニット１７内部に注入されたＩＰＡ液体７１を気化（蒸発）させる。そして、かかる気化により発生するＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の内部に充填する。これにより、ＩＰＡ気体７２を乾燥処理ユニット１７の内部に充満させる。
【0165】
かかる洗浄用液体気化処理により、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。すなわち、変形例２における洗浄用液体気化処理は、実施形態における洗浄用液体気化処理に相当する処理である。したがって、変形例２における洗浄用気体注入処理の各種条件は、実施形態における洗浄用液体気化処理と同様の条件を用いることができる。
【0166】
変形例２では、洗浄用液体気化処理につづいて、排気処理が行われる。図１３Ｃは、実施形態の変形例２に係る排気処理の概要を示す図である。
【0167】
かかる排気処理では、制御装置４の制御部１９が、図１３Ｃに示すように、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを、閉状態から開状態に変更する。
【0168】
これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。したがって、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを、ＩＰＡ気体７２とともに除去することができる。
【0169】
すなわち、変形例２における排気処理は、実施形態における排気処理に相当する処理である。したがって、変形例２における排気処理の各種条件は、実施形態における排気処理と同様の条件を用いることができる。
【0170】
変形例２では、治具２２の搬入処理を行うことなく、ＩＰＡ液体７１を乾燥処理ユニット１７内部に注入することができる。すなわち、治具２２の搬入処理を省略することができることから、乾燥処理ユニット１７の洗浄処理にかかる時間を短くすることができる。したがって、変形例２によれば、乾燥処理ユニット１７を早期にウェハＷの乾燥処理に復帰させることができる。
【0171】
図１４は、実施形態の変形例２に係る基板処理システム１の洗浄処理における処理手順を示すフローチャートである。
【0172】
図１４に示すように、まず、乾燥処理ユニット１７において、洗浄用液体注入処理が行われる（Ｓ３０１）。洗浄用液体注入処理では、まず、バルブ５２ａ〜５２ｈと、排気調整バルブ５９と、排気調整ニードルバルブ６１ａ、６１ｂとをすべて閉状態に制御する。
【0173】
その後、バルブ５２ｉを開状態に制御して、ＩＰＡ液体供給源６４からバルブ５２ｉを介して、ＩＰＡ液体７１を乾燥処理ユニット１７の内部に所定の量注入する。かかる所定の量は、たとえば、ＩＰＡ液体７１から生じるＩＰＡ気体７２で、乾燥処理ユニット１７の内部を充満させるのに十分な量である。
【0174】
つづいて、乾燥処理ユニット１７では、洗浄用液体気化処理が行われる（Ｓ３０２）。洗浄用液体気化処理では、まず、乾燥処理ユニット１７の内部に注入されたＩＰＡ液体７１が気化される。かかる気化処理は、たとえば、乾燥処理ユニット１７本体を１００（℃）程度に昇温することにより行う。
【0175】
その後、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させて、ＩＰＡ気体７２が充満された状態で所定の時間待機させる。ここで、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させ、その状態で待機させる時間の合計は、たとえば、３０（分）以上である。これにより、乾燥処理ユニット１７内に充満したＩＰＡ気体７２は、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着する。
【0176】
なお、洗浄用液体注入処理において、所定の量のＩＰＡ液体７１を注入した後バルブ５２ｉを閉状態に変更してもよいし、洗浄用液体注入処理から洗浄用液体気化処理にかけて、バルブ５２ｉの開状態を維持していてもよい。
【0177】
つづいて、乾燥処理ユニット１７では、排気処理が行われる（Ｓ３０３）。排気処理では、制御部１９がバルブ５２ｉを閉状態に制御する。その後、制御部１９が、乾燥処理ユニット１７の下流側にあるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを制御して、上述の各バルブを閉状態から開状態に変更する。これにより、乾燥処理ユニット１７内に浮遊・付着したパーティクルを吸着したＩＰＡ気体７２を、乾燥処理ユニット１７の外部に排気する。
【0178】
その後、開状態であるバルブ５２ｅと、排気調整バルブ５９と、バルブ５２ｆと、排気調整ニードルバルブ６１ａとを閉状態に変更すると、変形例２に係る洗浄処理が完了する。
【実施例】
【0179】
以下、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理を具体的に実施した。
【0180】
まず、ＣＯ２の超臨界流体７０を用いた乾燥処理をくり返し実施した基板処理システム１において、洗浄処理の直前に乾燥処理を施したウェハＷに付着したパーティクルの数をパーティクルカウンタで計測したところ、大きさが３０（ｎｍ）以上のパーティクルが１９３１０（個）計測された。
【0181】
次に、かかる基板処理システム１において、実施形態に係る洗浄処理を実施した。かかる洗浄処理では、洗浄用液体気化処理において、乾燥処理ユニット１７の本体３１の温度を直前の乾燥処理において昇温した１００℃程度に維持し、洗浄用液体気化処理を３分程度実施した。そして、図１０に示した洗浄処理における処理手順をくり返し実施して、合計で３時間程度、洗浄処理を行った。
【0182】
次に、上述した洗浄処理を行った直後に、ＣＯ２の超臨界流体７０を用いた乾燥処理をウェハＷに実施し、かかるウェハＷに付着したパーティクルの数をパーティクルカウンタで計測したところ、大きさが３０（ｎｍ）以上のパーティクルは２５３３（個）計測された。
【0183】
上述のように、洗浄処理を行う直前と、洗浄処理を行った直後とでウェハＷに付着するパーティクルの数を比較することにより、実施形態に係る基板処理システム１の洗浄処理は、ウェハＷに付着するパーティクルの数を低減させることができることがわかる。
【0184】
実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法は、液体により表面が濡れた状態の基板（ウェハＷ）を超臨界流体７０と接触させて、基板（ウェハＷ）を乾燥させる乾燥処理（Ｓ１）が行われる基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の洗浄方法であって、洗浄用気体充填工程（Ｓ３）と、排気工程（Ｓ４）とを含む。洗浄用気体充填工程（Ｓ３）は、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体（ＩＰＡ気体７２）を基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部に充填する。排気工程（Ｓ４）は、洗浄用気体充填工程（Ｓ３）の後に、基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部から洗浄用気体（ＩＰＡ気体７２）を排気する。これにより、超臨界流体７０を用いてウェハＷを乾燥させる場合に、ウェハＷに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる。
【0185】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、液体は、イソプロピルアルコールを含有する。これにより、ウェハＷの乾燥処理を安定して実施することができる。
【0186】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、洗浄用気体充填工程（Ｓ３）は、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体（ＩＰＡ液体７１）が液盛りされた治具２２（２２Ａ）を基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部に搬入する洗浄用液体搬入工程（Ｓ１０２）と、洗浄用液体搬入工程（Ｓ１０２）の後に、基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部で洗浄用液体（ＩＰＡ液体７１）を気化させる洗浄用液体気化工程（Ｓ１０３）とを含む。これにより、低コストで基板処理システム１の洗浄処理を実施することができる。
【0187】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、治具２２（２２Ａ）は、基板（ウェハＷ）と略同一の径および厚さを有する円板部２２ａと、円板部２２ａの主面から輪形状に突出する輪形部２２ｂとを含む。これにより、乾燥処理ユニット１７内にＩＰＡ気体７２を充満させるのに十分な量のＩＰＡ液体７１を、乾燥処理ユニット１７内に搬入することができる。
【0188】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、洗浄用気体充填工程（Ｓ３）は、所定の注入経路を介して洗浄用気体（ＩＰＡ気体７２）を基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部に注入する洗浄用気体注入工程（Ｓ２０１）を含む。これにより、基板処理システム１を早期にウェハＷの乾燥処理（Ｓ１）に復帰させることができる。
【0189】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、洗浄用気体充填工程（Ｓ３）は、所定の注入経路を介してイソプロピルアルコールを含有する洗浄用液体（ＩＰＡ液体７１）を基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部に注入する洗浄用液体注入工程（Ｓ３０１）と、洗浄用液体注入工程（Ｓ３０１）の後に、基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部で洗浄用液体（ＩＰＡ液体７１）を気化させる洗浄用液体気化工程（Ｓ３０２）とを含む。これにより、基板処理システム１を早期にウェハＷの乾燥処理（Ｓ１）に復帰させることができる。
【0190】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法において、超臨界流体７０は、二酸化炭素を含有する超臨界流体である。これにより、ウェハＷにおけるパターン倒れの発生を抑えつつウェハＷ表面を乾燥させることができる。
【0191】
また、実施形態に係る基板処理装置の洗浄システムは、液体により表面が濡れた状態の基板（ウェハＷ）を超臨界流体７０と接触させて、基板（ウェハＷ）を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の洗浄システムであって、洗浄用気体充填部と、排気部とを含む。洗浄用気体充填部は、イソプロピルアルコールを含有する洗浄用気体（ＩＰＡ気体７２）を基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部に充填する。排気部は、基板処理装置（乾燥処理ユニット１７）の内部から洗浄用気体（ＩＰＡ気体７２）を排気する。これにより、超臨界流体７０を用いてウェハＷを乾燥させる場合に、ウェハＷに多数のパーティクルが付着することを抑制することができる。
【0192】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【0193】
Ｗ ウェハ１ 基板処理システム
４ 制御装置
１６ 洗浄処理ユニット
１７ 乾燥処理ユニット
１９ 制御部
２１ 治具載置部
２２、２２Ａ 治具
２２ａ 円板部
２２ｂ 輪形部
２２ｃ 凹部
７０ 超臨界流体
７１ ＩＰＡ液体
７２ ＩＰＡ気体