特許 6880913 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6880913

(24)【登録日】2021年5月10日

(45)【発行日】2021年6月2日

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20210524BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20210524BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20210524BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20210524BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/68 A

   H01L21/02 Z

   C23C16/44 F

   H01L21/31 B

【請求項の数】10

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2017-63424(P2017-63424)

(22)【出願日】2017年3月28日

(65)【公開番号】特開2018-166170(P2018-166170A)

(43)【公開日】2018年10月25日

【審査請求日】2019年8月21日

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002756

【氏名又は名称】特許業務法人弥生特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100091513

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 俊夫

(74)【代理人】

【識別番号】100133776

【弁理士】

【氏名又は名称】三井田 友昭

(72)【発明者】

【氏名】藤原 馨

【審査官】 三浦 みちる

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１１−２７４２８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／１４１５６３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００５−１７５０６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０８−２４３４６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−２３８７８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１６−０２１４２９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｃ２３Ｃ １６／４４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

内部に基板が収納されたキャリアが載置されるステージと、
前記基板を処理するための基板処理部と、
前記ステージに載置された前記キャリアと前記基板処理部との間で前記基板を搬送するための基板搬送機構と、
前記基板が搬出された状態の前記キャリアを待機させる待機用ステージを備えるキャリア待機領域と、
前記待機用ステージに載置された前記基板が搬出された状態の前記キャリアを、前記基板処理部にて処理済みの基板を当該キャリアに搬入するときの当該基板の温度よりも高い温度に加熱するキャリア加熱機構と、
前記キャリア加熱機構により加熱される前記キャリアの内部のガスを当該キャリアの外側に流出させるためのガス流出機構と、
前記ステージと前記待機用ステージとの間で、蓋が閉じられた前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、
前記ガス流出機構を構成し、前記キャリア加熱機構により加熱された前記キャリアの蓋が開放されるように前記待機用ステージに載置された前記キャリアの前記蓋を開閉する蓋開閉機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

前記蓋開閉機構は、前記キャリア搬送機構に設けられ、当該キャリア搬送機構は前記基板搬送機構と別体であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記基板処理部は、複数の前記キャリアから搬出された前記基板を一括で処理し、
前記待機用ステージは複数設けられ、
前記蓋開閉機構は、前記基板処理部による前記基板の処理中に前記複数の待機用ステージに載置された前記キャリアの蓋を順番に開閉する請求項１または２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記基板処理部において前記基板を加熱処理するために発熱する発熱体を備え、
前記キャリア加熱機構は、前記発熱体によって加熱された流体を前記基板が搬出された状態のキャリアが待機するキャリア待機領域に供給して、当該キャリアを加熱する加熱流体供給機構を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記発熱体が設けられる発熱体設置領域と、前記キャリア待機領域とを区画する区画部材と、
前記区画部材に設けられ、前記発熱体設置領域と前記キャリア待機領域とを接続する第１の接続路と、を備え、
前記加熱流体供給機構は、前記発熱体設置領域において加熱された前記流体であるガスを前記第１の接続路を介して前記キャリア待機領域へ供給することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記区画部材には、前記発熱体設置領域及び前記キャリア待機領域に対して区画された外側領域と、当該キャリア待機領域とを接続する第２の接続路が設けられ、
前記内部のガスが流出した後のキャリアを冷却するために、前記外側領域におけるガスを前記第２の接続路を介して前記キャリア待機領域へ供給するキャリア冷却用のガス供給機構を備えることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記ガス流出機構は、
前記キャリアの内部をパージするために前記待機用ステージに各々設けられた、前記キャリアに形成されるガス供給ポートにパージガスを供給するパージガス吐出口と、前記キャリアに形成されるガス排出ポートからガスを排出する排気口と、を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項8】

内部に基板が収納されたキャリアをステージに載置する工程と、
基板搬送機構により前記基板を、前記キャリアから当該基板を処理する基板処理部へ搬出する搬出工程と、
前記基板搬送機構により、前記基板処理部にて処理済みの基板を前記キャリアに搬入する搬入工程と、
前記搬出工程の後、前記搬入工程が行われる前に前記基板が搬出された状態の前記キャリアを、前記基板処理部にて処理済みの基板を当該キャリアに搬入するときの当該基板の温度よりも高い温度に加熱するキャリア加熱工程と、
前記キャリア加熱工程により加熱される前記キャリアの内部のガスを当該キャリアの外側に流出させる工程と、
前記基板処理部において前記基板を加熱処理するために発熱体を発熱させる工程と、を含み、
前記キャリア加熱工程は、前記基板処理部において前記発熱体により加熱されたダミー基板を、前記基板が搬出された状態の前記キャリアに搬入して当該キャリアを加熱する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。

【請求項9】

前記キャリア加熱工程は、前記キャリアの内部にダミー基板が収納された状態で行われ、
当該キャリア加熱工程の後、前記ダミー基板を前記キャリアから搬出し、前記キャリアから搬出済みの基板と共に前記基板処理部で処理する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理方法。

【請求項10】

基板が収納されたキャリアが載置されるステージと、前記基板を処理する基板処理部との間で基板が搬送されて処理が行われる基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８または９記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、キャリアから基板処理部に基板を搬送して処理する基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置に用いられる記憶媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造工程においては、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれるキャリアに収納された状態で、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が工場内に設置された各装置間を搬送される。そして、各装置において搬送機構によりキャリアから取り出されたウエハは、当該ウエハに成膜処理やエッチング処理などの所定の処理を行う処理部に搬送されて処理される。従って、一の装置において所定の処理を受けたウエハはキャリアに戻され、他の装置へと搬送されて次の所定の処理を受けることになる。通常、上記のキャリアは純水などの洗浄液で洗浄され、その後に所定の温度の乾燥されたエアが吹き付けられたり、ヒーターの輻射熱によって加熱されたりすることで乾燥された後、既述のように使用される。

【0003】

しかし、上記のようにウエハが装置間を搬送されて処理を受けるにあたり、装置内で水分、及び有機物などの揮発性有機汚染物質（以下、汚染物質と記載する）がウエハに付着する場合が有る。そして、このウエハがキャリア内に戻されると、この水分及び汚染物質がキャリアの内壁やキャリアを構成するガスケットの表面や内部に吸着されてしまう。その後、ウエハに付着した水分及び汚染物質は、ウエハが装置間を搬送されるうちに加熱処理などの処理を受けることで除去される場合が有るが、キャリア内においては水分及び汚染物質が残留したままとなる。

【0004】

そしてキャリアの周囲の環境の変化により、水分及び汚染物質は吸着されたキャリアの各部からガスとして放出されて、キャリア内のウエハ表面において作用し合い、有機物である汚染物質が水分に溶解した状態となることで微小なパーティクルを生じる。つまり、このように水及び汚染物質から生じるパーティクルによりウエハが汚染されてしまい、半導体デバイスの歩留りが低下してしまうおそれが有る。特許文献１には、キャリアが載置されるストッカが設けられる領域をパージする技術について記載されているが、上記の問題を解決する手法については示されていない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１６−２１４２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板処理部にて処理済みの基板がキャリア内に収納された後に、当該キャリア内に含まれる異物によって汚染されることを防ぐことができる技術を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の基板処理装置は、内部に基板が収納されたキャリアが載置されるステージと、
前記基板を処理するための基板処理部と、
前記ステージに載置された前記キャリアと前記基板処理部との間で前記基板を搬送するための基板搬送機構と、
前記基板が搬出された状態の前記キャリアを待機させる待機用ステージを備えるキャリア待機領域と、
前記待機用ステージに載置された前記基板が搬出された状態の前記キャリアを、前記基板処理部にて処理済みの基板を当該キャリアに搬入するときの当該基板の温度よりも高い温度に加熱するキャリア加熱機構と、
前記キャリア加熱機構により加熱される前記キャリアの内部のガスを当該キャリアの外側に流出させるためのガス流出機構と、
前記ステージと前記待機用ステージとの間で、蓋が閉じられた前記キャリアを搬送するキャリア搬送機構と、
前記ガス流出機構を構成し、前記キャリア加熱機構により加熱された前記キャリアの蓋が開放されるように前記待機用ステージに載置された前記キャリアの前記蓋を開閉する蓋開閉機構と、
を備えることを特徴とする。

【0008】

本発明の基板処理方法は、内部に基板が収納されたキャリアをステージに載置する工程と、
基板搬送機構により前記基板を、前記キャリアから当該基板を処理する基板処理部へ搬出する搬出工程と、
前記基板搬送機構により、前記基板処理部にて処理済みの基板を前記キャリアに搬入する搬入工程と、
前記搬出工程の後、前記搬入工程が行われる前に前記基板が搬出された状態の前記キャリアを、前記基板処理部にて処理済みの基板を当該キャリアに搬入するときの当該基板の温度よりも高い温度に加熱するキャリア加熱工程と、
前記キャリア加熱工程により加熱される前記キャリアの内部のガスを当該キャリアの外側に流出させる工程と、
前記基板処理部において前記基板を加熱処理するために発熱体を発熱させる工程と、を含み、
前記キャリア加熱工程は、前記基板処理部において前記発熱体により加熱されたダミー基板を、前記基板が搬出された状態の前記キャリアに搬入して当該キャリアを加熱する工程を含むことを特徴とする。

【0009】

本発明の記憶媒体は、基板が収納されたキャリアが載置されるステージと、前記基板を処理する基板処理部との間で基板が搬送されて処理が行われる基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、本発明の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、基板が搬出された状態のキャリアを、基板処理部にて処理済みの基板を当該キャリアに搬入するときの当該基板の温度よりも高い温度に加熱し、この加熱時のキャリアの内部のガスを当該キャリアの外側に流出させる。それによって気化したキャリア内の異物が除去されるので、キャリア内に収納された基板が当該異物により汚染されることを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の実施形態にかかる成膜装置の縦断側面図である。

【図2】前記成膜装置に設けられる蓋開閉機構の側面図である。

【図3】前記成膜装置による処理工程を示す説明図である。

【図4】前記成膜装置による処理工程を示す説明図である。

【図5】前記成膜装置による処理工程を示す説明図である。

【図6】前記成膜装置による処理工程を示す説明図である。

【図7】前記成膜装置に設けられるキャリアのステージの縦断側面図である。

【図8】前記成膜装置におけるキャリア搬入出領域の横断平面図である。

【図9】前記成膜装置におけるキャリアの加熱機構の例を示す概略図である。

【図10】前記成膜装置における隔壁及びステージの縦断側面図である。

【図11】前記成膜装置による他の処理工程を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の基板処理装置の一実施形態である成膜装置１について説明する。成膜装置１は、工場内における例えば２５℃に温度制御されたクリーンルーム内に設置されている。この成膜装置１には、キャリアＣに収納された状態でウエハＷが搬送される。このキャリアＣはＦＯＵＰであり、概ね角型で前方側が開口した容器本体Ｃ１と、容器本体Ｃ１に対して着脱自在で当該容器本体Ｃ１の前方側を塞ぐ蓋Ｃ２とにより構成されており、蓋Ｃ２が閉じられた状態で内部が密閉され、ウエハＷをその内部に多数枚収納することができる。

【0013】

成膜装置１は、キャリアＣから取り出したウエハＷを基板処理部である反応容器５内に収納して、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により成膜処理する。その成膜処理を行う一方で、反応容器５が設けられ、ＣＶＤを行うことによって加熱される室内のガスを、ウエハＷを搬出済みのキャリアＣに供給して当該キャリアＣを加熱すると共にキャリアＣの蓋Ｃ２を開放する。それによって、キャリアＣ内の各部に吸着されている水分及び汚染物質などの異物を気化させると共にキャリアＣ内から除去する清浄化処理を行うことができるように構成されている。

【0014】

以下、図１の縦断側面図を参照しながら、成膜装置１の構成を説明する。図中１１は角型の筐体である。筐体１１内には、当該筐体１１内を前後方向に区画する垂直区画壁と、筐体１１内を上下方向に区画する水平区画壁とが設けられている。区画部材である筐体１１、垂直区画壁及び水平区画壁により、互いに区画されたキャリア搬入出領域１２、キャリア待機領域１３、ウエハ搬送領域１４及び上記の反応容器５が設置される反応容器設置領域１５が形成されている。キャリア搬入出領域１２、ウエハ搬送領域１４が夫々前方、後方に位置しており、キャリア搬入出領域１２、ウエハ搬送領域１４の上方に、キャリア待機領域１３、反応容器設置領域１５が夫々位置している。これらの各領域１２〜１５は筐体１１内に形成されることにより、筐体１１の外側領域から区画されている。

【0015】

上記の垂直区画壁について、キャリア搬入出領域１２とウエハ搬送領域１４とを区画する下方側の部位を下方区画壁１６、キャリア待機領域１３と反応容器設置領域１５とを区画する上方側の部位を上方区画壁１７とする。上記の水平区画壁について、キャリア搬入出領域１２とキャリア待機領域１３とを区画する前方側の部位を前方区画壁１８、ウエハ搬送領域１４と反応容器設置領域１５とを区画する後方側の部位を後方区画壁１９とする。キャリア搬入出領域１２、キャリア待機領域１３、及び反応容器設置領域１５の反応容器５の外側はエア雰囲気であり、ウエハ搬送領域１４はこの例では窒素（Ｎ_２）ガス雰囲気である。ただし、ウエハ搬送領域１４についてもエア雰囲気としてもよい。

【0016】

先ず、キャリア搬入出領域１２について説明する。図中２１はキャリア搬送口であり、筐体１１の前方側の側壁においてキャリア搬入出領域１２に開口するように形成されている。キャリア搬入出領域１２においては前方側、後方側に夫々キャリアＣが載置される前方側キャリアステージ２２、後方側キャリアステージ２３が設けられている。筐体１１の外部に設けられる図示しないキャリア搬送機構が、キャリア搬送口２１を介して前方側キャリアステージ２２に対してキャリアＣを受け渡すことで、キャリアＣがキャリア搬入出領域１２に対して搬入出される。後方側キャリアステージ２３は、ウエハＷを搬送するために下方区画壁１６に開口したウエハ搬送口２４の縁部にキャリアＣの前面の縁部が押し付けられるように、当該キャリアＣを載置できるように構成されている。

【0017】

図中２５は前方区画壁１８に開口したキャリア搬送口であり、キャリア搬入出領域１２には、当該キャリア搬送口２５を開閉するシャッタ２６が設けられている。後述のようにキャリア搬送口２５を介してキャリア搬入出領域１２にエアが供給され、キャリア搬入出領域１２にはこのエアを排気する排気口が設けられるが、図示は省略している。

【0018】

続いて、キャリア待機領域１３について説明する。このキャリア待機領域１３の前方側、後方側にはキャリアＣを待機させるために載置する待機用キャリアステージ３１が各々、上下に３段に設けられている。図中３２はキャリア搬送機構であり、昇降してキャリア搬送口２５を介してキャリア搬入出領域１２とキャリア待機領域１３との間を移動することができる。図２の側面図も参照しながら説明すると、キャリア搬送機構３２は本体部３３と、基端部が本体部３３に接続された多関節アーム３４と、を備えており、多関節アーム３４の先端部にはキャリア保持部３５が設けられている。キャリアＣはこのキャリア保持部３５によって保持されて、前方側キャリアステージ２２と後方側キャリアステージ２３と待機用キャリアステージ３１との間で受け渡される。

【0019】

またキャリア搬送機構３２はガス流出機構をなし、上記の本体部３３には多関節アーム３６の基端部が接続され、多関節アーム３６の先端部には蓋保持部３７が設けられる。蓋保持部３７は、待機用キャリアステージ３１に載置されたキャリアＣの蓋Ｃ２を着脱するために当該蓋Ｃ２の前面の鍵穴に差し込まれる図示しない鍵を備えており、鍵穴に差し込まれた状態で当該鍵を回転させ、蓋Ｃ２とキャリアＣを構成する容器本体Ｃ１との間において係合が形成された状態と、係合が解除された状態とを切り替えることができる。この係合が解除された状態では蓋Ｃ２は蓋保持部３７に保持され、図２に示すように容器本体Ｃ１から取り外すことができる。つまり、蓋保持部３７はキャリアＣの蓋開閉機構として構成されている。

【0020】

図１に戻ってキャリア待機領域１３の説明を続けると、キャリア待機領域１３の天井部には配管４１Ａの一端が開口しており、配管４１Ａの他端は筐体１１の外部で上記のクリーンルーム内に開口している。配管４１Ａには、当該配管４１Ａ内の流路を開閉するダンパー４２Ａとファン４３Ａとフィルタ４４とが一端側（キャリア待機領域１３側）に向かってこの順に介設されており、ダンパー４２Ａにより当該配管４１Ａ内の流路（第２の接続路）が開かれた状態でファン４３Ａが動作することにより、筐体１１の外部におけるクリーンルーム内のエアがフィルタ４４により清浄化されてキャリア待機領域１３に供給される。ダンパー４２Ａとファン４３Ａは、後述のようにキャリアＣを冷却するための冷却ガス供給機構をなす。フィルタ４４については、例えばケミカルフィルタ４５、ＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air Filter）４６が、上記の配管４１Ａ内のガス流の下流側に向かってこの順に配置されることで構成されている。つまりフィルタ４４は、二種類のフィルタにより構成されている。ケミカルフィルタ４５は有機ガスやイオン状ガスを除去するためのフィルタであり、ＵＬＰＡフィルタ４６はパーティクルを除去するためのフィルタである。

【0021】

続いて、反応容器設置領域１５について説明する。上記の反応容器５は後方区画壁１９から上方に伸びるように縦型の円形に構成されており、反応容器５の内部には縦長の処理空間が形成されている。反応容器５の下端部には上記の処理空間に連通する開口部５１が、ウエハ搬送領域１４に開口するように形成されている。反応容器５の外側には当該反応容器５の側方を囲むように、上記の処理空間を加熱する発熱体であるヒーター５２が設けられている。図中５３は断熱材であり、ヒーター５２及び反応容器５を囲むように起立した筒状に形成され、当該断熱材５３の外側領域における温度が高くなりすぎることを防いでいる。

【0022】

反応容器５について説明すると、当該反応容器５内には図示しない排気口が開口しており、後述のように開口部５１が閉鎖された状態で排気が行われることで、反応容器５内の処理空間を所定の圧力の真空雰囲気とすることができる。また、反応容器５内には、成膜用の処理ガスを処理空間に供給する図示しないガスインジェクタが設けられている。処理空間が真空雰囲気とされた状態で、ヒーター５２によって当該処理空間に収納されたウエハＷが加熱されると共に当該ガスインジェクタから成膜ガスが供給されることでＣＶＤが行われて、例えばシリコンなどの成膜ガスの種類に応じた膜がウエハＷに形成される。

【0023】

また、筐体１１の後方側の側壁には配管４１Ｂが設けられ、配管４１Ｂの一端は反応容器設置領域１５において断熱材５３に囲まれる領域の外側に開口している。そして、配管４１Ｂの他端は筐体１１の外部に開口し、工場の排気設備をなす排気路に接続されている。配管４１Ｂには、ファン４３Ｂ、当該配管４１Ｂ内の流路を開閉するダンパー４２Ｂが一端側（反応容器設置領域１５側）に向かってこの順に介設されている。ダンパー４２Ｂにより当該配管４１Ｂ内の流路が開かれた状態でファン４３Ｂが動作して、ヒーター５２により加熱される反応容器設置領域１５の雰囲気を形成するエアが筐体１１の外部に排出されることで、当該反応容器設置領域１５の過剰な温度上昇が抑制される。

【0024】

また、上方区画壁１７において配管４１Ｃ、４１Ｄが設けられており、これらの配管４１Ｃ、４１Ｄの各一端が、反応容器設置領域１５の断熱材５３によって囲まれる領域の外側に開口している。配管４１Ｃの他端は、キャリア待機領域１３の天井部付近で各キャリアＣが載置される領域よりも上方の位置に開口しており、当該配管４１Ｃには、当該配管４１Ｃ内の流路（第１の接続路）を開閉するダンパー４２Ｃとファン４３Ｃとフィルタ４４とが他端側（キャリア待機領域１３側）に向かってこの順に介設されている。ダンパー４２Ｃにより当該配管４１Ｃ内の流路が開かれた状態でファン４３Ｃが動作して、反応容器設置領域１５のエアが配管４１Ｃの他端へ向けて供給され、フィルタ４４によって清浄化されて、キャリア待機領域１３に供給される。フィルタ４４は、上記のようにケミカルフィルタ４５と、ＵＬＰＡフィルタ４６とにより構成されており、配管４１Ｃ内におけるガス流の上流側、下流側にケミカルフィルタ４５、ＵＬＰＡフィルタ４６が夫々設けられている。ダンパー４２Ｃ、ファン４３Ｃは、加熱されたガスをキャリアＣに供給する加熱流体供給機構をなし、上記のヒーター５２と共にキャリア加熱機構を構成する。

【0025】

配管４１Ｄの他端は、キャリア待機領域１３の底部付近で各キャリアＣが載置される領域よりも下方の位置に開口しており、当該配管４１Ｄにはファン４３Ｄと当該配管４１Ｄ内の流路を開閉するダンパー４２Ｄとが他端側（キャリア待機領域１３側）に向かってこの順に介設されており、ダンパー４２Ｄにより当該配管４１Ｄ内の流路が開かれた状態でファン４３Ｃが動作して、キャリア待機領域１３のエアを反応容器設置領域１５へ供給する。なお、以上の配管４１Ａ〜４１Ｄの各ファン４３Ａ〜４３Ｄは、例えば成膜装置１における処理中は常時動作しており、ダンパー４２Ａ〜４２Ｄの開閉により、これらの配管４１Ａ〜４１Ｄにおけるガスの流通と流通の停止とが切り替えられる。

【0026】

続いて、ウエハ搬送領域１４について説明する。図中６１はドアであり、キャリア搬送機構３２の蓋保持部３７と同様に鍵（図示は省略している）を備えている。そしてドア６１は、既述のように下方区画壁１６に押し付けられた状態で後方側キャリアステージ２３に載置されるキャリアＣに対してウエハ搬送口２４を介して上記の鍵により蓋Ｃ２を着脱し、蓋Ｃ２を保持した状態で上下方向に移動することで当該ウエハ搬送口２４の開閉を行うことができるように構成されている。このようにドア６１もキャリアＣの蓋開閉機構をなす。

【0027】

図中６はウエハボートであり、多数枚のウエハＷを上下方向に多数設けられた支持部上に載置して棚状に保持する基板保持具をなす。図中Ｄはダミーウエハであり、ウエハＷと同様の形状を有している。ダミーウエハＤは、例えばウエハボート６の上部側及び下部側において数枚ずつ、ウエハＷと同様に当該ウエハボート６に着脱自在に保持され、ウエハＷと共に反応容器５内に搬入されて処理される。このダミーウエハＤは、ウエハボート６に搭載されるウエハＷ間で処理ガスの流れを均一化する役割を有しており、半導体デバイスの製造を目的としないダミー基板である。

【0028】

図中６２は移載用ボートステージであり、上記の後方側キャリアステージ２３に載置されるキャリアＣとの間でウエハＷの移載を行うために、既述のウエハボート６が載置される。図中６３は、このウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送機構（基板搬送機構）であり、昇降自在且つ鉛直軸周りに回転自在な基台と、基台上を進退自在なウエハＷの裏面保持部とを備える。図中６４は昇降することで上記の反応容器５の開口部５１を下方から開閉する蓋である。図中６５は、ウエハボート６を反応容器５に対して搬入するために載置する搬入用ボートステージであり、蓋６４上に設けられる。つまり蓋６４の昇降によって、ウエハボート６の反応容器５に対する搬入出と反応容器５の開口部５２の開閉とが共に行われる。

【0029】

図中６６は、移載用ボートステージ６２と搬入用ボートステージ６５との間でウエハボート６を搬送することができるように関節アームを備えたボート搬送機構である。これらの他にウエハ搬送領域１４には、ボート搬送機構６６によりウエハボート６が搬送されるウエハボート６の待機用のステージや、ウエハ搬送領域１４にＮ２ガスを供給してＮ２ガス雰囲気を形成するためのＮ_２ガス供給部、ウエハ搬送領域１４を排気する排気口などが設けられるが、図示は省略する。

【0030】

上記の成膜装置１にはコンピュータである制御部１０が設けられており、当該制御部１０にはプログラムが含まれる。このプログラムには、成膜装置１の各部に制御信号を送り、後述のキャリアＣの搬送、ウエハＷの搬送、ウエハＷへの成膜処理及びキャリアＣ内の清浄化処理が進行するように命令（各ステップ）が組み込まれている。このプログラムは、記憶媒体例えばコンパクトディスク、ハードディスク、メモリーカードなどに格納されて制御部１０にインストールされる。

【0031】

続いて、上記の成膜装置１におけるウエハＷの成膜処理及びキャリアＣ内の清浄化処理について、図３〜図６を参照しながら説明する。この図３〜図６ではダンパー４２Ａ〜４２Ｄのうち、閉じているものと開いているものとを区別するために、閉じているものに斜線を付して示しており、また、ガスの流れを実線の矢印で示している。なお図示の便宜上、図４では配管４１Ｃの表示を図１よりも反応容器設置領域１５寄りに示している。

【0032】

ウエハＷの処理を行うために反応容器５内の処理空間が所定の温度、例えば３００℃以上になるようにヒーター５２が発熱し、反応容器設置領域１５のエアが加熱される。このとき、配管４１Ａ、４１Ｂのダンパー４２Ａ、４２Ｂは開かれており、配管４１Ｃ、４１Ｄのダンパー４２Ｃ、４２Ｄは閉じられている。また、キャリア搬送口２５のシャッタ２６が開かれ、キャリア搬入出領域１２とキャリア待機領域１３とが連通している。

【0033】

ダンパー４２Ａ及びシャッタ２６が上記のように開かれることで、筐体１１の外部のクリーンルーム内のエアがキャリア待機領域１３の天井下部に流入し、当該キャリア待機領域１３において下降流を形成し、キャリア搬送口２５を介してキャリア搬入出領域１２に流入した後、図示しない搬送口から排気される。また、ダンパー４２Ｂが上記のように開かれることで、加熱された反応容器設置領域１５のエアが、配管４１Ｂを介して成膜装置１の外部へ放出される。なお、ダンパー４２Ｃ、４２Ｄが上記のように閉じられることで、反応容器設置領域１５とキャリア待機領域１３との間では、エアの通流が行われていない。

【0034】

このように成膜装置１の各部にエアの流れが形成された状態で、キャリアＣがキャリア搬入出領域１２に搬入され、前方側キャリアステージ２２を介して後方側キャリアステージ２３に搬送される。ドア６１によりこのキャリアＣの蓋Ｃ２が取り外された後、当該キャリアＣに収納されているウエハＷが、移載用ボートステージ６２に載置されたウエハボート６に搬送されて保持される。収納されている全てのウエハＷがそのようにウエハボート６に搬送されると、蓋Ｃ２が取り付けられた後にキャリアＣは、キャリア待機領域１３に搬送され、待機用キャリアステージ３１に載置される。このキャリアＣに続いてキャリア搬入出領域１２に搬送されたキャリアＣも同様に、収納されているウエハＷがすべて搬出された後、待機用キャリアステージ３１に載置される（図３）。

【0035】

所定の個数のキャリアＣからウエハＷが取り出され、所定の枚数のウエハＷがウエハボート６に保持されると、ウエハボート６は蓋６４上の搬入用ボートステージ６５に搬送される。そして蓋６４が上昇し、ウエハボート６が反応容器５内の処理空間に収納されると共に反応容器５が気密に閉じられる。ヒーター５２によりウエハＷが加熱されて所定の温度となると共に処理空間が所定の圧力の真空雰囲気とされた後、成膜ガスが供給されて、ウエハＷにＣＶＤによる成膜が行われる。なお、キャリアＣから取り出される際にウエハＷに水分及び汚染物質などの異物が付着していても、この異物については成膜処理による加熱で気化することによって、ウエハＷから除去される。

【0036】

例えばこの成膜処理中に、キャリア搬送機構３２がキャリア待機領域１３に位置する状態で、シャッタ２６によりキャリア搬送口２５が閉じられ、キャリア待機領域１３とキャリア搬入出領域１２とが区画される。さらに、配管４１Ａのダンパー４２Ａ及び配管４１Ｂのダンパー４２Ｂが閉じられ、キャリア待機領域１３への筐体１１の外部からのエアの供給が停止すると共に、反応容器設置領域１５から成膜装置１の外部への加熱されたエアの放出が停止する。このようにダンパー４２Ａ、４２Ｂが閉じられる一方で、配管４１Ｃ、４１Ｄのダンパー４２Ｃ、４２Ｄが開かれ、反応容器設置領域１５で加熱されたエアが配管４１Ｃのフィルタ４４により清浄化されてキャリア待機領域１３の上部に供給されると共に、キャリア待機領域１３の下部から反応容器設置領域１５への排気が行われる。

【0037】

このエアの供給と排気とにより、キャリア待機領域１３の各キャリアＣが載置される領域には下降流が形成され、この下降流に曝されてキャリアＣは加熱され、その温度が例えば４０℃〜８０℃とされる。そのように加熱されることでキャリアＣ内では各部に吸着されていた異物が気化して当該各部から脱離した状態となる。そして、このようにキャリアＣが加熱された状態で、キャリア搬送機構３２によりキャリアＣの蓋Ｃ２が開放され、気化した異物はキャリアＣ内から流出して、当該キャリアＣ内には上記の下降流をなす清浄なエアが流入する。つまり、キャリアＣ内のガスが、清浄なエアに置換される（図４）。その後、キャリア搬送機構３２はキャリアＣの蓋Ｃ２を閉じる。キャリア待機領域１３に待機しているすべてのキャリアＣについて、順番に上記の蓋Ｃ２の開閉が行われ、蓋Ｃ２が開かれたときにキャリアＣ内のガスが置換される。

【0038】

然る後、キャリア搬送口２５の開放、配管４１Ａのダンパー４２Ａ及び配管４１Ｂのダンパー４２Ｂの開放、及び配管４１Ｃのダンパー４２Ｃ及び配管４１Ｄのダンパー４２Ｄの閉鎖が行われ、反応容器設置領域１５とキャリア待機領域１３との間におけるエアの流通が停止して、再び反応容器設置領域１５のエアは筐体１１の外部へと排出されると共に、再びクリーンルームから供給されたエアによる下降流がキャリア待機領域１３に形成される（図５）。クリーンルームの温度は加熱されたキャリアＣの温度より低いため、このクリーンルームから供給されたエアはキャリアＣを冷却する冷却ガスとして作用し、キャリアＣの温度が速やかに低下する。

【0039】

そして成膜処理が終了すると、反応容器５内の処理空間への成膜ガスの供給が停止すると共に当該処理空間の圧力が上昇した後、蓋６４が下降して、ウエハボート６がウエハ搬送領域１４へと搬出され、ウエハボート６に保持されるウエハＷはウエハ搬送領域１４のＮ２ガス雰囲気に曝されて冷却される。然る後、ウエハボート６が移載用ボートステージ６２に搬送される一方で、キャリア待機領域１３から内部が清浄化されたキャリアＣが後方側キャリアステージ２３に搬送されて、蓋Ｃ２が外される。そして、成膜済みのウエハＷがこのキャリアＣに搬送されて収納される。

【0040】

この収納されるウエハＷの温度よりも、上記のキャリア待機領域１３において蓋Ｃ２が開放された状態で加熱されたときのキャリアＣの温度は高い。具体的に、キャリアＣに搬入されるときのウエハＷの温度が４０℃であるとすると、上記の蓋Ｃ２が開放されたときに加熱されたキャリアＣの温度は４０℃よりも高い温度とされる。これは、キャリアＣ内に収納されるウエハＷの熱により、上記のキャリアＣ内の清浄化処理時には気化しなかった異物が気化してウエハＷに吸着することを防ぐためである。なお、このようにキャリアＣ内からの異物の気化を防ぐことができるように加熱時のキャリアＣの温度が設定されるため、加熱時においてキャリアＣの内壁と外壁とで温度が異なる場合には、このキャリアＣの温度とは内壁の温度である。

【0041】

上記のように成膜済みのウエハＷが収納されたキャリアＣには蓋Ｃ２が取り付けられ、当該キャリアＣは、前方側キャリアステージ２２を介して成膜装置１から搬出される。キャリア待機領域１３で待機していた各キャリアＣについて順番に、既述した後方側キャリアステージ２３への搬送と、成膜済みのウエハＷの収納と、成膜装置１からの搬出とが行われる（図６）。

【0042】

この成膜装置１によれば、収納されていたウエハＷが反応容器５に搬送されることによって空となった状態でキャリア待機領域１３にて待機しているキャリアＣを、当該キャリアＣに戻されるときの成膜処理済みのウエハＷの温度よりも高い温度に加熱すると共に蓋Ｃ２を開放する。それにより、水分及び汚染物質などを含む異物を気化させた状態でキャリアＣ内から流出させて除去し、キャリアＣ内が清浄化される。従って、反応容器５内で成膜処理されたウエハＷがこのキャリアＣに戻されるとき、このウエハＷの温度以下の温度で気化する異物は当該キャリアＣ内に残っていない。それ故に、ウエハＷをキャリアＣに戻すにあたり、当該ウエハＷが異物により汚染されることを防ぐことができる。そして、キャリアＣ内が清浄化されているので、この成膜装置１における成膜処理の後段の各処理を行う装置へ当該キャリアＣが搬送された後も、ウエハＷが異物に汚染されることを抑制することができる。

【0043】

上記の処理例ではウエハＷの成膜処理と、キャリアＣ内の清浄化処理とが同時に行われているが、これらは互いに異なるタイミングで行われてもよい。例えば成膜処理が終了し、ウエハボート６が反応容器５から搬出されてウエハ搬送領域１４においてウエハＷが冷却されている間に、図４で説明したようにキャリア待機領域１３への加熱されたエアの供給とキャリアＣの蓋Ｃ２の開閉とを行い、キャリアＣを清浄化するようにしてもよい。

【0044】

ところでキャリアＣ内の清浄化処理において、キャリアＣの加熱温度を高くするほど、確実に異物を気化することができるが、この加熱温度が高すぎるとキャリアＣの耐熱温度の限界を超え、変形などの不具合がキャリアＣに生じるおそれが有る。また、異物となる有機物やイオン性気体は水和性（水溶性）を持つことから、キャリアＣを加熱して水分をキャリアＣの各部から脱離させる際に、この水分に溶解している有機物やイオン性気体についても脱離させることができると考えられる。つまりこれら有機物やイオン性気体のキャリアＣの各部の吸着エネルギーは比較的低く、比較的低い温度であってもこれらを脱離させることができると考えられる。さらに、上記のキャリアＣは上記のクリーンルーム内を搬送されるので、比較的高い温度環境に曝されるおそれは少ないので、比較的高い温度にしないと気化されない異物がキャリアＣに吸着されていたとしても、そのような異物についてはキャリアＣの使用中に気化してウエハＷに付着する可能性は低いため、上記のキャリアＣ内の清浄化処理によって除去されなくてもよい。このような事情により、キャリアＣを加熱温度としては過剰に高くする必要は無く、既述の範囲内の温度とすることが好ましい。

【0045】

また、上記の成膜装置１ではキャリアＣ内を清浄化処理した後、クリーンルーム内のエアをキャリア待機領域１３に供給して、加熱されたキャリアＣを冷却している。従って、キャリアＣを加熱した後に当該キャリアＣが搬送されるキャリア搬入出領域１２の各部材についての耐熱性を高くする必要が無い。また、このように冷却されることで、キャリア搬入出領域１２にキャリアＣを搬送することができるタイミングの自由度が高い。それ故に、成膜処理済みのウエハＷが冷却された後、速やかにキャリア搬入出領域１２に搬送しておいたキャリアＣに収納することができるため、スループットの向上を図ることができる。

【0046】

なお、キャリアＣ内の清浄化処理において蓋Ｃ２の開閉は、キャリア搬送機構３２により行われることには限られない。例えば、キャリアＣの前面がキャリア待機領域１３を構成する側壁に向かうように待機用キャリアステージ３１に載置されるようにする。そして、上記のキャリア待機領域１３を構成する側壁には、ドア６１と同様に蓋Ｃ２を開閉する開閉機構が設けられ、蓋Ｃ２が開閉されるようにしてもよい。

【0047】

ただしキャリアＣ内の清浄化処理を行うにあたり、蓋Ｃ２を開閉することには限られない。図７は、蓋Ｃ２を開閉せずに清浄化処理を行うことができるように構成された待機用キャリアステージ３１の縦断側面を示している。この待機用キャリアステージ３１はガス流出機構をなすように構成され、その上面にはＮ_２ガス吐出口７１と、排気口７２とが設けられている。Ｎ_２ガス吐出口７１は待機用キャリアステージ３１に形成された流路７３を介してＮ２ガス供給機構７４に接続されており、排気口７２は待機用キャリアステージ３１に形成された流路７５を介して排気機構７６に接続されている。

【0048】

キャリアＣの下部にはガス供給ポートＣ３、ガス排出ポートＣ４が設けられており、キャリアＣが待機用キャリアステージ３１に載置されるとき、Ｎ２ガス吐出口７１がガス供給ポートＣ３に、排気口７２がガス排出ポートＣ４に夫々接続される。図４で説明したようにキャリア待機領域１３に加熱されたエアの下降流が形成されて既述の温度にキャリアＣが加熱された状態で、Ｎ２ガス吐出口７１からガス供給ポートＣ３を介してキャリアＣ内、即ちウエハＷが収納される空間にＮ２ガスが供給されると共に、排気口７２及びガス排出ポートＣ４を介して当該空間が排気される。つまり、キャリアＣの内部がＮ２ガスによってパージされ、気化した異物が除去される。なお、図中の点線の矢印は、キャリアＣ内のＮ２ガスの流れを概略的に示したものである。また、このキャリアＣ内のパージに用いるガスとしてはＮ２ガスに限られず、乾燥したエアやＮ２ガス以外の不活性ガスを用いてもよい。なお、上記のように加熱されたエアをキャリアＣに供給した上で、さらにこのようなキャリアＣ内のパージを行うようにしてもよい。

【0049】

また、キャリアＣ内の清浄化処理はキャリア待機領域１３において行われることには限られず、例えばキャリア搬入出領域１２で行われてもよい。図８は、キャリアＣ内の清浄化処理が行えるように構成されたキャリア搬入出領域１２の平面図である。このキャリア搬入出領域１２にはキャリアＣを収納する筐体７６が設けられており、筐体７６内は清浄化処理を行う処理室として構成されている。筐体７６内にはキャリアステージ７７が設けられている。このキャリアステージ７７は、図７で説明した待機用キャリアステージ３１と同様に構成されており、載置されたキャリアＣ内をパージすることができる。図中７８は筐体７６の側壁に設けられたキャリアＣの搬送口であり、キャリア搬送機構３２は当該搬送口７８を介して、キャリアＣをキャリアステージ７７に載置することができる。筐体７６内には、キャリアステージ７７に載置されたキャリアＣを加熱するヒーター７９が設けられている。

【0050】

キャリアステージ７７上に、ウエハボート６へのウエハＷの払い出しを終えたキャリアＣが搬送される。そして、ヒーター７９によりキャリアＣが加熱されると共にキャリアＣ内がパージされて清浄化処理が行われる。この清浄化処理は、キャリアＣをキャリア待機領域１３に搬送して待機させる前に行ってもよいし、キャリア待機領域１３に搬送して待機させた後に行ってもよい。なお、このように筐体７６内で清浄化処理を行うことで、キャリア待機領域１３において蓋Ｃ２の開閉を行う必要が無いので、図８に示すキャリア搬送機構３２には多関節アーム３６及び蓋保持部３７が設けられていない。

【0051】

ところで、キャリア待機領域１３でキャリアＣの加熱を行うにあたり、上記のように加熱されたエアをキャリア待機領域１３に供給する代わりに、キャリア待機領域１３に設けたヒーターにより行うようにしてもよい。例えばキャリア待機領域１３を構成する壁面や待機用キャリアステージ３１に当該ヒーターを設けることができる。また、そのようにキャリアＣを加熱する加熱部としては、ヒーターの代りに赤外線照射ランプやＬＥＤ（発光ダイオード）など、キャリアＣに電磁波を照射して加熱するものをキャリア待機領域１３に設けてもよい。ただし、図１で述べたようにウエハＷを加熱処理することの副産物として得られる加熱されたエアを用いてキャリアＣを加熱する構成とすれば、そのような加熱部を設ける必要が無く、加熱部に供給する電力が不要となる。従って、成膜装置１の運用コストを抑えることができるという利点が有る。なお、加熱されたエアのキャリアＣへの供給と、キャリア待機領域１３に設けた加熱部によるキャリアＣの加熱とを共に行うようにしてもよい。

【0052】

また、図７、図８に示すようにキャリアＣ内にＮ２ガスを供給する場合、このＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給機構７４に、当該Ｎ２ガスを加熱する加熱部を設けてもよい。つまり加熱されたＮ２ガスをキャリアＣに供給することで、キャリアＣ内が加熱されるようにしてもよい。ただし、ガスの比熱は比較的小さい。つまり温度が低下しやすいため、そのようにキャリアＣ内に局所的にＮ２ガスが供給された場合、供給されたＮ２ガスの温度は速やかに低下し、キャリアＣ内の温度を上昇させるために比較的長い時間を要する場合が有ることが考えられる。従って効率よくキャリアＣ内の温度を上昇させて、異物の除去効率を高めるためには、図１に示したように加熱されたエアをキャリアＣが置かれるキャリア待機領域１３に供給することで、当該キャリア待機領域１３全体を加熱する構成とすることが有効である。

【0053】

図９は、キャリア待機領域１３と反応容器設置領域１５とに跨がる液体の循環路８１を設けた例を示している。この循環路８１の一部は、キャリア待機領域１３において待機用キャリアステージ３１内に引き回されている。図中８２はポンプであり、循環路８１において液体を循環させる。循環路８１のうち、反応容器設置領域１５に設けられる部位は、当該反応容器設置領域１５のエアで加熱されているので、液体はこの部位を流通中に加熱されて、キャリア待機領域１３に供給される。そして、待機用キャリアステージ３１及び当該待機用キャリアステージ３１に載置されるキャリアＣがこの液体の熱により加熱される。その後、液体は循環路８１を流通して、反応容器設置領域１５にて再度加熱された後、キャリア待機領域１３に供給される。このようにポンプ８２及び循環路はキャリアＣを加熱する加熱流体供給機構をなす。つまり、キャリアＣ内の清浄化処理を行うために反応容器設置領域１５からキャリア待機領域１３に供給される加熱された流体としては気体であることに限られず、液体であってもよい。

【0054】

図１０では、後方側キャリアステージ２３にヒーター８３を設けると共に、下方区画壁１６においてドア６１がウエハ搬送口２４を開放するときに当該ドア６１に保持される蓋Ｃ２と対向する部位にヒーター８４を設けた例を示している。蓋Ｃ２が取り外されてウエハボート６へウエハＷが搬出されたキャリアＣについてヒーター８３により容器本体Ｃ１を、ヒーター８４により蓋Ｃ２を夫々加熱する。それによって、容器本体Ｃ１及び蓋Ｃ２から気化した異物が気化して脱離する。蓋Ｃ２が開かれていることにより容器本体Ｃ１内には、ウエハ搬送領域１４におけるＮ２ガスが流入し、雰囲気が置換される。容器本体Ｃ１及び蓋Ｃ２から脱離した異物はウエハ搬送領域１４に設けられる図示しない排気口からウエハ搬送領域１４の雰囲気を形成するＮ２ガスと共に排気されて除去される。

【0055】

上記のヒーター８３、８４によりキャリアＣを加熱して異物の除去を行うタイミングとしてはウエハＷを払い出した直後、即ちキャリア待機領域１３へ搬送されて待機する前であってもよいし、ウエハＷが戻される直前、即ちキャリア待機領域１３で待機した後であってもよい。また、ヒーター８３、８４のうち、ヒーター８３のみが設けられて容器本体Ｃ１のみが加熱される構成であってもよいが、ヒーター８４により蓋Ｃ２も加熱することで、より確実にウエハＷの異物による汚染を防ぐことができる。なお、このように容器本体Ｃ１、蓋Ｃ２を加熱するための加熱部としては発熱抵抗体であるヒーター８３、８４を用いることに限られず、上記の赤外線照射ランプやＬＥＤをウエハ搬送領域１４、キャリア搬入出領域１２に夫々設けて蓋Ｃ２、容器本体Ｃ１を加熱してもよい。

【0056】

ところで、加熱されたダミーウエハＤを用いてキャリアＣを加熱して清浄化処理を行ってもよい。具体的に説明すると、既述したようにウエハボート６にはウエハＷの他にダミーウエハＤが搭載された状態で成膜処理が行われるので、ウエハＷへの成膜処理が終了し、反応容器５から搬出されたウエハボート６には加熱され、比較的高い温度にされたダミーウエハＤが搭載されている。ウエハＷを受け取るために待機用キャリアステージ３１から後方側キャリアステージ２３に搬送され、蓋Ｃ２が開かれたキャリアＣに対して、図１１に示すように移載用ボートステージ６２に搬送されたウエハボート６から、ウエハＷよりも先にダミーウエハＤが搬送されてキャリアＣ内に収納される。

【0057】

この収納時のダミーウエハＤの温度は、キャリアＣの耐熱限界を超えない温度、例えば８０℃以下である。ダミーウエハＤからの輻射熱、ダミーウエハＤの接触による熱伝導、ダミーウエハＤによって発生する熱対流により、キャリアＣ内が加熱し、異物が気化される。なお、ダミーウエハＤについてはウエハＷと同様、ＣＶＤによって水分及び汚染物質などの異物は気化して除去されているため、このダミーウエハＤの搬入によってキャリアＣが異物に汚染されることは無い。

【0058】

キャリアＣの蓋Ｃ２が開放されているため、気化した異物はキャリアＣから流出し、キャリアＣ内の雰囲気はウエハ搬送領域１４の雰囲気であるＮ２ガス雰囲気に置換される。然る後、ダミーウエハＤがキャリアＣから搬出されてウエハボート６に戻され、キャリアＣにはウエハボート６から成膜処理済みのウエハＷが搬入される。ダミーウエハＤよりも後にキャリアＣに搬送される、つまりダミーウエハＤよりも長い時間冷却されるので、このウエハＷの温度は、上記のキャリアＣへの搬入時のダミーウエハＤの温度よりも低い。従って、このウエハＷの温度よりも、ダミーウエハＤによって加熱されるキャリアＣの温度の方が高くなるため、ウエハＷに異物は付着しない。なお、キャリアＣに搬入されるダミーウエハＤの枚数としては１枚でもよいが、キャリアＣ内をより確実に加熱するために多いほど好ましい。また、上記のダミーウエハＤの搬送は、ウエハＷと同様にウエハ搬送機構６３により行われる。

【0059】

ところで蓋Ｃ２には、容器本体Ｃ１との間に形成される隙間をシールするための樹脂製のガスケットが設けられている。このガスケットが、容器本体Ｃ１に対して固着し、蓋Ｃ２を空ける際に容器本体Ｃ１が蓋Ｃ２に引っ張られて振動し、蓋Ｃ２を開く動作をやり直すことになるおそれが有るが、キャリアＣを加熱することで、この固着現象が抑制される。つまり、成膜装置１はこの固着現象を抑制する効果も有する。

【0060】

また、成膜処理時にダミーウエハＤの表面に水分が吸着していると、この水分が反応容器５内に拡散し、ウエハＷに形成される膜の膜質を劣化させる場合が有る。それを防ぐために、以下の手順で処理を行うようにしてもよい。先ず、図３で説明したようにキャリアＣからウエハボート６にウエハＷを搬出した後、ウエハボート６からこのキャリアＣにダミーウエハＤを搬送して収納する。続いて、ダミーウエハＤが収納された状態で、図４で説明したキャリアＣ内の清浄化処理を行う。この清浄化処理によってダミーウエハＤも加熱され、吸着された水分が除去される。然る後、キャリアＣからダミーウエハＤをウエハボート６に搬送し、ダミーウエハＤとウエハＷとが搭載された状態でウエハボート６を反応容器５に搬送して成膜処理を行う。その後は、図６で説明したように成膜処理済みのウエハＷをキャリアＣに戻す。つまり、この処理工程によれば、ダミーウエハＤの表面とキャリアＣ内とを同時に清浄化することができる。

【0061】

ところで、反応容器５内ではＡＬＤによる成膜処理を行ってもよいし、成膜処理以外の処理が行われてもよい。例えば、ヒーター５２によって加熱される反応容器５内へはエッチング用の処理ガスを供給してもよいし、アニール処理用の不活性ガスを供給してもよい。つまり上記の成膜装置１は、成膜装置とされる代わりにエッチング装置やアニール装置などの加熱処理装置として構成されていてもよい。なお、上記のようにキャリアＣの加熱には、反応容器設置領域１５のエアを用いることには限られないので、本発明は、常温でウエハＷに処理液を供給して洗浄、成膜などの液処理を行う基板処理部を備えた、加熱処理装置以外の処理装置にも適用される。また、本発明は、既述した実施形態に限られるものでは無く、各実施形態は適宜変更したり、組み合わせたりすることができる。

【符号の説明】

【0062】

Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ
１ 成膜装置
１０ 制御部
３２ キャリア搬送機構
４２Ａ〜４２Ｄ ダンパー
４３Ａ〜４３Ｄ ファン
５ 反応容器
６３ ウエハ搬送機構

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】