特許 6890495 ウェーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6890495

(24)【登録日】2021年5月27日

(45)【発行日】2021年6月18日

(54)【発明の名称】ウェーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20210607BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20210607BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20210607BHJP

   B24B 9/00 20060101ALI20210607BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 601B

   H01L21/304 631

   H01L21/68 N

   B24B7/04 A

   B24B9/00 601H

【請求項の数】2

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2017-144525(P2017-144525)

(22)【出願日】2017年7月26日

(65)【公開番号】特開2019-29398(P2019-29398A)

(43)【公開日】2019年2月21日

【審査請求日】2020年5月15日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小林 義和

【審査官】 三浦 みちる

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０００−１７３９６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１９７４３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５２４０８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１１５１８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２１１４０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｂ２４Ｂ ７／０４

Ｂ２４Ｂ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に複数のデバイスを備え、外周に該表面から裏面に至る面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの外周縁に沿って該面取り部を該表面からウェーハの仕上げ厚みに至る深さに除去し、該外周縁に段差部を形成する面取り除去ステップと、
該面取り除去ステップを実施した後、該段差部の内周壁から僅かに外周側で該段差部の底面からウェーハの裏面に至る深さに除去し、該段差部の外周側に該段差部の底面からウェーハの裏面に至る側壁を形成する側壁形成ステップと、
該側壁形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面にウェーハを覆う表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、
該表面保護テープ貼着ステップを実施した後、カッターを該側壁に沿って移動させつつ該カッターで該表面保護テープを切断する表面保護テープ切断ステップと、
該表面保護テープ切断ステップを実施した後、該表面保護テープを介してウェーハの該表面側をチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該チャックテーブルで保持されたウェーハの該裏面を該仕上げ厚みへと薄化することで該側壁を除去する薄化ステップと、を備えたウェーハの加工方法。

【請求項2】

ウェーハは、該段差部に含まれる領域に結晶方位を示すノッチを有し、
該ノッチをもとに該段差部よりも内側に結晶方位を示すマークを形成するマーク形成ステップを更に備えた、請求項１に記載のウェーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、外周に面取り部が形成されたウェーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ウェーハを薄く研削した際に、外周縁の面取り部分がナイフエッジ状（ひさし状）に形成されて、欠けが生じてウェーハが破損してしまうという問題を解決するために、ウェーハの外周縁に表面側から面取り部（円弧）を除去するエッジトリミング加工を施した後、ウェーハの裏面を研削するウェーハの加工方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００−１７３９６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ウェーハは、特許文献１に示された加工方法によりエッジトリミング加工が施された後に、表面に表面保護テープが貼着され、裏面側から仕上げ厚さまで研削される。研削後、ウェーハは、裏面にダイシングテープ（ＤＡＦ：Die Attach Filmが貼着される場合もある）が貼着され、表面保護テープが剥がされた後に、切削装置などにより個々のデバイスに分割される。

【0005】

一般に表面保護テープは、ウェーハの表面に貼着された後、ウェーハの外周縁に沿ってカッターで切断される。つまり、エッジトリミング加工後のウェーハに貼着された表面保護テープは、ウェーハの表面よりも大きいサイズに切断される。この状態で、ウェーハの裏面が研削されると、表面保護テープは、研削後のウェーハの外周からはみ出す領域が発生する。研削後に、ウェーハを表面保護テープからダイシングテープへの転写作業を実施すると、ダイシングテープやＤＡＦ等にウェーハの外周側ではみ出した表面保護テープが貼着してしまうという問題が生じる。ダイシングテープやＤＡＦ等に表面保護テープが貼着することは、糊面同士が貼着されるので剥がすことが難しい上、無理に剥がそうとするとウェーハを破損させてしまう。

【0006】

一方、近年、デバイス領域にのみ１００層を超える回路層により形成されるデバイスが、設計されている。１００層を超える回路層からなるデバイスが表面に形成されたウェーハは、外周余剰領域との段差を無くすべく面取り部のみならず、外周余剰領域もトリミングして除去される。この場合、表面保護テープは、ウェーハから大きくはみ出すこととなり、上記問題が顕著に発生する。

【0007】

エッジトリミングしたウェーハ表面側の外周縁にカッターを沿わせて表面保護テープを切断すれば研削後のウェーハと表面保護テープのサイズが同一になるために、上記問題は、解消される。しかし、ウェーハの表面側の外周縁にカッターを沿わせることは、カッターによってウェーハの表面側に微細なクラックや傷が形成されて損傷しやすくなるという問題があるために、望ましくない。

【0008】

また、あらかじめウェーハ表面に表面保護テープを貼着して表面保護テープごと面取り部を除去することで、上記問題を解消することも考えられる。この場合は、表面保護テープが切削されて糸状の屑が発生し、糸状の屑が問題となる。

【0009】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、転写時にダイシングテープと表面保護テープとが貼着することを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスを備え、外周に該表面から裏面に至る面取り部が形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの外周縁に沿って該面取り部を該表面からウェーハの仕上げ厚みに至る深さに除去し、該外周縁に段差部を形成する面取り除去ステップと、該面取り除去ステップを実施した後、該段差部の内周壁から僅かに外周側で該段差部の底面からウェーハの裏面に至る深さに除去し、該段差部の外周側に該段差部の底面からウェーハの裏面に至る側壁を形成する側壁形成ステップと、該側壁形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面にウェーハを覆う表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、該表面保護テープ貼着ステップを実施した後、カッターを該側壁に沿って移動させつつ該カッターで該表面保護テープを切断する表面保護テープ切断ステップと、該表面保護テープ切断ステップを実施した後、該表面保護テープを介してウェーハの該表面側をチャックテーブルで保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウェーハの該裏面を該仕上げ厚みへと薄化することで該側壁を除去する薄化ステップと、を備えたことを特徴とする。

【0011】

上記ウェーハの加工方法において、ウェーハは、該段差部に含まれる領域に結晶方位を示すノッチを有し、該ノッチをもとに該段差部よりも内側に結晶方位を示すマークを形成するマーク形成ステップを更に備えても良い。

【発明の効果】

【0012】

本発明は、転写時にダイシングテープと表面保護テープとが貼着することを抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。

【図2】図２は、図１に示されたウェーハの側面図である。

【図3】図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す平面図である。

【図4】図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。

【図5】図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の面取り除去ステップを示す断面図である。

【図6】図６は、図４に示されたウェーハの加工方法のマーク形成ステップを示す平面図である。

【図7】図７は、図４に示されたウェーハの加工方法のマーク形成ステップ後のウェーハの平面図である。

【図8】図８は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップを示す断面図である。

【図9】図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップ後のウェーハの断面図である。

【図10】図１０は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップ後のウェーハの平面図である。

【図11】図１１は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップを示す断面図である。

【図12】図１２は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ切断ステップを示す断面図である。

【図13】図１３は、図４に示されたウェーハの加工方法の保持ステップを示す断面図である。

【図14】図１４は、図４に示されたウェーハの加工方法の薄化ステップを示す断面図である。

【図15】図１５は、図４に示されたウェーハの加工方法が施された後にダイシングテープに転写されるウェーハの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0015】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハの側面図である。

【0016】

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ２００の加工方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象であるウェーハ２００は、シリコンを基板とする円板状の半導体ウェーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを基板とする光デバイスウェーハである。ウェーハ２００は、図１に示すように、表面２０１の格子状の分割予定ライン２０３に区画された複数の領域にデバイス２０２が形成されたデバイス領域２０４とデバイス２０２が形成されていない外周余剰領域２０５とを備えている。即ち、ウェーハ２００は、表面２０１に複数のデバイス２０２を備えている。また、ウェーハ２００は、外周縁に結晶方位を示すノッチ２０６を有している。また、ウェーハ２００は、図２に示すように、外周縁に表面２０１から裏面２０７に至る断面円弧状の面取り部２０８が形成されている。

【0017】

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図３に示す切削装置１を用いる。次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置１の一例を説明する。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す平面図である。

【0018】

切削装置１は、ウェーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませウェーハ２００を回転させることで、ウェーハ２００に円形の切削加工を施して、ウェーハ２００の面取り部２０８の表面２０１側を全周に亘って除去して段差部３００（図２に点線で示す）を形成する、所謂エッジトリミング加工をウェーハ２００に施す装置である。実施形態１において、切削装置１がウェーハ２００の面取り部２０８の表面２０１側を全周に亘って除去して形成する段差部３００は、表面２０１から底面３０２までの深さがウェーハ２００の仕上げ厚み４００に至る深さに形成されている。また、実施形態１において、ウェーハ２００に形成される段差部３００は、デバイス２０２よりもウェーハ２００の外周側に位置し、ウェーハ２００の径方向の幅が全周に亘って一定の幅に形成されている。

【0019】

また、切削装置１は、段差部３００を形成した後、段差部３００の内周壁３０１から僅かに外周側に底面３０２から裏面２０７に至る側壁５００をウェーハ２００の全周に亘って形成する装置でもある。側壁５００は、内周壁３０１と平行に形成されている。内周壁３０１と側壁５００との間の距離６００は、仕上げ厚み４００以下であり、実施形態１においては、１００μｍである。

【0020】

切削装置１は、図３に示すように、ウェーハ２００の裏面２０７を吸引保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハ２００にエッジトリミング加工を施す切削ユニット２０と、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行なＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動ユニット３０と、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動ユニット４０と、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とをＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動ユニット５０と、制御ユニット１００と、を備える。

【0021】

チャックテーブル１０は、円盤形状に形成されているとともに、ウェーハ２００の裏面２０７に対向する対向面１１から凸に形成されたリング状の保持凸部１２が設けられている。保持凸部１２は、上面である保持面１３が水平方向に沿って平坦に形成されている。保持凸部１２の外縁は、チャックテーブル１０が保持するウェーハ２００に形成される側壁５００と重なる位置、又は側壁５００よりも内周側に配置されている。チャックテーブル１０は、保持面１３に図５に示す真空吸引経路１５及び開閉弁１６を介して吸引源１７と接続された吸引口１４が開口しており、保持面１３に載置されたウェーハ２００を吸引することで保持する。また、チャックテーブル１０は、図示しない回転駆動源によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。

【0022】

Ｘ軸移動ユニット３０は、チャックテーブル１０を回転駆動源とともにＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動ユニット４０は、切削ユニット２０をＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｚ軸移動ユニット５０は、切削ユニット２０をＺ軸方向に移動させることで、切削ユニット２０を切り込み送りする切り込み送り手段である。Ｘ軸移動ユニット３０、Ｙ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ４１、ボールねじ４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ４２及びチャックテーブル１０又は切削ユニット２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。

【0023】

切削ユニット２０は、Ｙ軸方向と平行な軸心回りに回転するスピンドル２２と、スピンドル２２を収容しかつＹ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０によりＹ軸方向とＺ軸方向とに移動されるスピンドルハウジング２３と、スピンドル２２に取り付けられた切削ブレード２１とを備える。切削ブレード２１は、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、切削水が供給されながらＹ軸方向と平行な軸心回りにスピンドル２２により回転されることで、チャックテーブル１０に保持されたウェーハ２００を切削加工するものである。

【0024】

また、切削装置１は、カセット８，９が設置されるカセット台４と、位置合わせユニット５と、カセット台４に載置されたカセット８からウェーハ２００を搬出し、チャックテーブル１０に搬入する搬送ユニット６３と、切削加工後のウェーハ２００の裏面２０７を洗浄する裏面洗浄ユニット６０と、切削加工後のウェーハ２００の表面２０１を洗浄する表面洗浄ユニット６１と、図示しない撮像ユニットとを備える。

【0025】

カセット８，９は、ウェーハ２００を複数収容するための収容器である。一方のカセット８は、切削加工前のウェーハ２００を収容し、他方のカセット９は、切削加工後のウェーハ２００を収容する。また、位置合わせユニット５は、カセット８から取り出されたウェーハ２００が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。

【0026】

搬送ユニット６３は、搬出入ユニット６４と、搬入ユニット６５と、第１搬出ユニット６６と、第２搬出ユニット６７とを備える。搬出入ユニット６４は、複数のアームからなる多節リンク部５１１と、多節リンク部５１１の先端に設けられかつウェーハ２００を保持するハンド部５１２とを有している。搬出入ユニット６４は、切削加工前のウェーハ２００をカセット８から位置合わせユニット５へ搬出するとともに、切削加工後のウェーハ２００を表面洗浄ユニット６１からカセット９へ搬入する。

【0027】

搬入ユニット６５は、位置合わせユニット５で位置合わせされた切削加工前のウェーハ２００をチャックテーブル１０に搬入する。第１搬出ユニット６６は、チャックテーブル１０上の切削加工後のウェーハ２００を裏面洗浄ユニット６０に搬送する。第２搬出ユニット６７は、切削加工後のウェーハ２００を裏面洗浄ユニット６０から表面洗浄ユニット６１に搬送する。

【0028】

撮像ユニットは、チャックテーブル１０に保持されたウェーハ２００を撮像するものであり、撮像ユニットは、チャックテーブル１０に保持されたウェーハ２００を撮像するＣＣＤカメラにより構成される。

【0029】

制御ユニット１００は、切削装置１の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ２００に対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、切削装置１を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット１００の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して切削装置１の各構成要素に出力する。また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットや、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。

【0030】

次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法を説明する。図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。

【0031】

ウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、ウェーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませて、ウェーハ２００をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させることで、ウェーハ２００に円形の切削加工を施して、段差部３００を形成する加工方法である。また、加工方法は、段差部３００の外周に側壁５００を形成する加工方法である。加工方法は、図４に示すように、面取り除去ステップＳＴ１と、マーク形成ステップＳＴ２と、側壁形成ステップＳＴ３と、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４と、表面保護テープ切断ステップＳＴ５と、保持ステップＳＴ６と、薄化ステップＳＴ７とを備える。実施形態１において、加工方法は、面取り除去ステップＳＴ１、マーク形成ステップＳＴ２及び側壁形成ステップＳＴ３において、切削装置１を用いる。

【0032】

（面取り除去ステップ）
図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の面取り除去ステップを示す断面図である。面取り除去ステップＳＴ１は、ウェーハ２００の外周縁に沿って面取り部２０８を表面２０１からウェーハ２００の仕上げ厚み４００に至る深さに除去し、外周縁に段差部３００を形成するステップである。

【0033】

面取り除去ステップＳＴ１では、オペレータが入力ユニットを操作して加工内容情報を制御ユニット１００に登録し、オペレータが切削加工前のウェーハ２００を収容したカセット８と、ウェーハ２００を収容していないカセット９をカセット台４に設置する。面取り除去ステップＳＴ１では、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、制御ユニット１００が搬出入ユニット６４にカセット８からウェーハ２００を取り出させ、位置合わせユニット５へ搬出させる。制御ユニット１００は、位置合わせユニット５にウェーハ２００の中心位置合わせを行わせ、搬入ユニット６５に位置合わせされたウェーハ２００をチャックテーブル１０上に搬入させる。

【0034】

制御ユニット１００は、吸引源１７を駆動させてチャックテーブル１０にウェーハ２００を吸引保持させて、Ｘ軸移動ユニット３０に切削ユニット２０の下方に向けてチャックテーブル１０を移動させる。面取り除去ステップＳＴ１では、制御ユニット１００は、図５に示すように、回転駆動源にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させながら一方の切削ユニット２０の切削ブレード２１を表面２０１側から面取り部２０８に仕上げ厚み４００に至る深さ切り込ませて段差部３００を形成する。加工方法は、面取り除去ステップＳＴ１後、マーク形成ステップＳＴ２に進む。

【0035】

（マーク形成ステップ）
図６は、図４に示されたウェーハの加工方法のマーク形成ステップを示す平面図である。図７は、図４に示されたウェーハの加工方法のマーク形成ステップ後のウェーハの平面図である。

【0036】

マーク形成ステップＳＴ２は、ノッチ２０６をもとに段差部３００よりも内周側にウェーハ２００の結晶方位を示すマークである図７に示すオリエンテーションフラット２１０を形成するステップである。なお、面取り除去ステップＳＴ１のウェーハ２００は、図６に示すように、ノッチ２０６が段差部３００の内周壁３０１よりも外側に位置し、底面３０２の外縁に設けられて、段差部３００に含まれる領域にノッチ２０６を有している。

【0037】

マーク形成ステップＳＴ２では、制御ユニット１００は、撮像ユニットにウェーハを撮像させ、ノッチ２０６の位置を検出し、実施形態１においては、回転駆動源等にノッチ２０６を前述した一方の切削ユニット２０の切削ブレード２１の下方に位置付けさせるとともに、分割予定ライン２０３をＸ軸方向及びＹ軸方向と平行に位置付けさせて、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させながら一方の切削ユニット２０の切削ブレード２１をウェーハ２００の外周余剰領域２０５内でかつ段差部３００の内周壁３０１よりも内側に仕上げ厚み４００に至る深さ切り込ませる。加工方法は、マーク形成ステップＳＴ２では、オリエンテーションフラット２１０を内周壁３０１と同一面上に形成する。加工方法は、マーク形成ステップＳＴ２後、側壁形成ステップＳＴ３に進む。

【0038】

（側壁形成ステップ）
図８は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップを示す断面図である。図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップ後のウェーハの断面図である。図１０は、図４に示されたウェーハの加工方法の側壁形成ステップ後のウェーハの平面図である。

【0039】

側壁形成ステップＳＴ３は、面取り除去ステップＳＴ１を実施して段差部３００を形成させた後に、段差部３００の内周壁３０１から僅かに外周側で段差部３００の底面３０２からウェーハ２００の裏面２０７に至る深さに除去し、段差部３００の外周側に段差部３００の底面３０２からウェーハ２００の裏面２０７に至る側壁５００を形成するステップである。側壁形成ステップＳＴ３では、制御ユニット１００は、図８に示すように、回転駆動源にチャックテーブル１０を軸心回りに回転させながら一方の切削ユニット２０の切削ブレード２１を底面３０２の内周壁３０１から僅かに外周側にウェーハ２００の裏面２０７に至る深さまで切り込ませる。側壁形成ステップＳＴ３では、制御ユニット１００は、図９及び図１０に示すように、ウェーハ２００の全周に亘って段差部３００の内周壁３０１から僅かに外周側を切削して除去して、全周に亘って側壁５００を形成する。なお、実施形態１において、側壁形成ステップＳＴ３では、底面３０２の内周壁３０１から仕上げ厚み４００以下の距離６００となる位置に側壁５００を形成する。

【0040】

制御ユニット１００は、全周に亘って側壁５００を形成した後、切削ユニット２０をウェーハ２００から退避させた後、チャックテーブル１０を第１搬出ユニット６６に向けて移動させる。制御ユニット１００は、チャックテーブル１０の吸引保持を停止させた後、第１搬出ユニット６６にチャックテーブル１０からウェーハ２００を裏面洗浄ユニット６０に搬送させた後、裏面洗浄ユニット６０にウェーハ２００の裏面２０７を洗浄させる。制御ユニット１００は、第２搬送ユニット５４にウェーハ２００を裏面洗浄ユニット６０から表面洗浄ユニット６１に搬送させ、表面洗浄ユニット６１にウェーハ２００の表面２０１を洗浄させた後、搬出入ユニット６４にカセット９内にウェーハ２００を収容させる。実施形態１において、加工方法は、切削装置１がカセット８内のウェーハ２００それぞれに面取り除去ステップＳＴ１、マーク形成ステップＳＴ２及び側壁形成ステップＳＴ３を順に実施する。加工方法は、切削装置１がカセット８内の全てのウェーハ２００に側壁形成ステップＳＴ３を施した後、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４に進む。

【0041】

（表面保護テープ貼着ステップ）
実施形態１において、加工方法は、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４及び表面保護テープ切断ステップＳＴ５において、図示しないテープ貼着装置を用いる。図１１は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップを示す断面図である。

【0042】

表面保護テープ貼着ステップＳＴ４は、側壁形成ステップＳＴ３を実施した後、ウェーハ２００の表面２０１にウェーハ２００を覆う表面保護テープ２２０を貼着するステップである。表面保護テープ２２０は、合成樹脂により構成された基材層２２１と、基材層２２１上に配設されウェーハ２００の表面２０１に貼着する糊層２２２とを備え、ウェーハ２００の表面２０１全体を覆うことができる大きさに形成されている。

【0043】

実施形態１において、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４は、糊層２２２とウェーハ２００の表面２０１とを対向させた後、図１１に示すように、表面保護テープ２２０の糊層２２２をウェーハ２００の表面２０１に貼着する。加工方法は、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４後、表面保護テープ切断ステップＳＴ５に進む。

【0044】

（表面保護テープ切断ステップ）
図１２は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ切断ステップを示す断面図である。表面保護テープ切断ステップＳＴ５は、表面保護テープ貼着ステップＳＴ４を実施した後、テープ貼着装置のカッター７０を側壁５００に沿って移動させつつカッター７０で表面保護テープ２２０を切断するステップである。

【0045】

表面保護テープ切断ステップＳＴ５は、図１２に示すように、カッター７０の刃先を表面保護テープ２２０の基材層２２１から切り込ませて、カッター７０の刃先を側壁５００に接触させた状態で、側壁５００に沿って移動させる。表面保護テープ切断ステップＳＴ５は、表面保護テープ２２０の側壁５００よりも外側にはみ出した部分を切断、除去する。加工方法は、表面保護テープ切断ステップＳＴ５後、保持ステップＳＴ６に進む。

【0046】

（保持ステップ）
実施形態１において、加工方法は、保持ステップＳＴ６及び薄化ステップＳＴ７において、図１３に示す研削装置８０を用いる。図１３は、図４に示されたウェーハの加工方法の保持ステップを示す断面図である。保持ステップＳＴ６は、表面保護テープ切断ステップＳＴ５を実施した後、表面保護テープ２２０を介してウェーハ２００の表面２０１側をチャックテーブル８１で保持するステップである。

【0047】

保持ステップＳＴ６は、図１３に示すように、ウェーハ２００の表面２０１側を表面保護テープ２２０を介して、研削装置８０のチャックテーブル８１のポーラスセラミックス等から形成された保持面８２上に載置し、吸引源８３を駆動して、表面保護テープ２２０を介して保持面８２にウェーハ２００の表面２０１を吸引保持する。加工方法は、保持ステップＳＴ６後、薄化ステップＳＴ７に進む。

【0048】

（薄化ステップ）
図１４は、図４に示されたウェーハの加工方法の薄化ステップを示す断面図である。図１５は、図４に示されたウェーハの加工方法が施された後にダイシングテープに転写されるウェーハの断面図である。薄化ステップＳＴ７は、チャックテーブル１０で保持されたウェーハ２００の裏面２０７を仕上げ厚み４００へと薄化することで側壁５００を除去するステップである。

【0049】

薄化ステップＳＴ７では、チャックテーブル８１に保持されたウェーハ２００の裏面２０７に研削砥石８４を当接させて、チャックテーブル８１及び研削砥石８４を軸心回りに回転して、仕上げ厚み４００になるまでウェーハ２００の裏面２０７に研削加工を施す。薄化ステップＳＴ７は、ウェーハ２００を仕上げ厚み４００になるまで薄化すると、段差部３００が表面２０１から仕上げ厚み４００に至る深さに形成されているので、側壁５００を全周に亘って除去することとなる。加工方法は、ウェーハ２００を仕上げ厚み４００まで薄化すると、終了する。

【0050】

仕上げ厚み４００まで薄化されると、ウェーハ２００は、側壁５００が除去されて、外縁に結晶方位を示すオリエンテーションフラット２１０が設けられる。仕上げ厚み４００まで薄化されたウェーハ２００は、周知の転写装置に搬送された後、転写装置によりオリエンテーションフラット２１０を基にアライメントされる。転写装置により、ウェーハ２００は、環状フレーム２３０に対して所定の向きで装着されるように、図１５に示すように、外周縁に環状フレーム２３０が貼着されたダイシングテープ２４０が裏面２０７に貼着された後、表面２０１から表面保護テープ２２０が剥がされて、環状フレーム２３０で支持される。なお、ダイシングテープ２４０は、合成樹脂により構成された基材層２４１と、基材層２４１上に配設されウェーハ２００の裏面２０７に貼着する糊層２４２とを備えている。

【0051】

環状フレーム２３０で支持されたウェーハ２００は、レーザーアブレーション加工、又は、切削加工が施されて、個々のデバイス２０２に分割される。また、ウェーハ２００は、裏面２０７側から透過性を有するレーザー光線が分割予定ライン２０３に沿って照射されて、分割予定ライン２０３に沿った改質層が形成され、薄化ステップ、転写、エキスパンドステップを順に実施されて、改質層から表面２０１に至るクラックが形成されて、個々のデバイス２０２に分割されても良い。

【0052】

実施形態１に係る加工方法は、面取り除去ステップＳＴ１を実施した後に、側壁形成ステップＳＴ３を実施する。表面保護テープ切断ステップＳＴ５において、側壁５００に沿ってカッター７０を移動させて、表面保護テープ２２０を切断するため、研削後のウェーハ２００の外周から表面保護テープ２２０がほぼはみ出すことなく、はみだした表面保護テープ２２０が転写時にダイシングテープ２４０に貼着することを抑制することができる。

【0053】

また、実施形態１に係る加工方法は、デバイス２０２が１００層を超える回路層からなり、ウェーハ２００の面取り部２０８のみならず外周余剰領域２０５が除去される場合であっても、面取り除去ステップＳＴ１及び側壁形成ステップＳＴ３実施後の表面保護テープ切断ステップＳＴ５において、側壁５００に沿ってカッター７０を移動させて、表面保護テープ２２０を切断するために、研削後のウェーハ２００の外周からはみ出す表面保護テープ２２０を抑制することができる。その結果、加工方法は、表面保護テープ２２０からダイシングテープ２４０にウェーハ２００を貼り替える転写時にダイシングテープ２４０と表面保護テープ２２０とが貼着することを抑制することができるという効果を奏する。

【0054】

また、加工方法は、表面保護テープ切断ステップＳＴ５において、カッター７０を側壁５００に沿わして表面保護テープ２２０を切断するので、傷やクラックが側壁５００に形成されても、側壁５００が薄化ステップＳＴ７で除去されてしまうためウェーハ２００が損傷することを抑制することができる。

【0055】

また、実施形態１に係る加工方法は、面取り除去ステップＳＴ１及び側壁形成ステップＳＴ３実施後に表面保護テープ貼着ステップＳＴ４を実施するので、段差部３００などを形成する際に、表面保護テープ２２０を切削せずに、糸状の屑が発生することを抑制することができる。

【0056】

また、加工方法は、マーク形成ステップＳＴ２において、ウェーハ２００の結晶方位を示すオリエンテーションフラット２１０を段差部３００の内周壁３０１と同一面上に形成するので、薄化ステップＳＴ７後に側壁５００が除去されても、ウェーハ２００の結晶方位を認識することができる。

【0057】

また、加工方法は、内周壁３０１との間の距離６００が仕上げ厚み４００以下となる位置に側壁５００を形成するので、薄化ステップＳＴ７後に側壁５００が除去されても、ウェーハ２００の外縁からはみ出る表面保護テープ２２０を抑制することができ、表面保護テープ２２０とダイシングテープ２４０とが貼着することを抑制することができる。

【0058】

なお、前述した実施形態１に係るウェーハの加工方法によれば、以下の切削装置が得られる。
（付記１）
ウェーハに切削加工を施す切削装置であって、
該ウェーハの裏面を保持するチャックテーブルと、
切削ブレードで該ウェーハの外周縁に沿って面取り部を表面からウェーハの仕上げ厚みに至る深さに除去し、該外周縁に段差部を形成する切削ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、該段差部を形成させた後に、該切削ユニットに該段差部の内周壁から僅かに外周側で該段差部の底面からウェーハの裏面に至る深さに除去し、該段差部の外周側に該段差部の底面からウェーハの裏面に至る側壁を形成させることを特徴とする切削装置。

【0059】

上記切削装置は、実施形態１等に係る加工方法と同様に、段差部を形成した後に、側壁を形成する。このために、切削装置は、ウェーハの表面に表面保護テープが貼着された日に側壁に沿ってカッターを移動させて、表面保護テープを切断することができ、ウェーハを損傷させることなく、研削後のウェーハ外周からはみ出る表面保護テープを抑制することができ、はみだした表面保護テープが転写時にダイシングテープに貼着することを抑制することができる。

【0060】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、前述した実施形態１では、面取り除去ステップＳＴ１と側壁形成ステップＳＴ３とにおいて、同じ切削ブレード２１を用いたが、本発明では、面取り除去ステップＳＴ１において、一方の切削ユニット２０の切削ブレード２１を用い、側壁形成ステップＳＴ３において、他方の切削ユニット２０の切削ブレード２１を用いるなど、面取り除去ステップＳＴ１と側壁形成ステップＳＴ３とにおいて互いに異なる切削ブレード２１を用いても良い。また、本発明では、面取り除去ステップＳＴ１及び側壁形成ステップＳＴ３において、図示しない研削砥石により研削加工により段差部３００及び側壁５００を形成しても良い。

【符号の説明】

【0061】

７０ カッター
８１ チャックテーブル
２００ ウェーハ
２０１ 表面
２０２ デバイス
２０６ ノッチ
２０７ 裏面
２０８ 面取り部
２１０ オリエンテーションフラット（マーク）
２２０ 表面保護テープ
３００ 段差部
３０１ 内周壁
３０２ 底面
４００ 仕上げ厚み
５００ 側壁
ＳＴ１ 面取り除去ステップ
ＳＴ２ マーク形成ステップ
ＳＴ３ 側壁形成ステップ
ＳＴ４ 表面保護テープ貼着ステップ
ＳＴ５ 表面保護テープ切断ステップ
ＳＴ６ 保持ステップ
ＳＴ７ 薄化ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】