特許6897764シリコン単結晶の製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

発明の名称　シリコン単結晶の製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

出願人　株式会社ＳＵＭＣＯ　（識別番号 302006854）

　　　　特許公開件数ランキング 673 位（35件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 357 位（70件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6897764

公報発行日　2021年7月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6897764

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