発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１乃至特許文献３に開示された従来の測定方法にあっては、いずれも半導体基板上に誘電体膜、電極からなるＭＩＳ構造の評価サンプルを形成した後に測定を行う必要があり、評価サンプルを準備するために時間を要する上、破壊検査を行う必要があった。 即ち、評価サンプルを形成するには、シリコン基板を酸化し、多結晶シリコンを堆積し、パターンニングし、エッチングを行うという時間的に長い工程が必要であり、合計で１週間以上の時間が必要とされる。 半導体デバイスの製造現場においては、プロセスで形成した誘電体膜の絶縁特性を迅速に評価し、プロセスで形成した誘電体膜の絶縁特性を迅速に測定して、プロセス装置の状態などにフィードバックすることが求められており、測定に長い時間がかかっていては実用に適さない。 本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、例えばＭＩＳ構造を有する半導体デバイスにおいて、誘電体膜の電気伝導率を迅速に非破壊かつ高精度に測定することのできる誘電体膜の電気伝導率測定装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る誘電体膜の電気伝導率測定装置によれば、例えばＭＩＳ構造を有する半導体デバイスにおいて、誘電体膜の電気伝導率を迅速に非破壊かつ高精度に測定することのできる誘電体膜の電気伝導率測定装置を提供することができる。